DE68914080T2 - Kontaktständerstruktur für Halbleitervorrichtungen. - Google Patents
Kontaktständerstruktur für Halbleitervorrichtungen.Info
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Description
- Diese Erfindung bezieht sich allgemein auf ein Verfahren zur Erzeugung koplanarer Metall/Isolator-Mehrebenen-Verbindungsschichten für Hochleistungs-Halbleiterchips und insbesondere auf ein Verfahren zur Herstellung von Kontaktstiften zur Verbindung der Metallisierungsschichten auf verschiedenen Ebenen in den Halbleiterchips.
- Ein Halbleiterchip besteht aus einer Anordnung von Bauelementen, deren Kontakte durch Metallverdrahtungsstrukturen miteinander verbunden sind. In VLSI-Chips sind diese Metallstrukturen mehr-Schichtig und durch Schichten aus einem isolierenden Material voneinander getrennt. Verbindungen zwischen den Schichten der Metallverdrahtungsstrukturen werden durch Löcher (oder Durchkontaktlöcher) hergestellt, die durch den Isolator geätzt werden. Typische Chipentwürfe beinhalten eine, zwei oder drei Verdrahtungsebenen.
- Die Bildung eines Verbindungssystems aus einem Metallmaterial für Bauelemente mit integrierten Schaltkreisen wurde üblicherweise durch deckendes Aufbringen einer Metallschicht, Bilden einer Photoresistschicht auf der Metallschicht, Belichten des Resists gemäß der gewünschten Metallmaterialstruktur, Entwickeln des Resists und nachfolgendes Ätzen der belichteten Bereiche der darunterliegenden Metallschicht ausgeführt, um dadurch die Verbindungsverdrahtung zu erzeugen. Die Verdrahtungsstruktur wurde anschließend mit einer isolierenden Schicht überzogen, planarisiert, und dann wurde eine weitere Metallmaterialstruktur auf der isolierenden Schicht gebildet. Eine Kontaktierung zwischen Schichten wurde mittels Durchkontaktlöchern bewerkstelligt, bis das gewünschte Schema der Verbindungsverdrahtung vollständig war.
- Eine Verbindung der Mehrebenen-Verdrahtungsstruktur mit den Bauelementkontakten auf dem Substrat wurde typischerweise durch den Einbau einer Zugangsverdrahtungsschicht hergestellt.
- In dem Bemühen, die Signalverarbeitungszeit des Bauelements weiter zu reduzieren und die Ausdehnung zu verringern, wurden die Zugangsverdrahtungsschichten durch Durchkontaktstifte oder vertikale Drahtstücke ersetzt, auf dem Fachgebiet als Stifte bekannt. Stifte konnten nun direkt auf der Oberseite der Bauelementkontakte angeordnet werden, um die Verbindungen mit dem obigen Mehrebenen-Verdrahtungssystem herzustellen.
- Es ist bekannt, daß Stifte durch eine als "erweiterbares Maskenverfahren" oder "Lift-off-Verfahren" bezeichnete Vorgehensweise gebildet werden, die zuerst in der US-Patentschrift Nr. 2 559 389 beschrieben und beansprucht wurde. Verbesserungen des grundlegenden Lift-off-Verfahrens wurden zum Beispiel gemäß den gemeinsam übertragenen US-Patentschriften Nr. 3 849 136, eingereicht am 31. August 1973, und Nr. 3 873 361, eingereicht am 29. November 1973, vorgenommen. Die Lift-off-Technik zur Bildung eines Stiftmetallmaterials überwindet jedoch folgende Schwierigkeiten nicht völlig: gleichmäßige Abscheidung des Stifmetallmaterials, mit der Erzielung gleichmäßiger Stifthöhen verknüpfte Planaritätsprobleme, Depositionen von Stiften mit großem Aspekt verhältnis und Elektromigrationstendenzen der bevorzugten Stiftmetallmaterialien.
- Ein Beispiel der mit der Stiftbildung Verknüpften Schwierigkeiten ist aus der Verwendung der Lift-off-Technik mit Aluminium als Stiftmetall ersichtlich. Das Aluminium muß durch Verdampfung abgeschieden werden; es ist jedoch bekannt, daß die Verdampfung von Aluminium Schwierigkeiten bezüglich Hohlräumen und Unregelmäßigkeiten bei seiner Bildung hervorruft.
- Eine weitere, mit der Stiftbildung verknüpfte Schwierigkeit besteht in den strukturellen Unregelmäßigkeiten, von denen man weiß, daß sie durch die Art der Master-Slice-Fertigung erzeugt werden. Zum Beispiel wird, da die Master-Slice-Fertigung eine Variation in der Tiefe von Kontakten verursacht, die Höhe der aufgebrachten Stifte unterschiedlich, so daß die Aluminium-Stifte mit Ionen zurückgeätzt werden müssen, um eine planare Oberfläche zu bilden (siehe zum Beispiel US-Patentschrift Nr. 4 541 169).
- Obwohl viele Techniken zur Erzielung der Planarität von Stiften vorgeschlagen worden sind, basierten diese Techniken alle auf der Verwendung des Zurückätzens mit Ionen zusammen mit der Liftoff-Technik (zum Beispiel US-Patentschriften Nr. 4 410 622; 4 470 874 und 4 541 169), wobei die Ergebnisse keine gleichmäßige Planarität erreicht haben und die Verfahren auf größere Linienbreiten und Stifte beschränkt waren.
- Außerdem gibt es mit Aluminium als Stiftmetall zusätzliche Schwierigkeiten hinsichtlich Legieren/Eindringen an Kontakten, Elektromigration und Siliziumpartikelbildung. Silizium bildet in den Kontaktlöchern Partikel und dünne Filme, was zur Folge hat, daß das Aluminium von der Substratoberfläche isoliert wird. Überdies stößt man bei der immer weitergehenden Verringerung der Abmessungen in dem Mehrebenen-Verbindungssystem von Bauelementen bei Verwendung von Aluminium bezüglich Isolations- und Elektromigrations-Toleranzen an Grenzen.
- Es wurde vorgeschlagen, Elektromigrationsprobleme, die mit auf Substraten vom Siliziumtyp aufgebrachtem Aluminium verknüpft sind, durch Verwendung von Wolframfilmen als Dif£usionsbarrieren zu lösen (M. L. Green und R. A. Levy, Technical Proceedings, SEMICON/EAST 85, Semiconductor Eguipment and Materials Institute Meeting, September 1985, Seiten 57 bis 63). "Wurmlöcher"-Defekte, die an der Wolfram/Silizium-Grenzfläche entstehen, und Schwierigkeiten mit bevorzugter Erosion von n+-implantiertem Silizium gegenüber p&spplus;-implantiertem Silizium aus einer LPCVD-Deposition von Wolfram Sprachen gegen die alleinige Verwendung von LPCVD-Wolfram als Füllmetallmaterial der Kontaktstifte.
- In einer Veröffentlichung jüngeren Datums (U. Fritsch, G. Higelin, G. Enders und W. Muller, Technical Proceedings, V-MIC Conference Meeting; 13./14. Juni 1988, Seiten 69 bis 75) schlagen die Autoren eine mögliche Lösung für die mit der Deposition von CVD-Wolfram in CMOS-Bauelementen verknüpften Defekte vor. Darin empfehlen die Autoren, zuerst durch Sputtern eine Titan/Titannitrid-Diffusionsbarriere aufzubringen, gefolgt von einer CVD- Wolframschicht. Diese Struktur erzeugt jedoch keine Kristallkeimschicht, die zu der atomaren Struktur des nachfolgenden hochschmelzenden CVD-Metalls paßt. Daher können Grenzflächenprobleme zwischen dem hochschmelzenden CVD-Füllmetall und der Titannitridschicht, wie mechanische Abtrennung und/oder elektrischer Widerstand, auftreten.
- EP-A-279588 offenbart einen stabilen Kontakt mit niedrigem Widerstand, der in einem durch einen isolierenden Schichtbereich, z. B. SiO&sub2;, eines Siliziumsubstrates führenden Kontaktloch gebildet ist und folgendes umfaßt: (a) eine Haft- und Kontaktschicht aus Ti; (b) eine Barrierenschicht, die über (a) gebildet ist und ein Material enthält, das aus W, Mo, TiW, TiN, TiWN, WN, MoN, Cr, Cr/Cr-Oxid und BN ausgewählt ist; und (c) ein leitendes Material, das aus W oder Mo oder dotiertem Polysilizium ausgewählt ist und das Kontaktloch wenigstens im wesentlichen füllt.
- EP-A-224013 offenbart ein weiteres Verfahren zur Herstellung koplanarer Mehrebenen-Metall/Isolator-Filme auf einem Substrat.
- Daher ist es Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren zur Herstellung eines koplanaren Metall- und Isolator-Mehrebenen-Verbindungssystems für VLSI Halbleiterbauelemente zu schaffen.
- Ein weiteres Ziel der vorliegenden Erfindung besteht in der Erzeugung planarer Stifte zur Kontaktierung des Substrats mit der ersten Ebene der Verbindungsverdrahtung.
- Noch ein weiteres Ziel der vorliegenden Erfindung besteht in der Erzeugung von Verbindungsstiften, die nicht mit Lift-off-Toleranzen hergestellt werden können (d. h. Stiftbreiten von weniger als 1,5 µm).
- Ein weiteres Ziel der vorliegenden Erfindung besteht in der Erzeugung von Substratkontaktstiften aus einem nicht-reaktiven Metall für eine Abscheidung ohne Hohlräume mit geringen Elektromigrationserscheinungen.
- Noch ein weiteres Ziel der vorliegenden Erfindung ist die Schaffung einer Substratkontaktstift-Struktur, die mit verschiedenen Komponenten-Kontakten verwendbar ist.
- Die Aufgabe der Erfindung wird durch das Verfahren gemäß Anspruch 1 gelöst.
- Auf ein Substrat, das bis zu dem Punkt hergestellt wurde, an dem es für das Aufbringen des Kontaktstift-Metallmaterials bereit ist, wird deckend ein Isolator aufgebracht. Dieser Isolator wird dann planarisiert und daraufhin werden selektiv an vorgegebenen Stellen Bereiche entfernt, um die Substratoberf läche zur Kontaktierung freizulegen.
- Dann wird eine reaktive Haftschicht deckend über den Isolator und in den Kontaktöffnungen aufgebracht.
- Daraufhin wird eine Kristallkeimschicht über die Haftschicht aufgebracht. Sowohl die Haft- als auch die Kristallkeimschicht werden durch Sputtern abgeschieden. Die Haftschicht besteht vorzugsweise aus einem Übergangsmetall, das in der Lage ist, SiO&sub2; zu reduzieren, und die Kristallkeimschicht besteht aus einem hochschmelzenden Metall. In Abhängigkeit von der speziellen Transistorkomponente, zu welcher der Kontakt herzustellen ist, kann jedoch die Haftschicht entweder aus einem Übergangsmetall oder einer Legierung aus dem reaktiven Metall und einem hochschmelzenden Metall bestehen.
- Ein hochschmelzendes Metall, wie Wolfram, wird dann als Füllschicht durch chemische Gasphasenabscheidung (CVD) aufgebracht, um die Bildung der Kontaktstifte zu vervollständigen. Die Oberfläche wird wiederum planarisiert, so daß der Isolator und die Stifte eine koplanare Oberfläche bilden.
- Nun können aufeinanderfolgende obere Verbindungs-Metallisierungsschichten auf den Kontaktstiften hergestellt werden. Somit wird auf den Stiften ein Verdrahtungsmetallmaterial aufgebracht, so daß durch den zuvor aufgebrachten Stift ein Kontakt zum Substrat hergestellt ist.
- Fig. 1 ist eine Querschnittsdarstellung eines Bereiches eines Halbleiterchips, der bis zur Bildung eines Bauelementkontakts auf dem Chip hergestellt ist.
- Fig. 2 zeigt die Halbleiterstruktur von Fig. 1 mit der Deposition einer Ätzstoppschicht auf der Substratoberf läche.
- Fig. 3 zeigt die Halbleiterstruktur von Fig. 2, wobei ein TsoIator auf den Halbleiterchip aufgebracht wurde.
- Fig. 4 zeigt die Halbleiterstruktur von Fig. 3, wobei der TsoIator planarisiert wurde.
- Fig. 5 zeigt die Halbleiterstruktur von Fig. 4, wobei die Bauelementkontakte freigelegt wurden.
- Fig. 6 zeigt die Halbleiterstruktur von Fig. 5, wobei ein Metall auf die Oberfläche aufgebracht wurde.
- Fig. 7 zeigt die Halbleiterstruktur von Fig. 6, wobei das Kontaktstift-Metallmaterial auf die Diffusionsbarriere aufgebracht wurde.
- Fig. 8 zeigt die Halbleiterstruktur von Fig. 7, wobei das Metall und der Isolator koplanar gearbeitet wurden.
- Fig. 9 zeigt die Halbleiterstruktur von Fig. 8 mit Darstellung der Deposition des Verdrahtungsmetallmaterials.
- Nun bezugnehmend auf Fig. 1 ist dort ein Substrat 1, das typischerweise aus einkristallinem Silizium oder einem anderen Halbleitermaterial besteht, mit einer darüberliegenden Schicht 3 aus einer dielektrischen Doppelschicht, wie zum Beispiel SiO&sub2;/Si&sub3;N&sub4;, gezeigt. Die dielektrische Schicht besteht vorzugsweise aus einer etwa 1000 Å dicken Schicht aus thermisch aufgewachsenem SiO&sub2;, auf die eine Si&sub3;N&sub4;-Schicht von etwa 1500 Å thermisch aufgewachsen ist.
- In der bevorzugten Ausführungsform des Verfahrens der Erfindung besteht das Substrat 1 aus einem Bauelement mit integrierten Schaltkreisen, das darin hergestellte aktive und passive Bauelemente sowie (nicht gezeigte) Mittel zur elektrischen Isolierung der Bauelemente voneinander aufweist. Bei dieser Anwendung ist die Schicht 3 mit Kontaktöffnungen 5 zur Kontaktherstellung zum Kontaktbereich 7 (z. B. PtSi) versehen.
- Nun bezugnehmend auf Fig. 2 wurde eine Ätzstoppschicht 9 gleichförmig auf der dielektrischen Schicht 3 und dem Substrat 1 aufgebracht. Die Ätzstoppschicht 9 kann aus einem beliebigen, geeigneten anorganischen Material bestehen, das die Oberfläche des Substrats und der dielektrischen Schicht gleichförmig abdeckt und an ihr haftet, während sie außerdem einen merklichen Unterschied im Äztwiderstand gegenüber dem nachfolgenden darüberliegenden Material aufweist.
- Wie in Fig. 3 gezeigt, wird auf die Ätzstoppschicht 9 eine zweite Isolationsschicht 11 aufgebracht. Zum Beispiel kann gesputtertes oder durch chemische Gasphasenabscheidung (CVD) aufgebrachtes SiO&sub2; oder Borphosporglas (BPSG) oder Phosphorglas (PSG) über der in Fig. 2 gezeigten Struktur angeordnet werden. Dem Fachmann ist ersichtlich, daß die Dicke dieser Schicht 11 die Dicke der Metallisierungsebene bestimmt, die in den Kanälen zu bilden ist, welche in die Schicht 11 zur Erzeugung des Stiftmetallmaterials zu ätzen sind. Als nächstes wird die Schicht 11 durch eine beliebige übliche Planarisierungstechnik einschließlich Zurückätzen mit reaktivem Ionenätzen (RIE), wie in Fig. 4 gezeigt, planarisiert.
- Nun bezugnehmend auf Fig. 5 werden, sobald die Isolatoroberfläche planarisiert wurde, Durchkontaktlöcher oder Stiftlöcher 13 unter Verwendung einer Standard-Photolithographie und RIE-Technik in der Schicht 11 erzeugt. Die gewünschte Stiftstruktur wird dann durch Naßätz- oder RIE-Ätztechniken, wenngleich die letzteren bevorzugt sind, besonders wenn feine Abmessungen erforderlich sind, auf die Ätzstoppschicht 9 übertragen. Weitere mögliche Techniken zur Erzeugung der Durchkontaktlöcher oder Metallmaterial-Verbindungsstruktur beinhalten gerichtetes laserunterstütztes Ätzen, Sputtertechniken oder Ätzen mit einem reaktiven Ionenstrahl. Beide Schichten 9 und 3 werden durchbrochen, um den Substratkontakt 7 freizulegen. Es ist zu erwähnen, daß, wenngleich Figur 5 die Kontaktfläche mit der gleichen Breite wie das Kontaktloch 5 zeigt, der Stift breiter als die Fläche 7 sein kann und/oder sogar zwei oder mehr Löcher verbinden kann.
- Nachdem die Kontaktlöcher festgelegt sind, wird eine reaktive Haftschicht 15 auf die Struktur von Fig. 5 aufgesputtert oder aufgedampft, wie in Fig. 6 gezeigt. Das Haftmetall wird so abgeschieden, daß es ungefähr 200 Ä bis 1000 Ä dick ist. In der bevorzugten Ausführungsform wird Titan als Haftmetall für Emitterkontakte verwendet, wobei diese Kontakte direkt zum Silizium hergestellt werden. Der Fachmann wird erkennen, daß ein reaktives Metall, wie es hier verwendet wird, die Fähigkeit einbringt, SiO2 zu reduzieren und/oder einen ohmschen oder Schottkybarrierenkontakt ohne Erzeugung von Siliziden zu bilden. Andere Metalle, einschließlich jedes beliebigen Übergangsmetalls, sind ebenso zur Verwendung als reaktives Haftmetall gut geeignet. Es sei jedoch erwähnt, daß die genaue, zu verwendende Haftmetallschicht mit dem speziellen, zu strukturierenden Komponentenkonakt variiert.
- Zum Beispiel ist es notwendig, wenn die Komponente des integrierten Schaltkreises aus einer Schottkybarrierendiode mit niedriger Barrierenhöhe (LSBD) besteht, entweder ein reines reaktives Metall (z. B. Titan) oder eine Legierung aus einem reaktiven Metall und einem hochschmelzenden Metall (z. B. eine TiW-Legierung mit 10 % Ti und 90 % W) zu verwenden. Dieser Schicht folgt dann eine Kristallkeimschicht aus einem reinen hochschmelzenden Metall (z. B. gesputtertem Wolfram).
- Für andere Kontakte, wie jene für Schottkybarrierendioden mit großer Barrierenhöhe (HSBD), Basis, Kollektor und Widerstände, können die Kontaktflächen 7 darin abgeschiedenes Platin enthalten, das Platinsilizid bildet. Bei diesen Kontakten ist lediglich die gesputterte hochschmelzende Kristallkeimschicht erforderlich.
- Nun wiederum bezugnehmend auf Fig. 6 wird auf die reaktive Haftschicht 15 eine Metallkeimschicht 21 aufgesputtert oder aufgedampft. Diese Kristallkeimschicht 21 ist typischerweise etwa 1000 Å dick, dies ist aber ein Näherungswert, und die tatsächliche Dicke kann in Abhängigkeit von der Fähigkeit der Kristallkeimschicht, ein Eindringen von Silizium in die nachfolgende Füllschicht zu verhindern, variieren.
- Zusätzlich zur Bereitstellung einer Diffusionsbarriere für das Silizium wirkt die Kristallkeimschicht auch als Nukleationsschicht für die Abscheidung der Füllschicht 17. Bei der bevorzugten Ausführungsform besteht die Kristallkeimschicht aus einem Metall der Gruppe der hochschmelzenden Metalle (d. h. Wolfram, Molybdän, Tantal etc.).
- Auf die Kristallkeimschicht 21 wird dann durch chemische Gasphasenabscheidung das Kontaktstift-Füllmetallmaterial 17 aufgebracht. Das Kontaktstift-Metallmaterial wird so aufgebracht, daß es, wie in Fig. 7 gezeigt, über der Oberfläche liegt. Die Dicke des Kontaktstift-Metallmaterials ist wenigstens so groß wie das Stiftkontaktloch. In ähnlicher Weise wie bei dem Metallmaterial der Kristallkeimschicht sind die hochschmelzenden Metalle (z. B. Wolfram, Molybdän etc.) die bevorzugten Metalle für die Kontaktstifte.
- Wie aus Fig. 8 ersichtlich, kann, sobald das Füllmetall 17 aufgebracht wurde, die Kontaktstiftstruktur dann planarisiert werden. Es existiert eine Anzahl von Techniken zur Planarisierung von Strukturen aus ungleichartigen Schichten mit hohen Abtragungsratenverhältnissen für eine Kombination von Metallen und dielektrischen Materialien. Mögliche Techniken schließen RIE- Ätzen etc. ein, sind jedoch nicht darauf beschränkt. Durch diese Techniken werden die übereinanderliegenden Haft-, Kristallkeim- und Füllschichten entfernt, so daß die Oberflächen des Isolators und des Kontaktmetallmaterials koplanar sind.
- Als nächstes werden durch Standard-Photolithographie Verbindungskanäle in einer (nicht gezeigten) darüberliegenden Resistschicht festgelegt. An Stellen, an denen eine Stiftdurchkontakt-Verbindung zur darüberliegenden Metallisierung gewünscht ist, muß die jeweilige Kanalöffnung in der darüberliegenden Schicht zu einem Kontaktstift ausgerichtet werden und sich wenigstens teilweise mit ihm decken.
- Wie in Fig. 9 gezeigt, wird in einem speziellen Typ von Ausführungsform nach der Festlegung der Kanäle in dem Photoresist die darüberliegende Metallisierungsebene 19 auf die Struktur aufgebracht. Das Photoresist und das überschüssige Metall werden entfernt, wodurch das Verbindungsmetallmaterial 19 zurückbleibt.
- Für den Fachmann ist jedoch ersichtlich, daß es, während ein additiver Lift-off-Prozeß beschrieben wurde, auch möglich ist, diesen Schritt des Prozesses mit einem subtraktiven Prozeß (d. h. RIE oder Naßätzen) durchzuführen.
- Auf das Verbindungsmetallmaterial wird dann eine Schicht aus einem isolierenden Material, zum Beispiel gesputtertem SiO&sub2; oder CVD-Oxid, aufgebracht. Mit der SiO&sub2;-Isolierung können Durchkontaktöf fnungen darin geätzt werden, um das Verbindungsmetallmaterial zu kontaktieren. Dann wird ein Stiftmetallmaterial durch Sputtern in den Durchkontaktöf fnungen und über der Isolierung liegend abgeschieden. Auf dieser Ebene besteht die Stiftmetallmaterialbasis bevorzugt aus demselben Metallmaterial wie das Verbindungsmetallmaterial Dies ist bevorzugt eine Legierung, die auf Al-Cu basiert..
- Das darüberliegende Metallmaterial wird dann bis zu der Isolatoroberf läche als Vorbereitung für die nächsten Personalisierungsebenen planarisiert. Die vorhergehenden Verdrahtungsprozeßschritte können dann wiederholt werden, um nachfolgende Schichten auf dem Substrat zu bilden.
Claims (7)
1. Verfahren zum Herstellen eines Kontaktstifts auf einem
Halbleitersubstrat (1) mit einer darauf gebildeten,
strukturierten dielektrischen Schicht (3), die einen Satz von
ersten Öffnungen (5) aufweist, die vorbestimmte Bereiche
des Substrats freilegen, an denen ein Kontakt herzustellen
ist, das die folgenden Schritte beinhaltet:
a) Aufbringen einer Atzstoppschicht (9) aus einem ersten
Tsolatormaterial mit hinsichtlich der nachfolgend darauf
auf zubringenden dielektrischen Schicht selektiven
Ätzeigenschaften;
b) Aufbringen einer Planarisierungsschicht (11) aus einem
zweiten Isolatormaterial auf die Ätzstoppschicht, die im
wesentlichen die Höhe des nachfolgend zu bildenden Stiftes
bestimmt;
c) Bilden eines Satzes von zweiten Öffnungen (13) in der
Planarisierungsschicht und der Ätzstoppschicht an der
Stelle eines freigelegten Bereiches, um die vorbestimmten
Bereiche des Substrats freizulegen;
d) Aufbringen einer Haftschicht (15) aus einem ersten
Metall in den zweiten Öffnungen, wobei das erste Metall daran
haftet und die zweiten Öffnungen auskleidet;
e) gleichmäßiges Aufbringen einer Kristallkeimschicht (21)
aus einem zweiten Metall auf die erste Metallschicht;
f) gleichmäßiges Aufbringen einer Füllschicht (17) aus
einem dritten Metall auf die zweite Metallschicht sowie
Füllen der Öffnung in der Isolatorschicht und dadurch Bilden
des Kontaktstifts und
g) Planarisieren der Struktur, damit die Metallstifte
koplanar zu der Oberseite der Planarisierungsschicht sind.
2. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das erste Metall aus der
Gruppe der Übergangsmetalle und das zweite und dritte
Metall aus der Gruppe ausgewählt werden, die hochschmelzende
Metalle beinhaltet.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, wobei die
Planarisierungsschicht vor der Durchführung des Schritts c)
planarisiert wird.
4. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, wobei das erste Metall
gegenüber dem Substrat reaktiv ist.
5. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, wobei vor dem Schritt a)
in den ersten Öffnungen Pt-Si-Kontakte gebildet werden.
6. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei
das Substrat aus Silizium besteht.
7. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei
die strukturierte dielektrische Schicht aus einer unteren
Schicht aus SiO&sub2; und einer oberen Schicht aus Si&sub3;N&sub4; besteht.
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