DE60303144T2 - Verfahren zur fraktionierten kristallisation eines metalls - Google Patents

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Description

  • Diese Erfindung betrifft ein Verfahren zur fraktionierten Kristallisation eines geschmolzenen Metalls.
  • Kristallisationsverfahren und -vorrichtungen werden verwendet, um ein Metall (hier als Abkürzung für Metalllegierung verwendet) zu reinigen, in dem eine zu hohe Konzentration eines Fremdelements vorhanden ist. Dieses Fremdelement kann vorhanden sein, weil in dem Metall, das aus Metallerz hergestellt wurde, dem Primärmetall, zu viel von dem Fremdelement vorhanden ist oder weil bereits verwendetes Metall wiederverwertet wird und die Fremdelementkonzentration in dem Schrott zu hoch ist. Zum Beispiel kann Aluminiumschrott zu viel von den Fremdelementen Fe, Si oder Mg enthalten, um ihn für kommerzielle Zwecke zu verwenden, ohne ihn mit Primärmetall, das wenig von dem Fremdelement enthält, zu mischen.
  • Wenn fraktionierte Kristallisation zum Reinigen des Metalls genutzt wird, werden Kristalle in dem geschmolzenen Metall während der teilweisen Verfestigung des geschmolzenen Metalls gebildet, wobei die Kristalle eine Zusammensetzung aufweisen, die sich von der Zusammensetzung des geschmolzenen Metalls, das als Ausgangspunkt verwendet wird, unterscheidet.
  • Die Kristalle, die in dem geschmolzenen Metall während der teilweisen Verfestigung des geschmolzenen Metalls gebildet werden, sind zum Beispiel im Vergleich zu dem geschmolzenen Metall gereinigt. Das Ausmaß der Reinigung hängt jedoch ab von der Art des Fremdelements und der Art des Metalls und außerdem von der Menge an Fremdelement, das in dem geschmolzenen Metall, das als Ausgangspunkt verwendet wird, vorhanden ist. Ein Reinigungsschritt reicht oft nicht aus, um ein gereinigtes Metall zu erhalten, das für kommerzielle Zwecke ausreichend rein ist.
  • Das Dokument GB-A-615590 offenbart ein Verfahren zur fraktionierten Kristallisation, bei dem das höchstens teilweise verfestigte geschmolzene Metall gerührt wird.
  • Es ist eine Aufgabe der Erfindung, ein Verfahren zur fraktionierten Kristallisation eines Metalls bereitzustellen, mit dem ein hochgereinigtes Metall erzeugt werden kann.
  • Es ist eine andere Aufgabe der Erfindung, ein relativ einfaches Verfahren zum Reinigen von Metallen durch fraktionierte Kristallisation bereitzustellen.
  • Es ist noch eine andere Aufgabe der Erfindung, ein Verfahren, das mit einer relativ einfachen Vorrichtung verwendet werden kann, bereitzustellen.
  • Es ist eine weitere Aufgabe der Erfindung, ein solches Verfahren zur kontinuierlichen fraktionierten Kristallisation bereitzustellen.
  • Eine oder mehrere dieser Aufgaben werden erfüllt mit einem Verfahren zur fraktionierten Kristallisation eines höchstens teilweise verfestigten geschmolzenen Metalls, bei dem eine Schicht aus höchstens teilweise verfestigtem geschmolzenem Metall mit einer Oberseite und einer Unterseite in eine Reihe miteinander kommunizierender Fächer geteilt ist, bei dem das Metall in wenigstens einigen der Fächer gerührt wird, und bei dem Kristalle, die in der Schicht aus Metall gebildet werden und/oder darin vorkommen, selektiv in eine vorbestimmte Richtung transportiert werden, und geschmolzenes Metall selektiv in die entgegengesetzte Richtung transportiert wird.
  • Da Fächer in der Schicht aus Metall vorhanden sind und das Metall in den Fächern gerührt wird, bleiben die Kristalle, die in der Schicht aus Metall gebildet werden und/oder darin vorkommen, für einige Zeit in ihrem Fach. Das Rühren des Metalls führt außerdem dazu, dass eine dünne Grenzschicht um die Kristalle herum vorhanden ist. Da die Fächer miteinander kommunizieren, werden einige der Kristalle auf Grund des selektiven Transportierens in die vorbestimmte Richtung von einem Fach zu dem anderen transportiert. In jedem Fach kann eine weitere Reinigung stattfinden, die hochgereinigte Kristalle in dem letzten Fach zur Folge hat. Um Metall mit einer so hohen Reinigung zu erzeugen, muss geschmolzenes Metall, dass weniger gereinigt ist, in die entgegengesetzte Richtung oder im Gegenstrom zu dem Transportieren der Kristalle transportiert werden. Die Gesamtreinigung und der Ertrag des Verfahrens hängen von der Menge an geschmolzenem Metall in dem Gegenstrom ab.
  • Vorzugsweise ist ein Temperaturunterschied über die Länge der Schicht aus Metall gegeben, wobei sich die höhere Temperatur am Ende der Metallschicht, zu der die Kristalle transportiert werden, befindet.
  • Als Folge des Temperaturunterschieds über die Länge der Schicht besteht ein relativ kleiner Temperaturunterschied zwischen angrenzenden Fächern. Die Temperatur in dem Fach, zu dem die Kristalle selektiv transportiert werden, ist daher höher als die Temperatur in dem Fach, von dem die Kristalle transportiert werden. In dem Fach mit der höheren Temperatur ist das geschmolzene Metall stärker gereinigt. Die Kristalle, die in diesem Fach gebildet werden, sind daher stärker gereinigt, als die früheren Kristalle. In jedem Fach in der Richtung, in der die Kristalle transportiert werden, sind die Kristalle daher stärker gereinigt. Hochgereinigte Kristalle und geschmolzenes Metall bestehen daher an dem Ende der Reihe von Fächern in der vorbestimmten Richtung des Transports der Kristalle. Um Kristalle in der Schicht aus Metall zu bilden, muss die Schicht aus Metall auf eine gewisse Weise gekühlt werden.
  • Nach einem bevorzugten Verfahren werden die Fächer in der Schicht aus Metall durch Fachwände gebildet, die paarweise vorhanden sind, wobei die Fachwände jedes Paares vorzugsweise aneinander angrenzen, wobei die eine Wand in Richtung auf und angrenzend an die Unterseite der Schicht aus Metall verläuft und die andere Wand von der Unterseite der Schicht aus Metall in Richtung auf die Oberseite der Schicht aus Metall verläuft.
  • Auf diese Weise sinken Kristalle, die schwerer als das geschmolzene Metall sind, in dem Fach, wobei jedoch auf Grund des Rührens des Metalls einige der Kristalle in dem Fach über die Wand, die von der Unterseite verläuft, in das nächste Fach fallen. Die Kristalle können nicht in die andere Richtung transportiert werden, so dass diese Maßnahme einen selektiven Transport der Kristalle in eine Richtung zur Folge hat. Wenn Kristalle in eine Richtung durch die Schicht aus Metall transportiert werden, muss geschmolzenes Metall in die entgegengesetzte Richtung fließen. Wenn die Fachwände eines Fachwandpaars aneinander angrenzen, wie bevorzugt, muss das geschmolzene Metall zwischen dem Wandpaar in die Gegenrichtung der Kristalle fließen, und relativ wenig geschmolzenes Metall kann mit den Kristallen in das nächste Fach transportiert werden. Auf diese Weise wird das geschmolzene Metall in jedem Fach so gereinigt wie möglich gehalten.
  • Alternativ werden die Fächer in der Schicht aus Metall durch Fachwände gebildet, die paarweise vorhanden sind, wobei die Fachwände jedes Paares vorzugsweise aneinander angrenzen, wobei die eine Wand von der Oberseite der Schicht aus Metall in Richtung auf die Unterseite der Schicht aus Metall verläuft und die andere Wand in Richtung auf und angrenzend an die Oberseite der Schicht aus Metall verläuft. Diese Alternative sollte verwendet werden, wenn die Kristalle, die in dem geschmolzenen Metall gebildet werden und/oder darin vorkommen, leichter als das geschmolzene Metall sind. Dieses Verfahren wird auf analoge Weise verwendet.
  • Der Transport von Kristallen und geschmolzenem Metall zwischen dem Fachwandpaar kann durch die Konstruktion und Positionierung dieser Wände optimiert werden. Zum Beispiel können die Fachwände in einem Winkel relativ zu einander platziert sein, so dass der Abstand zwischen einem Fachwandpaar in der Richtung des Kristalltransports zunimmt. Als Folge sinkt die Geschwindigkeit des geschmolzenen Metalls in dem Gegenstrom und die Geschwindigkeit der Kristalle erhöht sich zwischen dem Fachwandpaar, wodurch das Risiko fast stationärer Kristalle, die weiteren Kristalltransport blockieren, auf ein Minimum verringert wird.
  • Nach einem anderen bevorzugten Verfahren befindet sich eine Schicht aus Transportflüssigkeit unter und/oder über der Schicht aus Metall, um die Kristalle selektiv zu transportieren und die Fächer in der Schicht aus Metall werden durch Fachwände gebildet, die in Richtung auf und angrenzend an die Schicht aus Transportflüssigkeit, die die Kristalle transportiert, verlaufen, wobei die Transportflüssigkeit vorzugsweise ein geschmolzenes Salz ist.
  • Wie bei dem früheren bevorzugten Verfahren werden die Kristalle, die in der Schicht aus Metall gebildet werden und/oder darin vorkommen, durch Rühren in Suspension gehalten. Einige der Kristalle sinken oder steigen in Richtung auf eine Schicht aus Transportflüssigkeit, wobei die Schicht aus Transportflüssigkeit die Kristalle in Richtung auf das nächste Fach transportiert. Als Folge wird das selektive Transportieren erreicht. Auch hier wird das geschmolzene Metall in dem Gegenstrom transportiert und auf Grund des Umstands, dass Fachwände angrenzend an die Schicht aus Transportflüssigkeit, die die Kristalle transportiert, enden, kann relativ wenig geschmolzenes Metall mit den Kristallen in das nächste Fach transportiert werden. Ein geschmolzenes Salz wird vorzugsweise als eine Transportflüssigkeit verwendet, da es nicht mit geschmolzenem Metall reagiert und hohen Temperaturen widerstehen kann.
  • Nach noch einem anderen bevorzugten Verfahren befindet sich die Schicht aus Metall in einer Kammer mit geneigtem Boden und die Fächer in der Schicht aus Metall werden durch Fachwände gebildet, die in Richtung auf und angrenzend an den Boden der Kammer verlaufen.
  • Wie oben werden die Kristalle auf Grund des Rührens des geschmolzenen Metalls in Suspension in den Fächern gehalten. Einige der Kristalle sinken zu dem geneigten Boden und auf Grund der Schwerkraft werden diese Kristalle in das nächsttiefere Fach transportiert. Hier wird der selektive Transport durch die Neigung des Bodens erreicht und da die Fachwände angrenzend an den Boden enden, wird relativ wenig geschmolzenes Metall mit den Kristallen in das tiefere Fach transportiert, wobei jedoch das geschmolzene Metall in dem Gegenstrom transportiert wird.
  • Als Alternative zu diesem letzten bevorzugten Verfahren befindet sich die Schicht aus Metall in einer Kammer mit einer geneigten oberen Wand und die Fächer in der Schicht aus Metall werden durch Fachwände gebildet, die in Richtung auf und angrenzend an die obere Wand der Kammer verlaufen. Diese Alternative sollte verwendet werden, wenn die Kristalle leichter als das geschmolzene Metall sind und in den Fächern steigen.
  • Vorzugsweise sind die Fachwände so einstellbar, dass die Enden der Fachwände näher an oder weiter entfernt von der Oberfläche der Schicht aus Metall sind, in deren Richtung sie verlaufen. Auf diese Weise kann der Transport von Kristallen eingeschränkt oder gesteigert werden, wobei dies von den anderen Prozessvariablen, der Art des Metalls usw. abhängt.
  • Nach einem bevorzugten Verfahren sind Mischmittel zum Rühren des Metalls in wenigstens einigen der Fächer vorhanden, wobei die Mischgeschwindigkeit der Mischmittel variabel ist. Die Mischgeschwindigkeit der Mischmittel kann dazu verwendet werden, den Transport der Kristalle von einem Fach in das nächste Fach zu steuern.
  • Vorzugsweise werden geschmolzenes Metall und/oder Kristalle an dem Ende der Schicht aus Metall entfernt, in dessen Richtung die Kristalle selektiv transportiert werden. Hier ist die Reinigung des Metalls am höchsten. Selbstverständlich muss ungereinigtes geschmolzenes Metall hinzugefügt werden und verbleibendes geschmolzenes Metall, das eine größere Menge des Fremdelements enthält, muss entfernt werden.
  • Vorzugsweise ist das verwendete Metall Aluminium. Aluminium ist eines der Metalle, bei denen eine Reinigung mit herkömmlichen Verfahren schwierig und/oder kostspielig ist. Das Verfahren nach der Erfindung eignet sich besonders für die fraktionierte Kristallisation von Aluminium auf eine relativ leichte und kostengünstige Weise.
  • Die fraktionierte Kristallisation, die oben beschrieben wird, wird vorzugsweise zum Entfernen von einem oder mehreren der Elemente Fe, Ga, Mg, Mn, B, Si, Sn, Zn und Ni aus dem Aluminium verwendet.
  • Die Erfindung wird mit Bezug auf eine beispielhafte Ausführung und im Hinblick auf die begleitende Zeichnung erläutert.
  • 1 zeigt auf eine schematische Weise einen Querschnitt durch eine Kristallisationsvorrichtung zum Implementieren des Verfahrens nach der Erfindung.
  • 1 zeigt einen Abschnitt einer Kristallisationsvorrichtung (1) für die kontinuierliche Kristallisation geschmolzenen Metalls, das ein oder mehrere Fremdelemente enthält, die derzeit für den Zweck bevorzugt wird. Die Kristallisationsvorrichtung besitzt eine Kammer (2) mit einem Boden (3) und einer oberen Wand (4), die sehr gut isoliert sind, wie auf dem Gebiet bekannt ist, normalerweise durch spezielle feuerfeste Materialien.
  • In der Kammer (2) werden Fächer (5, 6, 7) durch paarweise vorhandene Fachwände (8, 9) gebildet sind. Die Fachwände (8) sind an der oberen Wand (4) angebracht und enden angrenzend an die untere Wand. Es wäre jedoch möglich, das hohe Ende der Fachwände (8) in einigem Abstand zu der oberen Wand (4) zu platzieren, wobei dies von der Höhe der Kammer (2) und der Art des zu kristallisierenden Metalls abhängt. Die Fachwände (9) sind an dem Boden (3) der Kammer (2) angebracht und enden in einem Abstand zu der oberen Wand (4). Die Höhe der Fachwände (9) hängt von dem zu kristallisierenden Metall und den Prozessbedingungen während der Kristallisation ab. In jedem Fach ist ein Mischelement (10) zum Rühren des geschmolzenen Metalls vorhanden, wobei die Kristalle in dem Metall gebildet werden und/oder darin vorkommen.
  • Es werden nur drei Fächer (5, 6, 7) gezeigt. Es ist anzuerkennen, dass die Kristallisationsvorrichtung die Anzahl von Fächern enthält, die für die gewünschte Reinigung eines bestimmten Metalls erforderlich ist, wobei dies von der Menge an Fremdelement(en), das/die als Ausgangspunkt vorhanden ist/sind, und den Prozessbedingungen abhängt.
  • Wie stets zur Kristallisation erforderlich, muss das geschmolzene Metall in der Kristallisationsvorrichtung gekühlt werden. Kühlmittel, um dies zu tun, wurden nicht gezeigt, sind jedoch auf dem Gebiet bekannt.
  • Die oben beschriebene Kristallisationsvorrichtung kann zum Beispiel zur kontinuierlichen fraktionierten Kristallisation von Aluminium, das 0,10 % Si und 0,20 % Fe (sogenanntes P1020) enthält, verwendet werden, um Aluminium, das weniger als 0,01 Si und 0,01 % Fe enthält (sogenanntes P0101), zu erzielen.
  • Für diesen Kristallisationsprozess muss die Kammer (2) der Kristallisationsvorrichtung (1) acht bis zehn Fächer aufweisen, wobei jedes Fach eine Abmessung von ungefähr 500 × 500 × 500 mm3 aufweist, so dass die Kammer eine innere Abmessung von ungefähr 4 bis 5 m (Länge) × 0,5 m (Breite) × 0,5 m (Höhe) besitzt. Die Fachwände (8) enden ungefähr 80 bis 100 mm von dem Boden (3) und die Fachwände (9) sind ungefähr 400 mm hoch. Die Höhe der Fachwände (9) hängt jedoch von der Drehgeschwindigkeit und der Abmessung der Mischelemente (10) ab. Der Abstand zwischen den Fachwänden (8 und 9) beträgt ungefähr 80 mm.
  • Das Verfahren nach der Erfindung, das für Aluminium mit der vorgenannten Vorrichtung implementiert wird, lautet wie folgt.
  • Geschmolzenes Aluminium mit P1020-Zusammensetzung wird durch einen Einlass (nicht gezeigt) bei einer Temperatur von unmittelbar oberhalb der Kristallisationstemperatur von ungefähr 660 °C in die Vorrichtung eingeleitet. Das geschmolzene Aluminium in der Kammer (2) wird unter Verwendung der Kühlmittel (nicht gezeigt) gekühlt, um Kristalle zu bilden. Diese Kristalle enthalten weniger von den Fremdelementen Si und Fe und neigen dazu, langsam durch das geschmolzene Aluminium zu dem Boden (3) zu sinken.
  • Die Rührwirkung der Mischelemente (10) hält die Kristalle in Suspension. Zum Beispiel bewegen sich in dem Fach (5) kontinuierlich einige Kristalle über die Fachwand (9) (siehe Pfeil A). Diese Menge hängt von der Größe der Kristalle, der Drehgeschwindigkeit des Mischelements (10) und der Höhe der Fachwand (9) ab. Die Kristalle, die sich über die Fachwand (9) bewegen, sinken zu dem Boden (3) in dem Fach (6), da das geschmolzene Metall zwischen den Fachwänden (8 und 9) nicht gerührt wird. Sobald die Kristalle unter das untere Ende der Fachwand (8) gesunken sind, werden sie durch die Rührwirkung des Mischelements (10) in dem Fach (6) hochgerissen. Die Kristalle in dem Fach (6) werden durch das Rührelement in Suspension gehalten und auf dieselbe Weise bewegt sich kontinuierlich eine bestimmte Menge der Kristalle zu dem Fach (7).
  • Auf diese Weise werden die Kristalle selektiv von dem rechten Ende der Vorrichtung zu dem linken Ende transportiert. Da Kristalle nach links transportiert werden, muss sich geschmolzenes Metall nach rechts durch die Vorrichtung bewegen. Da der Abstand zwischen den Fachwänden (8 und 9) klein ist, bewegt sich hier das geschmolzene Metall lediglich nach oben und effektiv bewegen sich lediglich Kristalle nach unten. Auf diese Weise besteht ein Gegenstrom durch die Vorrichtung.
  • Über die Länge der Vorrichtung ist ein Temperaturunterschied gegeben, so dass die Temperatur des geschmolzenen Metalls auf der linken Seite der Vorrichtung höher ist als die Temperatur an dem rechten Ende der Vorrichtung, wie in 1 zu sehen ist. Das bedeutet, dass zum Beispiel die Temperatur in dem Fach (6) etwas höher ist als in dem Fach (5). Ein Kristall, das in dem Fach (5) gebildet wird oder darin vorkommt, ist stärker gereinigt als das geschmolzene Aluminium, in dem es gebildet wird oder vorkommt. Wenn dieses Kristall zu dem Fach (6), in dem die Temperatur etwas höher ist, transportiert wird, schmilzt das Kristall teilweise oder vollständig, was zu einer Zusammensetzung des geschmolzenen Aluminiums in dem Fach (6) führt, die stärker gereinigt ist als das geschmolzene Aluminium in dem Fach (5). In dem Fach (6) werden erneut Kristalle gebildet. Die Kristalle, die in dem Fach (6) gebildet werden, sind somit stärker gereinigt als die Kristalle in dem Fach (5).
  • Dasselbe gilt für alle benachbarten Fächer in der Kristallisationsvorrichtung (1), was somit zu sehr gereinigtem Aluminium in dem linken Fach der Vorrichtung führt, wo das gereinigte Aluminium abgegeben werden kann. Auf Grund des Gegenstroms kann Aluminium, das viel Si und Fe enthält, an dem rechten Ende der Vorrichtung von 1 als ein Nebenprodukt abgegeben werden.
  • Zur Steuerung der Kristallisation ist die Vorrichtung vorzugsweise mit Mitteln zum Messen und Steuern der festen Fraktion, der chemischen Zusammensetzung und/oder der Temperatur in der Schicht aus Metall ausgestattet.
  • Mit der vorgenannten Vorrichtung kann eine Produktion von ungefähr 20 Tonnen pro Tag an Aluminium mit P0101-Zusammensetzung erzielt werden; das Nebenprodukt wird lediglich etwa 10 % davon betragen.
  • Es versteht sich, dass viele Änderungen vorgenommen werden können oder erforderlich sind, wobei dies von dem verwendeten Metall und dem Fremdelement, das daraus zu entfernen ist, abhängt. Wenn zum Beispiel die Kristalle, die gebildet werden und/oder vorhanden sind, in dem geschmolzenen Metall aufsteigen, müssen die Fachwände auf dem Kopf stehend platziert werden. Es ist außerdem möglich, andere Mittel zum Rühren des geschmolzenen Metalls in den Fächern zu verwenden.
  • Andererseits ist es außerdem möglich, andere Arten von Vorrichtung zu verwenden, um die Verfahren, wie in der Einleitung der Beschreibung beschrieben, zu bewirken. Daher wird der Umfang der Erfindung nur durch die begleitenden Ansprüche bestimmt.

Claims (12)

  1. Verfahren zur fraktionierten Kristallisation eines höchstens teilweise verfestigten geschmolzenen Metalls, bei dem eine Schicht aus wenigstens teilweise verfestigtem geschmolzenem Metall mit einer Oberseite und einer Unterseite in eine Reihe miteinander kommunizierender Fächer geteilt ist, bei dem das Metall in wenigstens einigen der Fächer gerührt wird, und bei dem Kristalle, die in der Schicht aus Metall gebildet werden und/oder darin vorkommen, selektiv in eine vorbestimmte Richtung transportiert werden, und geschmolzenes Metall selektiv in die entgegengesetzte Richtung transportiert wird.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem ein Temperaturunterschied über die Länge der Schicht aus Metall gegeben ist, wobei sich die höhere Temperatur am Ende der Metallschicht, zu der die Kristalle transportiert werden, befindet.
  3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, bei dem die Fächer in der Schicht aus Metall durch paarweise vorhandene Fachwände gebildet sind, wobei die Fachwände jedes Paares vorzugsweise aneinander angrenzen, wobei die eine Wand in Richtung auf und angrenzend an die Unterseite der Schicht aus Metall verläuft, und die andere Wand von der Unterseite der Schicht aus Metall in Richtung auf die Oberseite der Schicht aus Metall verläuft.
  4. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, bei dem die Fächer in der Schicht aus Metall durch Fachwände gebildet werden, die paarweise vorhanden sind, wobei die Fachwände jedes Paares vorzugsweise aneinander angrenzen, wobei die eine Wand von der Oberseite der Schicht aus Metall in Richtung auf die Unterseite der Schicht aus Metall verläuft, und wobei die andere Wand in Richtung auf und angrenzend an die Oberseite der Schicht aus Metall verläuft.
  5. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, bei dem sich eine Schicht aus Transportflüssigkeit unter und/oder über der Schicht aus Metall befindet, um die Kristalle selektiv zu transportieren, und bei dem die Fächer in der Schicht aus Metall durch Fachwände gebildet sind, die in Richtung auf und angrenzend an die Schicht aus Transportflüssigkeit, die die Kristalle transportiert, verlaufen, wobei die Transportflüssigkeit vorzugsweise ein geschmolzenes Salz ist.
  6. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, bei dem sich die Schicht aus Metall in einer Kammer mit geneigtem Boden befindet, und bei dem die Fächer in der Schicht aus Metall durch Fachwände gebildet sind, die in Richtung auf und angrenzend an den Boden der Kammer verlaufen.
  7. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, bei dem sich die Schicht aus Metall in einer Kammer mit einer geneigten oberen Wand befindet, und bei dem die Fächer in der Schicht aus Metall durch Fachwände gebildet sind, die in Richtung auf und angrenzend an die obere Wand der Kammer verlaufen.
  8. Verfahren nach einem der Ansprüche 3 bis 7, bei dem die Fachwände so einstellbar sind, dass die Enden der Fachwände näher an oder weiter entfernt von der Oberfläche der Schicht aus Metall sind, in deren Richtung sie verlaufen.
  9. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem Mischmittel zum Rühren des Metalls in wenigstens einigen der Fächer vorhanden sind, wobei die Mischgeschwindigkeit der Mischmittel variabel ist.
  10. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei das geschmolzene Metall und/oder die Kristalle an dem Ende der Schicht aus Metall entfernt werden, in dessen Richtung die Kristalle selektiv transportiert werden.
  11. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem das verwendete Metall Aluminium ist.
  12. Verfahren nach Anspruch 11 zum Entfernen von einem oder mehreren der Elemente Cu, Fe, Ga, Mg, Mn, B, Si, Sn, Zn und Ni aus dem Aluminium.
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