DE60034747T2 - Hochfrequenzschaltermodul - Google Patents

Hochfrequenzschaltermodul Download PDF

Info

Publication number
DE60034747T2
DE60034747T2 DE60034747T DE60034747T DE60034747T2 DE 60034747 T2 DE60034747 T2 DE 60034747T2 DE 60034747 T DE60034747 T DE 60034747T DE 60034747 T DE60034747 T DE 60034747T DE 60034747 T2 DE60034747 T2 DE 60034747T2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
circuit
distributed constant
transmitting
diode
receiving
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
DE60034747T
Other languages
English (en)
Other versions
DE60034747D1 (de
Inventor
Mitsuhiro Tottori-shi Watanabe
Shigeru Tottori-shi Kemmochi
Hiroyuki Tottori-shi Tai
Tsuyoshi Taketa
Toshihiko Ohmiya-shi TANAKA
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Proterial Ltd
Original Assignee
Hitachi Metals Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Metals Ltd filed Critical Hitachi Metals Ltd
Publication of DE60034747D1 publication Critical patent/DE60034747D1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE60034747T2 publication Critical patent/DE60034747T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01PWAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00Auxiliary devices
    • H01P1/20Frequency-selective devices, e.g. filters
    • H01P1/213Frequency-selective devices, e.g. filters combining or separating two or more different frequencies
    • H01P1/2135Frequency-selective devices, e.g. filters combining or separating two or more different frequencies using strip line filters
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01PWAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00Auxiliary devices
    • H01P1/10Auxiliary devices for switching or interrupting
    • H01P1/15Auxiliary devices for switching or interrupting by semiconductor devices
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04BTRANSMISSION
    • H04B1/00Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/005Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges
    • H04B1/0053Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges with common antenna for more than one band
    • H04B1/0057Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges with common antenna for more than one band using diplexing or multiplexing filters for selecting the desired band
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04BTRANSMISSION
    • H04B1/00Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/38Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving
    • H04B1/40Circuits
    • H04B1/44Transmit/receive switching
    • H04B1/48Transmit/receive switching in circuits for connecting transmitter and receiver to a common transmission path, e.g. by energy of transmitter
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04BTRANSMISSION
    • H04B1/00Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/38Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving
    • H04B1/40Circuits
    • H04B1/44Transmit/receive switching

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Transceivers (AREA)
  • Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)

Description

  • GEBIET DER ERFINDUNG
  • Die vorliegende Erfindung betrifft Hochfrequenzschaltmodule für drahtlose Kommunikationseinrichtungen für drei verschiedene Kommunikationsmoden.
  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • Es gibt verschiedene Systeme für mobile drahtlose Kommunikationseinrichtungen, zum Beispiel das GSM (Global System for Mobile Communications) und das DCS 1800 (Digital Cellular System 1800), die in Europa weit verbreitet sind, das PCS (Personal Communications Services), das in den USA verwendet wird, und das PDC (Personal Digital Cellular), das in Japan verwendet wird. Aufgrund der schnellen Verbreitung von Mobiltelephonen erlauben es jedoch die den einzelnen Systemen zugeteilten Frequenzbänder nicht allen Nutzern, ihre Mobiltelephone in den Hauptstädten von fortschrittlichen Ländern zu verwenden, mit der Folge von Schwierigkeiten bei der Verbindung, wodurch sich solche Probleme wie das ergeben, daß Mobiltelephone während eines Gesprächs getrennt werden. Es wurde daher vorgeschlagen, es den Nutzern zu ermöglichen, eine Mehrzahl von Systemen zu benutzen, wodurch mehr Frequenzen nutzbar sind, und außerdem die versorgten Gebiete auszudehnen und für jedes System eine wirkungsvolle Kommunikations-Infrastruktur aufzubauen.
  • Wenn mehrere Systeme benutzt werden sollten, mußte der Benutzer jedoch die erforderliche Anzahl von tragbaren Kommunikationseinrichtungen für die Systeme mit sich führen, da es keine kleine, leichte, mobile Kommunikationseinrichtung für eine Kommunikation mit einer Mehrzahl von Systemen gab. Damit eine einzige mobile Kommunikationseinrichtung mehrere Systeme nutzen kann, ist es erforderlich, die mobile Kommunikationseinrichtung mit Teilen für jedes System auszurüsten. Für jedes System sind eigene Hochfrequenz-Schaltungsteile erforderlich, zum Beispiel Filter zum Durchlassen des Sendesignals einer gewünschten Sendefrequenz, Hochfrequenzschalter zum Umschalten zwischen der Sendeschaltung und der Empfangsschaltung und Antennen zum Aussenden des Sendesignals und zum Aufnehmen des Empfangssignals im Übertragungssystem sowie Filter zum Durchlassen des Signals mit der gewünschten Frequenz aus den empfangenen Signalen, die im Empfangsystem den Hochfrequenzschalter durchlaufen. Dadurch wird die mobile Kommunikationseinrichtung sehr aufwendig und ihr Volumen und Gewicht groß. Um eine mobile Kommunikationseinrichtung für die Verwendung in einer Mehrzahl von Systemen zu erhalten, sollte die mobile Kommunikationseinrichtung miniaturisierte Hochfrequenz-Schaltungsteile mit jeweils mehreren Funktionen enthalten, die mit den Frequenzen einer Anzahl von Systemen kompatibel sind.
  • Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es daher, ein miniaturisiertes, leistungsfähiges Hochfrequenzschaltmodul zum Umschalten zwischen den Sendekreisen und Empfangskreisen einer Mehrzahl von Systemen (insbesondere drei Systemen) mittels Hochfre quenzschaltern zu schaffen, das als Hochfrequenz-Schaltungsteil für mobile Kommunikationseinrichtungen verwendet werden kann und das es ermöglicht, daß eine einzige mobile Kommunikationseinrichtung mit einer Mehrzahl von Systemen kompatibel ist.
  • Die EP-A-0 820 155 beschreibt einen Duplexer mit einem Hochfrequenzschalter, einem LC-Filter, der als Tiefpaßfilter dient, und einem SAW-Filter, der als Bandpaßfilter dient. Im Gegensatz zur vorliegenden Erfindung enthält die Einrichtung dieser Druckschrift jedoch keinen zweiten Umschalter zwischen dem zweiten Filter und dem Sendekreis.
  • Die EP-A-1 003 291 und die EP-A-1 014 592 beschreiben weitere relevante HF-Umschalter. Diese beiden Druckschriften wurden nach dem Einreichungsdatum der vorliegenden Erfindung veröffentlicht und gehören zum Stand der Technik nach Artikel 54(3) EPC.
  • OFFENBARUNG DER ERFINDUNG
  • Das erfindungsgemäße Hochfrequenzschaltmodul zum Umschalten zwischen dem Sendekreis und dem Empfangskreis in jedem einer Anzahl von verschiedenen Sende- und Empfangssystemen ist im anhängenden Patentanspruch 1 angegeben. Die Unteransprüche betreffen bevorzugte Ausführungsformen.
  • In einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung sind die erste und die zweite Filterschaltung Sende-Empfangs-Weichen zum Abtrennen des Empfangssignals des ersten Sende- und Empfangssystems von den Empfangssignalen des zweiten und dritten Sende- und Empfangssystems.
  • Die erste verteilte Konstantleitung weist vorzugsweise eine Leitungslänge auf, deren Resonanzfrequenz im Bereich zwischen der maximalen Frequenz und der minimalen Frequenz des Frequenzbandes des Sendesignals für das zweite und dritte Sende- und Empfangssystem liegt. Die zweite verteilte Konstantleitung weist vorzugsweise eine Leitungslänge auf, deren Resonanzfrequenz im Bereich zwischen der maximalen Frequenz und der minimalen Frequenz des Frequenzbandes des Empfangssignals für das dritte Sende- und Empfangssystem liegt.
  • Die erste und die zweite Filterschaltung enthalten jeweils vorzugsweise eine verteilte Konstantleitung und einen Kondensator. Wenigstens ein Teil der verteilten Konstantleitungen und der Kondensatoren für die erste und zweite Filterschaltung und der verteilten Konstantleitungen für den ersten und den zweiten Umschalter bestehen vorzugsweise jeweils aus einem Elektrodenmuster in einem Laminat aus dielektrischen Schichten mit Elektrodenmustern. Die Dioden für den ersten und den zweiten Umschalter sind vorzugsweise auf dem Laminat angeordnet.
  • Zwischen die zweite Filterschaltung und die Sendeschaltung für das zweite und dritte Sende- und Empfangssystem ist vorzugsweise ein Tiefpaßfilter mit einer verteilten Konstantleitung und einem Kondensator geschaltet. Wenigstens ein Teil der verteilten Konstantleitungen und der Kondensatoren wird vorzugsweise von Elektrodenmustern im Laminat gebildet.
  • Die verteilte Konstantleitung der Umschalter wird vorzugsweise von Elektrodenmustern in einem Bereich gebildet, der zwischen zwei Masselelektroden liegt. Die Kondensatoren der ersten und zweiten Filterschaltung werden vorzugsweise auf zwei Masseelektroden ausgebildet, und die verteilten Konstantleitungen für die erste und die zweite Filterschaltung werden vorzugsweise darauf ausgebildet.
  • Die verteilte Konstantleitung der Umschalter wird vorzugsweise durch Elektrodenmuster gebildet, die in einem Bereich ausgebildet werden, der zwischen zwei Masseelektroden liegt. Die Kondensatoren der Tiefpaßfilterschaltung und die Kondensatoren der ersten und zweiten Filterschaltung werden vorzugsweise auf einer Masseelektrode ausgebildet, und die verteilte Konstantleitung für die Tiefpaßfilterschaltung und die verteilten Konstantleitungen für die erste und zweite Filterschaltung werden vorzugsweise darauf ausgebildet. Die erste und die zweite Filterschaltung und die Tiefpaßfilterschaltung werden vorzugsweise in getrennten Bereichen ausgebildet, die sich in der Laminierrichtung des Laminats nicht überlappen.
  • KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • 1 ist eine Blockdarstellung einer Schaltung für ein Hochfrequenzschaltmodul gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
  • 2 eine schematische Ansicht des Ersatzschaltbildes des Hochfrequenzschaltmoduls gemäß der einen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
  • 3 eine Aufsicht auf das Hochfrequenzschaltmodul gemäß der einen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
  • 4 eine perspektivische Ansicht des Hochfrequenzschaltmoduls gemäß der einen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
  • 5 eine Ansicht des inneren Aufbaus des Hochfrequenzschaltmoduls gemäß der einen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
  • 6 eine schematische Ansicht des Ersatzschaltbildes des Hochfrequenzschaltmoduls gemäß einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
  • 7 eine Aufsicht auf das Hochfrequenzschaltmodul gemäß der anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
  • 8 eine Ansicht des inneren Aufbaus des Hochfrequenzschaltmoduls gemäß der anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
  • 9 eine schematische Ansicht des Ersatzschaltbildes des Hochfrequenzschaltmoduls gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
  • 10 eine schematische Ansicht des Ersatzschaltbildes des Hochfrequenzschaltmoduls gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
  • 11(a) eine graphische Darstellung des Einfügungsverlustes zwischen TX1 und ANT im GSM-TX-Modus bei dem Hochfrequenzschaltmodul von BEISPIEL 1;
  • 11(b) eine graphische Darstellung der Isolationseigenschaften zwischen TX1 und RX1 im GSM-TX-Modus bei dem Hochfrequenzschaltmodul von BEISPIEL 1;
  • 12(a) eine graphische Darstellung des Einfügungsverlustes zwischen ANT und RX1 im GSM-RX-Modus bei dem Hochfrequenzschaltmodul von BEISPIEL 1;
  • 12(b) eine graphische Darstellung der Isolationseigenschaften zwischen ANT und TX1 im GSM-RX-Modus bei dem Hochfrequenzschaltmodul von BEISPIEL 1;
  • 13(a) eine graphische Darstellung des Einfügungsverlustes zwischen TX2 und ANT im DCS/PCS-TX-Modus bei dem Hochfrequenzschaltmodul von BEISPIEL 1;
  • 13(b) eine graphische Darstellung der Isolationseigenschaften zwischen TX2 und RX2 im DCS/PCS-TX-Modus bei dem Hochfrequenzschaltmodul von BEISPIEL 1;
  • 13(c) eine graphische Darstellung der Isolationseigenschaften zwischen TX2 und RX3 im DCS/PCS-TX-Modus bei dem Hochfrequenzschaltmodul von BEISPIEL 1;
  • 14(a) eine graphische Darstellung des Einfügungsverlustes zwischen ANT und RX2 im DCS-RX-Modus bei dem Hochfrequenzschaltmodul von BEISPIEL 1;
  • 14(b) eine graphische Darstellung der Isolationseigenschaften zwischen ANT und TX2 im DCS-RX-Modus bei dem Hochfrequenzschaltmodul von BEISPIEL 1;
  • 14(c) eine graphische Darstellung der Isolationseigenschaften zwischen ANT und RX3 im DCS-RX-Modus bei dem Hochfrequenzschaltmodul von BEISPIEL 1;
  • 15(a) eine graphische Darstellung des Einfügungsverlustes zwischen ANT und RX3 im PCS-RX-Modus bei dem Hochfrequenzschaltmodul von BEISPIEL 1;
  • 15(b) eine graphische Darstellung der Isolationseigenschaften zwischen ANT und TX2 im PCS-RX-Modus bei dem Hochfrequenzschaltmodul von BEISPIEL 1;
  • 15(c) eine graphische Darstellung der Isolationseigenschaften zwischen ANT und RX2 im PCS-RX-Modus bei dem Hochfrequenzschaltmodul von BEISPIEL 1; und
  • 16 eine Blockdarstellung einer Schaltung für ein Hochfrequenzschaltmodul gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • BESTE ART DER ERFINDUNGSAUSFÜHRUNG
  • [1] Schaltungsaufbau
  • Die 1 zeigt ein Hochfrequenzschaltmodul gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Dieses Hochfrequenzschaltmodul dient zum Umschalten zwischen drei Sende- und Empfangssystemen und enthält (a) eine Sende-Empfangs-Weiche mit ersten und zweiten Filterschaltungen F1, F2 zum Aufteilen eines in eine Antenne ANT eingeführten Signals in ein Empfangssignal für das erste Sende- und Empfangssystem und ein Empfangssignal für das zweite und das dritte Sende- und Empfangssystem; (b) einen nach der ersten Filterschaltung F1 angeordneten ersten Umschalter SW1 zum Umschalten zwischen dem Sendekreis TX1 und dem Empfangskreis RX1 des ersten Sende- und Empfangssystems durch die von einer Steuerschaltung VC1 zugeführte Spannung; und (c) einen nach der zweiten Filterschaltung F2 angeordneten zweiten Umschalter SW2 zum Umschalten zwischen dem Sendekreis TX2 des zweiten und dritten Sende- und Empfangssy stems, dem Empfangskreis RX2 des zweiten Sende- und Empfangssystems und dem Empfangskreis RX3 des dritten Sende- und Empfangssystems durch die von Steuerschaltungen VC2, VC3 zugeführte Spannung.
  • Damit das zweite und das dritte Sende- und Empfangssystem einen gemeinsamen Sendekreis TX2 erhalten, ist das Hochfrequenzschaltmodul vorzugsweise gemäß dem Ersatzschaltbild der 2 aufgebaut. Die Erläuterung dazu folgt, wobei als Beispiel der Fall genommen wird, daß das erste Sende- und Empfangssystem GSM (Sendefrequenzen 880-915 MHz, Empfangsfrequenzen 925-960 MHz), das zweite Sende- und Empfangssystem DCS 1800 (Sendefrequenzen 1710-1785 MHz, Empfangsfrequenzen 1805-1880 MHz) und das dritte Sende- und Empfangssystem PCS (Sendefrequenzen 1850-1910 MHz, Empfangsfrequenzen 1930-1990 MHz) ist.
  • (A) Erste und zweite Filterschaltung
  • Die mit einer Antenne ANT verbundenen ersten und die zweiten Filterschaltungen F1, F2 werden jeweils von einer verteilten Konstantleitung und einem Kondensator gebildet. Das in der 2 gezeigte Ersatzschaltbild enthält als erste Filterschaltung F1 einen Tiefpaßfilter zum Durchlassen der Sende- und Empfangssignale des GSM, während Sende- und Empfangssignale des DCS 1800 und PCS abgeschwächt werden, und als zweite Filterschaltung F2 einen Hochpaßfilter zum Durchlassen der Sende- und Empfangssignale des DCS 1800 und PCS, während die GSM-Sende- und Empfangsignale abgeschwächt werden.
  • Der Tiefpaßfilter F1 enthält eine verteilte Konstantleitung LF1, einen Kondensator CF1 parallel zu LF1 und einen Kondensator CF3 zwischen LF1 und CF1 und Masse. Der Hochpaßfilter F2 enthält eine verteilte Konstantleitung LF2, einen Kondensator CF2 parallel zu LF2, eine verteilte Konstantleitung LF3 zwischen LF2 und CF2 und Masse und einen Kondensator CF4, der zu der verteilten Konstantleitung LF2 und den Kondensator CF2 in Reihe geschaltet ist. Die erste und die zweite Filterschaltung sind jedoch nicht auf diesen Aufbau beschränkt, so daß die folgenden Strukturen (a)-(h) möglich sind:
    • (a) Ein Aufbau mit einem Tiefpaßfilter als erster Filterschaltung F1 und einem Kerbfilter als zweiter Filterschaltung F2;
    • (b) ein Aufbau mit einem Kerbfilter als erster Filterschaltung F1 und einem Bandpaßfilter als zweiter Filterschaltung F2;
    • (c) ein Aufbau mit einem Tiefpaßfilter als erster Filterschaltung F1 und einem Bandpaßfilter als zweiter Filterschaltung F2;
    • (d) ein Aufbau mit einem Kerbfilter als erster Filterschaltung F1 und einem Kerbfilter als zweiter Filterschaltung F2;
    • (e) ein Aufbau mit einem Kerbfilter als erster Filterschaltung F1 und einem Hochpaßfilter als zweiter Filterschaltung F2;
    • (f) ein Aufbau mit einem Bandpaßfilter als erster Filterschaltung F1 und einem Bandpaßfilter als zweiter Filterschaltung F2;
    • (g) ein Aufbau mit einem Bandpaßfilter als erster Filterschaltung F1 und einem Kerbfilter als zweiter Filterschaltung F2; und
    • (h) ein Aufbau mit einem Bandpaßfilter als erster Filterschaltung F1 und einem Hochpaßfilter als zweiter Filterschaltung F2.
  • (B) Umschalter
  • Die Hauptelemente des ersten Umschalters SW1, der nach der ersten und zweiten Filterschaltung F1, F2 angeordnet ist, um für das GSM zwischen dem Sendekreis TX1 und dem Empfangskreis RX1 umzuschalten, und des zweiten Umschalters SW2, der nach der ersten und der zweiten Filterschaltung F1, F2 angeordnet ist, um zwischen dem Sendekreis TX2 für das DCS 1800 und PCS, dem Empfangskreis RX2 für das DCS 1800 und dem Empfangskreis RX3 für das PCS umzuschalten, sind eine Diode und eine verteilte Konstantleitung.
  • Der erste Umschalter SW1 ist der Umschalter, der sich in der 2 oben befindet, um für das GSM zwischen dem Sendekreis TX1 und dem Empfangskreis RX1 umzuschalten. Der erste Umschalter SW1 enthält als Hauptelemente zwei Dioden DG1, DG2 und zwei verteilte Konstantleitungen LG1, LG2. Die Diode DG1 ist zwischen den Eingangs/Ausgangsanschluß IP1, an den die Anode der Diode DG1 angeschlossen ist, und den Sendekreis TX1 geschaltet. Die verteilte Konstantleitung LG1 ist mit der Kathode der Diode DG1 und Masse verbunden. Die verteilte Konstantleitung LG2 ist zwischen den Eingangs/Ausgangsanschluß IP1 und den Empfangskreis RX1 geschaltet und die Diode DG2 zwischen das Ende der verteilten Konstantleitung LG2 auf der Seite des Empfangskreises RX1 und Masse. Der Kondensator CG6 liegt zwischen der Anode der Diode DG2 und Masse. Zwischen der obigen Anode und der Steuerschaltung VC1 liegen in Reihe ein Induktor LG und ein Widerstand R1.
  • Die verteilten Konstantleitungen LG1 und LG2 weisen jeweils eine solche Leitungslänge auf, daß ihre Resonanzfrequenz innerhalb des Frequenzbandes für die GSM-Sendesignale liegt. Wenn zum Beispiel die Resonanzfrequenz im wesentlichen gleich der Mittenfrequenz (897,5 MHz) der GSM-Sendesignalfrequenzen ist, lassen sich im gewünschten Frequenzband ausgezeichnete Werte für den Einfügungsverlust erhalten. Die Tiefpaßfilterschaltung LPF zwischen der ersten Filterschaltung F1 und dem Sendekreis TX1 enthält vorzugsweise eine verteilte Konstantleitung und einen Kondensator. Bei dem Ersatzschaltbild der 2 ist vorzugsweise zwischen die Diode DG1 und die verteilte Konstantleitung LG1 ein Tiefpaßfilter vom π-Typ aus einer verteilten Konstantleitung LG3 und Kondensatoren CG3, CG4 und CG7 eingefügt.
  • Der zweite Umschalter SW2 ist der Umschalter, der sich in der 2 unten befindet, um zwischen dem Empfangskreis RX2 für das DCS 1800, dem Empfangskreis RX3 für das PCS und dem Sendekreis TX2 für das DCS 1800 und das PCS umzuschalten. Der zweite Umschalter SW2 enthält als Hauptelemente drei Dioden DP1, DP2 und DP3 sowie zwei verteilte Konstantleitungen LP1, LP2. Die Diode DP1 ist zwischen den Ein gangs/Ausgangsanschluß IP2, an den die Kathode der Diode DPI angeschlossen ist, und den Sendekreis TX2 geschaltet. Die verteilte Konstantleitung LP1 ist mit der Anode der Diode DP1 und Masse verbunden. Zwischen der verteilten Konstantleitung LP1 und Masse liegt ein Kondensator CGP. Mit einem Ende der verteilten Konstantleitung LP1 ist eine Steuerschaltung VC3 verbunden.
  • Die verteilte Konstantleitung LG2 ist zwischen den Eingangs/Ausgangsanschluß IP2 und den Empfangskreis RX2 geschaltet. Zwischen dem Ende der verteilten Konstantleitung LP2 auf der Seite des Empfangskreises RX2 und Masse ist die Anode der Diode DP2 angeschlossen. Parallel sind zwischen der Kathode der Diode DP2 und Masse ein Kondensator CP6 und ein Widerstand R3 angeschlossen.
  • Die Diode DP3 liegt zwischen dem Eingangs/Ausgangsanschluß IP2 und dem Empfangskreis RX3, wobei die Anode der Diode DP3 über die verteilte Konstantleitung LP und den Widerstand R2 mit der Steuerschaltung VC2 verbunden ist.
  • Die verteilten Konstantleitungen LP1 und LP2 weisen jeweils eine solche Leitungslänge auf, daß ihre Resonanzfrequenz im Bereich von der Maximalfrequenz bis zur Minimalfrequenz des Frequenzbandes für das Sendesignal des zweiten und dritten Sende- und Empfangsystems liegt, insbesondere auf der Mittenfrequenz zwischen der Maximalfrequenz und der Minimalfrequenz. Wenn zum Beispiel die Resonanzfrequenz der verteilten Konstantleitungen LP und LP2 im wesentlichen gleich der Mittenfrequenz (1810 MHz) der Sendesignalfrequenzen für das DCS 1800 und PCS ist, lassen sich in den jeweiligen Moden ausgezeichnete elektrische Eigenschaften erhalten, wodurch es möglich wird, zwei Sendesignale in einer einzigen Schaltung zu behandeln.
  • Die Tiefpaßfilterschaltung LPF zwischen der zweiten Filterschaltung F2 und dem Sendekreis TX2 enthält vorzugsweise eine verteilte Konstantleitung und einen Kondensator. Bei dem Ersatzschaltbild der 2 ist vorzugsweise zwischen die Diode DPI und die verteilte Konstantleitung LP1 ein Tiefpaßfilter vom π-Typ aus einer verteilten Konstantleitung LP3 und Kondensatoren CP3, CP4 und CP7 eingefügt.
  • In der Tiefpaßfilterschaltung LPF beträgt die Länge der verteilten Konstantleitung LP3 vorzugsweise λ/8 bis λ/12, wobei λ die Mittenfrequenz des Sendesignals im zweiten und dritten Sende- und Empfangssystem ist. Wenn das zweite Sende- und Empfangssystem das DCS 1800 ist und das dritte Sende- und Empfangssystem das PCS, ist die Mittenfrequenz λ des Sendesignals im zweiten und dritten Sende- und Empfangssystem gleich der Frequenz (1810 MHz) in der Mitte zwischen den Sendesignalen des DCS 1800 (1710-1785 MHz) und den Sendesignalen des PCS (1850-1910 MHz). Wenn die verteilte Konstantleitung LP3 relativ zur Mittenfrequenz λ länger ist als λ/8, ist das Durchlaßband schmal, und es werden für den Einfügungsverlust bei der niedrigsten Frequenz des DCS 1800-Sendesignals und in der Umgebung des PCS-Sendesignals nicht die gewünschten Werte erhalten. Wenn die verteilte Konstantleitung LP3 kürzer ist als λ/12, ist die Abschwächung von höheren Frequenzen, etwa der doppelten Welle, der dreifachen Welle usw., schlechter.
  • Beide Fälle sind nicht vorteilhaft, da das Hochfrequenzschaltmodul dann schlechtere Eigenschaften aufweist.
  • Die Tiefpaßfilterschaltung LPF ist nicht auf das beschränkt, was in dem in der 1 gezeigten Schaltmodul enthalten ist. Sie kann auch wie in der 16 gezeigt nach dem Hochfrequenzschaltmodul angeordnet werden. In diesem Fall kann die Tiefpaßfilterschaltung LPF aus einem Keramikfilter etc. bestehen.
  • [2] Arbeitsweise
  • Das erfindungsgemäße Hochfrequenzschaltmodul wählt aus den ersten, zweiten und dritten Sende- und Empfangssystemen durch Steuern des Ein/Aus-Zustandes der Diodenschalter durch Anlegen einer Spannung von einer Stromversorgung (Steuerschaltung) eines aus. Im folgenden wird die Arbeitsweise des in der 2 gezeigten Hochfrequenzschaltmoduls erläutert.
  • (A) DCS/PCS-TX-Modus
  • Um den Sendekreis TX2 der zweiten und dritten Sende- und Empfangssysteme mit der zweiten Filterschaltung F2 zu verbinden, wird von der Steuerschaltung VC3 eine positive Spannung angelegt, während von der Steuerschaltung VC2 die Spannung Null angelegt wird. Die von der Steuerschaltung VC3 angelegte positive Spannung wird durch die Kondensatoren CGP, CP2, CP3, CP4, CP5, CP6 und CF4 von einer Gleichstromkomponente abgeleitet und an die Schaltung mit den Dioden DP1, DP2 und DP3 angelegt. Als Folge davon werden die Dioden DP1 und DP2 angeschaltet, während die Diode DP3 abgeschaltet wird. Wenn die Diode DP1 an ist, ist die Impedanz zwischen dem Sendekreis TX2 für das zweite und dritte Sende- und Empfangssystem und dem Verbindungspunkt IP2 klein. Mit der eingeschalteten Diode DP2 und dem Kondensator CP6 liegt die verteilte Konstantleitung LP2 hochfrequenzmäßig auf Masse, mit dem Ergebnis einer Resonanz. Dies führt vom Verbindungspunkt IP2 aus gesehen zu einer extrem großen Impedanz für den zweiten Empfangskreis RX2. Bei abgeschalteter Diode DP3 ist die Impedanz zwischen dem Verbindungspunkt IP2 und dem dritten Empfangskreis RX3 groß. Im Ergebnis wird ein Sendesignal vom Sendekreis TX2 für das zweite und dritte Sende- und Empfangssystem zur zweiten Filterschaltung F2 übertragen, ohne in den zweiten Empfangskreis RX2 und den dritten Empfangskreis RX3 überzutreten.
  • (B) DCS-RX-Modus
  • Um den zweiten Empfangskreis RX2 mit der zweiten Filterschaltung F2 zu verbinden, wird von den Steuerschaltungen VC2 und VC3 die Spannung Null angelegt, wodurch die Dioden DP1, DP2 und DP3 im Aus-Zustand bleiben. Mit der Diode DP2 im Aus-Zustand ist der Verbindungspunkt IP2 über die verteilte Konstantleitung LP2 mit dem zweiten Empfangskreis RX2 verbunden. Mit der Diode DP1 im Aus-Zustand ist die Impedanz zwischen dem Verbindungspunkt IP2 und dem Sendekreis TX2 der zweiten und dritten Sende- und Empfangssysteme groß. Mit der Diode DP3 im Aus-Zustand ist die Impedanz zwischen dem Verbindungspunkt IP2 und dem dritten Empfangskreis RX3 groß. Im Ergebnis wird ein Empfangssignal von der zweiten Filterschaltung F2 zum zweiten Empfangskreis RX2 übertragen, ohne in den Sendekreis TX2 der zweiten und dritten Sende- und Empfangssysteme oder den dritten Empfangskreis RX3 überzutreten.
  • (C) PCS-RX-Modus
  • Um den dritten Empfangskreis RX3 mit der zweiten Filterschaltung F2 zu verbinden, wird von der Steuerschaltung VC2 eine positive Spannung angelegt, während von der Steuerschaltung VC3 die Spannung Null angelegt wird. Die von der Steuerschaltung VC2 angelegte positive Spannung wird durch die Kondensatoren CP5, CP6, CP8 und CF4 von einer Gleichstromkomponente abgeleitet und an die Schaltung mit den Dioden DP1, DP2 und DP3 angelegt. Als Folge davon werden die Dioden DP2 und DP3 angeschaltet, während die Diode DP1 abgeschaltet wird. Wenn die Diode DP3 an ist, ist die Impedanz zwischen dem dritten Empfangskreis RX3 und dem Verbindungspunkt IP2 klein. Mit der eingeschalteten Diode DP2 und dem Kondensator CP6 liegt die verteilte Konstantleitung LP2 hochfrequenzmäßig auf Masse, mit dem Ergebnis einer Resonanz im Frequenzband für die Sendesignale für DCS 1800 und PCS. Dies führt vom Verbindungspunkt IP2 aus gesehen zu einer extrem großen Impedanz für den zweiten Empfangskreis RX2 im Frequenzband der PCS-Empfangssignale. Bei abgeschalteter Diode DP1 ist die Impedanz zwischen dem Verbindungspunkt IP2 und dem Sendekreis TX2 der zweiten und dritten Sende- und Empfangssysteme groß. Im Ergebnis wird ein Empfangssignal von der zweiten Filterschaltung F2 zum dritten Empfangskreis RX3 übertragen, ohne in den Sendekreis TX2 für das zweite und dritte Sende- und Empfangssystem oder den zweiten Empfangskreis RX2 überzutreten.
  • (D) GSM-TX-Modus
  • Um den ersten GSM-Sendekreis TX mit der ersten Filterschaltung F1 zu verbinden, wird von der Steuerschaltung VC1 eine positive Spannung angelegt. Die positive Spannung wird durch die Kondensatoren CG6, CG5, CG4, CG3, CG2 und CG1 von einer Gleichstromkomponente abgeleitet und an die Schaltung mit den Dioden DG2 und DG1 angelegt. Als Folge davon werden die Dioden DG2 und DG1 angeschaltet. Wenn die Diode DG1 an ist, ist die Impedanz zwischen dem ersten Sendekreis TX1 und dem Verbindungspunkt IP1 klein. Mit der eingeschalteten Diode DG2 und dem Kondensator CG6 liegt die verteilte Konstantleitung LG2 hochfrequenzmäßig auf Masse, mit dem Ergebnis einer Resonanz. Dies führt vom Verbindungspunkt IP1 aus gesehen zu einer extrem großen Impedanz für den ersten Empfangskreis RX1. Im Ergebnis wird ein Sendesignal vom ersten Sendekreis TX1 zu der ersten Filterschaltung F1 übertragen, ohne in den Empfangskreis RX1 überzutreten.
  • (E) GSM-RX-Modus
  • Um den ersten GSM-Empfangskreis RX mit der ersten Filterschaltung F1 zu verbinden, wird von der Steuerschaltung VC1 die Spannung Null angelegt, um die Dioden DG1 und DG2 abzuschalten. Mit der Diode DG2 im Aus-Zustand ist der Verbindungs punkt IP1 über die verteilte Konstantleitung LG2 mit dem ersten Empfangskreis RX1 verbunden. Mit der Diode DG1 im Aus-Zustand ist die Impedanz zwischen dem Verbindungspunkt IP1 und dem ersten Sendekreis TX1 groß. Im Ergebnis wird ein Empfangssignal von der ersten Filterschaltung F1 zum ersten Empfangskreis RX1 übertragen, ohne in den ersten Sendekreis TX1 überzutreten.
  • Die vorliegende Erfindung wird nun weiter anhand der folgenden BEISPIELE beschrieben, ohne daß dadurch eine Einschränkung des Umfangs der vorliegenden Erfindung darauf beabsichtigt ist.
  • BEISPIEL 1
  • Die 3 ist eine Aufsicht auf das Hochfrequenzschaltmodul dieses BEISPIELS, die 4 eine perspektivische Ansicht des Laminatabschnitts davon und die 5 eine Entwicklungsansicht, die den Aufbau der einzelnen Schichten des Laminats der 4 zeigt. Im BEISPIEL 1 sind die verteilten Konstantleitungen der ersten und zweiten Filterschaltungen, der Tiefpaßfilterschaltungen und der Umschalter im Laminat ausgebildet, während die Dioden und Chipkondensatoren für die Kondensatoren großer Kapazität, die nicht im Laminat ausgebildet werden können, auf dem Laminat angeordnet sind, so daß sich auf einem Chip ein Dreifachband-Hochfrequenzschaltmodul ergibt. Die Symbole P1 bis P16 an den äußeren Anschlüssen der 4 entsprechen den Symbolen P2, P4 usw. des Ersatzschaltbildes der 2.
  • Das Laminat kann durch (a) Vorbereiten grüner Platten mit 50 bis 200 μm Dicke aus einer sinterbaren dielektrischen Niedertemperaturkeramik; (b) Aufdrucken einer elektrisch leitenden Paste auf Ag-Basis auf die einzelnen grünen Platten, um das gewünschte Elektrodenmuster auszubilden; (c) Aufeinanderlegen einer Anzahl der grünen Platten mit den gewünschten Elektrodenmustern; und (d) Brennen des sich ergebenden Laminats hergestellt werden. Die Leitungselektroden haben vorzugsweise eine Breite von 100 bis 400 μm.
  • Der innere Aufbau des Laminats wird in der Reihenfolge der Laminierung erläutert. Zuerst wird eine grüne Platte 11 für die unterste Schicht auf im wesentlichen allen Oberflächen mit einer Masseelektrode 31 bedeckt und mit Verbindungsabschnitten für die Verbindung mit Anschlußelektroden 81, 83, 87, 91, 93 und 95 auf den Seitenflächen versehen.
  • Danach werden auf die grüne Platte 11 eine grüne Platte 12 ohne aufgedruckte Masse, eine grüne Platte 13 mit einer Leitungselektrode 41, eine grüne Platte 14 mit vier Leitungselektroden 42, 43, 44 und 45 und eine grüne Platte 15 mit vier Leitungselektroden 46, 47, 48 und 49 in dieser Reihenfolge gelegt. Darauf wird eine grüne Platte 16 mit zwei Durchgangselektroden (in der Zeichnung mit "+" markiert) gelegt und darauf eine grüne Platte 17 mit einer Masseelektrode 32.
  • Die richtige Verbindung der Leitungselektroden in den zwischen den beiden Masseelektroden 31, 32 liegenden Bereichen bildet die verteilten Konstantleitungen für den ersten und den zweiten Umschalter SW1, SW2. Unter Bezug auf das Ersatzschaltbild der 2 bilden die über Durchgangselektroden verbundenen Leitungselektroden 41, 42 und 46 die verteilte Konstantleitung LG1, die über Durchgangselektroden verbundenen Leitungselektroden 45 und 49 bilden die verteilte Konstantleitung LG2, die über Durchgangselektroden verbundenen Leitungselektroden 43 und 47 bilden die verteilte Konstantleitung LP1, und die über Durchgangselektroden verbundenen Leitungselektroden 44 und 48 bilden die verteilte Konstantleitung LP2.
  • Auf der auf die grüne Platte 17 gelegten grüne Platte 18 sind Elektroden 61, 62, 63, 64, 65 und 66 für Kondensatoren ausgebildet. Die darauf gelegte grüne Platte 19 ist mit Elektroden 67, 68 und 69 für Kondensatoren versehen. Die darauf gelegte grüne Platte 20 ist mit einer Kondensatorelektrode 70 versehen.
  • Darauf ist eine grüne Platte 21 mit Leitungselektroden 50, 51, 52, 53 und 54 und darauf wiederum eine grüne Platte 22 mit Leitungselektroden 55, 56, 57, 58 und 59 gelegt. Die oberste grüne Platte 23 ist mit Kontaktflächen für anzubringende Elemente versehen.
  • Jede der Kondensatorelektroden 61, 62, 63, 64 und 66 auf der grünen Platte 18 bildet in Verbindung mit der Masseelektrode 32 auf der grünen Platte 17 eine Kapazität aus. Unter Bezug auf das Ersatzschaltbild der 2 bildet die Kondensatorelektrode 61 den Kondensator CP3, die Kondensatorelektrode 62 den Kondensator CP4, die Kondensatorelektrode 63 den Kondensator CG4, die Kondensatorelektrode 64 den Kondensator CG3 und die Kondensatorelektrode 66 den Kondensator CF3.
  • Die auf den grünen Platten 18, 19 und 20 ausgebildeten Kondensatorelektroden bilden jeweils entsprechende Kapazitäten aus. Unter Bezug auf das Ersatzschaltbild der 2 bilden die Kondensatorelektroden 65 und 68 den Kondensator CF4, die Kondensatorelektroden 61 und 62 und 67 den Kondensator CP7, die Kondensatorelektroden 69 und 70 den Kondensator CF1 und die Kondensatorelektroden 68 und 70 den Kondensator CF2. Die einander gegenüberliegenden Kondensatorelektroden 65 und 68 bilden ebenfalls eine Kapazität aus, auch wenn die Masseelektrode 32 derart mit Einkerbungen versehen ist, daß diese Elektroden nicht der Masseelektrode 32 gegenüberliegen. In den Einkerbungen liegen Durchgangselektroden zum Verbinden der verteilten Konstantleitungen.
  • Auf den grünen Platten 21, 22 bilden die Leitungselektroden 52, 59 die verteilte Konstantleitung LF1; die Leitungselektroden 54, 58 bilden die verteilte Konstantleitung LF2; die Leitungselektrode 53 bildet die verteilte Konstantleitung LF3; die Leitungselektroden 51, 57 bilden die verteilte Konstantleitung LG3; die Leitungselektrode 55 bildet die verteilte Konstantleitung LP3; und die Leitungselektrode 56 bildet die verteilte Konstantleitung LP. Die Leitungselektrode 50 dient als Verdrahtungsleitung. Die Leitungselektroden 51, 57, die die verteilte Konstantleitung LG3 bilden, sind so ausgebildet, daß sie sich teilweise gegenüberliegen, wobei ihre gegenüberliegenden Teile den Kondensator CG7 bilden.
  • Die aufeinandergelegten grünen Platten werden unter Druck zu einer Einheit verbunden und bei einer Temperatur von 900°C gebrannt, um ein Laminat mit Außenabmes sungen von 6,7 mm × 5,0 mm × 1,0 mm zu ergeben. Das sich ergebende Laminat ist an den Seitenflächen mit den Anschlußelektroden 81-96 versehen. Das Erscheinungsbild des Laminats ist in der 4 dargestellt.
  • Auf diesem Laminat sind die Dioden DG1, DG2, DP1, DP2 und DP3, die Chipkondensatoren CG1, CG6, CGP und CP6 und ein Chipwiderstand R3 angeordnet. Die 3 ist eine Aufsicht, die das Laminat mit diesen Elementen darauf zeigt. Die 3 zeigt auch die Anordnung (die Verbindungsstruktur für jeden Anschluß) des Hochfrequenzschaltmoduls. In den 3 usw. ist GRD ein mit Masse verbundener Anschluß.
  • Bei diesem BEISPIEL sind die Elemente CP2, CP5, CG2, CG5, R1, LG, R2 und CP8 des Ersatzschaltbildes der 2 als Chips ausgebildet und auf der Schaltung angebracht.
  • Bei diesem BEISPIEL wird eine gegenseitige Störung der Umschalter, der Sende-Empfangs-Weichen und der Tiefpaßfilterschaltungen verhindert, da die verteilten Konstantleitungen des ersten und des zweiten Umschalters in solchen Bereichen des Laminats ausgebildet sind, die zwischen Masseelektroden liegen. Da sich die zwischen den Masseelektroden liegenden Bereiche im unteren Teil des Laminats befinden, läßt sich die Massespannung leicht erhalten. An einer der oberen Masseelektrode gegenüberliegenden Stelle ist eine Elektrode zum Ausbilden eines Kondensators mit der oberen Masseelektrode ausgebildet.
  • Wie in den 3 und 4 gezeigt, ist das Laminat bei diesem BEISPIEL an den Seitenflächen mit Anschlüssen versehen, so daß eine Oberflächenmontage möglich ist. Die Anschlüsse an den Seitenflächen des Laminats sind ein ANT-Anschluß (P2), ein TX2-anschluß (P7) für DCS/PCS, ein TX1-Anschluß (P13) für GSM, ein RX1-Anschluqß (P16) für GSM, ein RX2-Anschluß (P9) für DCS 1800, ein RX3-Anschluß (P10) für PCS, ein Masseanschluß (GRD) und Steueranschlüsse (VC1, VC2, VC3). Jede Seitenfläche dieses Laminats ist mit wenigstens einem Masseanschluß versehen.
  • Bei diesem BEISPIEL liegen der ANT-Anschluß, die TX-Anschlüsse und die RX-Anschlüsse jeweils zwischen den Massenanschlüssen. Auch VC1, VC2 und VC3 liegen jeweils zwischen den Masseanschlüssen.
  • Die Tabelle 1 zeigt die Steuerlogik für die einzelnen Steuerschaltungen VC1, VC2 und VC3 zum Umschalten zwischen den Moden für GSM, DCS 1800 und PCS bei dem Hochfrequenzschaltmodul dieses BEISPIELS. Tabelle 1
    Modus VC1 VC2 VC3
    GSM TX Hoch Niedrig Niedrig
    DCS TX Niedrig Niedrig Hoch
    PCS TX Niedrig Niedrig Hoch
    GSM RX Niedrig Niedrig Niedrig
    DCS RX Niedrig Niedrig Niedrig
    PCS RX Niedrig Hoch Niedrig
  • Die 11 bis 15 zeigen den Einfügungsverlust und die Isolation beim Senden und Empfangen in den einzelnen Kommunikationsmoden. Wie in den 11 bis 15 zu sehen, werden für den Einfügungsverlust und die Isolation in jedem Kommunikationsmodus im gewünschten Frequenzband ausgezeichnete Werte erhalten, wodurch sich bestätigt, das bei diesem BEISPIEL ein miniaturisiertes, leistungsfähiges Hochfrequenzschaltmodul erhalten wird.
  • BEISPIEL 2
  • Die 6 zeigt das Ersatzschaltbild eines Hochfrequenzschaltmoduls gemäß einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung; die 7 eine Aufsicht auf das Hochfrequenzschaltmodul und die 8 den inneren Aufbau des Laminats für das Hochfrequenzschaltmodul. Da dieses BEISPIEL und das BEISPIEL 1 viele Gemeinsamkeiten aufweisen, wird die Erläuterung auf die Unterschiede beschränkt.
  • Die erste und die zweite Filterschaltung sind die gleichen wie im BEISPIEL 1. Auch der erste Umschalter SW1 des ersten Sende- und Empfangssystems (GSM) ist der gleiche wie im BEISPIEL 1, mit der Ausnahme, daß die verteilte Konstantleitung LG1 zusammen mit der verteilten Konstantleitung LP1 des zweiten Umschalters SW2 an die Steuerschaltung VC3 angeschlossen ist, jedoch nicht an die Masseelektrode. Im zweiten Umschalter sind die Richtungen der Dioden DP1, DP2 und DP3 gegenüber denen im BEISPIEL 1 vertauscht, und über einen zwischen der Diode DP2 und dem Kondensator CP6 in Reihe angeschlossenen Kreis aus einem Induktor LD und einem Widerstand R3 ist eine Steuerschaltung VC4 angeschlossen.
  • Der Aufbau des Hochfrequenzschaltmoduls unterscheidet sich von dem des BEISPIELS 1 in den folgenden Punkten. Die Masseelektrode 31 auf der grünen Platte 11 ist nicht mit der Anschlußelektrode 89 verbunden. Auf der grünen Platte 15 ist der Zuleitungsanschluß für die Leitungselektrode 46 modifiziert. Auf der grünen Platte 17 ist die Masseelektrode 32 nicht mit der Anschlußelektrode 89 verbunden. Auf der grünen Platte 21 ist eine Leitungselektrode 71, eine Verdrahtungsleitung, hinzugefügt. In der grünen Platte 22 ist eine Durchgangsöffnung zum Anschluß der Leitungselektrode 71 hinzugefügt. An der grünen Platte 23 ist die Form einer Kontaktfläche modifiziert.
  • Auf dem Laminat sind die Dioden DG1, DG2, DP1, DP2 und DP3 und die Chipkondensatoren CG1, CG6, CGP und CP6 angeordnet. Die 7 zeigt das Laminat mit diesen Elementen darauf. Die 7 zeigt auch die Anordnung (die Verbindungsstruktur für jeden Anschluß) des Hochfrequenzschaltmoduls. Bei diesem BEISPIEL sind die Elemente CP2, CP5, CG2, CG5, R1, LG, R2, CP8, R3 und LD des Ersatzschaltbildes der 6 als Chips ausgebildet und auf der Schaltung angebracht.
  • Die Tabelle 2 zeigt die Steuerlogik für die einzelnen Steuerschaltungen VC1, VC2, VC3 und VC4 zum Umschalten zwischen den Moden bei dem Hochfrequenzschaltmodul dieses BEISPIELS. Tabelle 2
    Modus VC1 VC2 VC3 VC4
    GSM TX Hoch Niedrig Niedrig Niedrig
    DCS TX Niedrig Hoch Niedrig Hoch
    PCS TX Niedrig Hoch Niedrig Hoch
    GSM RX Niedrig Niedrig Niedrig Niedrig
    DCS RX Niedrig Niedrig Niedrig Niedrig
    PCS RX Niedrig Niedrig Hoch Hoch
  • Das Hochfrequenzschaltmodul dieses BEISPIELS kann mit den gleichen Auswirkungen wie im BEISPIEL 1 in drei verschiedenen Kommunikationsmoden verwendet werden.
  • BEISPIEL 3
  • Die 9 zeigt das Ersatzschaltbild eines Hochfrequenzschaltmoduls gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Da dieses BEISPIEL und das BEISPIEL 1 viele Gemeinsamkeiten aufweisen, wird die Erläuterung auf die Unterschiede beschränkt.
  • Die erste und die zweite Filterschaltung und der erste Umschalter SW1 des ersten Sende- und Empfangssystems (GSM) sind hinsichtlich des Ersatzschaltbildes mit den entsprechenden Schaltungen im BEISPIEL 1 identisch. Der zweite Umschalter SW2 umfaßt einen Eingangs/Ausgangsanschluß IP2 für die Eingabe eines Empfangssignals für das zweite und dritte Sende- und Empfangssystem von der zweiten Filterschaltung F2 und die Ausgabe eines Sendesignals vom Sendekreis TX2 des zweiten und dritten Sende- und Empfangssystems; einen Eingangsanschluß für die Eingabe eines Sendesignals vom Sendekreis TX2 des zweiten und dritten Sende- und Empfangssystems; einen dritten Aus gangsanschluß IP3 für die Ausgabe eines Empfangssignals des zweiten und dritten Sende- und Empfangssystems; und einen vierten Ausgangsanschluß für die Ausgabe eines Empfangssignals des zweiten Sende- und Empfangssystems an den Empfangskreis RX2; einen fünften Ausgangsanschluß für die Ausgabe eines Empfangssignals des dritten Sende- und Empfangssystems an den Empfangskreis RX3; eine erste Diode DP1 zwischen dem Eingangs/Ausgangsanschluß IP2 und dem Eingangsanschluß; eine erste verteilte Konstantleitung LP1 zwischen dem Eingangsanschluß und Masse; eine zweite verteilte Konstantleitung LP2 zwischen dem Eingangs/Ausgangsanschluß IP2 und dem dritten Ausgangsanschluß IP3; eine zweite Diode DP2 zwischen dem dritten Ausgangsanschluß IP3 und Masse; eine dritte verteilte Konstantleitung LD1 zwischen dem dritten Ausgangsanschluß IP3 und denn vierten Ausgangsanschluß; eine dritte Diode DD1 zwischen dem vierten Ausgangsanschluß und Masse; eine vierte Diode DD2 zwischen dem dritten Ausgangsanschluß IP3 und dem fünften Ausgangsanschluß; und eine vierte verteilte Konstantleitung LD2 zwischen dem fünften Ausgangsanschluß und Masse.
  • Wie beschrieben umfaßt der zweite Umschalter SW2 einen Umschalter SW2-1 zum Umschalten zwischen dem Empfangskreis RX2 für DCS und dem Empfangskreis RX3 für PCS sowie einen weiteren Umschalter SW2-2 zum Umschalten zwischen dem Sendekreis TX2 und denn obigen Umschalter SW2-1 für DCS/PCS. Der Umschalter SW2-1 zum Umschalten zwischen dem Empfangskreis RX2 für DCS und dem Empfangskreis RX3 für PCS enthält als Hauptelemente die zwei Dioden DD1, DD2 und die zwei verteilten Konstantleitungen LD1, LD2, wobei die Diode DD2 mit der Anode an den Verbindungspunkt IP3 und mit der Kathode an RX3 angeschlossen ist und die Kathode mit der verteilten Konstantleitung LD2 verbunden ist, die an Masse angeschlossen ist. Die verteilte Konstantleitung LD1 liegt zwischen dem Verbindungspunkt IP3 und dem Empfangskreis RX2, und die über den Kondensator CDP2 mit Masse verbundene Diode DD1 ist auf der Seite des Empfangskreises RX2 angeordnet. Zwischen die Diode DD1 und den Kondensator CDP2 ist über einen Induktor LD und einen Widerstand R6 eine Steuerschaltung VC5 angeschlossen.
  • Vor diesem Umschalter SW2-1 ist ein weiterer Umschalter SW2-2 zum Umschalten zwischen dem Sendekreis TX2 für DCS/PCS und dem Umschalter SW2-1 angeordnet. Dieser Umschalter SW2-2 enthält als Hauptelemente die zwei Dioden DP1, DP2 und die zwei verteilten Konstantleitungen LP1, LP2. Die Diode DP1 liegt zwischen TX2 und dem Verbindungspunkt IP2. Die Anode der Diode DP1 ist mit dem Verbindungspunkt IP2 und die Kathode davon mit der auf Masse liegenden verteilten Konstantleitung LP1 verbunden. Die verteilte Konstantleitung LP2 liegt zwischen den Verbindungspunkten IP2 und IP3, und die über den Kondensator CP6 mit Masse verbundene Diode DP2 ist auf der Seite des Verbindungspunktes IP3 angeordnet. Zwischen der Diode DP2 und dem Kondensator CP6 ist über den Induktor LP und den Widerstand R3 die Steuerschaltung VC3 angeschlossen.
  • Die Tabelle 3 zeigt die Steuerlogik für die einzelnen Steuerschaltungen VC1, VC3 und VC5 zum Umschalten zwischen den Moden bei dem Hochfrequenzschaltmodul dieses BEISPIELS. Tabelle 3
    Modus VC1 VC3 VC5
    GSM TX Hoch Niedrig Niedrig
    DCS TX Niedrig Hoch Niedrig
    PCS TX Niedrig Hoch Niedrig
    GSM RX Niedrig Niedrig Niedrig
    DCS RX Niedrig Niedrig Niedrig
    PCS RX Niedrig Niedrig Hoch
  • Das Hochfrequenzschaltmodul dieses BEISPIELS kann mit den gleichen Auswirkungen wie im BEISPIEL 1 in drei verschiedenen Kommunikationsmoden verwendet werden.
  • BEISPIEL 4
  • Die 10 zeigt das Ersatzschaltbild eines Hochfrequenzschaltmoduls gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Da das Hochfrequenzschaltmodul dieses BEISPIELS und das des BEISPIELS 1 viele Gemeinsamkeiten aufweisen, wird die Erläuterung auf die Unterschiede beschränkt. Bezüglich des Ersatzschaltbildes sind die ersten und zweiten Umschalter in den ersten bis dritten Sende- und Empfangssystemen (GSM, DCS, PCS) die gleichen wie im BEISPIEL 1.
  • Die erste und die zweite Filterschaltung F1, F2, die jeweils mit der Antenne ANT verbunden sind, werden wie im BEISPIEL 1 durch eine verteilte Konstantleitung und einen Kondensator gebildet, und das Ersatzschaltbild enthält als erste Filterschaltung einen Tiefpaßfilter zum Durchlassen der Sende- und Empfangssignale für GSM, während die Sende- und Empfangssignale für DCS und PCS abgeschwächt werden, und als zweite Filterschaltung einen Hochpaßfilter zum Durchlassen der Sende- und Empfangssignale für DCS und PCS, während die Sende- und Empfangssignale für GSM abgeschwächt werden. Der Tiefpaßfilter enthält zwischen der Antenne ANT und dem ersten Umschalter SW1 eine verteilte Konstantleitung LF5 und eine Reihenresonanzschaltung mit einer verteilten Konstantleitung LF6 und einem Kondensator CF6 zwischen dem einen Ende der verteilten Konstantleitung LF5 und Masse. Der Hochpaßfilter enthält zwischen der Antenne ANT und dem zweiten Umschalter SW2 einen Kondensator CF5 und eine Reihenresonanzschaltung mit einer verteilten Konstantleitung LF7 und einem Kondensator CF7, der zwischen CF5 und Masse liegt.
  • Das Hochfrequenzschaltmodul dieses BEISPIELS kann mit den gleichen Auswirkungen wie im BEISPIEL 1 in drei verschiedenen Kommunikationsmoden verwendet werden.
  • Anhand der 1 bis 10 wurde das erfindungsgemäße Hochfrequenzschaltmodul im Detail erläutert. Es ist jedoch nicht darauf beschränkt, und es können verschiedene Modifikationen erfolgen, ohne vom Umfang der vorliegenden Erfindung abzuweichen. Die mit dem erfindungsgemäßen Hochfrequenzschaltmodul verwendbaren Kommunikationsmoden sind nicht auf die in den BEISPIELEN gezeigten Kombinationen beschränkt, das Umschalten kann zwischen drei beliebigen verschiedenen Sende- und Empfangssystemen erfolgen, zum Beispiel einer Kombination von GPS (Global Positioning System), D-AMPS (Digital Advanced Mobile Service) und PCS, oder einer Kombination von GSM, WCDMA (Wide-Band Code Division Multiple Access) und PCS.
  • INDUSTRIELLE ANWENDBARKEIT
  • Da das erfindungsgemäße Hochfrequenzschaltmodul zum Beispiel bei mobilen Kommunikationseinrichtungen wie Dreifachband-Mobiltelephonen eines Multikommunikationssystems mit einer Verwendbarkeit in drei verschiedenen Kommunikationssystemen verwendet werden kann, kann es die Antenne ANT auf den Sendekreis TX1 und den Empfangskreis RX1 für das erste Sende- und Empfangssystems, den Sendekreis TX2 für das zweite und dritte Sende- und Empfangssystem, den Empfangskreis RX2 für das zweite Sende- und Empfangssystems und den Empfangskreis RX3 für das dritte Sende- und Empfangssystem schalten, wobei der Sendekreis für das zweite Sende- und Empfangssystem und der Sendekreis für das dritte Sende- und Empfangssystems zusammengelegt sind. Das erfindungsgemäße Hochfrequenzschaltmodul kann unter Beibehaltung ausgezeichneter elektrischer Eigenschaften miniaturisiert werden, wobei einige Teile wie Verstärker vom zweiten und dritten Sende- und Empfangssystem gemeinsam genutzt werden. Im Ergebnis kann eine mobile Kommunikationseinrichtung mit dem Hochfrequenzschaltmodul weiter miniaturisiert und leichter gemacht werden.

Claims (5)

  1. Hochfrequenzschaltmodul zum Umschalten zwischen den Sendekreisen und Empfangskreisen von verschiedenen Sende- und Empfangssystemen (GSM, DCS, PCS) mit einer ersten und einer zweiten Filterschaltung (F1, F2) mit unterschiedlichen Durchlaßbändern, wobei die erste Filterschaltung (F1) zwischen einer Antenne (ANT) und einem ersten Umschalter (SW1) liegt, die zweite Filterschaltung (F2) zwischen der Antenne (ANT) und einem zweiten Umschalter (SW2) liegt, der erste Umschalter (SW1) mit der ersten Filterschaltung (F1) verbunden ist, um zwischen einem ersten Sendekreis (TX1) und einem ersten Empfangskreis (RX1) eines ersten Sende- und Empfangssystems (GSM) umzuschalten, der zweite Umschalter (SW2) mit der zweiten Filterschaltung (F2) verbunden ist, um zwischen einem zweiten Sendekreis (TX2) von zweiten und dritten Sende- und Empfangssystemen (DCS, PCS), einem zweiten Empfangskreis (RX2) des zweiten Sende- und Empfangssystems (DCS) und einem dritten Empfangskreis (RX3) des dritten Sende- und Empfangssystems (PCS) umzuschalten, der erste und der zweite Umschalter (SW1, SW2) jeweils ein Diodenschalter mit einer Diode (DG1, DG2; DP1, DP2, DP3; DP1, DP2, DD1, DD2) und einer verteilten Konstantleitung (LG2; LP2; LP2, LD1) ist, wobei aus dem ersten, zweiten und dritten Sende- und Empfangssystem (GSM, DCS, PCS) dadurch eines ausgewählt wird, daß der Ein/Aus-Zustand der Diodenschalter durch Anlegen einer Spannung von einer Stromversorgung an die Diodenschalter gesteuert wird, und wobei der zweite Umschalter (SW2) umfaßt eine erste Diode (DP1) zwischen dem zweiten Sendekreis (TX2) und der zweiten Filterschaltung (F2), wobei die zweite Filterschaltung (F2) eine verteilte Konstantleitung (LF2; LF7) und einen Kondensator (CF2; CF5) enthält; eine erste verteilte Konstantleitung (LP2), deren eine Seite mit der zweiten Filterschaltung (F2) verbunden ist; eine zweite Diode (DP2), die an der anderen Seite der ersten verteilten Konstantleitung (LP2) mit Masse verbunden ist; einen Kondensator (CP5), der in Reihe zu der ersten verteilten Konstantleitung (LP2) geschaltet ist; eine dritte Diode (DD2) zwischen dem Kondensator (CP5) und dem dritten Empfangskreis (RX3); und eine zweite verteilte Konstantleitung (LD1) zwischen dem Kondensator (CP5) und dem zweiten Empfangskreis (RX2), wobei die dritte Diode (DD2) über die zweite verteilte Konstantleitung (LD1) und eine vierte Diode (DD1) mit Masse verbunden ist.
  2. Modul nach Anspruch 1, wobei der erste Umschalter (SW1) umfaßt eine erste Diode (DG1) zwischen dem ersten Sendekreis (TX1) und der ersten Filterschaltung (F1), wobei die erste Filterschaltung (F1) eine verteilte Konstantleitung (LF1) und einen Kondensator (CF1) enthält; und eine verteilte Konstantleitung (LG2) zwischen der ersten Filterschaltung (F1) und dem ersten Empfangskreis (RX1), wobei die erste Diode (DG1) über die verteilte Konstantleitung (LG2) und eine zweite Diode (DG2) mit Masse verbunden ist.
  3. Modul nach Anspruch 1 oder 2, wobei ein Tiefpaßfilter (LPF) mit einer verteilten Konstantleitung (LP3) und einem Kondensator (CP3, CP4, CP7) zwischen die zweite Filterschaltung (F2) und den zweiten Sendekreis (TX2) geschaltet ist.
  4. Modul nach Anspruch 3, wobei die Leitungslänge der den Tiefpaßfilter (LPF) bildenden verteilten Konstantleitung λ/8 bis λ/12 beträgt, wobei λ die Mittenfrequenz für das Sendesignal der zweiten und dritten Sende- und Empfangssysteme ist.
  5. Modul nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei die erste und die zweite Filterschaltung (F1, F2) jeweils eine verteilte Konstantleitung (LF1; LF2, LF3 oder LF5, LF6; LF7) und einen Kondensator (CF1, CF3; CF2, CF4 oder CF6; CF5, CF7) enthalten.
DE60034747T 1999-03-18 2000-03-17 Hochfrequenzschaltermodul Expired - Lifetime DE60034747T2 (de)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7323499 1999-03-18
JP07323499A JP2002064301A (ja) 1999-03-18 1999-03-18 トリプルバンド用高周波スイッチモジュール
PCT/JP2000/001670 WO2000055983A1 (fr) 1999-03-18 2000-03-17 Module de commutation haute frequence

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE60034747D1 DE60034747D1 (de) 2007-06-21
DE60034747T2 true DE60034747T2 (de) 2008-01-17

Family

ID=13512301

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE60034747T Expired - Lifetime DE60034747T2 (de) 1999-03-18 2000-03-17 Hochfrequenzschaltermodul

Country Status (6)

Country Link
US (3) US6987984B1 (de)
EP (3) EP1804390B1 (de)
JP (2) JP2002064301A (de)
DE (1) DE60034747T2 (de)
DK (1) DK1083672T3 (de)
WO (1) WO2000055983A1 (de)

Families Citing this family (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7395056B2 (en) * 2000-05-31 2008-07-01 Wahoo Communications Corporation Time-shared full duplex protocol for use with a wireless communications system with artificial intelligence-based distributive call routing
CN1249928C (zh) * 2000-08-22 2006-04-05 日立金属株式会社 叠层体型高频开关模块
EP1333588B1 (de) 2000-11-01 2012-02-01 Hitachi Metals, Ltd. Hochfrequenz-schaltmodul
EP1223634A3 (de) 2000-12-26 2003-08-13 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Hochfrequenzschalter, laminierter Hochfrequenzschalter, Hochfrequenz-Funkeinheit und Hochfrequenz-Schaltverfahren
DE10102201C2 (de) * 2001-01-18 2003-05-08 Epcos Ag Elektrisches Schaltmodul, Schaltmodulanordnung und verwendung des Schaltmoduls und der Schaltmodulanordnung
FR2822612B1 (fr) * 2001-03-20 2003-07-11 Sagem Dispositif de mulitplexage radiofrequence a commande croisee pour telephone mobile bi-bande
JP2002290269A (ja) * 2001-03-27 2002-10-04 Sanyo Electric Co Ltd 複合高周波部品及びこれを用いた情報端末装置
DE60208660T2 (de) * 2001-03-29 2006-07-13 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kadoma Hochfrequenzschalter , funkkommunikationsgerät und hochfrequenzschaltungsverfahren
US6683512B2 (en) * 2001-06-21 2004-01-27 Kyocera Corporation High frequency module having a laminate board with a plurality of dielectric layers
US6865376B2 (en) * 2001-07-03 2005-03-08 Kyocera Wireless Corp. System and method for a GPS enabled antenna
EP1418680A4 (de) * 2001-08-10 2005-04-06 Hitachi Metals Ltd Bypassfilter, mehrbandantennenschaltnetzwerk und geschichtetes modulzusammensetzungsteil und kommunikationsgerät damit
JP2003087002A (ja) * 2001-09-14 2003-03-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd 高周波スイッチ
US20050059371A1 (en) * 2001-09-28 2005-03-17 Christian Block Circuit arrangement, switching module comprising said circuit arrangement and use of switching module
US7492565B2 (en) * 2001-09-28 2009-02-17 Epcos Ag Bandpass filter electrostatic discharge protection device
EP1361668A4 (de) * 2001-10-24 2010-05-12 Panasonic Corp Zusammengesetztes hochfrequenzschaltmodul und kommunikationsendgerät damit
US6975841B2 (en) * 2001-11-12 2005-12-13 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Diplexer, and high-frequency switch and antenna duplexer using the same
DE60334888D1 (de) 2002-01-31 2010-12-23 Hitachi Metals Ltd Schaltnetzwerk und zusammengesetzter hochfrequenzteil
JP2003264348A (ja) * 2002-03-07 2003-09-19 Sony Corp 高周波モジュール
JP2003338701A (ja) 2002-05-20 2003-11-28 Seiko Epson Corp 高周波スイッチの製造方法及び高周波スイッチ並びに電子機器
DE10246098A1 (de) 2002-10-02 2004-04-22 Epcos Ag Schaltungsanordnung
US7242268B2 (en) * 2002-10-25 2007-07-10 Hitachi Metals, Ltd. Unbalanced-balanced multiband filter module
US20040185795A1 (en) * 2003-02-05 2004-09-23 Khosro Shamsaifar Electronically tunable RF Front End Module
US7373171B2 (en) * 2003-02-14 2008-05-13 Tdk Corporation Front end module
US7221922B2 (en) * 2003-02-14 2007-05-22 Hitachi Metals, Ltd. Switch circuit and composite high frequency elements
JP3810011B2 (ja) * 2003-08-08 2006-08-16 Tdk株式会社 高周波スイッチモジュールおよび高周波スイッチモジュール用多層基板
JP4123435B2 (ja) * 2003-10-14 2008-07-23 富士通メディアデバイス株式会社 高周波スイッチモジュール
WO2005046070A1 (ja) * 2003-11-11 2005-05-19 Murata Manufacturing Co., Ltd. 高周波モジュール
EP1796276A4 (de) 2004-06-07 2012-03-14 Hitachi Metals Ltd Hochfrequenz-schaltmodul und verfahren zu seiner steuerung
JP4288529B2 (ja) * 2004-06-30 2009-07-01 日立金属株式会社 高周波部品及びマルチバンド通信装置
WO2006003959A1 (ja) * 2004-06-30 2006-01-12 Hitachi Metals, Ltd. 高周波回路、高周波部品及びマルチバンド通信装置
DE102004040967B4 (de) * 2004-08-24 2019-02-21 Snaptrack, Inc. Schaltung mit hoher Isolation zwischen Sende- und Empfangspfad und Bauelement mit der Schaltung
CN100517996C (zh) 2004-11-25 2009-07-22 株式会社村田制作所 高频切换模块
JP4552193B2 (ja) * 2005-02-24 2010-09-29 日立金属株式会社 マルチバンド高周波モジュールおよびこれを用いたマルチバンド通信装置
EP1876722B1 (de) * 2005-04-28 2016-08-24 Murata Manufacturing Co., Ltd. Hochfrequenzschaltmodul und verfahren zur anpassung der frequenzmerkmale einer hochfrequenzschaltung
US7564664B2 (en) * 2006-05-11 2009-07-21 Infineon Technologies Ag ESD protection circuit for a high frequency circuit
ATE437478T1 (de) * 2007-05-22 2009-08-15 Alcatel Lucent Basisstation und übertragungsverfahren
US7702296B2 (en) * 2007-08-01 2010-04-20 Mediatek Usa Inc. Transmit/receive switch
JP4873046B2 (ja) * 2009-05-26 2012-02-08 株式会社村田製作所 高周波モジュール
JP5625453B2 (ja) 2009-05-26 2014-11-19 株式会社村田製作所 高周波スイッチモジュール
TWI408910B (zh) * 2009-10-14 2013-09-11 Ralink Technology Corp 訊號分路裝置及無線通訊裝置
US9100060B2 (en) * 2011-12-14 2015-08-04 Infineon Technologies Ag System and method for a radio frequency switch
JP5594318B2 (ja) 2012-05-24 2014-09-24 株式会社村田製作所 スイッチモジュール
EP3580853B1 (de) 2017-02-10 2023-04-05 Telefonaktiebolaget LM Ericsson (publ) Zeitduplex-sende-empfänger mit integrierter isolatorschaltung
JP2021145282A (ja) * 2020-03-13 2021-09-24 株式会社村田製作所 高周波モジュールおよび通信装置
JP2021158554A (ja) * 2020-03-27 2021-10-07 株式会社村田製作所 高周波モジュールおよび通信装置
JP2021158556A (ja) * 2020-03-27 2021-10-07 株式会社村田製作所 高周波モジュールおよび通信装置
CN114257265B (zh) * 2022-03-01 2022-05-10 四川鸿创电子科技有限公司 一种射频至中频收发***

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4222190A1 (de) * 1992-07-07 1994-01-13 Philips Patentverwaltung Funkgerät mit einer Antennenumschaltvorrichtung
US5442812A (en) * 1992-07-08 1995-08-15 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Antenna switching apparatus for selectively connecting antenna to transmitter or receiver
DE4343719C2 (de) * 1992-12-22 1997-08-07 Murata Manufacturing Co Hochfrequenzschalter
JP2874496B2 (ja) 1992-12-26 1999-03-24 株式会社村田製作所 高周波スイッチ
CN1034044C (zh) * 1993-03-31 1997-02-12 摩托罗拉公司 转换电路及其方法
JP3291913B2 (ja) * 1994-05-17 2002-06-17 株式会社村田製作所 高周波スイッチ
JP3198808B2 (ja) * 1994-06-30 2001-08-13 株式会社村田製作所 高周波スイッチ
JP3196539B2 (ja) * 1994-12-05 2001-08-06 株式会社村田製作所 高周波スイッチ
JP3299065B2 (ja) * 1995-01-30 2002-07-08 株式会社村田製作所 高周波複合スイッチ
US5699023A (en) * 1995-07-24 1997-12-16 Murata Manufacturing Co., Ltd. High-frequency switch
US5999065A (en) * 1995-08-24 1999-12-07 Murata Manufacturing Co., Ltd. Composite high-frequency component
DE69634973D1 (de) * 1995-12-05 2005-09-01 Murata Manufacturing Co Hochfrequenzschalter
US6070059A (en) * 1995-12-05 2000-05-30 Murata Manufacturing Co., Ltd. High-frequency switch
JPH1032521A (ja) * 1996-07-17 1998-02-03 Murata Mfg Co Ltd デュプレクサ
US6006105A (en) * 1996-08-02 1999-12-21 Lsi Logic Corporation Multi-frequency multi-protocol wireless communication device
US5768691A (en) * 1996-08-07 1998-06-16 Nokia Mobile Phones Limited Antenna switching circuits for radio telephones
JP3223848B2 (ja) * 1996-08-21 2001-10-29 株式会社村田製作所 高周波部品
JPH10135702A (ja) * 1996-10-29 1998-05-22 Hitachi Metals Ltd ダイオードスイッチ
US5778306A (en) * 1996-11-08 1998-07-07 Motorola Inc. Low loss high frequency transmitting/receiving switching module
JP3258922B2 (ja) * 1997-01-08 2002-02-18 三洋電機株式会社 デュアルバンド無線通信装置
US6108527A (en) * 1997-07-31 2000-08-22 Lucent Technologies, Inc. Wide range multiple band RF power detector
JP3848445B2 (ja) 1997-09-26 2006-11-22 松下電器産業株式会社 複数通信方式対応の無線機
JP3191213B2 (ja) 1998-04-28 2001-07-23 日立金属株式会社 高周波スイッチモジュール
EP1418679B1 (de) * 1997-12-03 2006-07-26 Hitachi Metals, Ltd. Multibandhochfrequenzschaltmodul
JP2983016B2 (ja) 1997-12-03 1999-11-29 日立金属株式会社 マルチバンド用高周波スイッチモジュール
DE69930453T2 (de) * 1998-10-27 2006-09-28 Murata Manufacturing Co., Ltd., Nagaokakyo Zusammengestellte Hochfrequenzkomponente und damit ausgerüstetes mobiles Kommunikationsgerät
JP3304901B2 (ja) * 1998-11-27 2002-07-22 株式会社村田製作所 複合高周波部品及びそれを用いた移動体通信装置
JP3304898B2 (ja) * 1998-11-20 2002-07-22 株式会社村田製作所 複合高周波部品及びそれを用いた移動体通信装置
JP3484090B2 (ja) * 1998-12-22 2004-01-06 株式会社日立製作所 スイッチ型アンテナ共用器および移動無線端末
JP2001102957A (ja) * 1999-09-28 2001-04-13 Murata Mfg Co Ltd 複合高周波部品及びそれを用いた移動体通信装置
JP3711846B2 (ja) * 2000-07-27 2005-11-02 株式会社村田製作所 高周波モジュール及びそれを用いた移動体通信装置

Also Published As

Publication number Publication date
EP1083672A1 (de) 2001-03-14
US20050221769A1 (en) 2005-10-06
JP4257481B2 (ja) 2009-04-22
EP1083672B1 (de) 2007-05-09
EP1083672A4 (de) 2004-06-23
US7130655B2 (en) 2006-10-31
WO2000055983A1 (fr) 2000-09-21
DE60034747D1 (de) 2007-06-21
US7171234B2 (en) 2007-01-30
DK1083672T3 (da) 2007-08-06
EP1801990A1 (de) 2007-06-27
EP1804390B1 (de) 2011-05-11
US20050221768A1 (en) 2005-10-06
EP1804390A1 (de) 2007-07-04
US6987984B1 (en) 2006-01-17
JP2002064301A (ja) 2002-02-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE60034747T2 (de) Hochfrequenzschaltermodul
DE60028937T2 (de) Hochfrequenz zusammengesetzter schaltergauelement
DE60210554T2 (de) Funkfrequenzvorrichtung und dazugehöriges Kommunikationsgerät
DE69531371T2 (de) Zusammengestellte Hochfrequenz-Vorrichtung
DE69835468T2 (de) Mehrband-Hochfrequenzschaltmodul
DE69938200T2 (de) Hochfrequenzschalter
DE10053205B4 (de) Kombinierte Frontendschaltung für drahtlose Übertragungssysteme
DE10115719B4 (de) Sende-Empfangs-Umschalt-Anordnung
DE69835937T2 (de) Zweifrequenzschalter, anordnung mit gemeinsamer zweifrequenzantenne und mobile zweifrequenz-funkübertragungsausrüstung damit
DE10112523B4 (de) Zusammengesetzte Hochfrequenzeinheit und diese aufweisendes Dualband-Zellulartelephongerät und Mobilkommunikationsgerät
DE112006001884B4 (de) Elektrisches Bauelement
DE102005010773A1 (de) Hochfrequenz-Umschaltschaltung, Hochfrequenzmodul und drahtloses Kommunikationsbauteil
DE102006029984A1 (de) Hochfrequenzschaltungseinrichtung und Kommunikationsvorrichtung mit einer solchen Einrichtung
DE10352642A1 (de) Schaltung mit verringerter Einfügedämpfung und Bauelement mit der Schaltung
DE112014006466T5 (de) Frontend-Modul für Trägeraggregationsbetriebsart
EP0862279B1 (de) Sende-Empfangs-Umschalteanordnung
KR20020042880A (ko) 적층형 고주파 스위치 모듈
JP3191213B2 (ja) 高周波スイッチモジュール
DE10102201C2 (de) Elektrisches Schaltmodul, Schaltmodulanordnung und verwendung des Schaltmoduls und der Schaltmodulanordnung
DE10321247B4 (de) Verlustarmes Sendemodul
DE102004024911A1 (de) Hochfrequenzmodul und Kommunikationsvorrichtung
DE60224117T2 (de) Hochfrequenzschalter und Funkgerät
DE60009651T2 (de) Hochfrequenzschalter
US7027777B2 (en) High frequency switch and high frequency radio communication apparatus
DE60310913T2 (de) Verbesserungen in oder im zusammenhang mit drahtlosen endgeräten

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition
8327 Change in the person/name/address of the patent owner

Owner name: HITACHI METALS, LTD., TOKIO/TOKYO, JP