DE497474C - Elektrisches Ventil - Google Patents

Elektrisches Ventil

Info

Publication number
DE497474C
DE497474C DES76588D DES0076588D DE497474C DE 497474 C DE497474 C DE 497474C DE S76588 D DES76588 D DE S76588D DE S0076588 D DES0076588 D DE S0076588D DE 497474 C DE497474 C DE 497474C
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
layer
electric valve
contact
electrical
metal compound
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DES76588D
Other languages
English (en)
Inventor
Dr Hans Gerdien
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens Schuckertwerke AG
Siemens AG
Original Assignee
Siemens Schuckertwerke AG
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens Schuckertwerke AG, Siemens AG filed Critical Siemens Schuckertwerke AG
Priority to DES76588D priority Critical patent/DE497474C/de
Application granted granted Critical
Publication of DE497474C publication Critical patent/DE497474C/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/16Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising cuprous oxide or cuprous iodide
    • H01L21/161Preparation of the foundation plate, preliminary treatment oxidation of the foundation plate, reduction treatment

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Non-Insulated Conductors (AREA)

Description

  • Elektrisches Ventil Unter einem elektrischen Ventil wird im folgenden eine Einrichtung verstanden, die den elektrischen Strom in der einen Richtung besser leitet als in der anderen. Man hat elektrische Ventile vorgeschlagen, die eine aus einer geeigneten festen Metallverbindung bestehende Schicht enthalten, die im folgenden als wirksame Schicht bezeichnet wird, und die meist zu beiden Seiten mit einem elektrischen Leiter in Berührung steht. In welcher Weise bei einer derartigen Einrichtung die Gleichrichtewirkung zustande kommt, ist noch nicht restlos geklärt.
  • Gemäß der Erfindung wird mindestens einer der mit der wirksamen Schicht in Berührung stehenden elektrischen Leiter in Form von Einkristallen verwendet, und zwar kann ein einziger Einkristall oder, wenn die einzelnen Kristalle gleichsinnig angeordnet sind, mehrere nebeneinander angeordnete Einkristalle verwendet werden.
  • Es ist zweckmäßig, die wirksame Schicht in an sich bekannter Weise durch unmittelbare chemische Umwandlung eines Teiles der Oberfläche der verwandten Einkristalle herzustellen. Bei der Verwendung von Kupferoxyd kann man beispielsweise diese wirksame Schicht ebenfalls in an sich bekannter Weise durch Oxydation eines Teiles der Oberfläche eines Kupfereinkristalles herstellen und den Einkristall selbst als den einen der mit der wirksamen Schicht in Berührung stehenden elektrischen Leiter verwenden.
  • Es kann zweckmäßig sein, die chemische Umwandlung eines Teiles der Oberfläche des Einkristalles durch Regelung der Temperatur, Abkühlgeschwindigkeit und Dauer der chemischen Einwirkung so zu beeinflussen, daß die entstehende Metallverbindung die Struktur des darunterliegenden Einkristalles behält. Wird eine Kupferoxydschicht als wirksame Schicht eines elektrischen Ventils verwendet, so ist es zweckmäßig, diese Schicht mit einem Kupfereinkristall in Berührung zu bringen bzw. die Kupferoxydschicht durch Oxydation eines Teiles der Oberfläche des Kupfereinkristalles herzustellen. An Stelle des Kupferoxydes können auch andere geeignete Metallverbindungen treten, z. B. eine Schwefelverbindung des Kupfers oder eines anderen Metalls.
  • Das Ventil gemäß der Erfindung kann vorteilhaft zur Umwandlung von Wechselstrom verwendet werden.
  • Gegenüber bekannten elektrischen Ventilen, insbesondere den sogenannten Kontaktgleichrichtern, bei denen eine aus einer Metallverbindungsschicht bestehende elektronegative Elektrode mit einer metallischen elektropositiven Elektrode in Berührung steht, hat das vorstehend beschriebene Ventil verschiedene Vorteile. Zunächst besteht der in Form von Einkristallen hergestellte Leiter aus außerordentlich reinem Material. Er besitzt daher eine besonders hohe elektrische Leitfähigkeit. Wegen der ihm eigentümlichen, völlig homogenen Struktur ist der Leiter ferner in besonderem Grade frei von örtlichen Fehlerstellen, die die Lebensdauer des Ventils beeinträchtigen könnten. Auch der Rückstrom, d. h. der im entgegengesetzten Sinne wie der gleichgerichtete Strom das Ventil durchfließende Strom, läßt sich im Gegensatz zu den bekannten Kontaktgleichrichtern beim Erfindungsgegenstande ohne Schwierigkeit auf einen verschwindend kleinen Betrag herabdrücken.

Claims (3)

  1. PATENTANSPRÜCHE: I. Elektrisches Ventil, welches eine aus einer Metallverbindung bestehende Schicht und wenigstens zwei mit dieser Schicht in Berührung stehende elektrische Leiter enthält, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens einer der elektrischen Leiter aus einem Einkristall besteht.
  2. 2. Elektrisches Ventil nach Anspruch I, dadurch gekennzeichnet, daß die aus einer Metallverbindung bestehende Schicht durch chemische Umwandlung der Oberfläche eines aus Metall bestehenden Einkristalles hergestellt ist.
  3. 3. Elektrisches Ventil nach Anspruch I, dadurch gekennzeichnet, daß einer der elektrischen Leiter ein Kupfereinkristall ist, auf dem eine Kupferoxydschicht erzeugt ist.
DES76588D 1926-10-19 1926-10-19 Elektrisches Ventil Expired DE497474C (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DES76588D DE497474C (de) 1926-10-19 1926-10-19 Elektrisches Ventil

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DES76588D DE497474C (de) 1926-10-19 1926-10-19 Elektrisches Ventil

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE497474C true DE497474C (de) 1930-05-08

Family

ID=25996660

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DES76588D Expired DE497474C (de) 1926-10-19 1926-10-19 Elektrisches Ventil

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE497474C (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE967086C (de) * 1949-04-01 1957-10-03 Licentia Gmbh Verfahren zum Herstellen von Trockengleichrichtern mit Germanium als halbleitender Substanz
US2852448A (en) * 1955-09-01 1958-09-16 Sylvania Electric Prod Crystal rectifiers and method

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE967086C (de) * 1949-04-01 1957-10-03 Licentia Gmbh Verfahren zum Herstellen von Trockengleichrichtern mit Germanium als halbleitender Substanz
US2852448A (en) * 1955-09-01 1958-09-16 Sylvania Electric Prod Crystal rectifiers and method

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE823468C (de) Elektrische UEbertragungsvorrichtung mit einem aus Silizium bestehenden Kontakt-Gleichrichterelement
DE2142146A1 (de) Halbleiteranordnung und Verfahren zur Herstellung einer derartigen Anordnung
DE1056746B (de) Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern
EP0034391B1 (de) Verwendung einer Blei-Legierung für Anoden bei der elektrolytischen Gewinnung von Zink
DE1180015B (de) Mittel zur elektrischen Isolierung und ther-mischen Kontaktierung bei einer nach dem Seebeck- oder Peltier-Effekt arbeitenden thermoelektrischen Batterie
DE497474C (de) Elektrisches Ventil
DE1170079B (de) Halbleiteranordnung
DE1160547B (de) Verfahren zum elektrolytischen AEtzen eines Halbleiterbauelementes mit einem im wesentlichen einkristallinen Halbleiterkoerper und einem an die Oberflaeche tretenden pn-UEbergang
DE856663C (de) Verfahren zur Herstellung von Selen-Gleichrichtern
DE1036394B (de) Verfahren zur Erzeugung einer pn-Verbindung in einem p-Typ-Koerper aus Silizium
DE1170555B (de) Verfahren zum Herstellen eines Halbleiter-bauelements mit drei Zonen abwechselnd entgegengesetzten Leitungstyps
DE960373C (de) Halbleitendes Material
DE849581C (de) Elektrischer Trockengleichrichter
DE1170082B (de) Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen
DE1188209B (de) Halbleiterbauelement
DE512817C (de) Elektrischer Trockengleichrichter
AT201114B (de) Verfahren zur Herstellung von halbleitenden Vorrichtungen
DE723526C (de) Verfahren zur Herstellung von Kupferoxydgleichrichtern
DE1961230C3 (de) Verfahren zum Passivieren eines PN-Übergänge aufweisenden Halbleiterkörpers und Anwendung des Verfahrens zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
DE392096C (de) Fluessige Leiter fuer elektrische Stroeme und Verfahren zur Herstellung solcher Leiter
DE736805C (de) Verfahren zum Herstellen von Kupferoxydulgleichrichtern durch Oxydieren von Kupferscheiben nach vorausgegangener Erhitzung im Vakuum
DE862471C (de) Verfahren zur Umkristallisation von Metallscheiben fuer die Herstellung von Trockengleichrichtern
DE512818C (de) Verfahren zur Herstellung eines Gleichrichterelementes
AT117386B (de) Elektrischer Wechselstromgleichrichter.
DE2646405A1 (de) Sperrschicht-feldeffekt-element