DE4315012B4

DE4315012B4 - Verfahren zur Herstellung von Sensoren und Sensor

Info

Publication number: DE4315012B4
Application number: DE4315012A
Authority: DE
Inventors: Gerhard Dr. Benz; Jiri Dr.-Ing. Dr. Marek; Frank Dipl.-Phys. Dr. Bantien; Horst Dipl.-Phys. Dr. Muenzel; Franz Dr. Laermer; Michael Dr.-Ing. Dr. Offenberg; Andrea Schilp
Original assignee: Robert Bosch GmbH
Current assignee: Robert Bosch GmbH
Priority date: 1993-05-06
Filing date: 1993-05-06
Publication date: 2007-01-11
Anticipated expiration: 2013-05-07
Also published as: DE4315012A1; FR2704949A1; US5616523A; JPH06349806A; FR2704949B1

Abstract

Verfahren zur Herstellung von Sensoren mit einer seismischen Masse durch Ätzen von Gräben in eine Platte mit mehreren Schichten aus einkristallinem Silizium,
– wobei eine Schichtplatte (5) geschaffen wird, bei der zwischen einer oberen Schicht (1) und einer unteren Schicht (2) aus einkristallinem Silizium eine Ätzschicht (3) angeordnet ist,
– wobei in der oberen Schicht (1) durch Einbringen von wenigstens einem Graben (4), der bis zur Ätzschicht (3) reicht, wenigstens ein erster Bereich und ein zweiter Bereich gegeneinander isoliert werden,
– wobei die Ätzschicht (3) unter einem Teil des ersten Bereichs entfernt wird, derart, dass die seismische Masse (30) freigelegt wird,
– wobei die Ätzschicht (3) unter einem anderen Teil des ersten Bereichs bestehen bleibt,
– wobei die Ätzschicht (3) aus einem isolierenden Material besteht.

Description

Die Erfindung geht aus von einem Verfahren zur Herstellung von Sensoren nach der Gattung des Hauptanspruchs und einem Sensor nach der Gattung des Anspruchs 8.

Aus dem deutschen Patent DE 40 00 903 C1 ist bereits ein Verfahren zur Herstellung von Beschleunigungssensoren bekannt, bei dem Ätzgräben in eine zweischichtige Platte aus einkristallinem Silizium eingebracht werden. Durch die Gräben wird ein Beschleunigungssensor mit einer an einem Lager aufgehängten Biegezunge und einer Gegenelektrode aus der oberen Schicht herausstrukturiert. Die Biegezunge und die Gegenelektrode sind beide auf der zweiten Schicht, die ein plattenförmiges Substrat bildet, befestigt. Durch einen pn-Übergang sind die Biegezunge und die Gegenelektrode gegen dieses plattenförmige Substrat isoliert. Durch Ätzung des plattenförmigen Substrats unterhalb der Biegezunge wird die Beweglichkeit der Biegezunge erreicht.

Aus der internationalen Patentanmeldung WO 91/19177 A1 ist ein mikromechanisches Bauelement und ein Verfahren zur Herstellung desselben bekannt. Beschrieben wird ein mikromechanisches Bauelement in Gestalt eines Drucksensors mit einem Tragekörper und einem flach ausgebildeten, parallel zur Oberfläche des Tragekörpers angeordneten deformierbaren Element, das mit einem mechanisch-elektrischen Signalwandler ausgestattet ist. Das Bauelement zeichnet sich dadurch aus, dass der Tragekörper und das deformierbare Element einstückig aus einem Halbleitersubstrat gefertigt und elektrisch voneinander isoliert sein können. Die Isolation wird bevorzugt durch eine mit Ionenimplantation erzeugte, vergrabene Schicht erreicht. Das deformierbare Element ist durch teilweises Entfernen der vergrabenen Schicht freigelegt.

Vorteile der Erfindung

Das erfindungsgemäße Verfahren mit den kennzeichnenden Merkmalen des Hauptanspruchs hat demgegenüber den Vorteil, daß durch die Verwendung einer Ätzschicht zwischen den beiden Siliziumplatten ein Herstellungsprozeß geschaffen wird, dessen Ätzschritte besonders exakt kontrolliert werden können. Durch die gute Kontrollierbarkeit der Ätzschritte können trotz einfacher und unproblematischer Prozeßführung hohe Dimensionsgenauigkeiten bei der Fertigung von Sensoren erzielt werden. Der erfindungsgemäße Sensor nach dem Anspruch 8 weist eine besonders gute Isolation der einzelnen Sensorbestandteile gegeneinander auf und erlaubt so die Verwendung eines besonders einfachen Meßaufbaus zur Messung der Kapazität zwischen Biegezunge und Gegenelektrode.

Durch die in den Unteransprüchen aufgeführten Maßnahmen sind vorteilhafte Weiterbildungen und Verbesserungen des im Hauptanspruch angegebenen Verfahrens möglich. Durch die Verwendung von isolierenden Materialien für die Ätzschicht kann diese Schicht zur Isolation von Sensorbestandteilen herangezogen werden. Weiterhin können isolierende Materialien besonders gut selektiv zu Silizium geätzt werden. Durch das Einbringen von Gräben oder Diffusionszonen können einzelne Bereiche besonders gut und mit einfachen Mitteln gegeneinander isoliert werden. Die Herstellung der Schichtplatte erfolgt mit geringem apparativen Aufwand durch das Verbinden zweier Siliziumplatten. Durch die Implantation von Fremdatomen kann die Herstellung der Schichtplatte unter Verwendung nur einer Siliziumplatte erfolgen. Wenn die Unterätzung der Struktur durch die Gräben erfolgt, so ist nur eine einseitige Bearbeitung der Schichtplatte notwendig. Bei einer Ätzung der Ätzschicht durch eine Ätzöffnung in der unteren Siliziumschicht können auf der Oberseite Strukturen angeordnet sein, die bei einer Ätzung von der Oberseite in Mitleidenschaft gezogen würden.

Zeichnungen
Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Zeichnungen dargestellt und in der nachfolgenden Beschreibung näher erläutert. Es zeigen 1 eine Siliziumplatte mit implantierten Fremdatomen und 2 eine daraus gebildete Schichtplatte, 3, 4 und 5 die Herstellung einer Schichtplatte aus zwei Siliziumplatten, 6 die Isolation von einzelnen Bereichen, 7 ein Herstellungsverfahren für einen Sensor, 8 und 9 einen Querschnitt und eine Aufsicht auf einen Sensor und 10 einen Querschnitt durch einen weiteren Sensor.
Beschreibung der Ausführungsbeispiele
In den 1 und 2 wird ein Herstellungsverfahren für eine Schichtplatte 5 beschrieben. Dazu werden, wie in der 1 gezeigt, Fremdatome in eine Siliziumplatte 23 implantiert. Die Implantation der Fremdatome erfolgt durch einen Strahl von beschleunigten Fremdatomen, wie durch die Pfeile dargestellt. In Abhängigkeit von der Energie dieses Fremdatomstrahls bildet sich in der Siliziumplatte 23 eine Fremdatomschicht 24 aus. Für einen solchen Implantationsprozeß ist beispielsweise Sauerstoff geeignet, welcher mit einer Energie von 200 keV in die Siliziumplatte 23 eingelagert wird. Durch einen Temperprozeß wird die Reaktion der Fremdatome mit dem Silizium der Platte 23 unterstützt. Durch die Reaktion der implantierten Schicht 24 mit dem Silizium wird so eine Ätzschicht 3 gebildet, die in der 2 dargestellt ist. Bei der Implantation von Sauerstoff wird beispielsweise durch eine mehrstündige Temperaturbehandlung über 1200°C eine Siliziumoxidschicht gebildet. Diese Siliziumoxidschicht ist als Ätzschicht 3 geeignet und zwischen zwei einkristallinen Siliziumschichten 1, 2 eingebettet. Eine derartig aufgebaute Schichtplatte 5 wird beispielsweise in der 2 gezeigt. Die beiden Siliziumschichten 1, 2 bestehen aus einkristallinem Silizium und zwischen diesen beiden Schichten ist eine Ätzschicht 3, die aus Siliziumoxid besteht, angeordnet. Die Siliziumschicht 2 wird durch die Restdicke der Siliziumplatte 23 gebildet und ist im Vergleich zu den beiden Schichten 1, 3 besonders groß. Typische Schichtdicken für die Schichten 1 und 3, die durch Implantation von Sauerstoff in einen Silizumwafer gebildet sind, liegen in der Größenordnung von weniger als 1 Mikrometer. Die Dicke der Schicht 1 kann durch einen epitaktischen Aufwachsprozeß vergrößert werden.
In den 3 bis 5 wird ein weiteres Verfahren zur Herstellung einer Schichtplatte 5 gezeigt. Dieses Verfahren geht aus von zwei Siliziumplatten 20, 21, wie sie in der 3 gezeigt werden. Die beiden Siliziumplatten 20, 21 werden durch einen sogenannten Bondprozeß miteinander verbunden. Ein solcher Bondprozeß besteht darin, daß zwei Siliziumplatten mit glatten Oberflächen nach einer evtl. chemischen Vorbehandlung der Verbindungsflächen aufeinandergelegt werden und dann durch eine Temperaturbehandlung unlöslich miteinander verbunden werden. Die Verbindungsflächen der Siliziumwafer können dabei auch mit einer Hilfsschicht, die nicht aus Silizium besteht, versehen sein. Geeignete Hilfsschichten bestehen beispielsweise aus Siliziumoxid, Siliziumnitrid oder Glas. Diese Hilfsschichten können dabei nur auf einer oder auf beiden Verbindungsflächen vorgesehen sein. In der 3 ist die Siliziumplatte 21 mit einer Siliziumoxidschicht 22 versehen. Die beiden Siliziumplatten 21 und 22 werden aufeinandergelegt, wie durch die Pfeile in der 3 angedeutet. Durch einen Temperprozeß, beispielsweise Erwärmen über 400°C für mehrere Stunden, werden die Siliziumplatten 20 und 21 miteinander verbunden, wie dies in der 4 gezeigt wird. Die Siliziumplatten 20 und 21 sind durch die Siliziumoxidschicht 22 fest miteinander verbunden. Durch Nachbearbeitung wird nun aus dem in der 4 gezeigten Plattenstapel die Schichtplatte 5 gebildet. Diese Schichtplatte 5 wird in der 5 gezeigt. Bei diesem Nachbearbeitungsprozeß wird die Dicke der oberen Siliziumplatte 20 verringert, um so die Dicke der oberen Siliziumschicht 1 der Schichtplatte 5 definiert einzustellen. Die Verringerung der Dicke der Siliziumplatte 20 kann durch mechanische Oberflächenbearbeitung erfolgen. Dabei wird zunächst durch Schleifen ein Großteil der Dicke abgetragen und dann durch einen Polierprozeß, evtl. auch durch einen chemischen Polierprozeß, die Dicke und Oberflächengüte der oberen Siliziumschicht 1 eingestellt. Weiterhin kann die Dickenverringerung der Siliziumplatte 20 auch durch chemische Ätzverfahren erfolgen, wobei die Dicke der Siliziumschicht 1 auch durch eine vorherige Dotierung der Siliziumplatte 20 eingestellt werden kann, beispielsweise, indem eine Ätzstoppschicht in die Siliziumplatte 20 eingebracht wird.
Bei der Herstellung von Schichtplatten 5 durch Implantation wird nur eine einzige Siliziumplatte bearbeitet. Dieses Verfahren benötigt somit wenig Augangsmaterial. Geeignete Geräte zur Implantation von Fremdatomen, wie beispielsweise Sauerstoff, werden in der normalen Halbleiterfertigung nicht verwendet und müssen daher extra für diesen Prozeß angeschafft werden. Bei der Verwendung von zwei Siliziumplatten, die durch einen Bondprozeß miteinander verbunden werden, entfällt der Bedarf für ein solches Gerät zum Implantieren, dafür müssen jedoch zwei Siliziumplatten verwendet werden.
In der 6 ist eine Schichtplatte 5 gezeigt, die durch die Ätzschicht 3 und einen Graben 4 bzw. einer Isolationsdiffusion 14 in gegeneinander isolierte Bereiche 10, 11 und 12 unterteilt worden ist. Durch die Ätzschicht 3 aus Siliziumoxid ist die obere Siliziumschicht 1 gegen die untere Siliziumschicht 2 isoliert. Durch Einbringen eines oder mehrerer Gräben 4 oder einer Isolationsdiffusion 14, wie sie beispielsweise aus der Bipolartechnik bekannt ist, kann die obere Schicht 1 in einzelne Bereiche 10, 11, 12 unterteilt werden, die gegeneinander isoliert sind. Diese Art der Isolation erlaubt die Herstellung von Sensoren, bei denen einzelne Bestandteile besonders gut gegeneinander isoliert sind.
In der 7 wird die Herstellung und in den 8 und 9 ein erstes Ausführungsbeispiel für einen Sensor nach dem erfindungsgemäßen Verfahren gezeigt. In der 7 wird eine Schichtplatte 5 gezeigt, die aus einer oberen Siliziumschicht 1, einer unteren Siliziumschicht 2 und einer dazwischenliegenden Ätzschicht 3 aus Siliziumoxid besteht. In die obere Siliziumschicht 1 sind Gräben 4 eingebracht, die bis zur Ätzschicht 3 reichen. In der 8 ist ein Querschnitt durch einen Beschleunigungssensor gezeigt, der aus der Schichtplatte 5 der 7 hergestellt ist. Der Sensor weist eine Biegezunge 30 auf, die an einem Lager 32 befestigt ist. Das Lager 32 ist über eine Isolationsschicht 34 auf dem Substrat 33 befestigt. Weiterhin weist der Sensor einen Rahmen 35 auf, der durch einen Graben 4 vom Lager 32 und der Biegezunge 30 getrennt ist. Der Rahmen 35 ist ebenfalls durch eine isolierende Schicht 34 auf dem Substrat 33 verankert. In der 9 wird eine Aufsicht auf den Sensor nach 8 gezeigt. Die Linie I-I zeigt dabei einen Querschnitt durch den Sensor, der der 8 entspricht. In der Aufsicht sind neben dem Lager 32 und der daran aufgehängten Biegezunge 30 noch zwei Gegenelektroden 31 zu erkennen. Diese sind zu beiden Seiten der Biegezunge 30 angeordnet und ebenfalls über isolierende Schichten 34, die in der Zeichnung nicht dargestellt sind, mit dem Substrat 33 verankert. Weiterhin ist in der Aufsicht die geometrische Form der Gräben 4 zu erkennen, die in die obere Siliziumschicht 1 eingebracht sind und so den Rahmen 35, das Lager 32, die Biegezunge 30 und die Gegenelektroden 31 aus der oberen Siliziumschicht 1 herausbilden.
Die Herstellungsschritte zur Herstellung des Sensors werden besonders klar an den 7 und 8 verdeutlicht. Zunächst werden in eine Schichtplatte nach 2 oder 5 Gräben 4 eingebracht, wie dies in der 7 gezeigt wird. Durch die Gräben 4 werden das Lager 32, die Biegezunge 30, die Gegenelektroden 31 und der Rahmen 35 aus der oberen Siliziumschicht 1 herausstrukturiert. Da die Gräben bis zur Siliziumoxidschicht 3 reichen, sind die einzelnen Sensorbestandteile elektrisch gegeneinander isoliert. In einem weiteren Ätzschritt wird nun die Siliziumoxidschicht unter der Biegezunge 30 entfernt. Dieser Ätzschritt ist in der 8 zu erkennen, bei der aus der Siliziumoxidschicht 3 einzelne isolierende Schichten 34 unter dem Lager 32 oder unter dem Rahmen 35 zu erkennen sind. Die Gegenelektroden 31 sind ebenfalls durch isolierende Schichten auf dem Substrat 33 verankert. Die Biegezunge 30 ist dabei so gestaltet, daß sie ihre geringste Biegesteifigkeit in einer Achse, die parallel zur Oberfläche des Substrats 33 ist, aufweist. Die Biegezunge 30 wird somit durch Beschleunigungen in einer Achse, die durch den Pfeil in der 9 angedeutet ist, besonders einfach verbogen. Diese Verbiegung ist mit einer Änderung der elektrischen Kapazität zwischen der Biegezunge 30 und den Gegenelektroden 31 verbunden. Durch Messung der Kapazität zwischen der Biegezunge 30 und den Gegenelektroden 31 kann somit die Beschleunigung gemessen werden. Das Einätzen der Gräben 4 erfolgt mit Ätzprozessen, die möglichst senkrechte Kanten bildet. Dies kann beispielsweise durch einen anisotropen Plasmaätzprozeß, wie beispielsweise reaktives Ionenätzen erfolgen. Eine andere Möglichkeit besteht darin, die anisotropen Ätzeigenschaften von Silizium gegenüber flüssigen Ätzlösungen, wie beispielsweise wässriger KOH-Lösungen zu nutzen. Beispielsweise können in Siliziumplatten mit einer 110-Oberflächenorientierung senkrechte Wände eingeätzt werden. Ebenso kann die Ätzung der Ätzschicht 3 unter der Biegezunge 30 mit einer Ätzflüssigkeit erfolgen. Als Ätzflüssigkeit ist beispielsweise F1ußsäure geeignet, die Siliziumoxid ätzt, ohne die Siliziumstrukturen anzugreifen.
Das hier vorgestellte Herstellungsverfahren ist nicht auf die Herstellung von Beschleunigungssensoren nach der 9 beschränkt. Ebensogut können andere Geometrien für Beschleunigungssensoren oder andere Sensoren, wie beispielsweise Kraft- oder ähnliche Sensoren realisiert werden.
In der 10 ist ein weiteres Beispiel für einen Beschleunigungssensor dargestellt. Dieser Sensor besteht aus einer Biegezunge 30, die an einem Lager 32 aufgehängt ist. Durch Gräben 4 sind die Biegezunge 30 und das Lager 32 vom Rahmen 35 getrennt. In der Aufsicht entspricht dieser Sensor wieder einem Beschleunigungssensor, wie er in der 9 gezeigt ist. Der Rahmen 35 und das Lager 32 sind wieder über isolierende Schichten 34 mit einem Substrat 33 verbunden. Unter der Biegezunge 30 ist in das Substrat 33 eine Öffnung 6 eingebracht. Die Herstellung dieses Sensors geht von einer Schichtplatte 5 aus, wie sie in der 7 dargestellt ist. Die Gräben 4 strukturieren wieder die obere Siliziumschicht 1 derart, daß Lager 32, Biegezunge 30 und Gegenelektroden 31 aus der oberen Siliziumschicht 1 herausstrukturiert sind. In einem weiteren Ätzschritt wird dann unterhalb der Biegezunge 30 eine Ätzöffnung 6 in die untere Siliziumschicht 2 eingebracht. Die Ätzöffnung 6 wird dabei so ausgestaltet, daß sie nur unmittelbar unter der Biegezunge 60 zu liegen kommt. In einem weiteren Ätzschritt wird dann durch die Ätzöffnung 6 hindurch von der Unterseite her die Ätzschicht 3 unterhalb die Biegezunge 30 entfernt. Durch die Beschränkung der Ätzöffnung 6 auf den unmittelbaren Bereich unter die Biegezunge 30 wird dabei die mechanische Verbindung des Lagers 32 und der Gegenelektroden 31 durch die Siliziumoxidschicht nicht beeinträchtigt.
Die beiden Herstellungsprozesse weisen jeweils spezifische Vorteile auf. Durch die Ätzung der Ätzschicht 3 von oben durch die Gräben 4 entfällt die Strukturierung der unteren Siliziumschicht 2. Es ist somit keine zweiseitige Bearbeitung von Siliziumplatten notwendig, was die Kosten für die Fertigung senkt. Durch die Ätzung der Ätzschicht 3 ausgehend von der Unterseite durch eine in die untere Siliziumschicht 2 eingebrachte Ätzöffnung 6 läßt sich die Ätzschicht 3 auch unterhalb sehr größflächiger Strukturen entfernen, ohne daß dabei eine Gefährdung von Haltebereichen, wie beispielsweise dem Lager 32, durch Unterätzung verbunden ist. Dies ermöglicht beispielsweise, die Biegezunge mit einer räumlich großen seismischen Masse zu versehen, durch die die Empfindlichkeit des Sensors gesteigert wird. Weiterhin können bei diesem Ätzprozeß Schaltkreise in der oberen Siliziumschicht 1 besser vor dem Angriff des Ätzmediums für die Ätzschicht 3 geschützt werden, die beispielsweise zu einer ersten Auswertung der Sensorsignale verwendet werden. Aufgrund ihrer großen räumlichen Nähe zum Sensor sind dabei eventuelle Störsignale besonders gering.

Claims

Verfahren zur Herstellung von Sensoren mit einer seismischen Masse durch Ätzen von Gräben in eine Platte mit mehreren Schichten aus einkristallinem Silizium, – wobei eine Schichtplatte (5) geschaffen wird, bei der zwischen einer oberen Schicht (1) und einer unteren Schicht (2) aus einkristallinem Silizium eine Ätzschicht (3) angeordnet ist, – wobei in der oberen Schicht (1) durch Einbringen von wenigstens einem Graben (4), der bis zur Ätzschicht (3) reicht, wenigstens ein erster Bereich und ein zweiter Bereich gegeneinander isoliert werden, – wobei die Ätzschicht (3) unter einem Teil des ersten Bereichs entfernt wird, derart, dass die seismische Masse (30) freigelegt wird, – wobei die Ätzschicht (3) unter einem anderen Teil des ersten Bereichs bestehen bleibt, – wobei die Ätzschicht (3) aus einem isolierenden Material besteht.
Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass zur Schaffung der Schichtplatte (5) zwei Platten (20, 21) miteinander verbunden werden, wobei mindestens eine der Platten (20, 21) auf der Verbindungsfläche eine Schicht (22) aus dem Material der Ätzschicht aufweist, und dass nach dem Verbinden der Siliziumplatten (20, 21) eine der Siliziumplatten (20, 21) in ihrer Dicke verringert wird, um so die Dicke der oberen Siliziumschicht (1) einzustellen.
Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Ätzschicht (3) aus Siliziumoxid, Siliziumnitrid oder Glas besteht.
Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass zur Schaffung der Schichtplatte (5) in eine Siliziumplatte (23) durch Implantation in einer vorbestimmten Tiefe Fremdatome eingebracht werden, dass durch eine Temperaturbehandlung die Reaktion dieser Fremdatome mit der Siliziumplatte (23) gefördert wird und dass das so entstehende Reaktionsprodukt von Silizium und den Fremdatomen eine Ätzschicht bildet.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass zur Ätzung der Ätzschicht (3) unter einem Teil des ersten Bereichs durch die Gräben (4) ein Ätzmedium an die Ätzschicht (3) herangebracht wird.
Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass zur Ätzung der Ätzschicht (3) unter einen Teil des ersten Bereichs eine Ätzöffnung (6) in die untere Siliziumschicht (2) eingebracht wird, und dass durch die Ätzöffnung (6) ein Ätzmedium an die Ätzschicht (3) herangebracht wird.
Sensor mit einem beweglichen Sensorelement aus einkristallinem Silizium, welches auf einem plattenförmigen Substrat aus einkristallinem Silizium befestigt ist, – wobei zwischen Teilen des beweglichen Sensorelements und dem Substrat eine isolierende Schicht angeordnet ist, mittels der das Sensorelement auf dem plattenförmigen Substrat befestigt ist, – wobei das bewegliche Sensorelement in einer Richtung parallel zum Substrat die geringste Biegesteifigkeit aufweist.
Sensor nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass das bewegliche Element als Biegezunge (30) ausgebildet ist, dass die Biegezunge (30) gegenüber einer Gegenelektrode (31) angeordnet ist, dass die Biegezunge (30) an einem Lager (32) aufgehängt ist, dass das Lager (32) und die Gegenelektroden (31) auf einem plattenförmigen Substrat (33) aus einkristallinem Silizium befestigt sind, dass die Beschleunigung anhand der Kapazität zwischen Biegezunge (30) und Gegenelektrode (31) messbar ist, und dass zwischen dem Lager (32) oder der Gegenelektrode (31) und dem Substrat (33) eine isolierende Schicht (34), insbesondere aus Siliziumoxid oder Siliziumnitrid angeordnet ist.
Sensor mit einem beweglichen Sensorelement aus einkristallinem Silizium, welches auf einem plattenförmigen Substrat aus einkristallinem Silizium angeordnet ist, – wobei das bewegliche Sensorelement eine seismische Masse aufweist, – wobei zwischen Teilen des beweglichen Sensorelements und dem Substrat eine isolierende Schicht angeordnet ist, mittels der das Sensorelement auf dem plattenförmigen Substrat befestigt ist, – wobei das bewegliche Sensorelement aus einer oberen einkristallinen Siliziumschicht herausstrukturiert ist, – wobei aus der oberen Siliziumschicht weitere Elemente herausstrukturiert sind, die durch eingebrachte Gräben von dem beweglichen Sensorelement elektrisch isoliert sind.
Sensor nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass das bewegliche Element relativ zu den weiteren Elementen beweglich ist.