DE4315012A1 - Verfahren zur Herstellung von Sensoren und Sensor - Google Patents
Verfahren zur Herstellung von Sensoren und SensorInfo
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Description
Die Erfindung geht aus von einem Verfahren zur Herstellung von
Sensoren nach der Gattung des Hauptanspruchs und einem Sensor nach
der Gattung des Anspruchs 8.
Aus dem deutschen Patent DE 40 00 903 ist bereits ein Verfahren zur
Herstellung von Beschleunigungssensoren bekannt, bei dem Ätzgräben
in eine zweischichtige Platte aus einkristallinem Silizium einge
bracht werden. Durch die Gräben wird ein Beschleunigungssensor mit
einer an einem Lager aufgehängten Biegezunge und einer Gegen
elektrode aus der oberen Schicht heraus strukturiert. Die Biegezunge
und die Gegenelektrode sind beide auf der zweiten Schicht, die ein
plattenförmiges Substrat bildet, befestigt. Durch einen pn-Übergang
sind die Biegezunge und die Gegenelektrode gegen dieses platten
förmige Substrat isoliert. Durch Ätzung des plattenförmigen
Substrats unterhalb der Biegezunge wird die Beweglichkeit der
Biegezunge erreicht.
Das erfindungsgemäße Verfahren mit den kennzeichnenden Merkmalen des
Hauptanspruchs hat demgegenüber den Vorteil, daß durch die Ver
wendung einer Ätzschicht zwischen den beiden Siliziumplatten ein
Herstellungsprozeß geschaffen wird, dessen Ätzschritte besonders
exakt kontrolliert werden können. Durch die gute Kontrollierbarkeit
der Ätzschritte können trotz einfacher und unproblematischer
Prozeßführung hohe Dimensionsgenauigkeiten bei der Fertigung von
Sensoren erzielt werden. Der erfindungsgemäße Sensor nach dem An
spruch 8 weist eine besonders gute Isolation der einzelnen Sensor
bestandteile gegeneinander auf und erlaubt so die Verwendung eines
besonders einfachen Meßaufbaus zur Messung der Kapazität zwischen
Biegezunge und Gegenelektrode.
Durch die in den Unteransprüchen aufgeführten Maßnahmen sind vor
teilhafte Weiterbildungen und Verbesserungen des im Hauptanspruch
angegebenen Verfahrens möglich. Durch die Verwendung von iso
lierenden Materialien für die Ätzschicht kann diese Schicht zur Iso
lation von Sensorbestandteilen herangezogen werden. Weiterhin können
isolierende Materialien besonders gut selektiv zu Silizium geätzt
werden. Durch das Einbringen von Gräben oder Diffusionszonen können
einzelne Bereiche besonders gut und mit einfachen Mitteln gegen
einander isoliert werden. Die Herstellung der Schichtplatte erfolgt
mit geringem apparativem Aufwand durch das Verbinden zweier
Siliziumplatten. Durch die Implantation von Fremdatomen kann die
Herstellung der Schichtplatte unter Verwendung nur einer
Siliziumplatte erfolgen. Wenn die Unterätzung der Struktur durch die
Gräben erfolgt, so ist nur eine einseitige Bearbeitung der Schicht
platte notwendig. Bei einer Ätzung der Ätzschicht durch eine Ätz
öffnung in der unteren Siliziumschicht können auf der Oberseite
Strukturen angeordnet sein, die bei einer Ätzung von der Oberseite
in Mitleidenschaft gezogen wurden.
Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Zeichnungen darge
stellt und in der nachfolgenden Beschreibung näher erläutert. Es
zeigen
Fig. 1 eine Siliziumplatte mit implantierten Fremdatomen und
Fig. 2 eine daraus gebildete Schichtplatte,
Fig. 3, 4 und 5 die
Herstellung einer Schichtplatte aus zwei Siliziumplatten,
Fig. 6
die Isolation von einzelnen Bereichen,
Fig. 7 ein Herstellungsver
fahren für einen Sensor,
Fig. 8 und 9 einen Querschnitt und eine
Aufsicht auf eigen Sensor und
Fig. 10 einen Querschnitt durch einen
weiteren Sensor.
In den Fig. 1 und 2 wird ein Herstellungsverfahren für eine
Schichtplatte 5 beschrieben. Dazu werden, wie in der Fig. 1 ge
zeigt, Fremdatome in eine Siliziumplatte 23 implantiert. Die
Implantation der Fremdatome erfolgt durch einen Strahl von be
schleunigten Fremdatomen, wie durch die Pfeile dargestellt. In Ab
hängigkeit von der Energie dieses Fremdatomstrahls bildet sich in
der Siliziumplatte 23 eine Fremdatomschicht 24 aus. Für einen sol
chen Implantationsprozeß ist beispielsweise Sauerstoff geeignet,
welcher mit einer Energie von 200 keV in die Siliziumplatte 23 ein
gelagert wird. Durch einen Temperprozeß wird die Reaktion der Fremd
atome mit dem Silizium der Platte 23 unterstützt. Durch die Reaktion
der implantierten Schicht 24 mit dem Silizium wird so eine Ätz
schicht 3 gebildet, die in der Fig. 2 dargestellt ist. Bei der
Implantation von Sauerstoff wird beispielsweise durch eine mehr
stündige Temperaturbehandlung über 1200°C eine Siliziumoxidschicht
gebildet. Diese Siliziumoxidschicht ist als Ätzschicht 3 geeignet
und zwischen zwei einkristallinen Siliziumschichten 1, 2 einge
bettet. Eine derartig aufgebaute
Schichtplatte 5 wird beispielsweise in der Fig. 2 gezeigt. Die
beiden Siliziumschichten 1, 2 bestehen aus einkristallinem Silizium
und zwischen diesen beiden Schichten ist eine Ätzschicht 3, die aus
Siliziumoxid besteht, angeordnet. Die Siliziumschicht 2 wird durch
die Restdicke der Siliziumplatte 23 gebildet und ist im Vergleich zu
den beiden Schichten 1, 3 besonders groß. Typische Schichtdicken für
die Schichten 1 und 3, die durch Implantation von Sauerstoff in
einen Silizumwafer gebildet sind, liegen in der Größenordnung von
weniger als 1 Mikrometer. Die Dicke der Schicht 1 kann durch einen
epitaktischen Aufwachsprozeß vergrößert werden.
In den Fig. 3 bis 5 wird ein weiteres Verfahren zur Herstellung
einer Schichtplatte 5 gezeigt. Dieses Verfahren geht aus von zwei
Siliziumplatten 20, 21, wie sie in der Fig. 3 gezeigt werden. Die
beiden Siliziumplatten 20, 21 werden durch einen sogenannten Bond
prozeß miteinander verbunden. Ein solcher Bondprozeß besteht darin,
daß zwei Siliziumplatten mit glatten Oberflächen nach einer evtl.
chemischen Vorbehandlung der Verbindungsflächen aufeinandergelegt
werden und dann durch eine Temperaturbehandlung unlöslich mit
einander verbunden werden. Die Verbindungsflächen der Siliziumwafer
können dabei auch mit einer Hilfsschicht, die nicht aus Silizium
besteht, versehen sein. Geeignete Hilfsschichten bestehen bei
spielsweise aus Siliziumoxid, Siliziumnitrid oder Glas. Diese Hilfs
schichten können dabei nur auf einer oder auf beiden Verbindungs
flächen vorgesehen sein. In der Fig. 3 ist die Siliziumplatte 21
mit einer Siliziumoxidschicht 22 versehen. Die beiden Silizium
platten 21 und 22 werden aufeinandergelegt, wie durch die Pfeile in
der Fig. 3 angedeutet. Durch einen Temperprozeß, beispielsweise
Erwärmen über 400°C für mehrere Stunden, werden die Siliziumplatten
20 und 21 miteinander verbunden, wie dies in der Fig. 4 gezeigt
wird. Die Siliziumplatten 20 und 21 sind durch die Siliziumoxid
schicht 22 fest miteinander verbunden. Durch Nachbearbeitung wird
nun aus dem in der Fig. 4 gezeigten Plattenstapel die Schichtplatte
5 gebildet. Diese
Schichtplatte 5 wird in der Fig. 5 gezeigt. Bei diesem Nachbe
arbeitungsprozeß wird die Dicke der oberen Siliziumplatte 20 ver
ringert, um so die Dicke der oberen Siliziumschicht 1 der Schicht
platte 5 definiert einzustellen. Die Verringerung der Dicke der
Siliziumplatte 20 kann durch mechanische Oberflächenbearbeitung er
folgen. Dabei wird zunächst durch Schleifen ein Großteil der Dicke
abgetragen und dann durch einen Polierprozeß, evtl. auch durch einen
chemischen Polierprozeß, die Dicke und Oberflächengüte der oberen
Siliziumschicht 1 eingestellt. Weiterhin kann die Dickenverringerung
der Siliziumplatte 20 auch durch chemische Ätzverfahren erfolgen,
wobei die Dicke der Siliziumschicht 1 auch durch eine vorherige
Dotierung der Siliziumplatte 20 eingestellt werden kann, beispiels
weise, indem eine Ätzstoppschicht in die Siliziumplatte 20 einge
bracht wird.
Bei der Herstellung von Schichtplatten 5 durch Implantation wird nur
eine einzige Siliziumplatte bearbeitet. Dieses Verfahren benötigt
somit wenig Ausgangsmaterial. Geeignete Geräte zur Implantation von
Fremdatomen, wie beispielsweise Sauerstoff, werden in der normalen
Halbleiterfertigung nicht verwendet und müssen daher extra für
diesen Prozeß angeschafft werden. Bei der Verwendung von zwei
Siliziumplatten, die durch einen Bondprozeß miteinander verbunden
werden, entfällt der Bedarf für ein solches Gerät zum Implantieren,
dafür müssen jedoch zwei Siliziumplatten verwendet werden.
In der Fig. 6 ist eine Schichtplatte 5 gezeigt, die durch die Ätz
schicht 3 und einem Graben 4 bzw. einer Isolationsdiffusion 14 in
gegeneinander isolierte Bereiche 10, 11 und 12 unterteilt worden
ist. Durch die Ätzschicht 3 aus Siliziumoxid ist die obere Silizium
schicht 1 gegen die untere Siliziumschicht 2 isoliert. Durch Ein
bringen eines oder mehrerer Graben 4 oder einer
Isolationsdiffusion 14, wie sie beispielsweise aus der Bipolar
technik bekannt ist, kann die obere Schicht 1 in einzelne Bereiche
10, 11, 12 unterteilt werden, die gegeneinander isoliert sind. Diese
Art der Isolation erlaubt die Herstellung von Sensoren, bei denen
einzelne Bestandteile besonders gut gegeneinander isoliert sind.
In der Fig. 7 wird die Herstellung und in den Fig. 8 und 9 ein
erstes Ausführungsbeispiel für einen Sensor nach dem erfindungsge
mäßen Verfahren gezeigt. In der Fig. 7 wird eine Schichtplatte 5
gezeigt, die aus einer oberen Siliziumschicht 1, einer unteren
Siliziumschicht 2 und einer dazwischenliegenden Ätzschicht 3 aus
Siliziumoxid besteht. In die obere Siliziumschicht 1 sind Gräben 4
eingebracht, die bis zur Ätzschicht 3 reichen. In der Fig. 8 ist
ein Querschnitt durch einen Beschleunigungssensor gezeigt, der aus
der Schichtplatte 5 der Fig. 7 hergestellt ist. Der Sensor weist
eine Biegezunge 30 auf, die an einem Lager 32 befestigt ist. Das
Lager 32 ist über eine Isolationsschicht 34 auf dem Substrat 33 be
festigt. Weiterhin weist der Sensor einen Rahmen 35 auf, der durch
einen Graben 4 vom Lager 32 und der Biegezunge 30 getrennt ist. Der
Rahmen 35 ist ebenfalls durch eine isolierende Schicht 34 auf dem
Substrat 33 verankert. In der Fig. 9 wird eine Aufsicht auf den
Sensor nach Fig. 8 gezeigt. Die Linie I-I zeigt dabei einen Quer
schnitt durch den Sensor, der der Fig. 8 entspricht. In der Auf
sicht sind neben dem Lager 32 und der daran aufgehängten Biegezunge
30 noch zwei Gegenelektroden 31 zu erkennen. Diese sind zu beiden
Seiten der Biegezunge 30 angeordnet und ebenfalls über isolierende
Schichten 34, die in der Zeichnung nicht dargestellt sind, mit dem
Substrat 33 verankert. Weiterhin ist in der Aufsicht die geo
metrische Form der Gräben 4 zu erkennen, die in die obere Silizium
schicht 1 eingebracht sind und so den Rahmen 35, das Lager 32, die
Biegezunge 30 und die Gegenelektroden 31 aus der oberen Silizium
schicht 1 herausbilden.
Die Herstellungsschritte zur Herstellung des Sensors werden
besonders klar an den Fig. 7 und 8 verdeutlicht. Zunächst werden
in eine Schichtplatte nach Fig. 2 oder Fig. 5 Gräben 4 einge
bracht, wie dies in der Fig. 7 gezeigt wird. Durch die Gräben 4
werden das Lager 32, die Biegezunge 30, die Gegenelektroden 31 und
der Rahmen 35 aus der oberen Siliziumschicht 1 herausstrukturiert.
Da die Gräben bis zur Siliziumoxidschicht 3 reichen, sind die
einzelnen Sensorbestandteile elektrisch gegeneinander isoliert. In
einem weiteren Ätzschritt wird nun die Siliziumoxidschicht unter der
Biegezunge 30 entfernt. Dieser Ätzschritt ist in der Fig. 8 zu er
kennen, bei der aus der Siliziumoxidschicht 3 einzelne isolierende
Schichten 34 unter dem Lager 32 oder unter dem Rahmen 35 zu erkennen
sind. Die Gegenelektroden 31 sind ebenfalls durch isolierende
Schichten auf dem Substrat 33 verankert. Die Biegezunge 30 ist dabei
so gestaltet, daß sie ihre geringste Biegesteifigkeit in einer
Achse, die parallel zur Oberfläche des Substrats 33 ist, aufweist.
Die Biegezunge 30 wird somit durch Beschleunigungen in einer Achse,
die durch den Pfeil in der Fig. 9 angedeutet ist, besonders einfach
verbogen. Diese Verbiegung ist mit einer Änderung der elektrischen
Kapazität zwischen der Biegezunge 30 und den Gegenelektroden 31 ver
bunden. Durch Messung der Kapazität zwischen der Biegezunge 30 und
den Gegenelektroden 31 kann somit die Beschleunigung gemessen
werden. Das Einätzen der Gräben 4 erfolgt mit Ätzprozessen, die mög
lichst senkrechte Kanten bildet. Dies kann beispielsweise durch
einen anisotropen Plasmaätzprozeß, wie beispielsweise reaktives
Ionenätzen erfolgen. Eine andere Möglichkeit besteht darin, die
anisotropen Ätzeigenschaften von Silizium gegenüber flüssigen Ätz
lösungen, wie beispielsweise wäßriger KOH-Lösungen zu nutzen. Bei
spielsweise können in Siliziumplatten mit einer 110-Oberflächen
orientierung senkrechte Wände eingeätzt werden. Ebenso kann die
Ätzung der Ätzschicht 3 unter der Biegezunge 30
mit einer Ätzflüssigkeit erfolgen. Als Ätzflüssigkeit ist beispiels
weise Flußsäure geeignet, die Siliziumoxid ätzt, ohne die Silizium
strukturen anzugreifen.
Das hier vorgestellte Herstellungsverfahren ist nicht auf die Her
stellung von Beschleunigungssensoren nach der Fig. 9 beschränkt.
Ebensogut können andere Geometrien für Beschleunigungssensoren oder
andere Sensoren, wie beispielsweise Druck-, Kraft- oder ähnliche
Sensoren realisiert werden.
In der Fig. 10 ist ein weiteres Beispiel für einen Beschleunigungs
sensor dargestellt. Dieser Sensor besteht aus einer Biegezunge 30,
die an einem Lager 32 aufgehängt ist. Durch Gräben 4 sind die Biege
zunge 30 und das Lager 32 vom Rahmen 35 getrennt. In der Aufsicht
entspricht dieser Sensor wieder einem Beschleunigungssensor, wie er
in der Fig. 9 gezeigt ist. Der Rahmen 35 und das Lager 32 sind
wieder über isolierende Schichten 34 mit einem Substrat 33 ver
bunden. Unter der Biegezunge 30 ist in das Substrat 33 eine Öffnung
6 eingebracht. Die Herstellung dieses Sensors geht von einer
Schichtplatte 5 aus, wie sie in der Fig. 7 dargestellt ist. Die
Gräben 4 strukturieren wieder die obere Siliziumschicht 1 derart,
daß Lager 32, Biegezunge 30 und Gegenelektroden 31 aus der oberen
Siliziumschicht 1 heraus strukturiert sind. In einem weiteren Ätz
schritt wird dann unterhalb der Biegezunge 30 eine Ätzöffnung 6 in
die untere Siliziumschicht 2 eingebracht. Die Ätzöffnung 6 wird
dabei so ausgestaltet, daß sie nur unmittelbar unter der Biegezunge
60 zu liegen kommt. In einem weiteren Ätzschritt wird dann durch die
Ätzöffnung 6 hindurch von der Unterseite her die Ätzschicht 3 unter
halb die Biegezunge 30 entfernt. Durch die Beschränkung der Ätz
öffnung 6 auf den unmittelbaren Bereich unter die Biegezunge 30 wird
dabei die mechanische Verbindung des Lagers 32 und der Gegen
elektroden 31 durch die Siliziumoxidschicht nicht beeinträchtigt.
Die beiden Herstellungsprozesse weisen jeweils spezifische Vorteile
auf. Durch die Ätzung der Ätzschicht 3 von oben durch die Gräben 4
entfällt die Strukturierung der unteren Siliziumschicht 2. Es ist
somit keine zweiseitige Bearbeitung von Siliziumplatten notwendig,
was die Kosten für die Fertigung senkt. Durch die Ätzung der Ätz
schicht 3 ausgehend von der Unterseite durch eine in die untere
Siliziumschicht 2 eingebrachte Ätzöffnung 6 läßt sich die Ätzschicht
3 auch unterhalb sehr großflächigen Strukturen entfernen, ohne daß
dabei eine Gefährdung von Haltebereichen, wie beispielsweise dem
Lager 32, durch Unterätzung verbunden ist. Dies ermöglicht bei
spielsweise die Biegezunge mit einer räumlich großen seismischen
Masse zu versehen, durch die die Empfindlichkeit des Sensors ge
steigert wird. Weiterhin können bei diesem Ätzprozeß Schaltkreise in
der oberen Siliziumschicht 1 besser vor dem Angriff des Ätzmediums
für die Ätzschicht 3 geschützt werden, die beispielsweise zu einer
ersten Auswertung der Sensorsignale verwendet werden. Aufgrund ihrer
großen räumlichen Nähe zum Sensor sind dabei eventuelle Störsignale
besonders gering.
Claims (9)
1. Verfahren zur Herstellung von Sensoren, insbesondere von Be
schleunigungssensoren, durch Ätzen von Gräben in eine Platte mit
mehreren Schichten aus einkristallinem Silizium, dadurch gekenn
zeichnet, daß eine Schichtplatte (5) geschaffen wird, bei der
zwischen einer oberen Schicht (1) und einer unteren Schicht (2) aus
einkristallinem Silizium eine Ätzschicht (3) angeordnet ist, daß in
die obere Schicht (1) durch Einbringen von Gräben (4), die bis zur
Ätzschicht (3) reichen, eine Struktur ausgebildet wird, und daß die
Ätzschicht (3) mindestens unter einem Teil der Struktur entfernt
wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Ätz
schicht (3) aus einem isolierenden Material, insbesondere Silizium
oxid, Siliziumnitrid oder Glas, besteht.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens
zwei Teile (10, 11, 12) der oberen Schicht (1) durch Einbringen von
Gräben (4) oder Diffusionszonen (14), die bis zur Ätzschicht (3)
reichen, gegeneinander isoliert werden.
4. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch ge
kennzeichnet, daß zur Schaffung der Schichtplatte (5) zwei Platten
(20, 21) miteinander verbunden werden, wobei mindestens eine der
Platten (20, 21) auf der Verbindungsfläche eine Schicht (22) aus dem
Material der Ätzschicht aufweist, und daß nach dem Verbinden der
Siliziumplatten (20, 21) eine der Siliziumplatten (20, 21) in ihrer
Dicke verringert wird, um so die Dicke der oberen Siliziumschicht
(1) einzustellen.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekenn
zeichnet, daß zur Schaffung der Schichtplatte (5) in eine Silizium
platte (23) durch Implantation in einer vorbestimmten Tiefe Fremd
atome eingebracht werden, daß durch eine Temperbehandlung die
Reaktion dieser Fremdatome mit der Siliziumplatte (23) gefördert
wird und daß das so entstehende Reaktionsprodukt von Silizium und
den Fremdatomen eine Ätzschicht (3) bildet.
6. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch ge
kennzeichnet, daß zur Ätzung der Ätzschicht (3) unter einem Teil der
Struktur durch die Gräben (4) ein Ätzmedium an die Ätzschicht (3)
herangebracht wird.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekenn
zeichnet, daß zur Ätzung der Ätzschicht (3) unter einem Teil der
Struktur eine Ätzöffnung (6) in die untere Siliziumschicht (2) ein
gebracht wird, und daß durch die Ätzöffnung (6) ein Ätzmedium an die
Ätzschicht (3) herangebracht wird.
8. Sensor mit einem beweglichen Sensorelement aus einkristallinem
Silizium welches auf einem plattenförmigen Substrat (33) aus ein
kristallinem Silizium befestigt ist, dadurch gekennzeichnet, daß
zwischen dem beweglichen Sensorelement und dem Substrat (33) eine
isolierende Schicht, insbesondere aus Siliziumoxid oder Silizium
nitrid angeordnet ist.
9. Sensor nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß das beweg
liche Element als Biegezunge (30) ausgebildet ist, daß die Biege
zunge (30) gegenüber einer Gegenelektrode (31) angeordnet ist, daß
die Biegezunge (30) an einem Lager (32) aufgehängt ist, daß das
Lager (32) und die Gegenelektroden (31) auf einem plattenförmigen
Substrat (33) aus einkristallinem Silizium befestigt sind und die
Achse geringster Biegesteifigkeit der Biegezunge (30) parallel zur
Oberfläche des Substrats (33) verläuft, daß die Beschleunigung an
hand der Kapazität zwischen Biegezunge (30) und Gegenelektrode (31)
meßbar ist, und daß zwischen dem Lager (32) bzw. der Gegenelektrode
(31) und dem Substrat (33) eine isolierende Schicht, insbesondere
aus Siliziumoxid oder Siliziumnitrid angeordnet ist.
Priority Applications (4)
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Family
ID=6487341
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