DE4214563C1 - Verfahren zur Herstellung von opaken Hohlkörpern aus Quarzglas - Google Patents
Verfahren zur Herstellung von opaken Hohlkörpern aus QuarzglasInfo
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Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von dickwandigen, opaken
Hohlkörpern aus Quarzglas oder aus hochkieselsäurehaltigem Glas durch Auf
schütten von SiO2-Partikeln zu einem, einen offenen Hohlraum aufweisenden
Schüttkörper und Erhitzen des Schüttkörpers mittels eines Graphit-Heizelemen
tes unter Ausbildung einer sich von dem Heizelement wegbewegenden, im wesent
lichen eine Zylindermantelfläche bildenden Schmelzfront.
Ein derartiges Verfahren ist beispielsweise aus der US-PS 778,286 bekannt. Bei
dem darin beschriebenen Verfahren zur Herstellung eines Rohres aus Quarzglas
wird ein Graphit-Heizelement in Form eines Stabes oder eines Rohres in waage
rechter Orientierung innerhalb einer Quarz oder einer Quarzglas-Körnung
eingebettet, wobei die Enden des Heizelementes aus der Körnung herausragen und
an einer Stromquelle angeschlossen sind. Beim Stromdurchgang heizt sich das
Heizelement auf eine Temperatur auf, bei der die in der Nachbarschaft des
Heizelementes vorhandene Körnung unter Ausbildung einer sich von dem strom
durchflossenen Heizelement wegbewegenden Schmelzfront sukzessive aufschmilzt
und nach dem Abkühlen und dem Entfernen des Heizelementes einen rohrförmigen
Quarzglas-Körper ergibt. Durch das Erschmelzen der SiO2-Körnung unter Aus
bildung einer einzigen im wesentlichen Zylinderform aufweisenden Schmelzfront,
wird ein allmähliches, schrittweise fortschreitendes Schließen der Zwischen
räume und Poren der SiO2-Körnung erreicht, so daß im Schüttkörper vorhandene
oder sich bildende Gase vor der Schmelzfront hergetrieben werden und über noch
offene Poren nach außen entweichen können, bevor sich ein dichter Glas- oder
Schmelzkörper bildet. Beim vollstandigen Aufschmelzen der SiO2-Körnung bil
den sich daher relativ wenig Blaseneinschlusse. Man erhält bei diesem Ver
fahren allerdings nur rohe Schmelzlinge mit besonders rauher Oberfläche, die
erst durch nachfolgende Arbeitsvorgänge in die gewünschte Form und auf der
Außenfläche auf die gewünschte Glätte gebracht werden müssen. Die so herge
stellten Hohlkörper sind außerdem über ihre Wandstärke nicht homogen durchge
schmolzen oder -gesintert, sondern sie weisen eine ausgehend von dem
stromdurchflossenen Heizelement zunehmende Opazität auf.
Zur Überwindung dieser Schwierigkeiten wurde in der DE-PS 5 43 957 ein Ver
fahren zur Herstellung von Rohren aus Quarz vorgeschlagen, bei dem in eine
rotierende, waagerecht angeordnete, rohrförmige Form die zu schmelzende oder
zu sinternde Körnung eingebracht und mittels einer im Innenraum der Form ange
ordneten, elektrischen Heizquelle derart erhitzt wird, daß sich beim Rotieren
an der Innenwandung der Form aus dem Pulver ein gesintertes oder geschmolzenes
Rohr ausbildet, das dann unter fortdauernder Rotation zum Erstarren gebracht
wird. Durch Verändern der Ausbildung der Innenwandung der rotierenden Form
sind mit diesem Verfahren auch Hohlkörper aus Quarzglas mit anderen als zylin
derförmigen Außenformen herstellbar.
Aus der DE-AS 22 63 589 ist ein Verfahren zum Herstellen von Hohlzylindern,
insbesondere von Rohren, aus Quarzglas sowie eine Vorrichtung zur Durchfuhrung
des Verfahrens bekannt. Bei dem hier beschriebenen Verfahren, bei dem als
Ausgangsmaterial körniger oder pulverförmiger Quarz in eine sich um ihre Achse
drehende Hohlform eingebracht wird, wird während des Aufschmelzens durch die
Rotation der Hohlform eine Wanderung von Gaseinschlüssen in Richtung der Ro
tationsachse bewirkt, wobei die Rotation auch nach Abschalten der Heizquelle
fortdauert. Eine weitere Vorrichtung zur Herstellung eines hochreinen Quarz
glasrohres ist in JP 1-141828 (A) beschrieben. Hier wird ein senkrecht stehen
der Quarzglaszylinder gezeigt, der auf einem Teil seiner Länge von einem Hei
zer koaxial umgeben ist. Der Heizer ist entlang der gemeinsamen Achse beweg
lich, so daß das Quarzglasrohr im Verlaufe seiner Behandlung in einer entlang
seiner Achse sich bewegenden Zone aufgeheizt und dadurch entgast wird.
Bei großen Wandstärken weisen die mit den bekannten Verfahren hergestellten
Hohlkörper jedoch deutlich sichtbare Inhomogenitäten auf. Insbesondere beim
Sintern derartiger Hohlkörper bei Temperaturen unterhalb derjenigen, bei denen
dichte, durchsichtige Gläser entstehen, bilden sich aufgrund einer über ihre
Wandstärke variierenden Dichte, marmorierte Strukturen und Blasen mit breiter
Größenverteilung aus. Aufgrund dieser Inhomogenitäten weisen derartige dick
wandige Hohlkörper eine relativ geringe Temperaturwechselbeständigkeit auf und
sind für Anwendungen bei hohen Temperaturen und bei häufigen Temperatur
wechseln, wie beispielsweise in der Halbleiterindustrie als Flansche für
Epitaxierohre oder Vertikalreaktoren nur beschränkt einsetzbar. Für derartige
Zwecke werden feinblasige, hochreine, opake Hohlkörper benötigt, die gleich
mäßig gesintert bzw. erschmolzen sind.
Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren anzuge
ben, das eine einfache und kostengünstige Herstellung dickwandiger, homogener,
feinporiger, hochreiner und opaker Hohlkörper aus Quarzglas oder aus
hochkieselsäurehaltigem Glas bei weitgehender Freiheit in der Formgebung
ermöglicht.
Die Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß der Schüttkörper in Form
eines Hohlzylinders zwischen einer, dem Hohlraum zugeordneten inneren Wandung
und einer äußeren, als Heizelement dienenden Wandung aufgeschüttet und so
erhitzt wird, daß unter Aufrechterhaltung eines Temperaturgradienten zwischen
der äußeren Wandung und der inneren Wandung die Schmelzfront in Richtung auf
die innere Wandung bis auf den im wesentlichen zentrisch innerhalb des Schütt
körpers angeordneten Hohlraum fortschreitet.
Beim Erhitzen des Schüttkörpers aus SiO2-Körnung von einer äußeren, als
Heizelement dienenden Wandung aus, bildet sich eine Schmelzfront, die in Rich
tung auf die innere, dem Hohlraum des Hohlkörpers zugeordnete Wandung fort
schreitet. Je höher dabei die Temperatur und je länger die Dauer des Erhitzens
gewählt wird, um so dichter sintert die Körnung, bzw. um so mehr schmilzt die
Körnung unter Ausbildung eines vollkommen dichten, klaren Glases auf. Zur
Herstellung eines opak durchscheinenden Hohlkörpers wird die Temperatur so
gewählt, daß die SiO2-Körnung nicht vollkommen aufschmilzt, sondern daß
durch Einschmelzen feiner Bläschen ein opaker Körper entsteht. Dadurch, daß
ein Temperaturgradient zwischen der äußeren Wandung und der inneren Wandung
aufrechterhalten wird, bildet sich nur eine einzige, im wesentlichen eine
Zylindermantelfläche aufweisende Schmelzfront aus. Dies gewährleistet, daß Gase
innerhalb des Schüttkörpers nicht eingeschlossen werden, sondern vor der
Schmelzfront aus der porösen, noch nicht dicht gesinterten Körnung entweichen
können. Dadurch, daß die Schmelzfront von der äußeren Wandung ausgeht und sich
von dort ins Innere des Hohlkörpers in Richtung auf den Hohlraum bewegt, wird
über die Wandstärke des Hohlkörpers eine homogenere Beheizung pro Zeit- und
Flächeneinheit erreicht als dies mit den bekannten Verfahren der Fall sein
kann. Während des Erhitzens auf einer vorgegebenen, konstanten Temperatur ist
der Wärmefluß der vom Heizelement abgegebenen Wärmemenge ebenfalls konstant
und nach innen, in Richtung auf den Hohlraum gerichtet. Dabei sind zwar die
äußeren Bereiche des Schüttkörpers gegenüber den weiter innen liegenden Be
reichen einer längeren Erhitzung bei der eingestellten Temperatur ausgesetzt;
jedoch wird durch die Umfangsverringerung des Schüttkörpers nach innen hin,
eine erhöhte Wärmebelastung pro Flächeneinheit und damit einhergehend eine
Vergleichmäßigung der von jeder Flächeneinheit des Schüttkörpers im Mittel
während des Erhitzens aufgenommenen Wärmemenge erreicht. Eine Voraussetzung
für ein gleichmäßiges Erhitzen des Schüttkörpers über seine gesamte Wandstärke
ist eine im wesentlichen zentrische Anordnung des Hohlraumes innerhalb des
Schüttkörpers. Sie gewährleistet, daß die vom Heizelement ausgehende, sich in
Richtung auf den offenen Hohlraum bewegende und im wesentlichen eine Zylindermantel
fläche bildende Schmelzfront, die nicht offenen Seiten des Hohlraumes etwa
gleichzeitig erreicht. Unter dem Ausdruck Schmelzfront wird dabei jener
flächenhafte Bereich verstanden, der sich beim Erhitzen zwischen der
SiO2-Schüttung und dem Bereich der bereits angeschmolzenen oder gesinterten
Körnung ausbildet. Das erfindungsgemäße Verfahren ist insbesondere für die
Herstellung von dickwandigen Hohlkörpern geeignet.
Hinsichtlich der Aufrechterhaltung des Temperaturgradienten innerhalb des
Schüttkörpers hat sich ein Verfahren als vorteilhaft erwiesen, bei dem der
Hohlraum mittels einer Wärmeisolierung abgeschirmt wird. Eine derartige Ab
schirmung verringert die Aufheizung des Hohlraumes durch Übertragung der vom
Heizelement ausgehenden Wärme aufgrund Strahlung oder Konvektion über die
offenen Seiten oder die offene Seite des Hohlraumes und verhindert dadurch die
Entstehung einer weiteren, von der dem Hohlraum zugeordneten Wandung ausgehen
den, Schmelzfront.
Für die Aufrechterhaltung des Temperaturgradienten hat sich auch eine Zwangskühlung
des Hohlraumes, insbesondere durch einen, sich in den Hohlraum er
streckenden Kühlkörper bewährt. Der Kühlkörper dient dabei als Wärmesenke für
die im Hohlraum entstehende Wärme, die über den Kühlkörper aus dem Hohlraum
abgeführt wird. Der Kühlkörper besteht vorzugsweise aus Graphit.
Als besonders vorteilhaft hat sich ein Verfahren erwiesen, bei dem das Er
hitzen unter Inertgas, insbesondere unter Argon oder Stickstoff erfolgt. Da
durch wird eine Reaktion des heißen Graphit-Heizelements oder der erhitzten
SiO2-Körnung mit Wasser, Sauerstoff oder anderen reaktiven Gasen und eine
daraus resultierende, unkontrollierbare Blasenbildung verhindert. Dabei ist es
besonders günstig, den Schüttkörper vor dem Erhitzen zu evakuieren. Durch
diesen Verfahrensschritt, der beispielsweise unmittelbar vor dem Erhitzen
durchgeführt werden kann, wird an der SiO2-Körnung absorbierte Feuchtigkeit
entfernt. Eine Erwärmung des Schüttkörpers während des Evakuierens verstärkt
diese Wirkung noch. Das Austreiben der Feuchtigkeit verringert die Menge der
beim Erhitzen freigesetzten Gase und trägt dadurch zur Bildung eines homoge
nen, feinblasigen Hohlkörpers bei. Durch das anschließende Spülen und Erhitzen
unter Inertgas werden die vorhandenen Hohlräume mit dem Inertgas gefüllt und
eine definierte Blasigkeit durch das Einschmelzen feiner Bläschen erzeugt.
Besonders einfach und kostengünstig gestaltet sich ein Verfahren, bei dem das
Heizelement induktiv beheizt wird. Durch die induktive Einkopplung der erfor
derlichen Heizenergie sind keine elektrischen Anschlüsse im unmittelbaren
Heizbereich erforderlich, wie dies beispielsweise bei einem widerstandsbeheiz
ten Heizelement der Fall wäre. Aufgrund des Erhitzens des Schüttkörpers von
außen nach innen ist die Ankopplung der Heizenergie mittels einer um das Heiz
element angeordneten Hochfrequenzspule besonders einfach.
Es wird ein Verfahren bevorzugt, bei dem der Schüttkörper in Form eines im
wesentlichen senkrecht ausgerichteten Rohres aufgeschüttet und erhitzt wird.
Durch diese Aufschüttung wird in jeder Ebene senkrecht zur Längsachse eine in
etwa gleiche Schüttdichte bewirkt und dadurch auch die Ausbildung einer im
wesentlichen gleichen Dichte über die Wandstärke des rohrförmigen Hohlkörpers
nach dem Erhitzen ermöglicht.
Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in der Zeichnung dargestellt und wer
den nachfolgend näher erläutert. In der Zeichnung zeigen in schematischer
Darstellung
Fig. 1 eine Vorrichtung zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens im
Schnitt und
Fig. 2 eine weitere Vorrichtung zur Durchführung des erfindungsgemäßen Ver
fahrens in einer Draufsicht.
In Fig. 1 ist mit der Bezugsziffer 1 ein rohrförmiger Graphit-Suszeptor mit
einem Außendurchmesser von ca. 35 cm bezeichnet, der sich innerhalb einer
Mittelfrequenzspule 2 befindet und induktiv aufgeheizt wird. Koaxial innerhalb
des Suszeptors 1 ist ein weiteres, beidseitig offenes Graphitrohr 3 angeord
net, über dessen Länge von ca. 80 cm gleichmäßig Entgasungslöcher 4 verteilt
sind. Der Abstand zwischen der Innenwand des Suszeptors 1 und der Außenwand
des Graphitrohres 3 beträgt 4 cm. Die Öffnungen des Graphitrohres 3 sind mit
Lagen aus Isoliermaterial, wie Graphitfilz 5 und Graphitscheiben 6 abgedeckt.
Der Suszeptor 1 befindet sich innerhalb einer evakuierbaren Kammer 7 aus
Quarzgut, die mit einem abnehmbaren Flansch 8 nach oben abgeschlossen ist. Der
Flansch 8 weist einen Anschluß 9 für eine Vakuum- und Gasleitung auf. Durch
den Flansch 8 und die obere Lage 5 ragt ein Kühlkörper 10 aus Graphit, der als
Wärmesenke für die im Hohlraum entstehende Wärme dient und über den Wärme aus
dem Hohlraum und der Kammer 7 abgeführt wird.
Zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens wird der Zwischenraum zwi
schen dem Suszeptor 1 und dem Graphitrohr 3 mit Quarzkörnung 11 aufgefüllt und
unter Erwärmung ca. 1 h evakuiert. Anschließend wird die Quarzkörnung 11 mit
Stickstoff und Argon gespült und dabei auf eine Temperatur um 1900°C aufge
heizt. Dabei schmilzt die an der Suszeptor-Innenwandung anliegende Quarzkör
nung 11 auf. Die sich dabei bildende Schmelzfront 12 bewegt sich im Verlauf
der weiteren Aufheizung auf das Graphitrohr 3, im wesentlichen in Form einer
Zylindermantelfläche, zu. Die bei den erforderlichen, hohen Temperaturen ent
stehenden Reaktionsprodukte von Graphit- und Quarzkörnung werden dabei vor der
Schmelzfront 12 in Richtung auf das Graphitrohr 3 getrieben. Gasförmige Reak
tionsprodukte, wie CO2, SiO sowie Restfeuchte der Körnung oder der heißen
Teile der Vorrichtung können durch die Poren des Graphitrohres 3 bzw. durch
die hierfür vorgesehenen Entgasungslöcher 4 austreten. Durch die Lagen 5;6 an
Isoliermaterial wird das Innere des Graphitrohres 3 vor Aufheizung durch Wär
mekonvektion oder durch die von dem Suszeptor 1 ausgehende Strahlung abge
schirmt und dadurch während des Fortschreitens der Schmelzfront 12 ein Tempe
raturgradient über die Wandstärke der Aufschüttung der Quarzkörnung 11 auf
recht erhalten. Die Aufrechterhaltung des erforderlichen Temperaturgradienten
wird auch durch die Wärmeabfuhr aus dem Inneren des Graphitrohres 3 über den
Kühlkörper 10 unterstützt. Dadurch wird verhindert, daß sich von der Außenwand
des Graphitrohres 3 ausgehend eine zweite Schmelzfront bildet, die den weite
ren Gasaustritt in Richtung des Graphitrohr-Inneren verhindern und zu einer
Ausbildung eines Quarzglaskörpers mit einem stark blasigen Bereich führen
würde. Die Temperatur der Innenwandung des Graphitrohres 3 wird während des
Erhitzens der Quarzkörnung 11 gemessen. Dadurch ist sowohl die Aufrechterhal
tung des Temperaturgradienten als auch das Fortschreiten der Schmelzfront 12
kontrollierbar.
In Fig. 2, in der in schematischer Darstellung ein weiteres Ausführungsbeispiel
einer Vorrichtung zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens als
Draufsicht auf einen Querschnitt etwa in Suszeptormitte dargestellt ist, wer
den für gleiche oder zu den in der Fig. 1 beschriebenen Vorrichtung äquiva
lente Bauteile, gleiche Bezugsziffern verwendet.
Der Schüttkörper 13 besteht in diesem Ausführungsbeispiel aus Quarzglaskör
nung, die zwischen der Innenwand eines in Form eines Rechteckrohres ausgebil
deten Graphitsuszeptors 14 und eines Rechteck-Innenrohres 15 aufgeschüttet
wird. Die Wandstärke des Schüttkörpers 13 beträgt dabei ca. 3,5 cm. Über einen
Kühlkörper 10, der in das Innere des Innenrohres 15 hineinragt wird die Wärme
von der Innenseite des Schüttkörpers 13 abgeleitet und dadurch ein ausreichen
der Temperaturgradient über die Wandstärke des Schüttkörpers 13 gewährleistet.
Es bildet sich daher nur eine einzige von der Innenwand des Suszeptors 14
ausgehende Schmelzfront 16 aus, die sich in Richtung auf das Innenrohr 15
bewegt.
Die anhand der in Fig. 1 und 2 erläuterten Verfahren ermöglichen die Her
stellung vollkommen durchgeschmolzener, opaker Hohlkörper, deren Opazität
durch eine Vielzahl von feinen Blasen mit enger Größenverteilung erzeugt wird,
und die über die Wandstärke des Hohlkörpers homogen ist. Aus den so herge
stellten rohrförmigen Hohlkörpern können in Richtung quer zur Längsachse
Scheiben gesägt werden, die nach nur geringfügiger Nachbearbeitung
beispielsweise als Flansche für Epitaxierohre einsetzbar sind.
Claims (8)
1. Verfahren zur Herstellung von opaken Hohlkörpern aus Quarzglas oder aus
hochkieselsäurehaltigem Glas durch Aufschütten von SiO2-Partikeln zu
einem einen offenen Hohlraum aufweisenden Schüttkörper und Erhitzen des
Schüttkörpers mittels eines Graphit-Heizelementes unter Ausbildung einer
sich von dem Heizelement wegbewegenden, im wesentlichen eine Zylindermantel
fläche bildenden Schmelzfront, dadurch gekennzeichnet, daß der Schüttkör
per (11; 13) in Form eines Hohlzylinders zwischen einer dem Hohlraum zuge
ordneten inneren Wandung (3; 15) und einer äußeren, als Heizelement dienen
den Wandung (1; 14) aufgeschüttet und so erhitzt wird, daß unter Aufrecht
erhaltung eines Temperaturgradienten zwischen der äußeren Wandung (1; 14)
und der inneren Wandung (3; 15) die Schmelzfront in Richtung auf die innere
Wandung bis auf den im wesentlichen zentrisch innerhalb des Schüttkörpers
(11; 13) angeordneten Hohlraum fortschreitet.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Temperatur
gradient mittels einer den Hohlraum abschirmenden Wärmeisolierung (5; 6)
aufrechterhalten wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Tempera
turgradient durch eine Zwangskühlung des Hohlraumes aufrechterhalten wird.
4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Temperaturgra
dient mittels eines sich in den Hohlraum erstreckenden, als Wärmesenke
dienenden Kühlkörpers (10) aufrechterhalten wird.
5. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekenn
zeichnet, daß das Erhitzen unter Inertgas, insbesondere unter Argon oder
Stickstoff, erfolgt.
6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Schüttkörper
(11; 13) vor dem Erhitzen evakuiert wird.
7. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekenn
zeichnet, daß das Heizelement (1; 14) induktiv beheizt wird.
8. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekenn
zeichnet, daß der Schüttkörper (11; 13) in Form eines im wesentlichen senk
recht ausgerichteten Rohres aufgeschüttet und erhitzt wird.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19924214563 DE4214563C1 (de) | 1992-05-08 | 1992-05-08 | Verfahren zur Herstellung von opaken Hohlkörpern aus Quarzglas |
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DE19924214563 DE4214563C1 (de) | 1992-05-08 | 1992-05-08 | Verfahren zur Herstellung von opaken Hohlkörpern aus Quarzglas |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
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DE19924214563 Expired - Fee Related DE4214563C1 (de) | 1992-05-08 | 1992-05-08 | Verfahren zur Herstellung von opaken Hohlkörpern aus Quarzglas |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE4214563C1 (de) |
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-
1992
- 1992-05-08 DE DE19924214563 patent/DE4214563C1/de not_active Expired - Fee Related
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