DE4139465C2 - Verfahren und Vorrichtung zur Reinigung von Halbleiterplättchen - Google Patents
Verfahren und Vorrichtung zur Reinigung von HalbleiterplättchenInfo
- Publication number
- DE4139465C2 DE4139465C2 DE4139465A DE4139465A DE4139465C2 DE 4139465 C2 DE4139465 C2 DE 4139465C2 DE 4139465 A DE4139465 A DE 4139465A DE 4139465 A DE4139465 A DE 4139465A DE 4139465 C2 DE4139465 C2 DE 4139465C2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- cleaning chamber
- chamber
- cleaning
- micro
- suction
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Cleaning In General (AREA)
Description
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren und eine Vor
richtung zum Reinigen von Halb
leiterplättchen sowie zur Reinigung von Substraten, wie Glas- oder Schei
bensubstraten.
Zum Stand der Technik zeigt die beigefügte Fig. 5 eine schema
tische Schnittdarstellung einer herkömmlichen Vorrichtung
zur Reinigung von Halbleiterplättchen (Wafern). Bei dieser
Vorrichtung wird eine Eiserzeugungsanlage 1 zur Herstellung
von Mikro-Eispartikel 4 mit einem Kältemittel, wie
flüssigem Stickstoff 2, gespeist, und an diese Anlage ist
eine Sprühdüse 3 angeschlossen, die ultrareines Wasser in
Mikropartikeln einsprüht. Die Eiserzeugungsanlage 1 ist mit
einer (nicht dargestellten) Wärmeisolierung abgedeckt. In
einer Reinigungskammer 10, in der ein Wafer od. dgl. gerei
nigt wird, wird dieser Wafer 7 mittels eines Wafer-Haltearms
6 getragen. Das von dem Arm 6 getragene Wafer 7 kann mittels
einer Transporteinrichtung 8 bewegt werden. Die in der Eis
erzeugungsanlage 1 hergestellten Mikro-Eispartikel 4
werden durch eine innenseitig der Reinigungskammer 10 vor
gesehene Einspritzdüse 5 injiziert. Ferner ist innerhalb der
Reinigungskammer 10 auch eine Antriebseinrichtung 10 unterge
bracht, um die Orte und die Winkel der Einspritzdüse 5 ein
zuregeln. Am Bodenbereich der Reinigungskammer 10 ist ein
Absaugegebläse 9, um die Kammer 10 zu entleeren, angeordnet.
Bei der herkömmlichen Reinigungsvorrichtung mit dem vorste
hend beschriebenen Aufbau wird das Innere der Eiserzeugungs
anlage 1 durch Verdampfen des in diese eingespeisten flüssi
gen Stickstoffs 2 abgekühlt. Nach ausreichender Abkühlung
wird ultrareines Wasser durch die Sprühdüse 3 in die Anlage
1 eingesprüht, was Mikro-Eispartikel 4 zum Ergebnis
hat, die zusammen mit dem Stickstoffgas durch einen Emis
sionseffekt der Einspritzdüse 5 zugeführt werden. Diese Ein
spritzdüse 5 injiziert ein Mischfluid aus Eispartikeln und
Stickstoffgas zu dem durch den Haltearm 6 getragenen Wafer
7 hin, wodurch dessen beide Flächen gereinigt werden.
Da die Mikro-Eispartikel 4 zusammen mit dem Stickstoff
gas als Trägergas eingespritzt werden, prallt der Düsenstrahl,
der auf die Innenwand der Reinigungskammer 10 trifft, nach
oben zurück. Um dieses aufwärts gerichtete Rückprallen zu
verhindern, wird eine Abwärtsströmung durch die Luft erzeugt,
die vom oberen Teil der Reinigungskammer angesaugt wird, da
diese Kammer durch das Absaugegebläse 9 von ihrem Bodenteil
her entleert oder abgesaugt wird.
Bei einer derartigen Vorrichtung muß die Reinigungskammer
10 ziemlich groß ausgebildet werden, da sie zur Aufnahme
der Einspritzdüse 5 und deren Antriebseinrichtung 13 vorge
sehen ist. Auch muß das Absaugegebläse 9 eine große Förder
leistung haben, weil die Strahlströmung von der Einspritzdü
se 5 gänzlich und vollkommen in einen (nicht dargestellten)
Absaugekanal eingesaugt werden muß. Deshalb wird die Vorrich
tung unvermeidbar groß und erfordert erhebliche Betriebs
kosten. Wenn die Förderleistung des Absaugegebläses 9 ver
mindert wird, so wird die Strahlströmung nicht in ausrei
chendem Maß in den Absaugekanal gesogen und trifft auf die
Innenwand der Reinigungskammer 10A, was in dem aufwärts gerich
teten Rückprallen resultiert. In der Turbulenzströmung mit
geführter Staub kann sich insofern leicht auf den bereits
gereinigten Flächen des Wafers 7 niederlassen.
Aus der nichtvorveröffentlichten DE 4 12 519 A1 ist eine
Reinigungsvorrichtung für
Halbleiterplättchen oder Wafer bekannt. Bei dieser
Reinigungsvorrichtung wird ein Wafer in einer Reinigungskammer
gehaltene und wird mit einem von Mikro-Eispartikeln durchsetzten
schnellen Gasstrahl gereinigt. Ein mit von dem Wafer abprallenden
Partikeln vermischter Gasstrom wird durch eine Platte mit in
abwärtiger Richtung kegelförmig verengten Bohrungen in eine
Absaugekammer geleitet und von einem Abzugsgebläse abgesaugt. Die
Absaugekammer ist in seitlicher Richtung erweitert und mit
gekrümmten Luftleitblechen versehen, um eine Rückströmung des
partikelbeladenen Gasstroms in Richtung auf den Wafer zu
verhindern. Eine längs der Wandungen der Absaugekammer
aufsteigende Kriechströmung wird von den Leitblechen umgelenkt und
durch Auslässe abgezogen.
Ein Nachteil dieses Stands der Technik ist, daß ein hoher
Gasdurchsatz des Absaugegebläses bei einem hohen Strömungs
widerstand im Absaugestrom erforderlich ist, um eine Rückströmung
des Reinigungsstrahls auf den Wafer zuverlässig zu vermeiden.
Ferner ist aus der DE 39 37 221 A1 eine
Reinigungsvorrichtung für Festkörperoberflächen bekannt, in der Mikro-
Eispartikel von einer Strahldüse auf die zu reinigende
Oberfläche des in einer Strahlsprühkammer gehaltenen Festkörpers
geschleudert werden. Der von der Festkörperoberfläche abprallende
Strahl wird von einem Luftstrom, der von einem Abzugsgebläse
erzeugt wird, aufgenommen und durch eine Auslaßleitung am unteren
Ende der Strahlsprühkammer abgezogen. Die beschriebene
Reinigungsvorrichtung hat, wie die i.V.m. der Fig. 5 beschriebene Vorrichtung, lediglich
einen Auslaß für den gesamten
abzuziehenden Gasstrom, so daß eine Wiederverschmutzung der
gereinigten Festkörperoberfläche nur mittels eines starken
Abgasstroms sicher verhindert werden kann.
Des weiteren ist aus der JP 58 101 722 A2 ein Staubabscheider zum
Abscheiden von Partikeln aus einem Abgasstrom bekannt. Darin wird
ein staubbeladener Abgasstrom seitlich in einen Abscheidebehälter
eingeführt und über eine zur Zuführleitung rechtwinklig
angeordnete, senkrecht nach oben verlaufende Abzugsleitung aus dem
Abscheidebehälter abgezogen. Der staubbeladene Abgasstrom wird
durch die Querschnittserweiterung in der Abscheidekammer
verlangsamt, und in Richtung auf die Abzugsleitung umgelenkt, so
daß der Staub aus dem Gasstrom abgeschieden wird. Auch dieser
Abscheider hat nur einen Auslaß für den gesamten Gasstrom, so daß
auch hier die vorgenannten Nachteile auftreten.
Schließlich zeigt die JP 61-160 933 A2 eine Vorrichtung in der ein
mit Tröpfchen beladener Gasstrom durch eine Auslaßleitung
abgesaugt wird. Die Trennung der Tröpfchen von dem Gasstrom
erfolgt in einer Tropfenfalle durch mehrfaches Umlenken des
Gasstroms. Die abgetrennten Tröpfchen werden durch eine
Abflußleitung abgeführt, wobei ein siphonförmiger
Leitungsabschnitt eine Flüssigkeitssäule aufrechterhält, welche
die Abflußleitung gasdicht gegen die Vorrichtung abschließt. Der
abgetrennte Gasstrom wird über eine Drosseleinrichtung und eine
Abgasleitung abgezogen. Auch diese herkömmliche Vorrichtung
hat die vorgenannten Nachteile.
Aufgabe der Erfindung ist es, ein Verfahren zur Reinigung von
Halbleiterplättchen und eine Vorrichtung zur Durchführung des
Verfahrens vorzuschlagen, bei dem ein Wiederverschmutzen des
Halbleiterplättchens bei geringen Betriebskosten sicher verhindert
ist.
Die Aufgabe wird hinsichtlich des Verfahrens mit den Merkmalen des
Patentanspruchs 1, und hinsichtlich der Vorrichtung mit den
Merkmalen des Anspruchs 2 gelöst.
Der Erfindungsgegenstand wird unter Bezugnahme auf die beige
fügten Zeichnungen anhand einer Ausführungsform gemäß der
Erfindung erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 eine schematische Schnittdarstellung einer Vorrich
tung zur Reinigung von Wafern in einer erfindungsge
mäßen Ausführungsform;
Fig. 2 den schematischen Schnitt längs der Linie A-A in
der Fig. 1;
Fig. 3 eine perspektivische Ansicht einer Strömungsleit
platte;
Fig. 4 eine perspektivische Ansicht einer Trennplatte;
Fig. 5 eine schematische Schnittdarstellung einer her
kömmlichen Vorrichtung zur Reinigung von Wafern.
Gemäß Fig. 1 hat eine Reinigungskammer 10A einen breiten,
rechteckigen Querschnitt, um ein zu reinigendes Objekt, z. B.
einen Wafer 7, aufzunehmen.
Bei der erfindungsgemäßen Vorrichtung sind die meisten Teile
der Einspritzdüse 5, ausgenommen deren Mundstück, außerhalb
der Reinigungskammer an deren längerer Seite angeordnet.
Ferner befindet sich außenseitig der Reinigungskammer 10A
eine Antriebseinrichtung 13 für die Einspritzdüse 5, welche
durch eine mit einer Abströmöffnung 14a versehene. Haube 20
abgedeckt ist. An ihrem oberen Ende ist die Kammer 10A mit
einer glockenförmig ausgestalteten ausgekelchten Öffnung 16 versehen, die
ein Abbrechen von an der Fläche des oberen Endabschnitts der
Kammer 10A gebildetem Eis verhindert.
In der Reinigungskammer 10A ist eine Strömungsleitplatte 15
aufgenommen, die einen aufwärtigen Rückprall des Strahlstroms
von der Einspritzdüse 5 verhindert. Wie die Fig. 3 zeigt,
sind abwärts gerichtete Teile der Strömungsleitplatte 15
gekrümmt und nach unten konvergierend zum Zentrum der Kammer
10A hin ausgestaltet, wobei die Leitplatte 15 in ihrem Boden
teil mit einer Durchtrittsöffnung 15a versehen ist. Den Fig.
1 und 2 ist zu entnehmen, daß die Seitenwände der Reinigungs
kammer 10A mit Auslässen 14 versehen sind, die in der Strö
mungsleitplatte 15 nicht vorhanden sind. Ferner sind in der
Kammer 10A, wie die Fig. 2 zeigt, Leitplatten 12 unterhalb
der Auslässe 14 angeordnet, um den Strahlstrom zum Hauptauslaß
hin zu lenken.
Ein unterer Teil der Reinigungskammer 10A ist mit einer Ab
saugekammer 11 ausgestattet, die den durch das Injizieren
der Mikro-Eispartikel 4 hervorgerufe
nen Strahlstrom verlangsamt. Am oberen Bereich der Absauge
kammer 11 ist ein Hilfsauslaß 19 angeschlossen. Die Reini
gungskammer 10A ist von der Absaugekammer 11 durch eine
Trennplatte 17 (s. Fig. 4) abgeteilt, die einen Durchtritt
21 in ihrem mittigen Teil besitzt, so daß zwischen den bei
den Kammern 10A und 11 eine Verbindung besteht. Am Boden
der Reinigungskammer 10A ist ein Hauptauslaß 18 mit einem
Drosselorgan 22 angeschlossen. Der Haupt- und der Hilfsauslaß
18 sowie 19 sind mit dem Absaugebläse 9 verbunden.
In einer Vorrichtung mit dem oben beschriebenen Aufbau wer
den in der Eiserzeugungsanlage 1 Mikro-Eispartikel 4
produziert. Durch Aufschleudern
oder Aufstrahlen der Mikro-Eispartikel 4 von der Einspritz
düse 5 aus auf den Wafer 7 werden beide Flächen des Wafers 7 gereinigt.
Da die Einspritzdüse 5 und die Antriebseinrichtungen 13 zu
deren Einstellung außerhalb der Reinigungskammer 10A angeord
net sind, kann diese in ihren Größenabmessungen vermindert
werden. Dadurch kann auch ein kleineres Absaugegebläse zur
Anwendung kommen, wodurch die Betriebskosten gesenkt werden.
Weil darüber hinaus die Einspritzdüse 5 mit der eine Ab
strömöffnung 14a besitzenden Haube 20 abgedeckt ist, bleibt
Staub von der Antriebseinrichtung 13, der in die Haube 20
durch die zwischen diesen Bauteilen bestehende mechanische
Verbindung eintreten kann, nicht in der Haube 20 liegen, son
dern wird durch die Abströmöffnung 14a nach außen abgeführt.
Insofern kann Staub von der Antriebseinrichtung kaum in die
Reinigungskammer 10A eintreten und sich auf dem Wafer 7 ab
setzen.
Ferner verhindert die glockenförmig ausgestaltete Öffnung
16 am oberen Ende der Reinigungskammer 10A ein Abbrechen von
an diesem oberen Kantenbereich gebildetem Eis und trägt dazu
bei, eine ungehinderte, glatte Abwärtsströmung hervorzuru
fen. Insofern trägt diese Öffnung dazu bei, Turbulenzen des
Strahlstroms, z. B. den aufwärts gerichteten Rückprall, die
bei herkömmlichen Vorrichtungen mit hoher Wahrscheinlichkeit
durch das Einsprühen oder Injizieren der Mikro-Eispartikel 4 auf
treten, zu unterbinden. Deshalb werden Staub oder ähnliche
Schmutzteilchen nicht in der Reinigungskammer 10A verblei
ben, noch sich auf dem gereinigten Halbleiterplättchen 7
absetzen oder niederschlagen
Die Strömungsleitplatte 15 lenkt ferner den erzeugten Strahl strom stetig und gleichförmig abwärts zu einem unteren Bereich der Reinigungskammer 10A. Diese Strömungsleitplatte 15 verhin dert aber auch eine weitere Aufwärtsbewegung des aufwärts gerichteten Rückpralls und bringt diese Rückprallströmung zu einem Austreten durch die Auslässe 14 hindurch. Die bei den im unteren Bereich der Kammer 10A vorgesehenen Haupt- und Hilfsauslässe 18, 19 führen zu einem Entleeren oder Ab saugen der Kammer 10A. Somit wird der aufwärts gerichtete Rückprall, der dann auftritt, wenn der Strahlstrom von der Einspritzdüse 5 auf einen unteren Teil der Kammer 10A trifft oder schlägt, verhindert oder blockiert. Insofern besteht kaum die Möglichkeit, daß durch die aufwärtige Rückprallströ mung des Strahlstroms mitgeführter Staub od. dgl. den gerei nigten Wafer 7 erreichen wird.
Die Strömungsleitplatte 15 lenkt ferner den erzeugten Strahl strom stetig und gleichförmig abwärts zu einem unteren Bereich der Reinigungskammer 10A. Diese Strömungsleitplatte 15 verhin dert aber auch eine weitere Aufwärtsbewegung des aufwärts gerichteten Rückpralls und bringt diese Rückprallströmung zu einem Austreten durch die Auslässe 14 hindurch. Die bei den im unteren Bereich der Kammer 10A vorgesehenen Haupt- und Hilfsauslässe 18, 19 führen zu einem Entleeren oder Ab saugen der Kammer 10A. Somit wird der aufwärts gerichtete Rückprall, der dann auftritt, wenn der Strahlstrom von der Einspritzdüse 5 auf einen unteren Teil der Kammer 10A trifft oder schlägt, verhindert oder blockiert. Insofern besteht kaum die Möglichkeit, daß durch die aufwärtige Rückprallströ mung des Strahlstroms mitgeführter Staub od. dgl. den gerei nigten Wafer 7 erreichen wird.
Des weiteren lenken eine Mehrzahl von Leitplatten 12, die
im unteren Teil der Reinigungskammer 10A vorhanden sind,
den aus dem Einspritzen rührenden Strahlstrom ruhig und glatt
zum Hauptauslaß 18, ohne ein Zurückwerfen oder Abreißen des
Strahlstroms herbeizuführen. Da die mit dem Hilfsauslaß 19
versehene Absaugekammer 11 seitlich der Leitplatten 12 vor
gesehen und von diesen durch die einen Durchtritt 21 besitzen
de Trennplatte 17 abgeteilt ist, wird ein Teil des Strahl
stroms langsam durch den Durchtritt 21 in die Absaugekammer
11 zum Austreten gebracht, so daß der Strahlstrom verlang
samt wird, um durch den Hauptauslaß 18 mit Hilfe des Ab
saugegebläses 9 wirksam abgezogen zu werden. Durch vorheri
ges Einstellen der Durchströmungsmenge des Hauptauslasses
18 mit Hilfe des Drosselorgans 22 können in gut ausgegliche
ner Weise sowohl eine Reduzierungs- oder Verlangsamungsfunk
tion des Hilfsauslasses 19 wie auch ein Abzug vom Hauptaus
laß 18 bewirkt werden. Die Trennplatte 17
hindert den in die Absaugkammer 11 eintretenden Strahlstrom
am Zurückströmen in die Reinigungskammer 10A. Das Absaugen durch den
Hilfsauslaß 19 trägt auch dazu bei, den aufwärtigen Rückprall
zu verhindern, weil die Saugkraft rechtwinklig zum aufwärti
gen Rückprall, der längs der Innenwand der Reinigungskammer
10A aufsteigt, wirkt. An dem Durchtritt 21 tritt ein aufwär
tiger Rückprall längs der Innenwand nicht auf.
Wie vorstehend beschrieben wurde, ist eine Vorrichtung zur
Reinigung von Wafern so ausgebildet,
daß durch die gesamte Reinigungskammer 10A hindurch eine
Abwärtsströmung und durch den Haupt- sowie den Hilfsauslaß
18, 19 hindurch eine wirksame Absaugung erzeugt werden, wo
durch ein aufwärtiger Rückprall des aus dem Einspritzen oder
Injizieren hervorgerufenen Strahlstroms an einem Erreichen
des Wafers 7 gehindert wird. Die Reinigungskammer 10A kann
klein bemessen werden, so daß selbst eine geringe Absaug-
Förderleistung in zufriedenstellender und ausreichender Weise
das aufwärts gerichtete Rückprallen, wodurch leicht Staub
mitgeführt wird, und ein Erreichen des Halbleiterplättchens
7 durch den Rückprall bzw. den Staub unterbunden werden. In
sofern können Wafer durch die erfindungsgemäße Vorrichtung
und das erfindungsgemäße Verfahren gründlicher als im rele
vanten Stand der Technik gereinigt werden.
Wenngleich bei der beschriebenen Ausführungsform die Haube
20 eine Abströmöffnung 14a hat, so kann diese Haube auch
durch eine gelochte, durch Stanzen hergestellte Platte
gebildet werden. Eine derartige Haube kann auch noch durch
eine Abwärtsströmung in einem Clean-Raum od. dgl. abgesaugt
werden, wodurch dieselbe Wirkung wie bei der beschriebenen
Ausführungsform erlangt wird.
Gemäß der Erfindung können, mit kurzen Worten ausgedrückt,
Halbleiterplättchen noch sauberer als in der einschlägigen
Technik gereinigt werden. Das ist darauf zurückzuführen, daß eine
mit einem Hilfsauslaß ausgestattete Absaugekammer neben
einem unteren Teil der Reinigungskammer vorhanden ist, wo
bei eine Verbindung zwischen den beiden Kammern besteht, so
daß der durch das Injizieren der Mikro-Eispartikel 4
erzeugte Strahlstrom verlangsamt werden kann und dadurch
nicht in aufwärtiger Richtung zurückprallt oder, falls das
doch geschieht, nicht der Wafer erreichen wird. Durch die
klein bemessene Reinigungskammer und die geringe Förderlei
stung des Absaugegebläses werden der von der Vorrichtung ein
genommene Raum und die Investitions- sowie Betriebskosten
vermindert.
Es werden ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Reinigung
von Halbleiterplättchen offenbart. Eine mit einem Hilfsauslaß
ausgestattet Absaugekammer verlangsamt den durch das Inji
zieren von Mikro-Eispartikeln erzeugten Strahlstrom
und verhindert somit ein aufwärts gerichtetes Rückprallen
des Strahlstroms. Im Strahlstrom mitgeführte Staub- und
Schmutzpartikel werden somit von einem gereinigten Halblei
terplättchen ferngehalten, so daß die Halbleiterplättchen
gründlicher, als es nach dem Stand der Technik möglich ist,
mit einfachen Mitteln gereinigt werden.
Claims (15)
1. Verfahren zum Reinigen eines Halbleiterplättchens (7), bei
dem
das Halbleiterplättchen (7) innerhalb und im oberen Anschnitt einer Reinigungskammer (10A) gehalten wird, welche an ihrem Boden einen mit einem Absauggebläse (9) verbundenen Hauptauslaß (18) hat,
das Halbleiterplättchen mit Mikro-Eispartikeln (4) aus im wesentlichen ultrareinem Wasser bestrahlt wird,
der Strahlstrom in einem unteren Bereich der Reinigungskammer (10A), die durch eine quer zur Strömungsrichtung vorgesehene Absaugekammer (11) zur Verlangsamung des Strahlstroms erweitert ist, durch den Hauptauslaß (18) abgesaugt wird,
und ferner ein Teilstrom aus der Absaugekammer (11) durch einen Hilfsauslaß (19) abgesaugt wird, um die Geschwindigkeit des abwärts zum Hauptauslaß (18) gerichteten Strahlstroms weiter zu vermindern, so daß ein aufwärts gerichtetes Zurückprallen von im Strahlstrom mitgeführten Staub- und Schmutzpartikeln verhindert wird.
das Halbleiterplättchen (7) innerhalb und im oberen Anschnitt einer Reinigungskammer (10A) gehalten wird, welche an ihrem Boden einen mit einem Absauggebläse (9) verbundenen Hauptauslaß (18) hat,
das Halbleiterplättchen mit Mikro-Eispartikeln (4) aus im wesentlichen ultrareinem Wasser bestrahlt wird,
der Strahlstrom in einem unteren Bereich der Reinigungskammer (10A), die durch eine quer zur Strömungsrichtung vorgesehene Absaugekammer (11) zur Verlangsamung des Strahlstroms erweitert ist, durch den Hauptauslaß (18) abgesaugt wird,
und ferner ein Teilstrom aus der Absaugekammer (11) durch einen Hilfsauslaß (19) abgesaugt wird, um die Geschwindigkeit des abwärts zum Hauptauslaß (18) gerichteten Strahlstroms weiter zu vermindern, so daß ein aufwärts gerichtetes Zurückprallen von im Strahlstrom mitgeführten Staub- und Schmutzpartikeln verhindert wird.
2. Vorrichtung zur Reinigung von Halbleiterplättchen (7) durch
Bestrahlen mit Mikro-Eispartikeln (4) nach dem Verfahren gemäß
Anspruch 1, mit einer Reinigungskammer (10A), welche an ihrem
Boden einen mit einem Absauggebläse (9) verbundenen Hauptauslaß
(18) hat, dadurch gekennzeichnet, daß die Reinigungskammer (10A)
im unteren Teil quer zur Strömungsrichtung durch Vorsehen einer
Absaugekammer (11) erweitert ist, welche über einen Hilfsauslaß
(19) ebenfalls mit dem Absauggebläse (9) verbunden ist, um durch
Verlangsamung des abwärts zum Hauptauslaß (18) gerichteten
Strahlstroms ein Wiederverschmutzen des Halbleiterplättchens (7)
durch ein aufwärts gerichtetes Zurückprallen von im Strahlstrom
mitgeführten Staub- und Schmutzpartikel zu vermeiden.
3. Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die
Mikro-Eispartikel (4) aus ultrareinem Wasser bestehen.
4. Vorrichtung nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet,
daß die Vorrichtung eine Halteeinrichtung (6) zum Halten des
Halbleiterplättchens (7) in der Reinigungskammer (10A) aufweist.
5. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 2 bis 4, dadurch
gekennzeichnet, daß die Vorrichtung eine die Mikro-Eispartikel
(4) in die Reinigungskammer (10A) zum Halbleiterplättchen (7)
hin injizierende Einspritzdüse (5) aufweist.
6. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 2 bis 5, dadurch
gekennzeichnet, daß die Vorrichtung eine die Einspritzdüse (5)
betätigende Antriebseinrichtung (13) aufweist, wobei die
Antriebseinrichtung und die Einspritzdüse, bis auf deren
Mundstück, außerhalb der Reinigungskammer (10A) angeordnet sind.
7. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 5 oder 6, dadurch
gekennzeichnet, daß die Einspritzdüse (5) von einer Haube (20)
abgedeckt ist.
8. Vorrichtung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die
Haube (20) eine Abströmöffnung (14a) aufweist.
9. Vorrichtung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die
Haube aus einer gelochten Metallplatte besteht.
10. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 2 bis 9, dadurch
gekennzeichnet, daß die Reinigungskammer (10A) in ihrem oberen
Teil unterhalb der Stelle an der das Halbleiterplättchen (7)
während des Reinigens gehalten wird eine Strömungsleitplatte
(15) enthält, deren unterer Teil nach unten zum Zentrum der
Reinigungskammer (10A) hin gekrümmt ist, um den Strahlstrom
gleichförmig abwärts zu dem unteren Teil der Reinigungskammer
(10A) zu lenken und einen aufwärts gerichteten Rückprall des
Strahlstroms weiter zu verhindern.
11. Vorrichtung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß
unmittelbar unterhalb der Strömungsleitplatte (15) in der
Seitenwand der Reinigungskammer (10A) ein Auslaß (14) vorgesehen
ist, um eine Rückprallströmung abzuführen.
12. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 2 bis 11, dadurch
gekennzeichnet, daß der obere Endabschnitt der Reinigungskammer
(10A) als glockenförmig ausgekelchte Öffnung (16) ausgebildet
ist.
13. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 2 bis 12, dadurch
gekennzeichnet, daß der Hauptauslaß (18) ein Drosselorgan (22)
aufweist.
14. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 2 bis 13, dadurch
gekennzeichnet, daß die Reinigungskammer (10A) in ihrem unteren
Abschnitt eine Leitplatte (12) aufweist, die die Mikro-
Eispartikel (4) zum Hauptauslaß (18) leitet.
15. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 2 bis 14, dadurch
gekennzeichnet, daß die Reinigungskammer (10A) und die
Absaugekammer (11) durch eine Trennplatte (17) mit einem
Durchtritt (21) voneinander abgeteilt sind.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2337527A JP2529468B2 (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 半導体ウエハの洗浄装置及び洗浄方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE4139465A1 DE4139465A1 (de) | 1992-06-11 |
DE4139465C2 true DE4139465C2 (de) | 1996-08-29 |
Family
ID=18309490
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE4139465A Expired - Fee Related DE4139465C2 (de) | 1990-11-30 | 1991-11-29 | Verfahren und Vorrichtung zur Reinigung von Halbleiterplättchen |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5217925A (de) |
JP (1) | JP2529468B2 (de) |
DE (1) | DE4139465C2 (de) |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5613509A (en) * | 1991-12-24 | 1997-03-25 | Maxwell Laboratories, Inc. | Method and apparatus for removing contaminants and coatings from a substrate using pulsed radiant energy and liquid carbon dioxide |
US5782253A (en) * | 1991-12-24 | 1998-07-21 | Mcdonnell Douglas Corporation | System for removing a coating from a substrate |
US5354384A (en) * | 1993-04-30 | 1994-10-11 | Hughes Aircraft Company | Method for cleaning surface by heating and a stream of snow |
US5849104A (en) * | 1996-09-19 | 1998-12-15 | Yieldup International | Method and apparatus for cleaning wafers using multiple tanks |
US5810942A (en) * | 1996-09-11 | 1998-09-22 | Fsi International, Inc. | Aerodynamic aerosol chamber |
JPH10144650A (ja) | 1996-11-11 | 1998-05-29 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体材料の洗浄装置 |
US6066032A (en) * | 1997-05-02 | 2000-05-23 | Eco Snow Systems, Inc. | Wafer cleaning using a laser and carbon dioxide snow |
US6036786A (en) * | 1997-06-11 | 2000-03-14 | Fsi International Inc. | Eliminating stiction with the use of cryogenic aerosol |
US5961732A (en) * | 1997-06-11 | 1999-10-05 | Fsi International, Inc | Treating substrates by producing and controlling a cryogenic aerosol |
US6047717A (en) * | 1998-04-29 | 2000-04-11 | Scd Mountain View, Inc. | Mandrel device and method for hard disks |
US6719613B2 (en) * | 2000-08-10 | 2004-04-13 | Nanoclean Technologies, Inc. | Methods for cleaning surfaces substantially free of contaminants utilizing filtered carbon dioxide |
US6543462B1 (en) | 2000-08-10 | 2003-04-08 | Nano Clean Technologies, Inc. | Apparatus for cleaning surfaces substantially free of contaminants |
US6530823B1 (en) | 2000-08-10 | 2003-03-11 | Nanoclean Technologies Inc | Methods for cleaning surfaces substantially free of contaminants |
US6517641B2 (en) | 2001-05-16 | 2003-02-11 | Infineon Technologies Richmond, Lp | Apparatus and process for collecting trace metals from wafers |
US7297286B2 (en) * | 2002-07-29 | 2007-11-20 | Nanoclean Technologies, Inc. | Methods for resist stripping and other processes for cleaning surfaces substantially free of contaminants |
US6764385B2 (en) * | 2002-07-29 | 2004-07-20 | Nanoclean Technologies, Inc. | Methods for resist stripping and cleaning surfaces substantially free of contaminants |
US7101260B2 (en) * | 2002-07-29 | 2006-09-05 | Nanoclean Technologies, Inc. | Methods for resist stripping and other processes for cleaning surfaces substantially free of contaminants |
US7066789B2 (en) * | 2002-07-29 | 2006-06-27 | Manoclean Technologies, Inc. | Methods for resist stripping and other processes for cleaning surfaces substantially free of contaminants |
US7134941B2 (en) * | 2002-07-29 | 2006-11-14 | Nanoclean Technologies, Inc. | Methods for residue removal and corrosion prevention in a post-metal etch process |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6386438A (ja) * | 1986-09-29 | 1988-04-16 | Mitsubishi Electric Corp | ゲツタリング層の形成方法 |
DE3738344A1 (de) * | 1986-11-14 | 1988-05-26 | Mitsubishi Electric Corp | Anlage zum einfuehren von gitterstoerstellen und verfahren dazu |
DE3844649C2 (de) * | 1987-06-23 | 1992-04-23 | Taiyo Sanso Co. Ltd., Osaka, Jp | |
JPH02130921A (ja) * | 1988-11-11 | 1990-05-18 | Taiyo Sanso Co Ltd | 固体表面洗浄装置 |
JPH038327A (ja) * | 1989-06-06 | 1991-01-16 | Mitsubishi Electric Corp | アイススクラバ装置 |
JPH0349224A (ja) * | 1989-07-17 | 1991-03-04 | Mitsubishi Electric Corp | 基板の処理方法 |
JPH03167826A (ja) * | 1989-11-28 | 1991-07-19 | Mitsubishi Electric Corp | 基板表面の洗浄装置 |
JP2529431B2 (ja) * | 1990-02-09 | 1996-08-28 | 大陽酸素株式会社 | 洗浄装置 |
JPH0744166B2 (ja) * | 1990-07-31 | 1995-05-15 | 三菱電機株式会社 | 半導体ウエハ洗浄装置 |
-
1990
- 1990-11-30 JP JP2337527A patent/JP2529468B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1991
- 1991-11-27 US US07/798,738 patent/US5217925A/en not_active Expired - Fee Related
- 1991-11-29 DE DE4139465A patent/DE4139465C2/de not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5217925A (en) | 1993-06-08 |
DE4139465A1 (de) | 1992-06-11 |
JP2529468B2 (ja) | 1996-08-28 |
JPH04206821A (ja) | 1992-07-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE4139465C2 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Reinigung von Halbleiterplättchen | |
DE19758979B4 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Photomaske unter Verwendung einer Reinigungsvorrichtung, diese umfassend eine Zweifluid-Reinigungsstrahldüse | |
EP0813230B1 (de) | Verfahren zum Trockenreinigen von staubverschmutzten Hilfsgegenständen, die zur Handhabung und Aufbewahrung von Halbleiterwafern vorgesehen sind. | |
EP0603919A1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Nassreinigung von Gasen | |
DE112006000793T5 (de) | Lackieranlage mit Luft-Reinigungsmitteln | |
DE10230925A1 (de) | Zweifachfluid-Reinigungsstrahldüse, Reinigungsausrüstung sowie Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung unter Verwendung derselben | |
EP3330660B1 (de) | Vorrichtung, verwendung und verfahren zur reinigung von kühlturmeinbauten | |
DE4310470C1 (de) | Vorrichtung für die Behandlung von Oberflächen | |
DE4103577C2 (de) | ||
DE1287042B (de) | Gaswaescher | |
DE4125195C2 (de) | Reinigungsvorrichtung für Halbleiterplättchen | |
WO2016034626A1 (de) | Separator und verfahren zum abtrennen von partikeln aus einem gasstrom | |
DE2417580A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zum richten eines feste abriebpartikel enhaltenden fluessigkeitsstrahls auf die oberflaeche eines werkstuecks | |
DE102005002844A1 (de) | Reinigungsvorrichtung für Filterbänder | |
EP0563081B1 (de) | Verfahren zum reinigen eines tropfenabscheiders und tropfenabscheider mit reinigungsvorrichtung | |
DE2902461A1 (de) | Vorrichtung zum reinigen von gas | |
DE9418733U1 (de) | Vorrichtung zum Abreinigen von zumindest zeitweise von einem feststoffbeladenen Gas bespülten Wandflächen | |
DE3421587C2 (de) | ||
DE1546677B2 (de) | Vorrichtung zur reinigung eines gasstromes | |
AT396737B (de) | Vorrichtung zum abscheiden von dunst-, fett- und staubpartikeln aus einem luftstrom | |
EP3711840B1 (de) | Entstaubungsanlage | |
EP0597264A1 (de) | Vorrichtung zum Absaugen von insbesondere staubhaltigen Gasen | |
DE102020122129B3 (de) | Strahlvorrichtung und Verfahren zum Mattieren einer Oberfläche | |
DE4035786A1 (de) | Blaskopf einer vorrichtung zum waschen von halbleitermaterialien | |
DE1546677C (de) | Vorrichtung zur Reinigung eines Gasstromes |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
Owner name: TAIYO TOYO SANSO CO., LTD., OSAKA, JP |
|
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |