DE4138779A1 - Methode zur kontaktierung elektronischer bauelemente - Google Patents
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf eine Methode zur Kontaktierung von
elektronischen Bauelementen wie Widerstände, Dioden, Transistoren
und integrierten Schaltungen mit ihrem Trägersubstrat.
Insbesondere bezieht sie sich auf die Kontaktierung von
integrierten Schaltungen auf flexible Leiterfolien und hier
wiederum auf die besondere Form der auf Film gebondeten Chips
(TAB = tape automated bonding) sowie auf die Kontaktierung von
IC′s auf Glas- oder Keramik-Substrate, wie es in der Hybrid
technik oder bei der Kontaktierung von IC′s direkt auf Flüssig
kristall-Anzeigen üblich ist (CoB = Chip on Board).
Die Kontaktierung elektronischer Bauelemente auf ihrer Unterlage
(= Substrat) wird entweder durch Löten oder durch Bonden oder
durch einfaches Anpressen bewerkstelligt. Während das Anpressen
nur in einfachen Fällen und in der Starkstromtechnik Anwendung
findet, sind in der Schwachstromtechnik und in der
Mikroelektronik Löten und Bonden die bevorzugten Verfahren. Bei
IC′s wiederum ist Bonden das bei weitem am meisten benutzte
Verfahren.
Prinzipiell wäre es aber wünschenswert, auch beim Kontaktieren
von IC′s Verfahren anzuwenden, die dem Reflowlöten verwandt sind.
Dies sind die verschiedenen Flip-Chip-Verfahren, die insbesondere
beim Inner-Lead-Bonding des TAB angewandt werden. Abb. 1 gibt
eine schematische Darstellung des Aufbaues eines sogenannten
Bumps, der auf der Kontaktfläche eines IC aufgebaut werden muß,
um eine Verbindung mit der Leiterplatte durch Löten usw. zu
erreichen. Diese Verfahren vergrößern u. a. die Zuverlässigkeit
von Hybridschaltungen, sie erlauben eine noch dichtere Packung
als mit gebondeten Chips, damit auch Gewichtseinsparungen und
damit insgesamt eine Reduktion der Systemkosten.
Die Herstellung der Bumps ist allerdings ein komplizierter
Prozeß mit mehreren Schritten:
- - Titan/Wolfram-Sputtern,
- - Kupfer-Sputtern,
- - Photoresist-Prozesse,
- - galvanisch Kupfer,
- - galvanisch Zinn,
- - Ätzen,
der dazu führt, daß insbesondere bei nicht sehr großen Serien die
Verfahren nicht oft angewandt werden, da eine Reihe spezieller
Werkzeuge für jeden Chip angefertigt werden muß.
Es ist die Aufgabe der vorliegenden Erfindung die Nachteile des
Herstellungsverfahrens der Bumps zu vermeiden, ohne die Vorteile
des Flip-Chip-Verfahrens zu beeinträchtigen. Genauer gesagt, ein
Verfahren zur Flip-Chip-Montage zu finden, das mit wesentlich
weniger Prozess-Schritten auskommt.
Die Befestigung des Flip-Chips auf dem mit Leiterbahnen
versehenen Substrat erfolgt nicht durch Löten, sondern durch
Kleben mit einem Heißsiegelkleber, der nur in einer Richtung,
nämlich in einer Richtung senkrecht zur Chip-Oberfläche die
Elektrizität leitet.
Die Abb. 2, 3 und 4 zeigen, wie eine solche Verbindung aufgebaut
ist.
Die Abb. 2 stellt einen integrierten Schaltkreis dar, auf den man
von der Seite der Kontakte, der sogenannten Pads, herblickt. Die
Größe der Pads ist etwa 100×100 µm. Die Masse des Schaltkreises
1 ist aus Silicium mit den leitenden Pads 2 aus Aluminium.
In der Abb. 3 ist der integrierte Schaltkreis auf eine
Leiterplatte aufgeklebt. Die Leiterplatte 3 trägt auf ihrer
Oberfläche Leiterbahnen 4. Diese liegen jeweils den leitenden
Pads auf dem IC gegenüber.
Abb. 4 zeigt den mit "Detail" bezeichneten Teil des Verbundes
unter stärkerer Vergrößerung.
Man erkennt, daß im Bereich der Klebung 5 eine Reihe von Teilchen
6 sich befinden, die den elektrischen Strom leiten und die daher
den elektrischen Kontakt zwischen den Leiterbahnen 4 der
Leiterplatte und den leitenden Pads 2 auf dem integrierten
Schaltkreis herstellen.
Zwischen zwei benachbarten Leiterbahnen ist dagegen kein Kontakt
möglich, da die Durchmesser der leitenden Teilchen deutlich
kleiner sind als die Abstände der einzelnen Leiterbahnen.
Abb. 3 stellt die Verhältnisse längs der Schnittlinie II der Abb. 2
dar:
Man sieht, daß in den Bereichen 2-4, d. h. wo Leiterbahnen und IC-Pads sich gegenüberliegen, Kontakt zwischen ihnen möglich ist. Zwischen benachbarten Leiterbahnen bzw. Pads ist dagegen kein Kontakt möglich, weil die Abstände der Teilchen groß gegenüber ihren Durchmessern sind.
Man sieht, daß in den Bereichen 2-4, d. h. wo Leiterbahnen und IC-Pads sich gegenüberliegen, Kontakt zwischen ihnen möglich ist. Zwischen benachbarten Leiterbahnen bzw. Pads ist dagegen kein Kontakt möglich, weil die Abstände der Teilchen groß gegenüber ihren Durchmessern sind.
Durch die hier gegebene Beschreibung ist die Erfindung in keiner
Weise eingeschränkt. Die Methode der anisotropen Klebung ist mit
praktisch allen Bauelementen möglich, die ausreichend flache
Kontaktflächen besitzen. Es können also auch alle SMD (surface
mount devices)-Bauteile verwendet werden.
Als Substrate sind geeignet: alle Schichtschaltungen wie Leiter
platten, flexible Leiterfolien, Hybridschaltungen vom Dickfilm- oder
Dünnfilmtyp, flexible Leiterfolien mit HPTF-Leitern,
Flüssigkristallanzeigen, Halbleiter und jedes andere
Basismaterial mit Kontaktflächen ausreichender Ebenheit.
Als Kleber können alle Klebstoffe verwendet werden, die beim
Aneinanderfügen der Teile keine Lösungsmittel mehr enthalten.
Besonders geeignet sind Reaktionsklebstoffe vom 2-Komponenten-
Typ, die kalthärtend oder warmhärtend sein können.
Einkomponenten-Klebstoffe sind ebenfalls geeignet. Unter ihnen
die sogenannten Heißsiegelkleber. Diese werden beim Erwärmen auf
höhere Temperaturen klebrig und besitzen ausreichende Adhäsions-
Eigenschaften, wenn die Klebefuge wieder abgekühlt wird.
Besonders geeignet sind Heißsiegelkleber vom Reaktionstyp. Diese
sind zunächst thermoplastisch und härten unter Wärmeeinwirkung
oder unter dem Einfluß von Wasser zu duroplastischen Polymeren
aus. Die Klebung ist also nicht mehr ohne Zerstörung lösbar.
Als elektrisch leitende Partikel können viele Metalle in Form
kleiner Kügelchen, Fasern oder unregelmäßig geformter Körper ver
wendet werden. Auch Nichtleiter, die mit einer leitenden
Beschichtung versehen sind, wie z. B. mit Silber, Gold oder
anderen Edelmetallen belegte Glasfasern sind brauchbar.
Kohlefasern, Graphitkörner, Halbleiterpulver aller Art und
geeigneter Korngröße sind weitere Beispiele.
Insbesondere sind mit gut leitenden Kohleschichten versehene
scharfkantige Keramik- oder Kristallteilchen verwendbar.
Diese haben besondere Vorteile gegenüber den bisher verwendeten
Metallkugeln oder Metallplättchen: Sie dringen wegen ihrer harten
und scharfkantigen Gestalt oberflächlich in die beiden zu ver
bindenden Leiter ein. Dies ergibt eine erhöhte Sicherheit der
Kontaktierung insbesondere unter den Bedingungen der Lagerung
unter Hitze und Feuchte.
Brauchbar sind z. B. Quarzteilchen, die in einem Wirbelschicht
ofen mit pyrolytischem Kohlenstoff belegt worden sind. Ein
weiterer Vorteil der Verwendung von Keramik- oder Quarzteilchen
ist ihr niedriges spezifisches Gewicht. Dadurch wird die Sedi
mentation der in der Klebstoffpräparation suspendierten leitenden
Teilchen unterbunden oder doch sehr zurückgedrängt.
Die Erfindung wird jetzt an Hand einiger Beispiele erläutert,
jedoch sind diese Beispiele keineswegs einschränkend, und viele
andere Kombinationen der erfindungsgemäßen Merkmale sind denkbar.
100 g Polyurethan-Präpolymer-Lösung (mit 60% Feststoffgehalt
in Äthylacetat) werden mit
40 g Polyester-Harz-Lösung (30% Feststoffgehalt in Benzylalkohol)
und 2 g Kohlepigment, bestehend aus mit Graphit belegtem
Quarzmehl von etwa 20 µm Korngröße
vermischt. Die Mischung hat bald nach der Herstellung eine für
den Siebdruck geeignete Viskosität. Die Mischung soll innerhalb
eines Tages verwendet werden. Mit einem Drucksieb von 90 Maschen
pro cm wird die Masse auf das Trägersubstrat gedruckt (3 in Abb. 3).
Nach Ablüften setzt man den IC auf. Er wird mit einer
Vakuum-Andruck-Vorrichtung auf das Trägersubstrat gedrückt und in
dieser Vorrichtung auf 140° etwa 1 min erhitzt. Nach Abkühlung
sind alle Pads des IC mit ihren Anschlußfahnen verbunden.
100 g eines Epoxid-Harzes Lekutherm (Bayer AG) werden mit 1,75 g
eines Kohlenstoff-Quarz-Pigments der Korngröße 5-7 µm gemischt
= Komponente A.
Diese wird unmittelbar vor der Anwendung mit dem Härter 937 von
CIBA-Geigy gemischt = Komponente B.
Das Mischungsverhältnis ist
Komponente A 1 Teil
Komponente B 0,4 Teile.
Komponente A 1 Teil
Komponente B 0,4 Teile.
Die Anschlüsse der LCD auf dem ITO-gesputterten Glas werden so
herangeführt, daß, wie in der Abb. 5 gezeigt, die Anschlußpads
des IC direkt auf die Anschlußzungen passen. Von den
Anschlußzungen müssen wenigstens die Zuleitungen für die
Speisespannung in hochleitender Ausführung vorliegen, z. B. in
Silber, Nickel oder Gold.
Mit einem Tampon-Drucker wird eine etwa 5 µm dicke Schicht des 2-
Komponenten-Klebers aus Beispiel 2 auf das Glas aufgetragen und
anschließend der umgedrehte IC aufgesetzt. Unter leichtem Druck
läßt man den Kleber aushärten, was nach etwa 4 Stunden bei
Raumtemperatur bzw. nach 10 min bei 80°C der Fall ist.
Auf einer 25 µm starken Kapton-Folie mit einer Beschichtung mit
25 µm Kupfer wird das gleiche Muster wie in Beispiel 3 in das
Kupfer geätzt.
Die flexible Schaltung wird nunmehr mit der Heißsiegelmasse aus
Beispiel 1 bedruckt. Die Teilchen haben jedoch eine Korngröße von
4-6 µm. Nunmehr erfolgt das Aufsetzen des umgedrehten IC und
das Aufsiegeln des IC bei ca. 130°C unter leichtem Druck.
Der Anschluß an die LCD wird in normaler Heat-Seal-Technik
konstruiert.
Claims (6)
1. Kontaktierung eines integrierten Schaltkreises (integrated
circuit = IC) auf eine Leiterbahnstruktur für die Ansteuerung
des IC in flip-chip-Bauweise (d. h. die aktive Seite des IC ist
nach unten gerichtet, wo sich die Leiterbahnstruktur befindet)
dadurch gekennzeichnet, daß die Fixierung des IC mit einem
organischen Harz erfolgt, welches hochleitende Partikel mit
unregelmäßiger Struktur enthält.
2. Verfahren zur Kontaktierung eines IC gemäß Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß die leitenden, unregelmäßig geformten
Partikel aus mit Graphit belegten Keramikteilchen bestehen.
3. Verfahren zur Kontaktierung eines IC gemäß Anspruch 2, dadurch
gekennzeichnet, daß die unregelmäßig geformten Partikel aus
mit Graphit belegten Kristallen geeigneter Korngröße bestehen.
4. Verfahren zur Kontaktierung eines IC gemäß Anspruch 3, dadurch
gekennzeichnet, daß die unregelmäßig geformten Teilchen aus
mit pyrolytischem Kohlenstoff belegten Keramik- oder
Quarzteilchen bestehen.
5. Verfahren zur Kontaktierung eines IC gemäß Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß die leitenden Partikel aus Keramik oder
Kristallen mit einer Metallschicht belegt sind.
6. Verfahren zur Kontaktierung eines IC gemäß Anspruch 1 bis 5,
dadurch gekennzeichnet, daß die Korngröße der leitenden
Partikel zwischen 3 und 50 µm beträgt.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE4138779A DE4138779A1 (de) | 1991-11-26 | 1991-11-26 | Methode zur kontaktierung elektronischer bauelemente |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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DE4138779A DE4138779A1 (de) | 1991-11-26 | 1991-11-26 | Methode zur kontaktierung elektronischer bauelemente |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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DE4138779A1 true DE4138779A1 (de) | 1993-07-29 |
Family
ID=6445573
Family Applications (1)
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DE4138779A Withdrawn DE4138779A1 (de) | 1991-11-26 | 1991-11-26 | Methode zur kontaktierung elektronischer bauelemente |
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Country | Link |
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DE (1) | DE4138779A1 (de) |
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