DE4027341A1 - Vorrichtung und verfahren zum erzeugen eines plasmas - Google Patents
Vorrichtung und verfahren zum erzeugen eines plasmasInfo
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 12
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 5
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 238000005352 clarification Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000007373 indentation Methods 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
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- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32192—Microwave generated discharge
-
- H—ELECTRICITY
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- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32357—Generation remote from the workpiece, e.g. down-stream
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- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32623—Mechanical discharge control means
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Description
Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung und ein Verfahren zum
Erzeugen eines Plasmas gemäß dem Oberbegriff des
Patentanspruches 1 bzw. 6.
Für Ätz- oder Abscheidungsvorgänge auf der Oberfläche eines
Halbleitersubstrats wird im allgemeinen eine
Halbleiterherstellungsvorrichtung für kommerzielle Zwecke
verwendet. Bei einer Halbleiter-Substrat-
Bearbeitungsvorrichtung, bei der ein hochdichtes Plasma
mittels Magnetfelddrehung erzeugt wird, zeigt sich eine
bessere Gleichmäßigkeit des Plasmas. Die bekannte Vorrichtung
zum Erzeugen eines Plasmas umfaßt ferner einen Mikrowellen-
Wellenleiter sowie eine Rechteck-Rund-Umwandlungseinrichtung.
Beide werden dann als Plasmabearbeitungsvorrichtung verwendet,
die hinsichtlich der Plasmadichte eine verbesserte
Gleichmäßigkeit aufzeigt (vgl. JP-PS 16 732/1990). Zur
besseren Verdeutlichung zeigt Fig. 1 eine schematische
Schnittansicht, die einen bekannten ECR (Electron Cyclotron
Resonance)-Aufbau verdeutlicht.
Dieser Aufbau besteht im wesentlichen aus einer Kammer 4, an
derem oberen Teil außenseitig eine Magnetspule 1, stirnseitig
ein Mikrowellenleiter 2 und ein Gaseinlaß 8 vorgesehen sind.
Die Mikrowellen dringen über ein Quarzfenster 3 im oberen
Innenraum der Kammer 4 ein, wodurch Elektronen angeregt
werden. Diese Elektronen bewegen sich dann in dem von der
Spule erzeugten Magnetfeld um die Magnetfeldlinien mit der
Elektronenzyklotronfrequenz. Die Ionen werden über einen
Plasmafokussierring 5 in den unteren Teil der Kammer zu der
auf einem Support 6 lagernden Halbleiterscheibe 7 geführt. Im
Bodenteil der Kammer 4 ist ferner ein Gasauslaß 9 vorgesehen,
der mit einer in der Zeichnung nicht dargestellten Pumpe in
Verbindung steht.
Stehen die beiden Bewegungsfrequenzen miteinander in Resonanz,
d. h. stimmen Elektronenzyklotronfrequenz und
Mikrowellenfrequenz überein, so ist die Bewegungsenergie
maximal. Ebenso kommt der Plasmaerzeugungswirkungsgrad zu
einem Maximum. Die eine Bewegungsfrequenz
(Elektronenzyklotronfrequenz) wird mit Hilfe des durch die
Magnetspule erzeugten Magnetfeldes erhalten, während die
andere durch die Frequenz der Mikrowelle bestimmt ist. Weist
z. B. die Mikrowelle eine Frequenz von 2,45 GHz und das durch
die Magnetspule erzeugte Magnetfeld eine magnetische Induktion
von 875 Gauß auf, so tritt Resonanz auf. Da der Teil, bei dem
Resonanz auftritt, normalerweise im Zentrum liegt und dessen
Breite beschränkt ist, ist die Ionendichte im zentralen Teil
des Plasmas hoch und in dessen Außenbereich niedrig. Nachdem
das Plasma bei dieser bekannten Plasmaerzeugungsvorrichtung
nach dem Heraustreten aus dem Ausströmfenster die
Halbleiterscheibe erreicht, wird der Ätz- bzw.
Abscheidungsvorgang bewirkt. Demzufolge ist der
Ätzgeschwindigkeitsunterschied bzw. der
Abscheidegeschwindigkeitsunterschied zwischen dem zentralen
Teil der Halbleiterscheibe und dem peripheren Teil der
Halbleiterscheibe groß.
Es ist somit Aufgabe der Erfindung, die Vorrichtung und das
Verfahren der eingangs genannten Art so weiterzubilden, daß
eine verbesserte Gleichförmigkeit des Durchschnitts der Ätz-
bzw. Abscheidungsgeschwindigkeit an der Halbleiterscheibe
auftritt.
Die Lösung dieser Aufgabe ergibt sich anhand der
kennzeichnenden Merkmale des Patentanspruches 1 bzw. 6.
Die Erfindung zeigt beachtliche Vorteile. Da zur
Vergleichmäßigung der Dichteverteilung des Plasmas einer
Plasmaerzeugungsvorrichtung gemäß der Erfindung mit Hilfe
eines Strommodulationssystems der eine hohe Ionendichte
aufweisende Teil, bei dem ECR-Resonanz auftritt, radial
verschoben werden kann, kann die Gleichmäßigkeit der
Ätzgeschwindigkeit bzw. der Abscheidungsgeschwindigkeit bei
der Halbleiterscheibe im Vergleich zu der bekannten, einen
konstanten Strom vorsehenden Stromversorgung verbessert
werden.
Die Erfindung wird nachstehend anhand der Zeichnung näher
erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 den Aufbau einer Plasmaerzeugungsvorrichtung, die das
bekannte ECR-System verwendet;
Fig. 2 ein Diagramm, das den Gleichstrom verdeutlicht, der
der Magnetspule in Fig. 1 zugeführt wird;
Fig. 3 ein Blockdiagramm der Magnetspulenstrom-
Erzeugungseinrichtung;
Fig. 4a bis 4d Diagramme von Spannungsverläufen, die im
Funktionsgenerator der Magnetspulenstrom-
Erzeugungseinrichtung erzeugt werden;
Fig. 5a bis 5d Diagramme von modulierten Strömen, die von der
Magnetspulenstrom-Erzeugungseinrichtung der Fig. 3
erzeugt wurden;
Fig. 6 ein Diagramm, das die Ionendichteverteilung des
Inneren des mit Hilfe des ECR-Aufbaus erzeugten
Plasmas wiedergibt;
Fig. 7 ein Diagramm, das eine verbesserte
Ionendichteverteilung des Inneren des Plasmas
wiedergibt, das von dem ECR-System unter Verwendung
des Strommodulationssystems erzeugt wird;
Fig. 8 den Aufbau des ECR-Systems, falls für das
Strommodulationssystem eine einzige Magnetspule
Verwendung findet; und
Fig. 9 den Aufbau des ECR-System, falls für das
Strommodulationssystem zwei Magnetspulen Verwendung
finden.
Wie insbesondere nachfolgend mit Bezug auf Fig. 3 erläutert,
wird gemäß der Erfindung der zur Magnetfelderzeugung der
Magnetspule 1 zugeführte Strom einer Modulation unterzogen; d. h.
anstelle des beim Stand der Technik verwendeten konstanten
Stromes wird ein sich zeitlich ändernder Strom verwendet.
Hierfür wird, wie in Fig. 3 gezeigt, eine
Spannungskombinations- bzw. -mischeinrichtung 11 verwendet,
die eine modulierte Spannung durch Zusammensetzen einer
Bezugsspannung einer Bezugsspannungsquelle 12 und der
Ausgangsspannung eines Modulations-Funktionsgenerators 10
abgibt. Diese von der Spannungskombinationseinrichtung 11
abgegebene modulierte Spannung wird einer Stromquelle 13
zugeführt, so daß der von der Stromquelle 13 an die
Magnetspule 1 abgegebene Strom eine entsprechende
Modulationswellenform aufweist.
Für die Spule 1 zum Erzeugen des magnetischen Feldes kann eine
einzige Spule oder aber ein komplexes Spulensystem Verwendung
finden. Wird dieses komplexe Spulensystem 1, 1′ verwendet, so
werden die in den Spulen 1, 1′ fließenden Ströme i1 und i2
entsprechend zueinander gesteuert. Sind in diesem Fall die
variablen Ströme gegenphasig, so wird der Mischeffekt für
Ionendichte maximiert.
Wie aus Fig. 2 ersichtlich, wird bei dem bekannten ECR-System
ein Strom mit im wesentlichen konstantem Wert mit einem
analogen Ausgangssignal des Systems am Eingang der Stromquelle
erhalten. Da, wie aus Fig. 3 ersichtlich, beim erläuterten
Ausführungsbeispiel die Stromquelle einen variablen
Ausgangsstrom i(t) entsprechend dem Eingangsspannungssignal V1
(im Spannungsbereich von etwa 0 bis 10 V) erzeugt, das von der
Spannungskombinationseinrichtung 11 stammt, wird bei der
Zufuhr dieses Stromes zur Magnetspule 1 ein entsprechendes
Magnetfeld erzeugt.
Da die Resonanz im Mittelteil des Plasmas stattfindet, ergibt
sich die in Fig. 6 verdeutlichte Dichteverteilung des Plasmas;
d. h. die Ionendichte ist im mittleren Teil hoch und im
peripheren Teil gering, falls die Magnetspule 1 mit konstantem
Strom gespeist wird.
Die Ausgangsspannung der Spannungskombinationseinrichtung 11
wird dem Eingang der Stromquelle 13 als
Eingangsspannungssignal V1 zugeführt, und da die
Spannungskombinationseinrichtung 11 das Ausgangssignal V2 des
Funktionsgenerators 10 mit einer von der Bezugsspannungsquelle
abgegebenen Standardspannung V3 des Systems mischt, wird ein
modulierter Strom i(t) erhalten, wie dies in den Fig. 5a bis
5d gezeigt ist. Die Spannungskombinationseinrichtung 11
besteht beispielsweise aus einer Schaltung mit mehreren
aktiven Elementen.
Wie aus den Fig. 4a bis 4d sowie Fig. 7 ersichtlich, nimmt das
Teil mit 875 Gauß, bei dem Resonanz auftritt, während der
Zeitdauer 0 bis t1 eine Form an, bei der in bezug auf die
beiden seitlichen Erhöhungen in der Mitte eine Einbuchtung
vorgesehen ist; d. h. das Mittelteil weist einen Wert auf, der
875 Gauß übersteigt, so daß die in Fig. 7 mit dem
Bezugszeichen F versehene Ionendichteverteilung erhalten wird.
Während des Zeitbereichs von t1 bis t2, bei dem das mittlere
Teil nahe bei 875 Gauß liegt, ist die Ionendichte im
Mittelteil sehr hoch, wie dies anhand der Kurve E in Fig. 7
dargestellt ist. Werden zu diesem Zeitpunkt das Tastverhältnis
und die Frequenz des Modulations-Funktionsgenerators 10
geeignet festgelegt, so ergibt sich die in Fig. 7 anhand der
Kurve G verdeutlichte Ionendichteverteilung; d. h. die
Gleichmäßigkeit der Ätzgeschwindigkeit beim Ätzvorgang bzw.
die Gleichmäßigkeit der Abscheidungsgeschwindigkeit beim
Auftragvorgang wird verbessert.
Das Tastverhältnis t1/t2 liegt vorzugsweise in einem Bereich
von 0,1 bis 0,9 und die Frequenz in einem Bereich von 1/10 bis
10 Hz, falls die Induktivität der Magnetspule berücksichtigt
wird.
Bezugszeichenliste
1 Magnetspule
2 Wellenleiter
3 Quarzfenster
4 Kammer
5 Plasma-Fokussierring
6 Halbleiterscheiben-Support
7 Halbleiterscheibe
8 Gaseinlaß
9 Gasauslaß
10 Modulations-Funktionsgenerator
11 Spannungskombinationseinrichtung
12 Bezugsspannungsquelle
13 Stromquelle
L-R Gesamtdurchmesser der Halbleiterscheibe
A, B, C, D Signalfluß
T Periodendauer
2 Wellenleiter
3 Quarzfenster
4 Kammer
5 Plasma-Fokussierring
6 Halbleiterscheiben-Support
7 Halbleiterscheibe
8 Gaseinlaß
9 Gasauslaß
10 Modulations-Funktionsgenerator
11 Spannungskombinationseinrichtung
12 Bezugsspannungsquelle
13 Stromquelle
L-R Gesamtdurchmesser der Halbleiterscheibe
A, B, C, D Signalfluß
T Periodendauer
Claims (7)
1. Plasmaerzeugungsvorrichtung mit
- - einer Magnetspule (1) und
- - einer Stromquelle (13), deren Ausgang mit der Magnetspule (1) verbunden ist,
dadurch gekennzeichnet,
- - daß eine Spannungskombinationseinrichtung (11) vorgesehen ist, die eine Bezugsspannung (V3) einer Bezugsspannungsguelle (12) und die Ausgangsspannung (V2) eines Modulations-Funktionsgenerators (10) kombiniert und ein moduliertes Spannungssignal (V1) erzeugt, das dem Eingang der Stromquelle (13) zugeführt wird, und
- - daß die Stromquelle (13) der Magnetspule (1) einen Strom zuführt, der sich abhängig vom modulierten Spannungssignal (V1) der Spannungskombinationseinrichtung (11) ändert.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß das Tastverhältnis des Modulations-Funktionsgenerators
(10) im Bereich von 0,1 bis 0,9 und die Frequenz im
Bereich von 1/10 bis 10 Hz liegt, so daß bei geeigneter
Wahl des Tastverhältnisses und der Frequenz eine ebene
Ionendichteverteilung in bezug auf den gesamten
Durchmesser einer Halbleiterscheibe (7) vorliegt und die
Ionendichte einen Mittelwert annimmt.
3. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet,
daß eine zweite Magnetspule (1′) vorgesehen ist und daß
durch Mischen der von den beiden Magnetspulen (1, 1′)
erzeugten Plasmaionendichteverteilungen sich eine im
wesentlichen ebene Verteilung ergibt.
4. Vorrichtung nach Anspruch 3,
dadurch gekennzeichnet,
daß für die zweite Magnetspule (1′) eine separate
Stromquelle zum Liefern eines modulierten Stromes
vorgesehen ist.
5. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Ausgangswellenform des Modulations-
Funktionsgenerators (10) rechteckig, sägezahnförmig,
dreieckförmig, sinusförmig oder dergleichen ist.
6. Verfahren zum Erzeugen eines Plasmas, bei dem einer
Magnetspule einer Plasmaerzeugungsvorrichtung (ECR) zur
Erzeugung eines Magnetfeldes ein Strom zugeführt wird,
dadurch gekennzeichnet,
daß der Strom vor der Zufuhr zur Magnetspule einer
Modulation zur Steigerung der Gleichmäßigkeit des Plasmas
unterzogen wird.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Family
ID=19300212
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5087857A (de) |
JP (1) | JPH0783016B2 (de) |
KR (1) | KR930004713B1 (de) |
DE (1) | DE4027341A1 (de) |
GB (1) | GB2245416B (de) |
HK (1) | HK89997A (de) |
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HK89997A (en) | 1997-08-01 |
KR930004713B1 (ko) | 1993-06-03 |
JPH0783016B2 (ja) | 1995-09-06 |
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KR920001640A (ko) | 1992-01-30 |
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8131 | Rejection |