DE4019219A1 - Verfahren zum herstellen eines substrats fuer selektive kristallzuechtung, verfahren zur selektiven kristallzuechtung und verfahren zum herstellen einer sonnenbatterie durch ihre anwendung - Google Patents
Verfahren zum herstellen eines substrats fuer selektive kristallzuechtung, verfahren zur selektiven kristallzuechtung und verfahren zum herstellen einer sonnenbatterie durch ihre anwendungInfo
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- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims description 107
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 76
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 63
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 42
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 claims description 99
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 claims description 97
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 94
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 29
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 claims description 18
- 238000011282 treatment Methods 0.000 claims description 16
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 10
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 8
- 238000009395 breeding Methods 0.000 claims description 7
- 230000001488 breeding effect Effects 0.000 claims description 7
- 101100346656 Drosophila melanogaster strat gene Proteins 0.000 claims description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 22
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 20
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 16
- 239000010408 film Substances 0.000 description 13
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 11
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 8
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 2
- AXAZMDOAUQTMOW-UHFFFAOYSA-N dimethylzinc Chemical compound C[Zn]C AXAZMDOAUQTMOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 2
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 2
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N arsane Chemical compound [AsH3] RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 108090000623 proteins and genes Proteins 0.000 description 1
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 229910000058 selane Inorganic materials 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
- H01L21/2003—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy characterised by the substrate
- H01L21/2007—Bonding of semiconductor wafers to insulating substrates or to semiconducting substrates using an intermediate insulating layer
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/184—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof the active layers comprising only AIIIBV compounds, e.g. GaAs, InP
- H01L31/1852—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof the active layers comprising only AIIIBV compounds, e.g. GaAs, InP comprising a growth substrate not being an AIIIBV compound
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1876—Particular processes or apparatus for batch treatment of the devices
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/544—Solar cells from Group III-V materials
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
- Y10S117/913—Graphoepitaxy or surface modification to enhance epitaxy
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y10S148/00—Metal treatment
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Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines Sub
strats für selektive Kristallzüchtung, ein Verfahren zur selek
tiven Kristallzüchtung und ein Verfahren zum Herstellen einer
Sonnenbatterie durch Anwendung dieser Verfahren. Insbesondere
betrifft die Erfindung ein Verfahren, mit dem eine selektive
Kristallzüchtung bei niedrigen Kosten kontinuierlich durchge
führt werden kann, ein Verfahren zum Herstellen eines dafür ge
eigneten Substrats für selektive Kristallzüchtung und ein Ver
fahren, mit dem durch Anwendung des vorstehend erwähnten Verfah
rens zur selektiven Kristallzüchtung kontinuierlich eine Sonnen
batterie mit einem guten Wirkungsgrad der Energieumwandlung her
gestellt werden kann.
Sonnenbatterien sind in verschiedenen Instrumenten als Antriebs
energiequellen verwendet worden.
Eine Sonnenbatterie hat einen Funktionsteil, in dem ein pn-Über
gang oder ein pin-Übergang verwendet wird, und als Halbleiter,
der diesen pn-Übergang und pin-Übergang bildet, ist im allgemei
nen Silicium verwendet worden. Im Hinblick auf den Wirkungsgrad
der Umwandlung von Photo- bzw. Lichtenergie in elektromotori
sche Kraft wird die Verwendung von Einkristall-Silicium bevor
zugt, jedoch ist im Hinblick auf eine Vergrößerung der Fläche
und eine Herabsetzung der Kosten amorphes Silicium für vorteil
haft gehalten worden.
In den letzten Jahren sind zum Zweck der Erzielung niedriger Ko
sten, die mit den Kosten der Verwendung von amorphem Silicium
vergleichbar sind, und eines hohen Wirkungsgrades der Energie
umwandlung, der mit dem Wirkungsgrad bei der Verwendung von Ein
kristall-Silicium vergleichbar ist, Untersuchungen über die Ver
wendung von polykristallinem Silicium durchgeführt worden. Bei
dem bekannten Verfahren wurde jedoch polykristallines Silicium
in Form einer Masse in eine Platte geschnitten und verwendet,
und es war infolgedessen schwierig, eine Platte mit einer Dicke
von 0,3 mm oder einer geringeren Dicke zu erhalten, d.h., es
konnte keine Platte erhalten werden, die genügend dünn war, um
eine ausreichende Dosisabsorption möglich zu machen. Folglich
ist eine wirksame Ausnutzung des Materials nicht möglich gewe
sen. In Kürze, es ist zur Verbesserung des Wirkungsgrades und
zur Herabsetzung der Herstellungskosten notwendig, die Dicke
des polykristallinen Siliciums in ausreichendem Maße zu vermin
dern.
Es ist deshalb versucht worden, unter Anwendung von Verfahren
zur Bildung von Dünnfilmen wie z.B. des chemischen Aufdampfungs
verfahrens (CVD-Verfahrens) einen Dünnfilm aus polykristallinem
Silicium zu bilden, jedoch beträgt die Kristallkorngröße, die
durch solch ein Verfahren erhalten wird, höchstens einige Mi
krometer, und der Wirkungsgrad der Energieumwandlung ist sogar
im Vergleich zu dem Wirkungsgrad, der bei dem aus einer Masse
von polykristallinem Silicium geschnittenen Chip erhalten wird,
niedriger.
Es ist auch versucht worden, die Kristallkorngröße durch Be
strahlen eines durch das vorstehend erwähnte CVD-Verfahren ge
bildeten Dünnfilms aus polykristallinem Silicium mit einem La
serstrahl, wodurch ein Schmelzen und Umkristallisieren bzw. Um
schmelzen bewirkt wird, zu vergrößern, jedoch ist die Herabset
zung der Kosten nicht zufriedenstellend, und es ist auch schwie
rig, eine stabile Herzustellung durchzuführen.
Diese Sachlage ist nicht auf Silicium beschränkt, sondern gilt
auch für Verbindungs-Halbleiter.
Andererseits ist aus der US-PS 44 00 409 ein Verfahren bekannt,
mit dem eine Verbesserung der Produktivität bei der Massenfer
tigung von Sonnenbatterien bezweckt wird. Bei diesem Verfahren
wird ein flexibles Substrat, das auf eine Ablaufrolle aufgewic
kelt ist, fortlaufend von der Ablaufrolle abgewickelt; dann
wird das Substrat zu einer Filmbildungskammer befördert; in der
Filmbildungskammer wird eine Filmbildungsbehandlung durchge
führt, und dann wird das Substrat mit dem gebildeten Film fort
laufend auf eine Aufwickelrolle aufgewickelt. Ferner ist aus
der US-PS 44 00 409 bekannt, daß voneinander verschiedene Halb
leiterschichten übereinandergeschichtet bzw. laminiert werden,
indem mehr als eine Filmbildungskammer bereitgestellt wird.
Auch im Fall der Herstellung einer Sonnenbatterie durch dieses
Verfahren wurde jedoch kein polykristalliner Film mit großer
Kristallkorngröße erhalten, und bei der gegenwärtigen Sachlage
wurde kein zufriedenstellender Wirkungsgrad der Energieumwand
lung erzielt.
Aus der offengelegten EP-Patentanmeldung 2 76 961 A2 ist anderer
seits ein Verfahren zur Herstellung einer Sonnenbatterie des
Dünnfilmtyps mit einer ausreichend großen Kristallkorngröße und
einem guten Wirkungsgrad der Energieumwandlung bekannt. Diese
Patentanmeldung offenbart ein "Verfahren zum Herstellen einer
Sonnenbatterie, bei dem auf der Oberfläche eines Substrats eine
erste Halbleiterschicht eines ersten Leitfähigkeitstyps gebil
det wird, wobei die Bildung der ersten Halbleiterschicht einen
Schritt, bei dem der Oberfläche des Substrats ein Material, das
von dem Material, das die Oberfläche des Substrats bildet, ver
schieden ist und eine ausreichend größere Keimbildungsdichte
(ND) als das Material hat, das die Oberfläche des Substrats bil
det, in einer ausreichend kleinen Fläche zugesetzt wird, so daß
das Kristallwachstum nur von einem einzigen Keim ausgeht, wo
durch eine Keimbildungsoberfläche gebildet wird, einen Schritt,
bei dem das Substrat einer Kristallbildungsbehandlung unterzo
gen wird, um auf der Keimbildungsoberfläche einen einzigen Keim
zu bilden, und einen Schritt, bei dem von dem einzigen Keim aus
gehend ein Einkristall gezüchtet wird, umfaßt, und bei dem dann
oberhalb der ersten Halbleiterschicht eine zweite Halbleiter
schicht eines zweiten Leitfähigkeitstyps gebildet wird."
Bei diesem Verfahren wird die Methode zur selektiven Einkri
stallzüchtung angewandt. Die Methode zur selektiven Einkristall
züchtung ist eine Methode, bei der ein Kristall durch Ausnut
zung der Unterschiede zwischen den Materialien hinsichtlich der
Faktoren, die bei dem Verfahren zur Bildung eines Dünnfilms die
Keimbildung beeinflussen, wie z.B. der Oberflächenenergie, des
Anlagerungskoeffizienten, des Freisetzungs- bzw. Loslösungsko
effizienten und der Oberflächen-Diffusionsgeschwindigkeit, se
lektiv wachsen gelassen wird. Im einzelnen handelt es sich um
eine Methode, bei der ein Einkristall auf der Basis einer Keim
bildungsoberfläche wachsen gelassen wird, die sich auf einer
Nicht-Keimbildungsoberfläche (einer Oberfläche mit einer klei
neren Keimbildungsdichte) befindet, wobei die Keimbildungs
oberfläche eine ausreichend größere Keimbildungsdichte als die
Nicht-Keimbildungsoberfläche und eine ausreichend feine Oberflä
che hat, so daß nur ein Keim gebildet wird, von dem ausgehend
ein Einkristall gezüchtet wird. Bei dieser Methode tritt von
der Nicht-Keimbildungsoberfläche ausgehend kein Kristallwachs
tum ein, sondern das Wachstum eines Einkristalls erfolgt nur
von der Keimbildungsoberfläche. Auch im Fall der Anwendung die
ser Methode bleiben jedoch Einzelheiten, die zu verbessern sind,
damit eine Sonnenbatterie, die eine große Fläche hat, mit guter
Produktivität hergestellt wird.
Bei dem Verfahren, das aus der vorstehend erwähnten offengeleg
ten EP-Patentanmeldung 2 76 961 A2 bekannt ist, wird eine übliche
Musterbildung, im allgemeinen unter Anwendung des bekannten
photolithographischen Verfahrens, durchgeführt, um auf der Sub
stratoberfläche eine andere Art eines Materials, aus dem die
Keimbildungsoberfläche wird, bereitzustellen.
Ein solcher photolithographischer Schritt wird durch eine dis
kontinuierliche Behandlung durchgeführt. Aus diesem Grund wurde
eine Vielzahl von Schritten gleichzeitig und kontinuierlich
durchgeführt, um durch die Verwendung von Kristallen mit großer
Korngröße eine leistungsfähige Sonnenbatterie zu erhalten, und
es war deshalb schwierig, die Produktivität zu verbessern.
Bei der gegenwärtigen Sachlage ist es folglich außerordentlich
schwierig, mit Hilfe der Verwendung von Kristallen mit großer
Korngröße durch Anwendung irgendeines der vorstehend beschrie
benen Verfahren mit guter Produktivität eine Sonnenbatterie her
zustellen, die einen guten Wirkungsgrad der Energieumwandlung
liefern kann.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur se
lektiven Kristallzüchtung bereitzustellen, bei dem die Schritte
der Herstellung einer Nicht-Keimbildungsoberfläche und einer
Keimbildungsoberfläche auf einem Substrat kontinuierlich durch
geführt werden, ohne daß die Photolithographie direkt angewandt
wird. Ferner sollen durch die Erfindung ein Verfahren zum Her
stellen des Substrats, das für das erwähnte Verfahren zu verwen
den ist, und ein Verfahren zum Herstellen einer Sonnenbatterie,
die gute Eigenschaften bzw. Kenndaten hat, mit einer ausreichen
den Produktivität bei der Massenfertigung durch Anwendung des
vorstehend erwähnten Verfahrens zur Kristallzüchtung bereitge
stellt werden.
Eine Ausgestaltung der Erfindung besteht in einem Verfahren zum
Herstellen eines Substrats für selektive Kristallzüchtung, bei
dem ein Substrat mit einer Schicht, die aus einem ersten Mate
rial besteht, das eine höhere Keimbildungsdichte hat, und mit
einer darauf aufgeschichteten bzw. laminierten Schicht, die aus
einem zweiten Material besteht, das eine niedrigere Keimbil
dungsdichte als das erste Material hat, dem Errichten eines
elektrischen Feldes unterzogen wird, das in einem gewünschten
Bereich der aus dem zweiten Material bestehenden Schicht kon
zentriert ist, wodurch dieser Bereich entfernt wird, so daß die
Schicht, die aus dem ersten Material besteht, freigelegt wird.
D.h., es ist festgestellt worden, daß ein Substrat für selekti
ve Kristallzüchtung ohne direkte Anwendung der Photolithogra
phie gebildet werden kann, indem an einem gewünschten Bereich
eines Substrats ein elektrisches Feld konzentriert bzw. punkt
förmig errichtet wird, um aus einer Nicht-Keimbildungsoberflä
che eine Keimbildungsoberfläche freizulegen.
Eine weitere Ausgestaltung der Erfindung besteht in einem Ver
fahren zur selektiven Kristallzüchtung, bei dem ein Substrat
mit einer Schicht, die aus einem ersten Material besteht, das
eine höhere Keimbildungsdichte hat, und mit einer darauf aufge
schichteten bzw. laminierten Schicht, die aus einem zweiten Ma
terial besteht, das eine niedrigere Keimbildungsdichte als das
erste Material hat, dem Errichten eines elektrischen Feldes un
terzogen wird, das in einem gewünschten Bereich der aus dem
zweiten Material bestehenden Schicht konzentriert ist, wodurch
dieser Bereich entfernt wird, so daß von der Schicht, die aus
dem ersten Material besteht, ein Bereich freigelegt wird, der
eine ausreichend feine Fläche hat, so daß nur ein einziger Keim
gebildet wird, von dem ausgehend ein Einkristall gezüchtet wird,
bei dem der erwähnte Keim durch Anwendung einer Kristallzüch
tungsbehandlung mit der Gasphasenmethode gebildet wird und bei
dem von dem Keim ausgehend ein Kristall wachsen gelassen wird.
Eine andere Ausgestaltung der Erfindung besteht in einem Ver
fahren zum Herstellen einer Sonnenbatterie, bei dem ein Sub
strat mit einer Schicht, die aus einem ersten Material besteht,
das eine höhere Keimbildungsdichte hat, und mit einer darauf
aufgeschichteten bzw. laminierten Schicht, die aus einem zwei
ten Material besteht, das eine niedrigere Keimbildungsdichte
als das erste Material hat, dem Errichten eines elektrischen
Feldes unterzogen wird, das in einem gewünschten Bereich der
aus dem zweiten Material bestehenden Schicht konzentriert ist,
wodurch dieser Bereich entfernt wird, so daß von der Schicht,
die aus dem ersten Material besteht, ein Bereich freigelegt
wird, der eine ausreichend feine Fläche hat, so daß nur ein ein
ziger Keim gebildet wird, von dem ausgehend ein Einkristall ge
züchtet wird, bei dem der erwähnte Keim durch Anwendung einer
Kristallzüchtungsbehandlung mit der Gasphasenmethode gebildet
wird und bei dem von dem Keim ausgehend ein Kristall wachsen ge
lassen wird, wodurch ein Halbleiterschichtbereich gebildet wird.
Eine weitere Ausgestaltung der Erfindung besteht in einem Ver
fahren zum Herstellen einer Sonnenbatterie mit
einem Schritt, bei dem ein elektrisch leitendes Substrat konti
nuierlich innerhalb einer Kammer bewegt wird, deren Druck ver
mindert werden kann, und auf der Oberfläche des Substrats eine
Schicht mit einer Nicht-Keimbildungsoberfläche gebildet wird,
die eine niedrigere Keimbildungsdichte als die Substratoberflä
che hat,
einem Schritt, bei dem an einem gewünschten Bereich der Schicht,
die aus dem Material besteht, das die Nicht-Keimbildungsoberflä
che bildet, ein elektrisches Feld konzentriert bzw. punktförmig
errichtet wird, um diesen Bereich zu entfernen, und ein Bereich
des elektrisch leitenden Substrats freigelegt wird, der eine
ausreichend feine Fläche hat, so daß nur ein einziger Keim ge
bildet wird, von dem ausgehend ein Einkristall gezüchtet wird,
einem Schritt, bei dem das elektrisch leitende Substrat einer
Kristallzüchtungsbehandlung unterzogen wird, um von dem Keim
ausgehend, der auf der freigelegten Oberfläche des elektrisch
leitenden Substrats gebildet worden ist, einen Kristall wachsen
zu lassen,
einem Schritt, bei dem ein Kristall, der sich im Typ der elek
trischen Leitfähigkeit von dem Kristall, der von dem Keim aus
gehend gezüchtet worden ist, unterscheidet, auf diesem wachsen
gelassen wird,
und einem Schritt, bei dem Elektroden gebildet werden, indem
auf dem Kristall, der sich im Typ der elektrischen Leitfähig
keit unterscheidet, eine Schicht gebildet wird, die aus einem
elektrisch leitenden Material besteht.
Die bevorzugten Ausführungsformen der Erfindung werden nun un
ter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen näher erläutert.
Fig. 1A bis Fig. 1G sind schematische Darstellungen, die zur Er
läuterung der Schritte des erfindungsgemäßen Verfahrens zum Her
stellen einer Sonnenbatterie dienen.
Fig. 2 ist eine schematische Zeichnung, die eine durch das er
findungsgemäße Verfahren hergestellte Sonnenbatterie zeigt.
Fig. 3 ist eine schematische Zeichnung, die ein Beispiel für
eine Vorrichtung zum Herstellen einer Sonnenbatterie zeigt, die
für die Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens anzuwen
den ist.
Bei einer bevorzugten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Ver
fahrens zum Herstellen des Substrats für selektive Kristallzüch
tung wird ein Substrat mit einer Schicht, die aus einem ersten
Material besteht, das eine höhere Keimbildungsdichte hat, und
mit einer darauf aufgeschichteten bzw. laminierten Schicht, die
aus einem zweiten Material besteht, das eine niedrigere Keimbil
dungsdichte als das erste Material hat, dem Errichten eines
elektrischen Feldes unterzogen, das in einem gewünschten Be
reich der aus dem zweiten Material bestehenden Schicht konzen
triert ist, wodurch dieser Bereich entfernt wird, so daß die
Schicht, die aus dem ersten Material besteht, freigelegt wird.
Bei einer bevorzugten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Ver
fahrens zur selektiven Kristallzüchtung wird ein Substrat mit
einer Schicht, die aus einem ersten Material besteht, das eine
höhere Keimbildungsdichte hat, und mit einer darauf aufgeschich
teten bzw. laminierten Schicht, die aus einem zweiten Material
besteht, das eine niedrigere Keimbildungsdichte als das erste
Material hat, dem Errichten eines elektrischen Feldes unterzo
gen, das in einem gewünschten Bereich der aus dem zweiten Mate
rial bestehenden Schicht konzentriert ist, wodurch dieser Be
reich entfernt wird, so daß von der Schicht, die aus dem ersten
Material besteht, ein Bereich freigelegt wird, der eine ausrei
chend feine Fläche hat, so daß ein einziger Keim gebildet wird,
von dem ausgehend ein Einkristall gezüchtet wird, wird der er
wähnte Keim durch Anwendung einer Kristallzüchtungsbehandlung
mit der Gasphasenmethode gebildet und wird von dem Keim ausge
hend ein Kristall wachsen gelassen.
Bei einer bevorzugten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Ver
fahrens zum Herstellen einer Sonnenbatterie wird ein Substrat
mit einer Schicht, die aus einem ersten Material besteht, das
eine höhere Keimbildungsdichte hat, und mit einer darauf aufge
schichteten bzw. laminierten Schicht, die aus einem zweiten Ma
terial besteht, das eine niedrigere Keimbildungsdichte als das
erste Material hat, dem Errichten eines elektrischen Feldes un
terzogen, das in einem gewünschten Bereich der aus dem zweiten
Material bestehenden Schicht konzentriert ist, wodurch dieser
Bereich entfernt wird, so daß von der Schicht, die aus dem er
sten Material besteht, ein Bereich freigelegt wird, der eine
ausreichend feine Fläche hat, so daß nur ein einziger Keim ge
bildet wird, von dem ausgehend ein Einkristall gezüchtet wird,
wird der erwähnte Keim durch Anwendung einer Kristallzüchtungs
behandlung mit der Gasphasenmethode gebildet und wird von dem
Keim ausgehend ein Kristall wachsen gelassen, wodurch ein Halb
leiterschichtbereich gebildet wird.
Eine weitere bevorzugte Ausführungsform des erfindungsgemäßen
Verfahrens zum Herstellen einer Sonnenbatterie umfaßt
einen Schritt, bei dem ein elektrisch leitendes Substrat konti
nuierlich innerhalb einer Kammer bewegt wird, deren Druck ver
mindert werden kann, und auf der Oberfläche des Substrats eine
Schicht mit einer Nicht-Keimbildungsoberfläche gebildet wird,
die eine niedrigere Keimbildungsdichte als die Substratoberflä
che hat,
einen Schritt, bei dem an einem gewünschten Bereich der Schicht,
die aus dem Material besteht, das die Nicht-Keimbildungsoberflä
che bildet, ein elektrisches Feld konzentriert bzw. punktförmig
errichtet wird, um diesen Bereich zu entfernen, und ein Bereich
des elektrisch leitenden Substrats freigelegt wird, der eine
ausreichend feine Fläche hat, so daß nur ein einziger Keim ge
bildet wird, von dem ausgehend ein Einkristall gezüchtet wird,
einen Schritt, bei dem das elektrisch leitende Substrat einer
Kristallzüchtungsbehandlung unterzogen wird, um von dem Keim
ausgehend, der auf der freigelegten Oberfläche des elektrisch
leitenden Substrats gebildet worden ist, einen Kristall wachsen
zu lassen,
einen Schritt, bei dem ein Kristall, der sich im Typ der elek
trischen Leitfähigkeit von dem Kristall, der von dem Keim aus
gehend gezüchtet worden ist, unterscheidet, auf diesem wachsen
gelassen wird,
und einen Schritt, bei dem Elektroden gebildet werden, indem
auf dem Kristall, der sich im Typ der elektrischen Leitfähig
keit unterscheidet, eine Schicht gebildet wird, die aus einem
elektrisch leitenden Material besteht.
Durch das vorstehend erwähnte erfindungsgemäße Verfahren kann
das Substrat mit einer darauf gebildeten Keimbildungsoberfläche
hergestellt werden, ohne daß Behandlungen wie z.B. das direkte
Aufbringen eines Resists, eine Belichtung, eine Entwicklung und
eine Ätzung durchgeführt werden, wodurch eine Verringerung der
Substrat-Herstellungsschritte erzielt werden kann.
Ferner müssen gemäß dem bekannten Verfahren zur Kristallzüch
tung, bei dem eine Keimbildungsoberfläche durch Anwendung der
Photolithographie direkt auf dem Substrat gebildet und dann ein
Kristall wachsen gelassen wird, der Schritt, bei dem die Keim
bildungsoberfläche freigelegt wird, nachdem auf dem Substrat z.
B. SiO2 gebildet worden ist, und der Schritt, bei dem auf der
Keimbildungsoberfläche durch das CVD-Verfahren ein Kristall
wachsen gelassen wird, getrennt durchgeführt werden. Im Gegen
satz dazu können durch die Anwendung des erfindungsgemäßen Ver
fahrens beispielsweise der Schritt der Bildung von SiO2, der
Schritt der Bildung der Keimbildungsoberfläche und der Schritt,
bei dem auf der Keimbildungsoberfläche ein Kristall wachsen ge
lassen wird, gleichzeitig durchgeführt werden, und infolgedes
sen kann der Wirkungsgrad der Kristallzüchtung im Vergleich zu
dem bekannten Verfahren verbessert werden. Ferner kann ein Kri
stallfilm mit großer Korngröße, bei dem die Lage der Korngrenze
auf dem Substrat gesteuert ist, mit einer großen Fläche gebil
det werden. Außerdem kann im Fall der Herstellung einer Sonnen
batterie durch Anwendung dieses Verfahrens eine Sonnenbatterie
mit großer Fläche, die gute Eigenschaften bzw. Kenndaten wie z. B.
einen guten Wirkungsgrad der Energieumwandlung hat, herge
stellt werden, während eine gute Produktivität erzielt wird und
die Kosten herabgesetzt werden.
Die Erfindung wird nachstehend näher erläutert.
Im Rahmen der Erfindung ist das Material für die Bildung der
Keimbildungsoberfläche ein Material mit einer höheren Keimbil
dungsdichte, während das Material für die Bildung der Nicht-
Keimbildungsoberfläche ein Material mit einer niedrigeren Keim
bildungsdichte ist. Als Material für die Bildung der Nicht-
Keimbildungsoberfläche kann beispielsweise ein isolierendes Ma
terial wie z.B. Siliciumoxid (z.B. SiO2) oder Siliciumnitrid
(Si3N4) verwendet werden, während als Material für die Bildung
der Keimbildungsoberfläche beispielsweise Silicium (Si), Gal
liumarsenid (GaAs) oder ein Metall verwendet werden kann. Als
besondere Beispiele für das Metall können W, Cr, Mo, Ni und an
dere erwähnt werden. Beispiele für den zu züchtenden Kristall
sind Silicium, Galliumarsenid und Indiumphosphid (InP). Bei der
Wahl des Materials für die Bildung der Nicht-Keimbildungsober
fläche und des Materials für die Bildung der Keimbildungsober
fläche muß beachtet werden, daß als Material für die Bildung
der Nicht-Keimbildungsoberfläche ein Material verwendet werden
sollte, das eine niedrigere elektrische Leitfähigkeit hat als
das Material für die Bildung der Keimbildungsoberfläche. Die
Keimbildungsoberfläche kann auch gebildet werden, indem ein Ma
terial für die Bildung der Keimbildungsoberfläche auf ein Unter
schichtmaterial aufgebracht wird, das sich von dem Material für
die Bildung der Keimbildungsoberfläche unterscheidet.
Im Rahmen der Erfindung wird die Schicht aus dem Material für
die Bildung der Nicht-Keimbildungsoberfläche einem Spannungs
durchschlag bzw. dielektrischen Durchschlag unterzogen, um den
Bereich, an dem ein hohes elektrisches Feld errichtet wird, zu
entfernen, wodurch die Keimbildungsoberfläche gebildet wird. Im
einzelnen wird eine elektrische Kontaktspitze zum Bewirken ei
nes Spannungsdurchschlags der Schicht aus dem Material für die
Bildung der Nicht-Keimbildungsoberfläche mit einer gewünschten
Stelle auf der Nicht-Keimbildungsoberfläche in Kontakt gebracht,
um eine Spannung anzulegen, wodurch das elektrische Feld in dem
Bereich, wo die vorstehend erwähnte elektrische Kontaktspitze
in Kontakt gebracht worden ist, konzentriert wird. Die angeleg
te Spannung sollte vorzugsweise eine Spannung sein, die wenig
stens 50% und weniger als 100% der Durchschlagsspannung be
trägt und insbesondere wenigstens 70% und höchstens 99% der
Durchschlagsspannung beträgt, damit der Bereich, an dem das ho
he elektrische Feld errichtet wird, entfernt wird. Wenn die an
gelegte Spannung eine Spannung ist, die weniger als 50% der
Durchschlagsspannung beträgt, wird die Ausbeute der Bildung der
Keimbildungsoberfläche vermindert. Andererseits kann bei einer
Spannung, die 100% der Durchschlagsspannung beträgt oder einen
noch höheren Wert hat, auch in anderen Bereichen als dem ge
wünschten Bereich ein Spannungsdurchschlag auftreten.
Als Gestalt der elektrischen Kontaktspitze können beispielswei
se säulenförmige Gestalten wie z.B. die Gestalt eines Zylinders
oder einer polygonalen Säule oder verschiedene Gestalten wie z. B.
die Gestalt eines Kegels, eines polygonalen Kegels oder ei
ner Nadel angewandt werden.
Die Kontaktfläche zwischen der vorstehend erwähnten elektri
schen Kontaktspitze und der Schicht aus dem Material, das die
Nicht-Keimbildungsoberfläche bildet, sollte geeigneterweise we
nigstens 1 µm2 und höchstens 16 µm2 betragen, damit das elektri
sche Feld wirksam konzentriert wird und auch eine ausreichend
feine Keimbildungsoberfläche gebildet wird, so daß nur ein Keim
gebildet wird, von dem ausgehend ein Einkristall gezüchtet wird.
Dies liegt daran, daß manchmal kein guter elektrischer Kontakt
erhalten werden kann, wenn die Kontaktfläche weniger als 1 µm2
beträgt, während manchmal innerhalb einer Keimbildungsoberflä
che eine Vielzahl von Keimen, aus denen Kristalle wachsen, ge
bildet wird, wenn die Kontaktfläche 16 µm2 überschreitet.
Wenn eine Vielzahl von elektrischen Kontaktspitzen mit der
Schicht aus dem Material für die Bildung der Nicht-Keimbildungs
oberfläche in Kontakt gebracht wird, sollte der gegenseitige
Abstand zwischen den elektrischen Kontaktspitzen vorzugsweise
wenigstens 40 µm und höchstens 100 µm betragen, damit die zu
bildende Sonnenbatterie eine ausreichend große lichtempfangende
Fläche hat.
Das elektrische Feld wird von einer Stromquelle unter Anwendung
der vorstehend beschriebenen elektrischen Kontaktspitze z.B. in
einem Muster eines konstanten Gleichstroms, einer Sinusschwin
gung einer Sägezahnschwingung oder eines Impulses bzw. einer
Impulsfolge an einem gewünschten Bereich errichtet.
Die Kristallzüchtungsbehandlung, die angewandt wird, um auf je
der der in der vorstehend beschriebenen Weise auf dem Substrat
freigelegten Keimbildungsoberflächen einen Einkristall zu bil
den, kann vorzugsweise durch Anwendung der Gasphasenmethode, z. B.
durch das Heiß-CVD-Verfahren, das Plasma-CVD-Verfahren, das
optische CVD-Verfahren oder das Ionenplattierverfahren, durch
geführt werden.
Einzelne Beispiele der Erfindung werden nachstehend unter Bezug
nahme auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben.
Fig. 1A bis Fig. 1G sind schematische Darstellungen, die zur Er
läuterung der Schritte des erfindungsgemäßen Verfahrens zum Her
stellen einer Sonnenbatterie dienen.
Zunächst wurde eine Oberfläche eines Bleches 101 aus nichtro
stendem Stahl mit einer Dicke von 0,2 mm durch Anwendung des
photolithographischen Verfahrens geätzt. Dadurch wurde eine An
ordnung von als elektrische Kontaktspitzen dienenden säulenför
migen Vorsprüngen 102, die eine Basis in Form eines Quadrats
mit einer Seitenlänge a = 4 µm und eine Tiefe c = 5 µm hatten,
in einem Abstand b = 100 µm gebildet. In Fig. 1A sind eine
Schnittansicht und eine Unteransicht gezeigt.
Getrennt davon wurde als Material für die Bildung der Keimbil
dungsoberfläche ein Substrat 104 aus nichtrostendem Stahl her
gestellt, und auf der Oberfläche dieses Substrats wurde durch
das übliche Normaldruck-CVD-Verfahren als Material für die Bil
dung der Nicht-Keimbildungsoberfläche eine SiO2-Schicht 103 ab
geschieden. Sie wurde im einzelnen bei einer Substrattemperatur
von 450°C in einer Filmdicke von etwa 20,0 nm abgeschieden.
Dann wurde das vorstehend erwähnte Blech 101 derart auf die
SiO2-Schicht 103 aufgelegt, daß die vorstehend erwähnten säulen
förmigen Vorsprünge 102 die SiO2-Schicht 103 berührten (Fig. 1B).
Durch Anlegen einer 15 V betragenden Impuls- bzw. Stoßspannung
von einer Stromquelle 105 zwischen dem Blech 101 aus nichtro
stendem Stahl und dem Substrat 104 wurde durch die säulenför
migen Vorsprünge 102 an den die säulenförmigen Vorsprünge 102
berührenden Bereichen der SiO2-Schicht 103 konzentriert bzw.
punktförmig ein hohes elektrisches Feld errichtet, um einen
Spannungsdurchschlag hervorzurufen (Fig. 1C). Dabei wurde das
elektrische Feld bei den feinen säulenförmigen Vorsprüngen 102
konzentriert, indem der momentane maximale Wert der Impulsspan
nung derart festgelegt wurde, daß ein elektrisches Feld erhal
ten wurde, das etwas niedriger war als das elektrische Feld,
das einen Spannungsdurchschlag durch die SiO2-Schicht 103 verur
sacht. Aus diesem Grund wurde die elektrische Feldstärke zwi
schen diesen Bereichen (102) und dem Substrat 104 wesentlich hö
her als die Durchschlagfestigkeit der SiO2-Schicht 103, wodurch
die SiO2-Schicht nur in den zwischen den säulenförmigen Vor
sprüngen 102 und dem Substrat 104 angeordneten Bereichen einen
Spannungsdurchschlag erfuhr und entfernt wurde. Dabei kann an
genommen werden, daß SiO2 in Form von SiO sublimiert, weil die
SiO2-Schicht sehr dünn ist. Auf diese Weise wurde die Oberflä
che des als Unterschicht vorhandenen Substrats 104 aus nichtro
stendem Stahl teilweise freigelegt, wodurch die Keimbildungs
oberfläche gebildet wurde. Weil die Durchschlagsspannung von
SiO2 etwa 107 V/cm beträgt und die SiO2-Schicht 103 eine Film
dicke von 20,0 nm hatte, hatte die angelegte Spannung, die auf
15 V festgelegt wurde, einen Wert, der 75% der Durchschlags
spannung der SiO2-Schicht 103 betrug.
Unmittelbar nach der Entfernung der SiO2-Schicht durch das Auf
treten eines Spannungsdurchschlags in Bereichen, die einem Teil
der Vielzahl säulenförmiger Vorsprünge 102 entsprechen, tritt
eine örtliche Wärmeerzeugung ein, weil in diesen Bereichen
durch Kurzschluß zwischen den säulenförmigen Vorsprüngen 102
und dem Substrat 104 aus nichtrostendem Stahl ein übermäßiger
Strom fließt und auch weil die säulenförmigen Vorsprünge fein
sind, und die säulenförmigen Vorsprünge schmelzen sofort weg.
Infolgedessen wird die Impulsspannung gleichmäßig an allen Be
reichen der SiO2-Schicht 103, die zwischen den säulenförmigen
Vorsprüngen 102 und dem Substrat 104 angeordnet sind, angelegt,
bis an irgendeiner Stelle wieder ein Spannungsdurchschlag auf
tritt.
In diesem Beispiel wurde die angelegte Impulsspannung auf ±15 V
und die Frequenz auf 4 Hz festgelegt. Als nach dem Anlegen
der Spannung die Änderung des Verhältnisses der Zahl der gebil
deten Keimbildungsoberflächen zu den säulenförmigen Vorsprüngen
mit dem Ablauf der Zeit untersucht wurde, betrug dieses Verhält
nis nach Ablauf von 5 min etwa 40% und nach Ablauf von 13 min
etwa 100%.
Fig. 1D zeigt das Substrat, das als Nicht-Keimbildungsoberflä
che die in der vorstehend beschriebenen Weise gebildete SiO2-
Schicht und als Keimbildungsoberfläche die Oberfläche des nicht
rostenden Stahls hat. Es wurde festgestellt, daß bei diesem Sub
strat das Verhältnis der Keimbildungsdichte der Keimbildungs
oberfläche zu der Keimbildungsdichte der Nicht-Keimbildungsober
fläche etwa 103 betrug.
Als Material des Bleches bzw. der Platte 101 kann natürlich ein
anderes Metall als nichtrostender Stahl verwendet werden. Es
kann z.B. Mo, Cr, W oder Ni verwendet werden, und auch eine
elektrisch leitende Folie kann verwendet werden.
Dann wurde unter Anwendung des in der vorstehend beschriebenen
Weise erhaltenen Substrats, das in Fig. 1D gezeigt ist, eine se
lektive Si-Einkristallzüchtung durchgeführt, wie sie nachste
hend beschrieben wird.
Als Filmbildungsvorrichtung wurde eine übliche Heiß-CVD-Vorrich
tung angewandt. Als gasförmiges Ausgangsmaterial wurde SiH2Cl2,
als Ätzgas HCl, als Trägergas H2 und als gasförmiges Dotiermit
tel PH3 (als Material, das ein Element der Gruppe V des Perio
densystems enthält) und B2H6 (als Material, das ein Element der
Gruppe III des Periodensystems enthält) verwendet. Zunächst wur
de eine p⁺-Si-Einkristallschicht 106 mit einer Korngröße von et
wa 10 µm gezüchtet, wie sie in Fig. 1E gezeigt ist. Danach wur
de auf der p⁺-Si-Einkristallschicht 106 eine p⁻-Si-Schicht 107
wachsen gelassen, bis sie eine Korngröße von etwa 100 µm erhal
ten hatte und sich benachbarte Einkristalle unter Bildung von
Korngrenzen berührten, wie es in Fig. 1F gezeigt ist. Danach
wurde auf der p⁻-Si-Schicht 107 eine n⁺-Si-Schicht 108 mit ei
ner Dicke von 0,5 µm wachsen gelassen. Die Bedingungen für die
Bildung dieser Halbleiterschichten sind in der nachstehenden
Tabelle 1 gezeigt.
Als die Einkristalle, die in der vorstehend beschriebenen Weise
gezüchtet worden waren, mit einem Lichtmikroskop beobachtet wur
den, wurde festgestellt, daß sie regelmäßig in einem Gitter an
geordnet waren, wodurch bestätigt wurde, daß das Kristallwachs
tum in einer Weise eingetreten war, die dem in dem vorstehend
beschriebenen Schritt von Fig. 1A festgelegten Anordnungsmuster
der säulenförmigen Vorsprünge 102 folgte.
Dann wurde durch Vakuumaufdampfung eine aus Ag bestehende Git
terelektrode 109 gebildet, wie sie in Fig. 1G gezeigt ist.
Als die in der vorstehend beschriebenen Weise erhaltene Sonnen
batterie, die eine Zellenfläche von 1,3 cm2 hatte, unter Anwen
dung eines AM-1,5-Sonnensimulators auf ihre Kenndaten bzw. Ei
genschaften geprüft wurde, wurde festgestellt, daß die Leerlauf
spannung 0,57 V, der Kurzschluß-Photostrom 29,5 mA/cm2 und der
Kurvenfaktor 0,80 betrug, und es wurde ein hoher, 13,5% betra
gender Wirkungsgrad der Energieumwandlung erhalten. Dieser Wir
kungsgrad der Energieumwandlung ist höher als bei der Sonnen
batterie mit amorphem Silicium, die eine bekannte Sonnenbatte
rie mit großer Fläche und geringen Herstellungskosten ist.
Als in derselben Weise eine Sonnenbatterie, die erhalten worden
war, indem zu den vorstehend beschriebenen Schritten dieses Bei
spiels vor der Bildung der Gitterelektrode 109 der Schritt der
Bildung eines lichtdurchlässigen, elektrisch leitenden ITO-Fil
mes (ITO = Indiumzinnoxid) mit einer Dicke von etwa 100,0 nm
durch Elektronenstrahl-Aufdampfung hinzugefügt wurde, auf ihre
Kenndaten bzw. Eigenschaften geprüft wurde, wurde festgestellt,
daß die Oberflächenreflexion vermindert und der Kurzschluß-Pho
tostrom erhöht war, wobei der Wirkungsgrad der Energieumwand
lung auf 14,8% verbessert war.
Eine Sonnenbatterie, die in Fig. 2 gezeigt ist, wurde in ähnli
cher Weise wie die Sonnenbatterie in Beispiel 1 durch die vor
stehend in Beispiel 1 beschriebenen Schritte hergestellt.
Zunächst wurde in ähnlicher Weise wie in dem vorstehend be
schriebenen Beispiel 1 auf einem Blech aus nichtrostendem Stahl
eine Anordnung von säulenförmigen Vorsprüngen mit einer Seiten
länge a = 3 µm, einem Abstand b = 50 µm und einer Tiefe c = 5 µm
gebildet.
Getrennt davon wurde auf der Oberfläche eines Substrats 204 aus
nichtrostendem Stahl durch Anwendung des üblichen Zerstäubungs
verfahrens als Material für die Bildung der Keimbildungsoberflä
che eine AuGe-Schicht 200 mit einer Dicke von 200,0 nm gebildet.
Dann wurde auf der Oberfläche der AuGe-Schicht durch das übli
che CVD-Verfahren unter vermindertem Druck als Material für die
Bildung der Nicht-Keimbildungsoberfläche eine Si3N4-Schicht 203
mit einer Schichtdicke von etwa 15,0 nm abgeschieden. Dann wur
de in derselben Weise wie in Beispiel 1 beschrieben die Keimbil
dungsoberfläche gebildet, wobei eine Impulsspannung von ±12 V
und eine Frequenz von 5 Hz angewandt wurden. Als während der
Bildung der Keimbildungsoberfläche nach dem Anlegen der Impuls
spannung das Verhältnis der Zahl der gebildeten Keimbildungs
oberflächen zu den säulenförmigen Vorsprüngen in Abhängigkeit
von der abgelaufenen Zeit untersucht wurde, wurde festgestellt,
daß dieses Verhältnis nach Ablauf von 10 min etwa 100% betrug.
Dann wurde unter Anwendung des vorstehend beschriebenen Sub
strats eine selektive GaAs-Einkristallzüchtung durchgeführt,
wie sie nachstehend beschrieben wird.
Als Filmbildungsvorrichtung wurde eine übliche MOCVD-Vorrich
tung (MOCVD = CVD unter Anwendung metallorganischer Verbindun
gen) angewandt. Als gasförmiges Ausgangsmaterial wurden Trime
thylgallium (TMG) und Arsin (AsH3), als Trägergas H2 und als
gasförmiges Dotiermittel Selenhydrid (H2Se) und Dimethylzink
(DMZn) verwendet. Zunächst wurde eine n⁺-GaAs-Schicht 206 mit
einer Korngröße von etwa 5 µm gezüchtet. Danach wurde auf der
n⁺-GaAs-Schicht 206 eine n⁻-GaAs-Schicht 207 wachsen gelassen,
bis sie eine Korngröße von etwa 50 µm erhalten hatte und sich
benachbarte Einkristalle unter Bildung von Korngrenzen berühr
ten. Danach wurde auf der n⁻-GaAs-Schicht 207 eine p⁺-GaAs-
Schicht 208 mit einer Dicke von 0,1 µm wachsen gelassen. Die Be
dingungen für die Bildung dieser Halbleiterschichten sind in der
nachstehenden Tabelle 2 gezeigt.
Dann wurde durch Vakuumaufdampfung eine aus Ag bestehende Git
terelektrode 209 gebildet.
Als die in der vorstehend beschriebenen Weise erhaltene Sonnen
batterie, die eine Zellenfläche von 1,0 cm2 hatte, unter Anwen
dung eines AM-1,5-Sonnensimulators auf ihre Kenndaten bzw. Ei
genschaften geprüft wurde, wurde festgestellt, daß die Leerlauf
spannung 0,72 V, der Kurzschluß-Photostrom 20,5 mA/cm2 und der
Kurvenfaktor 0,82 betrug, und es wurde ein hoher, 12,1% betra
gender Wirkungsgrad der Energieumwandlung erhalten. Dieser Wir
kungsgrad der Energieumwandlung ist sehr hoch für eine GaAs-Son
nenbatterie, bei der in der Fensterschicht kein p-GaAlAs vorge
sehen ist.
Fig. 3 ist eine schematische Zeichnung, die schematisch ein Bei
spiel für eine Vorrichtung zum Herstellen einer Sonnenbatterie
zeigt, die zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens an
gewandt werden kann und mit der die Bildung einer Keimbildungs
oberfläche auf einer Substratbahn und die Züchtung eines Kri
stalls auf der Keimbildungsoberfläche gleichzeitig und kontinu
ierlich durchgeführt werden können.
Die einzelnen Bestandteile der in Fig. 3 gezeigten Vorrichtung
zum Herstellen einer Sonnenbatterie befinden sich innerhalb ei
ner nicht gezeigten Kammer, deren Druck vermindert werden kann.
In Fig. 3 wird eine Bahn 302, die z.B. aus nichtrostendem Stahl
besteht und 0,2 mm dick ist, von einer Lieferwalze 801 zuge
führt und tritt zunächst in eine Normaldruck-CVD-Vorrichtung
303 ein. In dieser Vorrichtung wird auf einer Oberfläche der
Bahn 302 SiO2 in einer Dicke von z.B. etwa 20,0 nm abgeschieden.
304, 304′ sind Führungswalzen.
Die Bahn 302, die aus der vorstehend erwähnten CVD-Vorrichtung
303 herauskommt, tritt in eine Vorrichtung 313 zur Bildung ei
ner Keimbildungsoberfläche ein. Die Vorrichtung 313 zur Bildung
einer Keimbildungsoberfläche ist derart aufgebaut, daß eine
Bahn 305 aus nichtrostendem Stahl mit säulenförmigen Vorsprün
gen, die vorher in einem gewünschten Muster auf einer Oberflä
che angeordnet worden sind, von einer Lieferwalze 307 mit einer
Geschwindigkeit zugeführt wird, die gleich der Zuführungsge
schwindigkeit der vorstehend beschriebenen Bahn 302 ist, und
die säulenförmigen Vorsprünge werden zwischen den zwei Führungs
walzen 304′ mit der Bahn 302 in Berührung gebracht. Die Bahn
305 wird durch einen Gummigurt 306, der um zwei Druckwalzen 308
herumgewickelt ist, zuverlässig gegen die Bahn 302 gepreßt. Die
Bahn 305 ist dafür eingerichtet, daß an sie von einer Impuls
spannungs-Stromquelle 309, mit der eine (nicht gezeigte) Steuer
einrichtung verbunden ist, eine Impuls- bzw. Stoßspannung ange
legt wird, die ein gewünschtes Potential und eine gewünschte
Frequenz hat. 307′ ist die Aufwickelrolle der Bahn 305.
Nachdem in der vorstehend beschriebenen Vorrichtung 313 zur Bil
dung einer Keimbildungsoberfläche die Keimbildungsoberfläche in
einem gewünschten Muster gebildet worden ist, tritt die Bahn
302 in eine CVD-Vorrichtung 310 mit vermindertem Druck ein. Die
CVD-Vorrichtung ist in drei Kammern eingeteilt, die durch eine
nicht gezeigte Gasschleuse (bzw. Gastor bzw. Gasschieber) zusam
menhängen, und in den einzelnen Kammern werden nacheinander z.B.
eine p⁺-Si-Schicht, eine p⁻-Si-Schicht und eine n⁺-Si-Schicht
gebildet.
Die Bahn 302, die aus der vorstehend erwähnten CVD-Vorrichtung
310 mit vermindertem Druck herauskommt, tritt in eine Vorrich
tung 311 zur Bildung einer oberen Elektrode ein. Die Vorrich
tung zur Bildung einer Elektrode ist derart aufgebaut, daß sie,
z.B. mit Ag-Paste unter Anwendung eines Maskenmusters, eine obe
re Elektrode bilden und die Elektrode durch eine Heizeinrich
tung trocknen kann.
Die aus der Vorrichtung zur Bildung einer Elektrode herauskom
mende Bahn mit der oberen Elektrode, die in der vorstehend be
schriebenen Vorrichtung 311 zur Bildung einer oberen Elektrode
gebildet worden ist, wird auf eine Aufwickelrolle 312 aufgewic
kelt.
Unter Anwendung der vorstehend beschriebenen Vorrichtung wurde
eine Sonnenbatterie mit dem in Beispiel 1 beschriebenen Aufbau
hergestellt. In diesem Fall wurde eine aus nichtrostendem Stahl
hergestellte Bahn 302 mit einer Dicke von 0,2 mm und einer Brei
te von 30 cm verwendet, und die Bahn 302 konnte mit einer Ge
schwindigkeit von 20 cm/min zugeführt werden. Als die herge
stellte Sonnenbatterie (Probe-Zellenfläche: 1,5 cm2) auf ihre
Kenndaten bzw. Eigenschaften geprüft wurde, wurde festgestellt,
daß ein 11,7% betragender Wirkungsgrad der Energieumwandlung
erhalten wurde, dessen Streuung in Richtung der Breite der Bahn
gering war (±8%).
Infolgedessen ist festgestellt worden, daß durch das erfindungs
gemäße Verfahren eine Sonnenbatterie, die einen hohen Wirkungs
grad der Energieumwandlung zeigt, mit niedrigen Kosten herge
stellt werden kann.
Wie vorstehend beschrieben wurde, kann im Rahmen der Erfindung
ein Substrat mit einer darauf gebildeten Keimbildungsoberfläche
hergestellt werden, ohne daß Behandlungen wie z.B. das direkte
Aufbringen eines Resists, eine Belichtung, eine Entwicklung und
eine Ätzung durchgeführt werden, wodurch eine Verringerung der
Herstellungsschritte erzielt werden kann. Ferner können im Ge
gensatz zu dem bekannten Verfahren zur Kristallzüchtung, bei
dem eine Keimbildungsoberfläche durch Anwendung der Photolitho
graphie direkt auf dem Substrat gebildet und dann ein Kristall
wachsen gelassen wird und bei dem der Schritt, bei dem die Keim
bildungsoberfläche freigelegt wird, nachdem auf dem Substrat z. B.
SiO2 gebildet worden ist, und der Schritt, bei dem auf der
vorstehend erwähnten Keimbildungsoberfläche durch das CVD-Ver
fahren ein Kristall wachsen gelassen wird, getrennt durchge
führt werden müssen, durch die Anwendung des erfindungsgemäßen
Verfahrens der Schritt der Bildung von z.B. SiO2, der Schritt
der Bildung der Keimbildungsoberfläche und der Schritt der Kri
stallzüchtung auf der Keimbildungsoberfläche gleichzeitig durch
geführt werden, wodurch der Wirkungsgrad der Kristallzüchtung
im Vergleich zu dem bekannten Verfahren verbessert werden kann.
Ferner kann ein Kristallfilm mit großer Korngröße, bei dem die
Lage der Korngrenze auf dem Substrat gesteuert ist, mit einer
großen Fläche gebildet werden. Außerdem kann im Fall der Her
stellung einer Sonnenbatterie durch Anwendung dieses Verfahrens
eine Sonnenbatterie mit großer Fläche, die gute Eigenschaften
bzw. Kenndaten wie z.B. einen guten Wirkungsgrad der Energieum
wandlung hat, hergestellt werden, während eine gute Produktivi
tät erzielt wird und die Kosten herabgesetzt werden.
Claims (25)
1. Verfahren zum Herstellen eines Substrats für selektive Kri
stallzüchtung, dadurch gekennzeichnet, daß ein Substrat mit ei
ner Schicht, die aus einem ersten Material besteht, das eine hö
here Keimbildungsdichte hat, und mit einer darauf aufgeschich
teten bzw. laminierten Schicht, die aus einem zweiten Material
besteht, das eine niedrigere Keimbildungsdichte als das erste
Material hat, dem Errichten eines elektrischen Feldes unterzo
gen wird, das in einem gewünschten Bereich der aus dem zweiten
Material bestehenden Schicht konzentriert ist, wodurch dieser
Bereich entfernt wird, so daß die Schicht, die aus dem ersten
Material besteht, freigelegt wird.
2. Verfahren zum Herstellen eines Substrats für selektive Kri
stallzüchtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das
erste Material ein elektrisch leitendes Material ist.
3. Verfahren zum Herstellen eines Substrats für selektive Kri
stallzüchtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das
zweite Material ein isolierendes Material ist.
4. Verfahren zum Herstellen eines Substrats für selektive Kri
stallzüchtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eine
Vielzahl von Stellen der Schicht, die aus dem ersten Material
besteht, freigelegt wird.
5. Verfahren zum Herstellen eines Substrats für selektive Kri
stallzüchtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zum
Errichten des elektrischen Feldes eine Spannung angelegt wird,
die wenigstens 50% und weniger als 100% der Durchschlagsspan
nung der aus dem zweiten Material bestehenden Schicht beträgt.
6. Verfahren zum Herstellen eines Substrats für selektive Kri
stallzüchtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das
elektrische Feld zwischen dem Substrat und einer elektrischen
Kontaktspitze errichtet wird.
7. Verfahren zum Herstellen eines Substrats für selektive Kri
stallzüchtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die
elektrische Kontaktspitze eine säulenförmige Gestalt hat.
8. Verfahren zur selektiven Kristallzüchtung, dadurch gekenn
zeichnet, daß ein Substrat mit einer Schicht, die aus einem er
sten Material besteht, das eine höhere Keimbildungsdichte hat,
und mit einer darauf aufgeschichteten bzw. laminierten Schicht,
die aus einem zweiten Material besteht, das eine niedrigere
Keimbildungsdichte als das erste Material hat, dem Errichten ei
nes elektrischen Feldes unterzogen wird, das in einem gewünsch
ten Bereich der aus dem zweiten Material bestehenden Schicht
konzentriert ist, wodurch dieser Bereich entfernt wird, so daß
von der Schicht, die aus dem ersten Material besteht, ein Be
reich freigelegt wird, der eine ausreichend feine Fläche hat,
so daß nur ein einziger Keim gebildet wird, von dem ausgehend
ein Einkristall gezüchtet wird, daß der erwähnte Keim durch An
wendung einer Kristallzüchtungsbehandlung mit der Gasphasenme
thode gebildet wird und daß von dem Keim ausgehend ein Kristall
wachsen gelassen wird.
9. Verfahren zur selektiven Kristallzüchtung nach Anspruch 8,
dadurch gekennzeichnet, daß das erste Material ein elektrisch
leitendes Material ist.
10. Verfahren zur selektiven Kristallzüchtung nach Anspruch 8,
dadurch gekennzeichnet, daß das zweite Material ein isolieren
des Material ist.
11. Verfahren zur selektiven Kristallzüchtung nach Anspruch
8, dadurch gekennzeichnet, daß eine Vielzahl von Stellen der
Schicht, die aus dem ersten Material besteht, freigelegt wird.
12. Verfahren zur selektiven Kristallzüchtung nach Anspruch 8,
dadurch gekennzeichnet, daß zum Errichten des elektrischen Fel
des eine Spannung angelegt wird, die wenigstens 50% und weni
ger als 100% der Durchschlagsspannung der aus dem zweiten Ma
terial bestehenden Schicht beträgt.
13. Verfahren zur selektiven Kristallzüchtung nach Anspruch 8,
dadurch gekennzeichnet, daß das elektrische Feld zwischen dem
Substrat und einer elektrischen Kontaktspitze errichtet wird.
14. Verfahren zur selektiven Kristallzüchtung nach Anspruch 13,
dadurch gekennzeichnet, deß die elektrische Kontaktspitze eine
säulenförmige Gestalt hat.
15. Verfahren zum Herstellen einer Sonnenbatterie, dadurch ge
kennzeichnet, daß ein Substrat mit einer Schicht, die aus einem
ersten Material besteht, das eine höhere Keimbildungsdichte hat,
und mit einer darauf aufgeschichteten bzw. laminierten Schicht,
die aus einem zweiten Material besteht, das eine niedrigere
Keimbildungsdichte als das erste Material hat, dem Errichten ei
nes elektrischen Feldes unterzogen wird, das in einem gewünsch
ten Bereich der aus dem zweiten Material bestehenden Schicht
konzentriert ist, wodurch dieser Bereich entfernt wird, so daß
von der Schicht, die aus dem ersten Material besteht, ein Be
reich freigelegt wird, der eine ausreichend feine Fläche hat,
so daß nur ein einziger Keim gebildet wird, von dem ausgehend
ein Einkristall gezüchtet wird, daß der erwähnte Keim durch An
wendung einer Kristallzüchtungsbehandlung mit der Gasphasenme
thode gebildet wird und daß von dem Keim ausgehend ein Kristall
wachsen gelassen wird, wodurch ein Halbleiterschichtbereich ge
bildet wird.
16. Verfahren zum Herstellen einer Sonnenbatterie nach Anspruch
15, dadurch gekennzeichnet, daß das erste Material ein elek
trisch leitendes Material ist.
17. Verfahren zum Herstellen einer Sonnenbatterie nach Anspruch
16, dadurch gekennzeichnet, daß das zweite Material ein isolie
rendes Material ist.
18. Verfahren zum Herstellen einer Sonnenbatterie nach Anspruch
15, dadurch gekennzeichnet, daß eine Vielzahl von Stellen der
Schicht, die aus dem ersten Material besteht, freigelegt wird.
19. Verfahren zum Herstellen einer Sonnenbatterie nach Anspruch
15, dadurch gekennzeichnet, daß zum Errichten des elektrischen
Feldes eine Spannung angelegt wird, die wenigstens 50% und we
niger als 100% der Durchschlagsspannung der aus dem zweiten Ma
terial bestehenden Schicht beträgt.
20. Verfahren zum Herstellen einer Sonnenbatterie nach Anspruch
15, dadurch gekennzeichnet, daß das elektrische Feld zwischen
dem Substrat und einer elektrischen Kontaktspitze errichtet
wird.
21. Verfahren zum Herstellen einer Sonnenbatterie nach Anspruch
20, dadurch gekennzeichnet, daß die elektrische Kontaktspitze
eine säulenförmige Gestalt hat.
22. Verfahren zum Herstellen einer Sonnenbatterie, gekennzeich
net durch
einen Schritt, bei dem ein elektrisch leitendes Substrat konti nuierlich innerhalb einer Kammer bewegt wird, deren Druck ver mindert werden kann, und auf der Oberfläche des Substrats eine Schicht mit einer Nicht-Keimbildungsoberfläche gebildet wird, die eine niedrigere Keimbildungsdichte als die Substratoberflä che hat,
einen Schritt, bei dem an einem gewünschten Bereich der Schicht, die aus dem Material besteht, das die Nicht-Keimbildungsoberflä che bildet, ein elektrisches Feld konzentriert bzw. punktförmig errichtet wird, um diesen Bereich zu entfernen, und ein Bereich des elektrisch leitenden Substrats freigelegt wird, der eine ausreichend feine Fläche hat, so daß nur ein einziger Keim ge bildet wird, von dem ausgehend ein Einkristall gezüchtet wird,
einen Schritt, bei dem das elektrisch leitende Substrat einer Kristallzüchtungsbehandlung unterzogen wird, um von dem Keim ausgehend, der auf der freigelegten Oberfläche des elektrisch leitenden Substrats gebildet worden ist, einen Kristall wachsen zu lassen,
einen Schritt, bei dem ein Kristall, der sich im Typ der elek trischen Leitfähigkeit von dem Kristall, der von dem Keim aus gehend gezüchtet worden ist, unterscheidet, auf diesem wachsen gelassen wird,
und einen Schritt, bei dem Elektroden gebildet werden, indem auf dem Kristall, der sich im Typ der elektrischen Leitfähig keit unterscheidet, eine Schicht gebildet wird, die aus einem elektrisch leitenden Material besteht.
einen Schritt, bei dem ein elektrisch leitendes Substrat konti nuierlich innerhalb einer Kammer bewegt wird, deren Druck ver mindert werden kann, und auf der Oberfläche des Substrats eine Schicht mit einer Nicht-Keimbildungsoberfläche gebildet wird, die eine niedrigere Keimbildungsdichte als die Substratoberflä che hat,
einen Schritt, bei dem an einem gewünschten Bereich der Schicht, die aus dem Material besteht, das die Nicht-Keimbildungsoberflä che bildet, ein elektrisches Feld konzentriert bzw. punktförmig errichtet wird, um diesen Bereich zu entfernen, und ein Bereich des elektrisch leitenden Substrats freigelegt wird, der eine ausreichend feine Fläche hat, so daß nur ein einziger Keim ge bildet wird, von dem ausgehend ein Einkristall gezüchtet wird,
einen Schritt, bei dem das elektrisch leitende Substrat einer Kristallzüchtungsbehandlung unterzogen wird, um von dem Keim ausgehend, der auf der freigelegten Oberfläche des elektrisch leitenden Substrats gebildet worden ist, einen Kristall wachsen zu lassen,
einen Schritt, bei dem ein Kristall, der sich im Typ der elek trischen Leitfähigkeit von dem Kristall, der von dem Keim aus gehend gezüchtet worden ist, unterscheidet, auf diesem wachsen gelassen wird,
und einen Schritt, bei dem Elektroden gebildet werden, indem auf dem Kristall, der sich im Typ der elektrischen Leitfähig keit unterscheidet, eine Schicht gebildet wird, die aus einem elektrisch leitenden Material besteht.
23. Verfahren zum Herstellen einer Sonnenbatterie nach Anspruch
22, dadurch gekennzeichnet, daß das elektrisch leitende Sub
strat von einer Rolle eines bahnförmigen flexiblen Substrats ge
liefert wird.
24. Verfahren zum Herstellen einer Sonnenbatterie nach Anspruch
22, dadurch gekennzeichnet, daß die einzelnen Schritte inner
halb verschiedener Kammern mit vermindertem Druck durchgeführt
werden.
25. Verfahren zum Herstellen einer Sonnenbatterie nach Anspruch
22, dadurch gekennzeichnet, daß zum Errichten des elektrischen
Feldes eine Spannung angelegt wird, die wenigstens 50% und we
niger als 100% der Durchschlagsspannung der Schicht beträgt,
die aus dem Material besteht, das die Nicht-Keimbildungsoberflä
che bildet.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15241089 | 1989-06-16 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE4019219A1 true DE4019219A1 (de) | 1990-12-20 |
DE4019219C2 DE4019219C2 (de) | 1992-04-09 |
Family
ID=15539906
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE4019219A Granted DE4019219A1 (de) | 1989-06-16 | 1990-06-15 | Verfahren zum herstellen eines substrats fuer selektive kristallzuechtung, verfahren zur selektiven kristallzuechtung und verfahren zum herstellen einer sonnenbatterie durch ihre anwendung |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5098850A (de) |
JP (1) | JP2746312B2 (de) |
CN (1) | CN1020025C (de) |
DE (1) | DE4019219A1 (de) |
FR (1) | FR2648618B1 (de) |
Families Citing this family (38)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3253099B2 (ja) * | 1990-03-27 | 2002-02-04 | キヤノン株式会社 | 半導体基板の作製方法 |
US5211761A (en) * | 1990-06-29 | 1993-05-18 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Photovoltaic device and manufacturing method thereof |
JP2721271B2 (ja) * | 1990-11-20 | 1998-03-04 | キヤノン株式会社 | 太陽電池の製造方法 |
JP3176072B2 (ja) * | 1991-01-16 | 2001-06-11 | キヤノン株式会社 | 半導体基板の形成方法 |
US5279686A (en) * | 1991-02-20 | 1994-01-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Solar cell and method for producing the same |
US5269852A (en) * | 1991-05-27 | 1993-12-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Crystalline solar cell and method for producing the same |
EP0541033A3 (en) * | 1991-11-08 | 1993-06-30 | Siemens Aktiengesellschaft | Process of fabrication of thin-film polycristalline silicon solar cells |
JPH06163954A (ja) * | 1992-11-20 | 1994-06-10 | Sanyo Electric Co Ltd | 結晶系シリコン薄膜の形成方法及びこの膜を用いた光起電力装置 |
JP4310076B2 (ja) * | 2001-05-31 | 2009-08-05 | キヤノン株式会社 | 結晶性薄膜の製造方法 |
US7704320B2 (en) * | 2003-05-01 | 2010-04-27 | Colorado School Of Mines | Colloidal crystallization via applied fields |
US7074693B2 (en) * | 2003-06-24 | 2006-07-11 | Integrated Materials, Inc. | Plasma spraying for joining silicon parts |
US8324660B2 (en) | 2005-05-17 | 2012-12-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Lattice-mismatched semiconductor structures with reduced dislocation defect densities and related methods for device fabrication |
US9153645B2 (en) | 2005-05-17 | 2015-10-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Lattice-mismatched semiconductor structures with reduced dislocation defect densities and related methods for device fabrication |
CN101268547B (zh) * | 2005-07-26 | 2014-07-09 | 琥珀波***公司 | 包含交替有源区材料的结构及其形成方法 |
US9487812B2 (en) | 2012-02-17 | 2016-11-08 | Colorado School Of Mines | Optical alignment deformation spectroscopy |
US9885644B2 (en) | 2006-01-10 | 2018-02-06 | Colorado School Of Mines | Dynamic viscoelasticity as a rapid single-cell biomarker |
US9878326B2 (en) | 2007-09-26 | 2018-01-30 | Colorado School Of Mines | Fiber-focused diode-bar optical trapping for microfluidic manipulation |
WO2007112066A2 (en) | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Amberwave Systems Corporation | Lattice-mismatched semiconductor structures and related methods for device fabrication |
US8173551B2 (en) | 2006-09-07 | 2012-05-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Defect reduction using aspect ratio trapping |
US7799592B2 (en) * | 2006-09-27 | 2010-09-21 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Tri-gate field-effect transistors formed by aspect ratio trapping |
WO2008039534A2 (en) | 2006-09-27 | 2008-04-03 | Amberwave Systems Corporation | Quantum tunneling devices and circuits with lattice- mismatched semiconductor structures |
US8502263B2 (en) * | 2006-10-19 | 2013-08-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Light-emitter-based devices with lattice-mismatched semiconductor structures |
US8304805B2 (en) | 2009-01-09 | 2012-11-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Semiconductor diodes fabricated by aspect ratio trapping with coalesced films |
US7825328B2 (en) * | 2007-04-09 | 2010-11-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Nitride-based multi-junction solar cell modules and methods for making the same |
US8237151B2 (en) * | 2009-01-09 | 2012-08-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Diode-based devices and methods for making the same |
US9508890B2 (en) | 2007-04-09 | 2016-11-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Photovoltaics on silicon |
US8329541B2 (en) * | 2007-06-15 | 2012-12-11 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | InP-based transistor fabrication |
US10722250B2 (en) | 2007-09-04 | 2020-07-28 | Colorado School Of Mines | Magnetic-field driven colloidal microbots, methods for forming and using the same |
CN101884117B (zh) * | 2007-09-07 | 2013-10-02 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 多结太阳能电池 |
US8183667B2 (en) | 2008-06-03 | 2012-05-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Epitaxial growth of crystalline material |
US8274097B2 (en) | 2008-07-01 | 2012-09-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Reduction of edge effects from aspect ratio trapping |
US8981427B2 (en) | 2008-07-15 | 2015-03-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Polishing of small composite semiconductor materials |
CN102160145B (zh) | 2008-09-19 | 2013-08-21 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 通过外延层过成长的元件形成 |
US20100072515A1 (en) * | 2008-09-19 | 2010-03-25 | Amberwave Systems Corporation | Fabrication and structures of crystalline material |
US8253211B2 (en) | 2008-09-24 | 2012-08-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Semiconductor sensor structures with reduced dislocation defect densities |
CN102379046B (zh) | 2009-04-02 | 2015-06-17 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 从晶体材料的非极性平面形成的器件及其制作方法 |
US9142400B1 (en) | 2012-07-17 | 2015-09-22 | Stc.Unm | Method of making a heteroepitaxial layer on a seed area |
CN115124784B (zh) * | 2022-08-04 | 2022-12-13 | 浙江朗曼通信技术有限公司 | 一种耐高压直流电缆 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4400409A (en) * | 1980-05-19 | 1983-08-23 | Energy Conversion Devices, Inc. | Method of making p-doped silicon films |
EP0276961A2 (de) * | 1987-01-26 | 1988-08-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Sonnenzelle und ihr Herstellungsverfahren |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4243432A (en) * | 1978-09-25 | 1981-01-06 | Photon Power, Inc. | Solar cell array |
US4661370A (en) * | 1984-02-08 | 1987-04-28 | Atlantic Richfield Company | Electric discharge processing of thin films |
US4677250A (en) * | 1985-10-30 | 1987-06-30 | Astrosystems, Inc. | Fault tolerant thin-film photovoltaic cell |
JPH0782996B2 (ja) * | 1986-03-28 | 1995-09-06 | キヤノン株式会社 | 結晶の形成方法 |
JPS6362254A (ja) * | 1986-09-02 | 1988-03-18 | Fuji Electric Co Ltd | 複合光電池の薄膜層切断方法 |
JPH0828470B2 (ja) * | 1986-11-07 | 1996-03-21 | キヤノン株式会社 | 半導体メモリ装置 |
JP2590918B2 (ja) * | 1987-08-22 | 1997-03-19 | 富士電機株式会社 | 非晶質半導体装置の製造方法 |
EP0307109A1 (de) * | 1987-08-24 | 1989-03-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterkristalls und dabei hergestellter Halbleiterkristall |
JPS6451671A (en) * | 1987-08-24 | 1989-02-27 | Canon Kk | Solar cell |
DE58905580D1 (de) * | 1988-03-24 | 1993-10-21 | Siemens Ag | Verfahren zum Herstellen von polykristallinen Schichten mit grobkristallinem Aufbau für Dünnschichthalbleiterbauelemente wie Solarzellen. |
-
1990
- 1990-06-14 US US07/537,818 patent/US5098850A/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-06-15 FR FR9007509A patent/FR2648618B1/fr not_active Expired - Fee Related
- 1990-06-15 DE DE4019219A patent/DE4019219A1/de active Granted
- 1990-06-15 JP JP2155263A patent/JP2746312B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1990-06-16 CN CN90104926A patent/CN1020025C/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4400409A (en) * | 1980-05-19 | 1983-08-23 | Energy Conversion Devices, Inc. | Method of making p-doped silicon films |
EP0276961A2 (de) * | 1987-01-26 | 1988-08-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Sonnenzelle und ihr Herstellungsverfahren |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR2648618B1 (fr) | 1997-08-01 |
DE4019219C2 (de) | 1992-04-09 |
FR2648618A1 (fr) | 1990-12-21 |
JPH0394476A (ja) | 1991-04-19 |
CN1049573A (zh) | 1991-02-27 |
CN1020025C (zh) | 1993-03-03 |
JP2746312B2 (ja) | 1998-05-06 |
US5098850A (en) | 1992-03-24 |
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Legal Events
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---|---|---|---|
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