DE4010644A1 - In einem gehaeuse eingekapselter ic-baustein - Google Patents

In einem gehaeuse eingekapselter ic-baustein

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Description

Die Erfindung bezieht sich auf ein Gehäuse mit mindestens einem darin eingekapselten IC-Baustein mit an seinen Anschlußpunkten kontaktierten, aus dem Gehäuse herausgeführten Versorgungs- und Signalleitungen.
Solche eingekapselten IC-Bausteine werden nach einem bekannten Verfahren in der Weise hergestellt, daß einzelne IC-Bausteine auf spinnenartig ausgestanzte Versorgungs- und Signalleitungen eines Systemträgerbandes aufgelötet und mit feinen Drähtchen angeschlossen werden. Danach werden die IC-Bausteine einschließlich der feinen Drähtchen und den Anschlußpunkten an die Versorgungs- und Signalleitungen durch Umspritzen mit Kunststoff eingekapselt. Schließlich werden die Haltestege des Systemträgerbandes, die die spinnenartig ausgestanzten Versorgungs- und Signalleitungen verbinden, ab- und die miteinander verbundenen Versorgungs- und Signalleitungen hintereinander liegender ICs voneinander getrennt. Die Herstellung derart eingekapselter IC-Bausteine ist wegen der einzeln durchzuführenden Anschlüsse der Anschlußpunkte des IC-Bausteins mit den aus dem Gehäuse herausgeführten Versorgungs- und Signalleitungen über die feinen Drähtchen aufwendig. Ein weiterer Nachteil besteht darin, daß sich die Versorgungs- und Signalleitungen wegen ihrer geringen Eigensteifigkeit leicht verbiegen. Beim späteren Einlöten oder Einschweißen in Schaltungen wird aber eine genaue Position der Versorgungs- und Signalleitungen gefordert. Ein weiterer Nachteil des bekannten IC-Bausteins besteht darin, daß es bei weiterer Miniaturisierung zunehmend schwieriger wird, die Anschlußpunkte des IC-Bausteins mittels feiner Drähtchen mit den aus dem Gehäuse herauszuführenden Versorgungs- und Signalleitungen zu verbinden. Da die feinen Drähtchen frei geführt sind, brauchen sie einen verhältnismäßig großen Sicherheitsabstand voneinander, wodurch die Miniaturisierung weiter eingeschränkt ist.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Gehäuse mit einem darin eingekapselten IC-Baustein zu schaffen, das sich leichter als die bisher bekannten IC-Bausteine enthaltenden Gehäuse herstellen läßt und das vor allem die Voraussetzungen für eine weitere Miniaturisierung bietet.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß bei einem Gehäuse mit mindestens einem darin eingekapselten IC-Bausteine dadurch gelöst, daß die Versorgungs- und Signalleitungen als von einem Substrat getragene Leitungen ausgebildet sind, deren andere im Gehäuse befindliche Enden unmittelbar mit den Anschlußpunkten des IC-Bausteins verbunden und deren außerhalb des Gehäuses befindliche Enden als Anschlüsse für eine außerhalb des Gehäuses befindliche Schaltung oder denen andere ebenfalls innerhalb des Gehäuses liegende Enden als Anschlüsse für eine bis in das Gehäuse hineinreichende Schaltung ausgebildet sind, wobei der IC-Baustein im Gehäuse und das Substrat am Gehäuse geometrisch festgelegt sind.
Da die Versorgungs- und Signalleitungen auf dem Substrat geometrisch festliegen, können sie einen viel geringeren Abstand voneinander als die feinen Verbindungsdrähtchen bekannter IC-Bausteine haben. Das bedeutet, daß die Anschlußpunkte auf dem IC-Baustein näher als bisher angeordnet sein können, ohne daß eine Kurzschlußgefahr besteht. Da die Versorgungs- und Signalleitungen auf dem Substrat geometrisch festliegen, ist auch gewährleistet, daß nicht einzelne Versorgungs- und Signalleitungen eine für das Einlöten oder Einschweißen in Schaltungen unpassende Position einnehmen. Für die geometrisch exakte Zuordnung der Anschlußpunkte des IC-Bausteins und der Anschlüsse der Versorgungs- und Signalleitungen dient das Gehäuse als Bezugspunkt, an dem sowohl der IC-Baustein als auch das die Leitungen tragende Substrat geometrisch festgelegt sind. Nach dieser Lehre der Erfindung können in ein und demselben Gehäuse mehrere IC-Bausteine untergebracht sein.
Das die Versorgungs- und Signalleitungen für den IC-Baustein tragende Substrat läßt sich nach einer Ausgestaltung der Erfindung dadurch herstellen, daß aus einer geschlossenen, elektrisch leitenden Schicht des Substrates unter Verwendung einer Maske das leitende Material bis auf die Versorgungs- und Signalleitungen durch eine energiereiche Strahlung entfernt wird. Als besonders geeignet hat sich dafür die Strahlung eines Lasers erwiesen. Dieses Verfahren läßt sich sowohl bei einer aufkaschierten Metallfolie als auch bei einer mittels Aktivator stromlos abgeschiedenen Metallschicht anwenden. Der besondere Vorteil besteht darin, daß in einem einzigen Bestrahlungsvorgang das gesamte Leiterbild des Substrates erstellt wird, ohne daß es notwendig ist, die einzelnen Leiterzüge einzeln herzustellen.
Während beim Stand der Technik sämtliche Leitungen den gleichen Querschnitt haben, läßt sich bei der Erfindung problemlos den Leitungen in Abhängigkeit von der vorgesehenen Stromstärke ein unterschiedlicher Querschnitt geben.
Das Substrat kann nicht nur die Versorgungs- und Signalleitungen, sondern auch eine elektrische Schaltung tragen, mit deren Leiterbahnen die Anschlüsse verbunden sind.
Für die Ausbildung des Gehäuses gibt es verschiedene Möglichkeiten. Nach einer ersten Alternative ist der IC-Baustein in einem topfförmigen Gehäuseteil untergebracht, der von einem Deckel, der gleichzeitig auch das Substrat und ggf. eine Schaltung tragen kann, verschlossen ist. Nach einer zweiten Alternative kann der IC-Baustein aber auch in einer Ausnehmung einer Leiterplatte angeordnet sein, mit deren Leiterbahnen die Anschlüsse der Versorgungs- und Signalleitungen des Substrates kontaktiert sind. Bei dieser Alternative kann nach einer weiteren Ausgestaltung das Substrat einen Teil der Leiterplatte bilden, wobei deren Versorgungs- und Signalleitungen sich bis auf den Boden der Ausnehmungen erstrecken.
Sofern das Substrat nur die Versorgungs- und Signalleitungen trägt, ist es für die spätere Verwendung von Vorteil, wenn der oder die durch jeweils einen abgedichteten Schlitz aus dem Gehäuse herausgeführten, vorstehenden Teile des Substrates derart herausgeführt und/oder vorgeformt sind, daß ihre Anschlüsse sich in einer für die Kontaktierung mit der Schaltung passenden Lage befinden. Je nachdem, wo die Versorgungs- und Signalleitungen mit den Anschlußpunkten kontaktiert sind und wo die Anschlußleitungen mit der Schaltung kontaktiert werden sollen, kann es notwendig sein, die Anschluß- und Signalleitungen durchzukontaktieren.
Die maßgenaue Ausrichtung der Anschlußpunkte des IC-Bausteins und der Anschlüsse der Versorgungs- und Signalleitungen kann nach herkömmlichen Techniken, z. B. nach der optischen Methode erfolgen. Hilfreich für eine passende Ausrichtung ist es, wenn das Gehäuse und das Substrat zueinander durch Paßelemente festgelegt sind. Sofern nämlich der IC-Baustein nach vorheriger optischer Ausrichtung durch Klebung im Gehäuse festgelegt ist, braucht anschließend das Substrat nur noch mittels der Paßelemente eingelegt zu werden.
Für die Kontaktierung der Anschlußpunkte des IC-Bausteins und der Enden der Versorgungs- und Signalleitungen gibt es verschiedene Möglichkeiten. Nach einer ersten Alternative werden die Anschlußpunkte des IC-Bausteins und die damit kontaktierten Enden der Versorgungs- und Signalleitungen durch Druck in Berührungskontakt gehalten. Sofern das Substrat auch eine Schaltung trägt, können die als Anschlüsse für die Schaltung ausgebildeten Enden der Versorgungs- und Signalleitungen und die damit kontaktierten Leiterbahnen der Schaltung ebenfalls durch Druck in Berührungskontakt gehalten werden. Der Druck kann auf verschiedene Art und Weise, zum Beispiel durch ein vorgespanntes Gehäuse oder durch ein großflächiges Druckpolster, aufgebracht werden. Bevorzugt wird jedoch eine örtliche, nur im Bereich der Anschlußpunkte wirkende Druckbeaufschlagung. Insbesondere ist nach einer Ausgestaltung der Erfindung vorgesehen, daß der Druck von auf der Rückseite des IC-Bausteins oder des Substrates vorgesehenen und innenseitig am Gehäuse abgestützten Druckpolstern aufgebracht wird. Es ist allerdings auch möglich, die Kontakte auf andere Art und Weise herzustellen, beispielsweise durch Löten oder durch eine zwischen den Kontakten angeordnete, nur senkrecht zu seiner Oberfläche elektrisch leitende, elastische, flache Zwischenlage. Im Falle der Verlötung kann im Bereich der Lötverbindungen das Substrat von der Rückseite durchbohrt sein, um die Lötverbindungen besser herstellen zu können.
Im folgenden wird die Erfindung anhand einer Zeichnung näher erläutert. Im einzelnen zeigt
Fig. 1 ein Gehäuse mit einem IC-Baustein in schematischer Darstellung im Querschnitt,
Fig. 2 ein Versorgungs- und Signalleitungen tragendes Substrat des IC-Bausteins gemäß Fig. 1 im Ausschnitt und in Aufsicht,
Fig. 3 den Boden des Gehäuses des IC-Bausteins gemäß Fig. 1 im Ausschnitt und innenseitig,
Fig. 4 das Gehäuse mit IC-Baustein gemäß Fig. 1 im Ausschnitt und im Querschnitt mit einer abgewandelten Durchführung des die Versorgungs- und Signalleitungen tragenden Substrates,
Fig. 5 ein Gehäuse mit einen IC-Baustein im Querschnitt in einer zu Fig. 1 anderen Ausführung,
Fig. 6 ein Gehäuse mit einem IC-Baustein im Querschnitt in einer zu Fig. 1 und 5 anderen Ausführung und
Fig. 7 ein Gehäuse mit einem IC-Baustein im Querschnitt in einer zu den Fig. 1, 5 und 6 anderen Ausführung.
Beim Ausführungsbeispiel der Fig. 1 bis 3 ist ein IC-Baustein 1 in einem Gehäuse, auch Verpackung genannt, eingekapselt, das aus einer Haube 2 und einem Boden 3 besteht. Die Haube 2 und der Boden 3 werden durch vier an den Ecken des quaderförmigen Gehäuses angeordnete aus Paßbohrung und Paß-Stift bestehende Steckverbindungen 4, 5 zusammengehalten. Zusätzlich können die Ränder von Haube 2 und Boden 3 zusammengeklebt oder zusammengeschweißt sein. In der Haube 2 ist der IC-Baustein 1 mittels Klebepunkten 6, 7 geometrisch festgelegt. Vor dieser Festlegung ist der IC-Baustein 1 optisch nach den Paßlöchern der Steckverbindung 4, 5 in der Haube 2 ausgerichtet worden. Der IC-Baustein 1 trägt auf seiner dem Boden 3 zugekehrten Seite an jedem Rand in zwei hintereinander liegenden Reihen versetzt zueinander angeordnete Anschlußpunkte 8, 9. Diesen Anschlußpunkten 8, 9 sind an der Innenseite des Bodens 3 zwei erhabene Bänder 10, 11 aus elastischem Material, z. B. Silikon, zugeordnet, deren Sinn und Zweck später erläutert wird.
Ein in Fig. 2 ausschnittweise dargestelltes Substrat 12 aus einer flexiblen Isolierfolie hat bei einem rechteckigen Gehäuse 2, 3 eine Kreuzform. Es trägt Signal- und Versorgungsleitungen 13. Die Signal- und Versorgungsleitungen 13 können nach bekannten Verfahren (Drucken, Laserbrennen) hergestellt werden und sollten wegen des geringen Widerstandswertes und der dadurch möglichen geringeren Querschnitte rein metallisch sein. Die Signal- und Versorgungsleitungen 13 verlaufen spinnenartig, indem sie von den eng beieinander und versetzt zueinander liegenden Anschlußpunkten des IC-Bausteins entsprechenden Punkten 14 ausgehen und zu weiter auseinander und in der Reihe liegenden größeren Anschlußflächen 15 führen. Die Anschlußflächen 15 sind durch das Substrat 12 durchkontaktiert, damit sie an Anschlußflächen einer Schaltung angelötet werden können. Anstelle einer Druckkontaktierung könnte auch eine Verlötung vorgesehen sein. In einem solchen Fall ist es günstig, eine Perforation rückseitig vorzusehen, über die ein Elektronenstrahl zum Löten zu der Lötstelle gelangen kann.
Wie aus Fig. 1 ersichtlich, sind die aus dem Gehäuse 2, 3 herausgeführten Teile des Substrates 12 abgekröpft, damit die Anschlußflächen 15 in der richtigen Position für die Verlötung mit den Leiterbahnen einer Schaltung sich befinden. Das Substrat 12 weist in den Ecken Paßlöcher 16, 17 auf, durch die vom Boden 3 getragene Paß-Stifte 4a, 5a der Steckverbindung 4, 5 steckbar sind.
Der Zusammenbau des Gehäuses 2, 3 mit IC-Baustein 1 erfolgt auf folgende Art und Weise: Wie bereits erwähnt, wird zunächst der IC-Baustein 1 in der Haube 2 des Gehäuses 2, 3 optisch nach den Paßlöchern der Steckverbindung 4, 5 ausgerichtet und dann durch Klebepunkte 6, 7 geometrisch festgelegt. Nach dem das Substrat 12 mit seinen Passlöchern 16, 17 auf die Paß-Stifte 4a, 5a des Bodens 3 gesteckt ist, werden die Haube 2 und der Boden 3 zusammengebracht, wobei die Steckverbindungen 4, 5 für die genaue Positionierung der beiden Teile sorgen. Da einerseits der IC-Baustein 1 in der Haube 2 und andererseits das Substrat 12 im Boden 3 geometrisch festgelegt sind, erfolgt eine exakte Positionierung der Anschlußpunkte 8, 9 des IC-Bausteins 1 auf den Anschlußpunkten 14 des Substrates 12. Im zusammengebauten Zustand wird der erforderliche Kontaktdruck von den rückseitig auf das Substrat 12 als elastische Druckpolster einwirkende Bänder 10, 11 aufgebracht. In Fig. 1 ist gestrichelt angedeutet, daß das Substrat in eine Leiterplatte übergehen kann.
Während beim Ausführungsbeispiel der Fig. 1 die aus dem Gehäuse herausgeführten Teile des Substrates 12 derart vorgeformt sind, daß die Anschlußflächen 15 sich in der richtigen Position befinden, sind diese Teile beim Ausführungsbeispiel der Fig. 4 schräg aus dem Gehäuse herausgeführt, wobei eine Lippe 2a des Gehäuses 2 als Führung dient. Wird bei einer derartigen Ausbildung ein leichter Druck auf das Gehäuse ausgeübt und gegen die gestrichelt angedeutete Fläche der Leiterplatte gedrückt, dann stellen sich die Anschlußflächen 15 auf die richtige Position ein.
Die Ausführungsbeispiele der Fig. 5, 6 und 7 unterscheiden sich von dem der Fig. 1 bis 3 hauptsächlich dadurch, daß das Substrat nicht nur die Versorgungs- und Signalleitungen, sondern auch noch eine Schaltung trägt.
Beim Ausführungsbeispiel der Fig. 5 bildet das aus starrem Material bestehende Substrat 33 gleichzeitig den Boden des Gehäuses, in dessen Haube 32 der IC-Baustein 31 untergebracht und durch Klebepunkte 36, 37 geometrisch festgelegt ist. Die Haube 32 trägt von den Steckverbindungen 34, 35 die Paß-Stifte 34a, 35a, denen im Substrat 33 entsprechende Paßlöcher zugeordnet sind. Das Substrat 33 trägt neben den Signal- und Versorgungsleitungen 43 die damit verbundenen Leiterbahnen 44 einer gedruckten Schaltung. Durch Druckpolster 40, 41 werden die Anschlußpunkte 38, 39 des IC-Bausteins 31 in Kontakt mit den Signal- und Versorgungsleitungen 43 gehalten.
Beim Ausführungsbeispiel der Fig. 6 ist der IC-Baustein 51 in einer Ausnehmung 53a einer Leiterplatte 53 angeordnet und hier durch Klebepunkte 56, 57 geometrisch festgelegt. Die Versorgungs- und Signalleitungen 63 sind wie in dem Ausführungsbeispiel der Fig. 1 auf einem Substrat 62 angeordnet, das in diesem Fall aber vollständig innerhalb einer Haube 52 untergebracht ist. Die Versorgungs- und Signalleitungen 63 bilden eine elektrische Brücke zu den Leiterbahnen 64 der Leiterplatte 53. Wie bei den übrigen Ausführungsbeispielen wird auch bei diesem Ausführungsbeispiel der Kontaktdruck zwischen den Kontaktpunkten 58, 59 des IC-Bausteins 51 und den Signal- und Versorgungsleitungen 63 einerseits und den Versorgungs- und Signalleitungen 63 und den Leiterbahnen 64 andererseits durch in der Haube 52 angeordnete als Druckpolster wirkende elastische Bänder 60, 60a, 61, 61a aufgebracht. Beim Ausführungsbeispiel der Fig. 7 ist wie beim Ausführungsbeispiel der Fig. 6 der IC-Baustein 71 in einer Ausnehmung 73a einer Leiterplatte 73 angeordnet und hier durch Klebepunkte 76, 77 geometrisch festgelegt. Im Unterschied zur Fig. 6 sind hier die Anschluß- und Signalleitungen 83 direkt mit den Leitungen 84 der Leiterplatte 73 verbunden und erstrecken sich bis auf den Boden der Ausnehmung 73a. Hier sind ihre Anschlußflächen mit den Anschlußpunkten 78, 79 des IC-Bausteins 71 kontaktiert. Durch auf der Rückseite des IC-Bausteins 71 angeordnete und an der Haube 72 abgestützte Druckpolster 80 wird der Kontaktdruck aufgebracht. Alternativ ist es auch möglich, den IC-Baustein 71 durch Klebepunkte in der Haube 72 geometrisch festzulegen, weil durch die Paßelemente 74, 75 die geometrische Zuordnung von Haube 72 zur Ausnehmung 73a und damit auch zu den Enden der Versorgungs- und Signalleitungen gewährleistet ist.
Es versteht sich, daß bei allen Ausführungsbeispielen das Gehäuse nach außen hermetisch verschlossen ist, insbesondere Haube und Bodenplatte miteinander verschmolzen sein können.

Claims (15)

1. Gehäuse (2, 3, 32, 33, 52, 53, 72, 73) mit mindestens einem eingekapselten IC-Baustein (1, 3, 51, 71) mit an seinen Anschlußpunkten (8, 9, 38, 39, 58, 59, 78, 79) kontaktierten, aus dem Gehäuse (2, 3, 32, 33, 52, 53, 72, 73) herausgeführten Versorgungs- und Signalleitungen (13, 43, 63, 83), dadurch gekennzeichnet, daß die Versorgungs- und Signalleitungen (13, 43, 63, 83) als von einem Substrat (12, 33, 62, 73) getragene Leitungen ausgebildet sind, deren im Gehäuse (2, 3, 32, 33, 52, 53, 72, 73) befindliche Enden (14) unmittelbar mit den Anschlußpunkten (8, 9, 58, 78, 79) des IC-Bausteins (1, 31, 51, 71) verbunden und deren andere außerhalb des Gehäuses (2, 3, 32, 33) befindliche Enden als Anschlüsse für eine außerhalb des Gehäuses (2, 3, 32, 33) befindliche Schaltung (44) oder deren andere ebenfalls innerhalb des Gehäuses (52, 53) befindliche Enden als Anschlüsse für eine bis in das Gehäuse (52, 53) hineinreichende Schaltung (44, 64, 84) ausgebildet sind, wobei der IC-Baustein (1, 31, 51, 71) im Gehäuse (2, 3, 32, 33, 52, 53, 72, 73) und das Substrat (12, 33, 62, 73) am Gehäuse (2, 3, 32, 33, 52, 53, 72, 73) geometrisch festgelegt sind.
2. Gehäuse nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Versorgungs- und Signalleitungen (13, 43, 63, 83) einen verschiedenen Querschnitt haben.
3. Gehäuse nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat (33, 53, 73) eine elektrische Schaltung (44, 64, 84) trägt, mit deren Leiterbahnen die Anschlüsse der Versorgungs- und Signalleitungen (43, 63, 83) verbunden sind.
4. Gehäuse nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß das Gehäuse von einer Ausnehmung (53a, 73a) in einer Leiterplatte (53, 73) gebildet ist, mit deren Leiterbahnen (64, 84) die Anschlüsse der Versorgungs- und Signalleitungen (63, 83) des Substrates (62) kontaktiert sind.
5. Gehäuse nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat einen Teil der Leiterplatte (73) bildet, wobei deren Versorgungs- und Signalleitungen (83) sich bis auf den Boden der Ausnehmung (73a) erstrecken.
6. Gehäuse nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß der oder die durch jeweils einen abgedichteten Schlitz aus dem Gehäuse (2, 3) herausgeführten, vorstehenden Teile des Substrates (12) derart herausgeführt und/oder vorgeformt sind, daß ihre Anschlüsse (15) sich in einer für die Kontaktierung mit einer Schaltung passenden Lage befinden.
7. Gehäuse nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß das Gehäuse (2, 3, 32, 33, 52, 53, 72) und das Substrat (12, 33, 62, 73) zueinander durch Paßelemente (4, 5, 34, 35, 74, 75) festgelegt sind.
8. Gehäuse nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Anschlußpunkte (8, 9, 38, 39, 58, 59, 78, 79) des IC-Bausteins (1, 31, 51, 71) und die damit kontaktierten Enden der Versorgungs- und Signalleitungen (13, 43, 63, 83) durch Druck in Berührungskontakt gehalten sind.
9. Gehäuse nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß die als Anschlüsse für die Schaltung (64) ausgebildeten Enden der Versorgungs- und Signalleitungen (63) und die damit kontaktierten Leiterbahnen der Schaltung (64) durch Druck in Berührungskontakt gehalten sind.
10. Gehäuse nach Anspruch 8 oder 9, dadurch gekennzeichnet, daß der Druck von auf der Rückseite des IC-Bausteins (31, 71) oder des Substrates (12, 62) vorgesehene und innenseitig am Gehäuse (2, 3, 32, 33, 52, 53, 72) abgestützte Druckpolster (10, 11, 60, 61, 80) aufgebracht wird.
11. Gehäuse nach Anspruch 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Anschlußpunkte (8, 9) des IC-Bausteins (1) und die damit kontaktierten Enden (15) der Versorgungs- und Signalleitungen (13) und ggf. die Anschlüsse der Schaltung (64) an die Versorgungs- und Signalleitungen (63) gelötet sind.
12. Gehäuse nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen den Anschlußpunkten (8, 9) des IC-Bausteins (1) und ggf. den Anschlüssen der Schaltung (64) und den Versorgungs- und Signalleitungen (43, 63) eine elastische, nur senkrecht zu ihrer Oberfläche elektrisch leitende Zwischenlage eingeklemmt ist.
13. Gehäuse nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß im Bereich der Lötverbindungen das Substrat (12, 33, 62) von der Rückseite aus durchbohrt ist.
14. Verfahren zum Herstellen eines Versorgungs- und Signalleitungen für einen IC-Baustein tragenden Substrates, dadurch gekennzeichnet, daß aus einer geschlossenen elektrisch leitenden Schicht auf einem Substrat unter Verwendung einer Maske das leitende Material bis auf die Versorgungs- und Signalleitungen durch eine energiereiche Strahlung entfernt wird.
15. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß als energiereiche Strahlung die Strahlung eines Lasers verwendet wird.
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