DE4006623A1 - Ionenstrahlquelle - Google Patents
IonenstrahlquelleInfo
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Description
Die Erfindung betrifft eine Ionenstrahlquelle zum Ionisieren
von Teilchen mit Hilfe eines Lasers. Solche Ionenstrahlquel
len werden verwendet, um z. B. dünne Filme herzustellen,
Ionenimplantation vorzunehmen, Schichten zu ätzen oder Sput
termethoden auszuführen.
Fig. 1 zeigt eine herkömmliche Ionenstrahlquelle, die mit
Laserstrahlen arbeitet (JP-A 50/22 999). Ein Teilchenfluß
erzeuger 1 gibt über eine Austrittsdüse 2 einen Atomstrahl 3
aus, der mit dem Licht von drei Farbstofflasern 4 a, 4 b und
4 c über jeweils eine Linse 5 a, 5 b bzw. 5 c bestrahlt wird.
Die Laserstrahlen und der Teilchenstrahl kreuzen sich in
einem Punkt P. Die dabei ionisierten Teilchen fliegen in
einem Strahl 6 zu einer Elektrodenanordnung 7, die dazu
dient, die Ionen aus dem Atomstrahl herauszuziehen. Die
Teilchen im Strahl 3, z. B. Na-Atome, fliegen mit bestimmter
Geschwindigkeit und treffen, wie erwähnt, im Punkt P mit den
konvergierten Laserstrahlen zusammen.
Fig. 2 zeigt das Energieniveau-Diagramm des Na-Atoms. Wenn
der erste Farbstofflaser 4 a eine Wellenlänge von 589 nm auf
weist, werden die Na-Atome vom Grundzustand 3 s 2S1/2 in
einen Zustand 3 p 2P3/2 angeregt. Von dort erfolgt weiteres
Anregen in den Zustand 4 d mit Hilfe des zweiten Farbstoff
lasers mit einer Wellenlänge von 568,8 nm. Dieser Zustand
befindet sich etwa 7000 cm-1 unter der Ionisationsgrenze der
Na-Atome. Weist nun der dritte Farbstofflaser eine Wellen
länge von höchstens 1,4 µm auf, werden die angeregten Na-
Atome ionisiert. Das von der Elektrodenanordnung 7 erzeugte
elektrische Feld lenkt nur Ionen ab und leitet sie als
Ionenstrahl in einen vorgegebenen Bereich.
Für den ersten genannten Übergang ist der Einstein-Koeffi
zient A ungefähr 6,3 × 107(1/s), was zur Folge hat, daß zum
Anregen eine Energiedichte des Laserstrahls von etwa 10W/cm2
bei der Wellenlänge von 589 nm erforderlich ist. Für die
zweite Anregung mit der Wellenlänge von 568,8 nm ist der
Einstein-Koeffizient A ungefähr 1,3 × 107(1/s), was zum An
regen eine Energiedichte von etwa 40 W/cm2 erfordert. Für den
ionisierenden Übergang ist dagegen eine Leistungsdichte für
den dritten Farbstofflaser von etwa 107W/cm2 erforderlich,
da der Absorptionsquerschnitt für direktes Ionisieren von
Na im Zustand 4 d höchstens 10-18 cm2 ist.
Nun ist zu beachten, daß selbst ein großer Farbstofflaser
nur etwa eine Energiedichte von 106 W aufweist, während bei
kontinuierlichem Betrieb der Wert 1 W beträgt. Daher ist es
erforderlich, den Laserstrahl auf einen schmalen Bereich von
mindestens etwa 10-1 cm2 im Fall eines gepulsten Laser
strahls zu verwenden, oder auf höchstens 10-7 cm2 im Fall
eines kontinuierlichen Laserstrahls.
Aufgrund dieser Erfordernisse ist es nicht möglich, einen
großen Ionenstrom zu ziehen.
Weiterhin besteht ein Problem dahingehend, daß das von den
Ionen erzeugte Raumladungsfeld eine Stärke von mindestens
etwa 3 kV/cm einnimmt, wenn die Ionendichte 1010/cm3 oder
mehr ist, was der Fall ist, wenn ein sehr dichter Teilchen
strahl verwendet wird, um die Zahl entnehmbarer Ionen zu
steigern. Dadurch breiten sich die Ionen im Strahl 6 nach
dem Punkt P aus, was dazu führt, daß die Anzahl an Ionen,
die tatsächlich die Elektrodenanordnung 7 erreicht, nicht
erhöht wird. Mit einem Erhöhen der Atomdichte im Teilchen
strahl 3 kann somit kaum ein Erhöhen des Ionenstroms erhal
ten werden.
Ein weiteres Problem besteht dahingehend, daß dann, wenn an
dere Atome oder Moleküle als Alkalimetallatome wie Na oder
Erzalkalimetallatome wie Ca ionisiert werden sollen, die
Wellenlänge des ersten Farbstofflasers sehr kurz sein muß,
sie muß nämlich zwischen dem Vakuumultraviolettbereich von
etwa 100 nm und dem Ultraviolettbereich von etwa 400 nm lie
gen. Übliche Farbstofflaser haben jedoch eine untere Wellen
längengrenze von etwa 200 nm. Dadurch ist die Zahl ionisier
barer Substanzen stark eingeengt.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Ionenstrahl
quelle anzugeben, die so aufgebaut ist, daß auch mit relativ
schwacher Laserleistung üblicher Farbstofflaser viele Sub
stanzen mit gutem Wirkungsgrad ionisiert werden können.
Die Erfindung ist durch die Merkmale von Anspruch 1 gegeben.
Vorteilhafte Weiterbildungen und Ausgestaltungen sind Gegen
stand der Unteransprüche.
Die erfindungsgemäße Ionenstrahlquelle zeichnet sich dadurch
aus, daß Teilchen zunächst bis in einen Rydberg-Zustand an
geregt werden und von dort aus durch die Energie eines elek
trischen Feldes ionisiert werden. Für diese Ionisierung
durch ein elektrisches Feld ist der Wirkungsgrad sehr hoch.
Verschiedene der Ausführungsbeispiele und der Unteransprüche
betreffen besonders vorteilhafte Ausgestaltungen zum Erzeu
gen von Strahlen angeregter Teilchen.
Die Erfindung wird im folgenden anhand von durch Figuren
veranschaulichten Ausführungsbeispielen näher erläutert. Es
zeigen:
Fig. 1 schematische Ansicht einer herkömmlichen
Ionenstrahlquelle;
Fig. 2 Energieniveaudiagramm für Na;
Fig. 3 schematische Ansicht einer einfach aufgebau
ten Ionenstrahlquelle, bei der Teilchen zunächst in einen
Rydberg-Zustand überführt werden und dann durch ein elektri
sches Feld ionisiert werden;
Fig. 4 Darstellung eines Laserstrahlerzeugers, wie
er in der Ionenstrahlquelle gemäß Fig. 3 verwendet wird;
Fig. 5 Energieniveaudiagramm für Na, durch das das
Ausnutzen eines Rydberg-Zustandes veranschaulicht wird;
Fig. 6 Diagramm betreffend die Größe des Absorp
tionsquerschnitts des Übergangs 3 p-nd für Na abhängig vom
Wert der Hauptquantenzahl n;
Fig. 7 Diagramm für die Abhängigkeit der Lebens
dauer des Zustandes nd von Na, abhängig vom Wert der Haupt
quantenzahl n;
Fig. 8 zeitkorrelierte Diagramme zum Erläutern, wie
ein Laserstrahl und ein elektrisches Feld gepulst werden;
Fig. 9 schematische Darstellung einer Ionenstrahl
quelle, bei der ein elektrisches Feld parallel zur Teilchen
strahlrichtung verwendet wird;
Fig. 10 zeitkorrelierte Diagramme zum Erläutern, wie
ein elektrisches Feld bei kontinuierliche eingestrahltem
Laserlicht gepulst wird;
Fig. 11 Ionenstrahlquelle entsprechend der von Fig. 3,
jedoch mit einem Magnetfeld parallel zum elektrischen
Feld;
Fig. 12 Ionenstrahlquelle entsprechend der von Fig.
9, jedoch mit einem im Ionenstrahl angeordneten Substrat;
Fig. 13 Ionenstrahlquelle mit zwei Teilchenflußer
zeugern;
Fig. 14 Laserstrahlerzeuger entsprechend dem von
Fig. 4, jedoch für die Ionenstrahlquelle gemäß Fig. 13;
Fig. 15 schematische Darstellung eines Teilchen
flußerzeugers für Teilchen aus einem Material, das bei Zim
mertemperatur gasförmig ist;
Fig. 16 schematische Darstellung eines Teilchenfluß
erzeugers für Teilchen als einem Material, das bei Raumtem
peratur fest ist;
Fig. 17 Energieniveaudiagramm für Ga unter Ausnut
zung des Rydberg-Zustandes;
Fig. 18 Diagramm zum Veranschaulichen des elektroni
schen Austauschquerschnitts für den Elektronenaustausch von
Xe im Rydberg-Zustand mit SF6, CCl4 und CCl3F;
Fig. 19 Ionenstrahlerzeuger gemäß Fig. 13, wobei je
doch eine positive statt einer negativen Spannung verwendet
wird;
Fig. 20 Ionenstrahlerzeuger gemäß Fig. 13, wobei je
doch zusätzlich ein magnetisches Feld verwendet wird;
Fig. 21 Ionenstrahlerzeuger gemäß Fig. 13, wobei je
doch zwei einzelne Farbstofflaser vewrendet werden;
Fig. 22 Ionenstrahlerzeuger gemäß Fig. 13, wobei je
doch ein Laserstrahl entgegengesetzt zur Flugrichtung von
Teilchen im zweiten Teilchenstrahl verwendet wird;
Fig. 23 Ionenstrahlerzeuger gemäß Fig. 22, wobei je
doch die Teilchen in einem ersten Teilchenstrahl durch ein
Loch in einer Elektrode in den Raum zwischen den Elektroden
eingeführt werden;
Fig. 24 schematische Darstellung eines Ultraschall-
Teilchenerzeugers;
Fig. 25 Ionenstrahlquelle entsprechend der von Fig.
13, wobei jedoch statt eines Teilchenstrahlerzeugers eine
Entladungskammer verwendet wird;
Fig. 26 schematische Darstellung einer Entladungs
kammer;
Fig. 27 Energieniveaudiagramm von Ga, unter Ausnut
zung eines Rydberg-Zustandes;
Fig. 28 Ionenstrahlquelle entsprechend der von Fig.
25, jedoch mit einem positiven statt einem negativen Poten
tial an einer Elektrode;
Fig. 29 Ionenstrahlquelle entsprechend der von Fig.
25, jedoch mit einem zusätzlichen Magnetfeld;
Fig. 30 Ionenstrahlquelle entsprechend der von Fig.
25, jedoch mit zwei einzelnen Farbstofflasern;
Fig. 31 Ionenstrahlquelle entsprechend der von Fig.
25, jedoch mit einem Laserstrahl entgegengesetzt zur Flug
richtung eines zweiten Teilchenstrahls;
Fig. 32 Ionenstrahlquelle entsprechend der von Fig.
25, wobei jedoch ein erster Teilchenstrahl durch ein Loch in
einer Elektrode in den Raum zwischen zwei Elektroden einge
führt wird;
Fig. 33 Ionenstrahlerzeuger entsprechend dem von
Fig. 13, jedoch mit einem zusätzlichen Strahlerzeuger für
geladene Teilchen;
Fig. 34 schematische Darstellung einer Einrichtung
zum Erzeugen eines Elektronenstrahls;
Fig. 35 Ionenstrahlerzeuger entsprechend dem von
Fig. 33, jedoch mit einem positiven statt einem negativen
Potential an einer Elektrode;
Fig. 36 Ionenstrahlerzeuger entsprechend dem von
Fig. 33, jedoch mit einem zusätzlichen Magnetfeld;
Fig. 37 Ionenstrahlerzeuger entsprechend dem von
Fig. 33, jedoch mit zwei gesonderten Farbstofflasern;
Fig. 38 Ionenstrahlquelle entsprechend der von Fig.
33, jedoch mit einem Laserstrahl entgegengesetzt zur Flug
richtung eines zweiten Teilchenstrahls;
Fig. 39 Ionenstrahlquelle entsprechend der von Fig.
33, wobei jedoch erste Teilchen durch ein Loch in einer
Elektrode in den Raum zwischen zwei Elektroden eingeschossen
werden;
Fig. 40 Ionenstrahlerzeuger, bei dem zwei unter
schiedliche Teilchenstrahlen aus einem einzelnen Teilchen
flußerzeuger ausgegeben werden;
Fig. 41 schematische Darstellung eines Teilchenfluß
erzeugers, wie er bei der Ionenstrahlquelle gemäß Fig. 40
verwendet wird;
Fig. 42 Ionenstrahlquelle entsprechend der von Fig.
40, wobei jedoch ein positives statt ein negatives Potential
an eine Elektrode angelegt wird;
Fig. 43 Ionenstrahlerzeuger entsprechend dem von
Fig. 40, wobei jedoch zusätzlich ein magnetisches Feld vor
handen ist;
Fig. 44 Ionenstrahlerzeuger entsprechend dem von
Fig. 40, wobei jedoch zwei einzelne Farbstofflaser verwen
det werden;
Fig. 45 Ionenstrahlquelle entsprechend der von Fig. 40,
wobei jedoch ein Laserstrahl verwendet wird, dessen
Strahlrichtung entgegengesetzt zur Flugrichtung von Teilchen
ist;
Fig. 46 Ionenstrahlquelle entsprechend der von Fig.
40, wobei die Teilchen durch ein Loch in einer Elektrode in
den Raum zwischen zwei Elektroden eingeschossen werden;
Fig. 47 Ionenstrahlquelle entsprechend der von Fig. 40,
wobei jedoch als Teilchenflußerzeuger eine Gasentla
dungskammer zum Erzeugen zweier unterschiedlicher angereg
ter Teilchen verwendet wird;
Fig. 48 schematische Darstellung einer Entladungs
kammer, wie sie in der Ionenstrahlquelle gemäß Fig. 47 ver
wendet wird;
Fig. 49 Ionenstrahlquelle entsprechend der von Fig.
47, wobei ein positives statt ein negatives Potential an
eine Elektrode gelegt wird;
Fig. 50 Ionenstrahlquelle entsprechend der von Fig.
47, wobei zusätzlich ein Magnetfeld vorhanden ist;
Fig. 51 Ionenstrahlquelle entsprechend der von Fig.
47, bei der jedoch zwei getrennte Farbstofflaser verwendet
werden;
Fig. 52 Ionenstrahlquelle entsprechend der von Fig.
47, bei der jedoch ein Laserstrahl verwendet wird, der ent
gegengesetzt zur Flugrichtung der Teilchenstrahlrichtung ist;
Fig. 53 Ionenstrahlquelle entsprechend der von Fig.
47, wobei jedoch die Teilchen durch ein Loch in einer Elek
trode in den Raum zwischen zwei Elektroden eingestrahlt wer
den;
Fig. 54 Ionenstrahlquelle entsprechend der von Fig.
47, wobei jedoch zusätzlich Elektronen in den Raum zwischen
den Elektroden eingeschossen werden;
Fig. 55 Ionenstrahlquelle entsprechend der von Fig.
54, bei der jedoch ein positives statt ein negatives Poten
tial an eine Elektrode gelegt wird;
Fig. 56 Ionenstrahlquelle entsprechend der von Fig.
54, bei der jedoch zusätzlich ein magnetisches Feld vorhan
den ist;
Fig. 57 Ionenstrahlquelle entsprechend der von Fig. 54,
wobei jedoch zwei getrennte Farbstofflaser verwendet
werden;
Fig. 58 Ionenstrahlquelle entsprechend der von Fig.
54, bei der jedoch ein Laserstrahl verwendet wird, der ent
gegengesetzt zur Flugrichtung von Teilchen strahlt; und
Fig. 59 Ionenstrahlquelle entsprechend der von Fig.
54, bei der jedoch Teilchen durch ein Loch in einer Elektro
de in den Raum zwischen zwei Elektroden eingestrahlt werden.
Beim Ausführungsbeispiel 3 einer Ionenquelle ist ein Teil
chenflußerzeuger 1 vorhanden, der dazu dient, zu ionisieren
des Material in Form eines Teilchenflusses von Atomen oder
Molekülen bereitzustellen. Das Material wird über eine Aus
gabedüse 2 in Form eines Strahls 3 ausgegeben. Im folgenden
wird angenommen, daß es sich um einen Strahl von Atomen han
delt. Der Strahl 3 wird über eine Einrichtung 9 zum Einstel
len eines optischen Pfades vom Licht von einem Laser 8 er
zeugt, der mit einer solchen Wellenlänge oder mit mehreren
Wellenlängen strahlt, in denen die Atome vom Grundzustand in
einen angeregten Zustand überführbar sind, und zwar in einen
Rydberg-Zustand, bei dem die Hauptquantenzahl des Valenz
elektrons hoch ist. Das Bestrahlen erfolgt dicht hinter der
Ausgabedüse 2. Als Einrichtung zur Strahlanpassung ist eine
konvexe Linse eingezeichnet. Der Einstrahlbereich in den
Atomstrahl ist mit 10 a gekennzeichnet. Dort findet das Anre
gen in den Rydberg-Zustand statt. Im weiteren Verlauf des
Atomstrahls sind Querschnitte des Strahles 10 b, 10 c und 10 d
eingezeichnet. Benachbart zu letzten Bereich 10 d sind zwei
parallele Elektroden 11 a und 11 b benachbart zum Strahl ange
ordnet. An diese wird eine Spannung angelegt, die ein elek
trisches Feld erzeugt, das dazu dient, die Atome im Rydberg-
Zustand zu ionisieren.
In der plattenförmigen Elektrode 11 b, die der Elektrode 11 a
parallel gegenüber liegt, ist ein Ausgangsloch 12 vorhanden.
An die Eletkrode 11 a ist eine Pulsspannungsversorgung 13 an
geschlossen, die eine positive Spannung erzeugt. Zwischen
den Elektroden wird ein elektrisches Feld IE erzeugt, dessen
Richtung durch einen Pfeil 14 gekennzeichnet ist. Das Ioni
sieren durch die Spannung erfolgt also nach dem Anregen in
den Rydberg-Zustand durch Bestrahlen mit dem Laserstrahl.
Ein Ionenstrahl 15 tritt durch das Ausgangsloch 12 in der
Elektrode 11 b, da die Ionen durch das elektrische Feld 14 in
Richtung auf diese Elektrode beschleunigt werden.
Fig. 4 zeigt ein Beispiel für den Laserstrahlerzeuger 8, wie
er bei der ersten Ausführungsform verwendet wird. Er umfaßt
zwei Farbstofflaser 16 a und 16 b, die Laserlicht mit einer
Wellenlänge λ 1 als mittlerer Wellenlänge bzw. λ 2 als mittle
rer Wellenlänge emittieren. Eine optische Anordnung 17 dient
zum Justieren des Laserstrahls vom ersten Farbstofflaser 16 a.
Ein halbdurchlässiger Spiegel 18 läßt das Licht von diesem
ersten Farbstofflaser 16 a durch, reflektiert aber das Licht
vom zweiten Farbstofflaser 16 b. Es handelt sich um einen
dielektrischen Spiegel. Von ihm strahlt ein Laserstrahl 19
mit den beiden Wellenlängen λ 1 und λ 2 ab.
Wenn bei diesem Ausführungsbeispiel ein Na-Strahl erzeugt
werden soll, wird Na in den Teilchenflußerzeuger 1 gegeben
und ein Atomstrahl von Na wird durch die Ausgabedüse 2 aus
gegeben. Gepulstes Laserlicht mit einer Wellenlänge von
589 nm (λ1) und gepulstes Laserlicht mit einer Wellenlänge
von 431,1 nm (λ2) werden mit dem Spiegel 17 und dem dielek
trischen Spiegel 18 in der Nähe der Ausgabedüse 8 auf den
Atomstrahl 3 mit Hilfe der optischen Einrichtung 9 geleitet.
Fig. 5 zeigt das Energiediagramm von Na in hochangeregten
Zuständen. Na-Atome werden durch Anregung mit der Laserlicht
vom Grundzustand 3 s 2S1/2 in den Zustand 3 p 2P3/2 überführt,
und zwar durch das Licht von 589 nm. Anschließend erfolgt
durch das Laserlicht von 413,1 nm weiteres Anregen in einen
hochangeregten Zustand (Rydberg-Zustand), in dem die Haupt
quantenzahl des Valenzelektrons des 20d-Zustandes 20 ist. Da
der Einstein-Koeffizient A für den Übergang 3 s S1/2-3 p
2P3/2 (Übergangswellenlänge von 589 nm) für Natrium ungefähr
6,3 × 107 (1/s) ist, wird Sättigung des Übergangs vom Grund
zustand in den 3p 2P3/2 erhalten, wenn ein Laser mit einer
Wellenlänge von 589 nm mit einer Leistungsdichte von minde
stens etwa 10 W/cm2 verwendet wird. Der Absorptionsquer
schnitt für den Übergang vom Zustand 3 p 2P3/2 in den hochan
geregten nd-Zustand ist in Fig. 6 dargestellt. Er liegt zwi
schen 10-14 cm2 und 10-17 cm2, abhängig vom Wert der Haupt
quantenzahl n des hochangeregten Zustandes. Da der Absorp
tionsquerschnitt für den Übergang 3 p 2P3/2-20d (Übergangs
wellenlänge 413,1 nm) etwa 10-15 cm2 ist, wird Sättigung für
den genannten Übergang erhalten, wenn der Laserstrahl mit
der Wellenlänge 413,1 nm eine Leistungsdichte von mindestens
etwa 104 W/cm2 aufweist.
Wie vorstehend beschrieben, kann Übergang vom Grundzustand
in den hochangeregten Rydberg-Zustand 20 d in Sättigung er
folgen, wenn die beiden gepulsten Laserstrahlen mit den un
terschiedlichen Wellenlängen vom Laserstrahlerzeuger 8 Lei
stungen von jeweils mindestens etwa 104 W/cm2 aufweisen.
Fig. 7 zeigt die Strahlungslebensdauer im Rydberg-Zustand,
die von der Hauptquantenzahl n abhängt. Beim Wert 20 d ist
die Lebensdauer etwa 30 µs, was bedeutet, daß dann, wenn die
n Atome einmal in den Zustand 20 d durch den Laserstrahl
überführt sind, diese Atome im genannten Zustand für etwa
30 µs verbleiben, wenn der Laserstrahl abgeschaltet wird.
Beim Austritt aus der Ausgabedüse 3 weisen die in den Ryd
berg-Zustand angeregten Na-Atome hohe Teilchendichte auf.
Sie verringern jedoch ihre Dichte mit zunehmendem Flugweg.
Das Volumen vergrößert sich, was aus den dargestellten Quer
schnitten für die Bereiche 10 b, 10 c und 10 d leicht erkenn
bar ist. Durch diese Bereiche fliegen die Atome während der
Anregungslebensdauer von etwa 30 µs. Die Volumenzunahme be
trägt etwa l3/Vo, wobei Vo das Volumen des Atomstrahls im
Rydberg-Zustand im Bereich 10 a ist und wobei l die Entfer
nung vom Bereich 10 a ist. Dieser Zusammenhang gilt, da die
Geschwindigkeitsverteilung der Na-Atome eine Maxwell-Vertei
lung ist und sich der Atomstrahl 3 nach einer Cosinus-Regel
aufweitet, wenn sich die Na-Atome im Teilchenflußerzeuger in
thermischem Gleichgewicht befinden und die Ausgabedüse 2 ein
dünnes einziges Loch ist. Wenn z. B. der Lasereinstrahlbe
reich etwa 10-1 cm2 ist und der Atomstrahl im Rydberg-
Zustand im Bereich 10 a ein Volumen von 3 × 10-2 cm2 auf
weist, verhundertfacht sich das Volumen nach einem Weg von
etwa 15 mm, so daß die Dichte der Na-Atome etwa 1/100 wird.
Der beschriebene Ablauf kann auch auf andere Atome im Ryd
berg-Zustand angewendet werden. Nach R.S. Stebbings, et al.,
in "Rydberg States of Atoms and Molecules", Cambridge Uni
versity Press, London, 1983, hängen die Eigenschaften jedes
Atoms oder Moleküls im hochangeregten Zustand (Rydberg-Zu
stand), bei dem die Hauptquantenzahl eines Valenzelektrons
groß ist, in erster Linie von der Hauptquantenzahl (n) ab,
wobei für die Lebensdauer τ im Rydberg-Zustand gilt:
τ∼n3.
Die Lebensdauer steigt also mit Erhöhung der Hauptquanten
zahl n stark an. Da sich darüber hinaus das Valenzelektron
im hochangeregten Zustand nahe der Ionisationsgrenze befin
det, kann es leicht durch ein externes elektrisches Feld
ionisiert werden. Die minimale Feldstärke Ec zum Ionisieren
ist gegeben durch
Ec∼3.2×10⁸n -4 (V/cm) (1)
wobei für n = 20, der Wert Ec∼2 kV/cm erhalten wird.
Der Na-Atomstrahl 3 wird also mit dem gepulsten Laserstrahl
bestrahlt, wodurch die Na-Atome in den Rydberg-Zustand mit
der Hauptquantenzahl 20 übergehen. Anschließend wird durch
die Spannungsversorgung 13 eine gepulste Spannung an die
Elektroden 11 a und 11 b angelegt, wodurch das elektrische
Feld 14 wiederholt anliegt, wie dies durch das Diagramm von
Fig. 8 veranschaulicht ist. In Fig. 8 ist mit dem Bezugs
zeichen 20 die Wiederholzeit des gepulsten Laserstrahls be
zeichnet, und mit dem Bezugszeichen 21 ist die Verzögerungs
zeit zwischen dem Anwenden des gepulsten Laserstrahls und
dem Anwenden des elektrischen Feldes bezeichnet. Das Bezugs
zeichen 22 kennzeichnet die Zeitspanne, während der das
elektrische Feld anliegt und das Bezugszeichen 24 kennzeich
net die elektrische Feldstärke.
Beim ersten Ausführungsbeispiel beträgt die Wiederholzeit 20
des gepulsten Laserstrahls etwa 1 ms, die Verzögerungszeit
21 für das Anlegen des elektrischen Feldes beträgt etwa
30 µs, die Anlegezeitspanne für das elektrische Feld beträgt
etwa 1 µs und die Feldstärke 24 ist 5 kV/cm. Der Einstrahl
bereich für den Laserstrahl ist etwa 10-1 cm2 und die Ent
fernung zwischen dem Einstrahlort des Laserstrahls und dem
Ort der beiden Elektroden 11 a und 11 b ist 15 mm.
Die mittlere thermische Geschwindigkeit der Atome im Atom
strahl 3 beträgt etwa 100 m/s. Bei dieser Geschwindigkeit
und den genannten Zeitspannen erreichen die in den Rydberg-
Zustand im Bereich 10 a angeregten Atome den Bereich 10 d zwi
schen den Elektroden gerade dann, wenn das elektrische Feld
angelegt wird. Da die Feldstärke zwischen den Elektroden
5 kV/cm ist, werden die im Rydberg-Zustand befindlichen Na-
Atome leicht ionisiert und die erzeugten Na-Ionen werden
durch das elektrische Feld zur Elektrode 11 b beschleunigt
und treten dort durch das Ausgangsloch 12 aus.
Wie vorstehend erläutert, beträgt das Volumen im Bereich 10 d
etwa 3 cm3, was etwa 100mal größer ist als das Volumen im
Einstrahlbereich 10 a für den Laserstrahl. Die Dichte ist
also 1/100. Daher wird die Anzahl von Na-Atomen, die ohne
den Einfluß einer Raumladung durch erzeugte Na-Ionen erhal
ten werden, etwa das 100-fache.
Mit der vorstehend beschriebenen Anordnung kann also ein
Ionenstrom mit mindestens etwa 100-facher Stärke, vergli
chen mit bekannten Anordnungen, erhalten werden. Bei den be
kannten Anordnungen wird ein gepulster Farbstofflaser mit
einer Ausgangsleistung von etwa 1 kW verwendet.
Mit der angegebenen Anordnung kann ein noch größerer Ionen
strom erhalten werden, wenn der Abstand zwischen den Berei
chen 10 a und 10 b vergrößert wird und die Na-Atome in einen
Rydberg-Zustand mindestens mit der Quantenzahl 20 angeregt
werden und die Verzögerungszeit zwischen dem Anregen und dem
Anlegen des elektrischen Feldes mindestens 30 µs beträgt. Es
wird darauf hingewiesen, daß die Laserstrahlen nicht alle in
horizontaler Richtung nahe der Ausgabedüse einstrahlen müs
sen, sondern daß Laserstrahlen von unterschiedlichen Rich
tungen eingestrahlt werden können.
Das Ausführungsbeispiel wurde anhand der Erzeugung von Na-
Ionen erläutert. Es kann jedoch ein Ionenstrahl aus beliebi
gen Ausgangsatomen oder -molekülen erzeugt werden, da ein
Anregen in den Rydberg-Zustand erfolgt und in diesem Zustand
die Eigenschaften durch die Hauptquantenzahl (n) bestimmt
werden. Wenn Ga-Ionen erzeugt werden, wird ein erster Farb
stofflaser 16 a mit einer Wellenlänge λ 1 von 403,3 nm verwen
det, um ein Anregen vom Grundzustand in den Zustand 5 s zu
erhalten, und ein zweiter Farbstofflaser 16 b mit einer Wel
lenlänge λ 2 von weniger als 429 nm wird verwendet, um den
Übergang 5 s-np zu bewerkstelligen.
Beim zweiten Ausführungsbeispiel gemäß Fig. 9 sind Elektro
den 11 a und 11 b vorhanden, die Löcher aufweisen. Sie sind so
angeordnet, daß sie ein elektrisches Feld im wesentlichen
parallel zur Flußrichtung des Atomstrahls auf die im Ryd
berg-Zustand befindlichen Atome ausüben. Ein gepulstes Feld
oder ein Gleichspannungsfeld wird zwischen die Elektroden
11 a und 11 b durch die Spannungsversorgung 13 gelegt. Ein
Elektronenstrahl wird in der Achse des Atomstrahls erzeugt.
Da die Löcher 12 in den Elektroden 11 a und 11 b in derselben
Achse liegen, werden alle im Rydberg-Zustand befindlichen
Atome im Atomstrahl 10 als Ionen-Strahl herausgezogen.
Fig. 10 zeigt ein Zeitdiagramm für das Anlegen des elektri
schen Feldes, wenn ein Ionenstrahl dadurch erzeugt wird, daß
gemäß dem zweiten Ausführungsbeispiel kontinuierliche Laser
strahlung verwendet wird. Das elektrische Feld wird in einer
vorgegebenen Zeitspanne angelegt.
Wenn Atome durch den kontinuierlich eingestrahlten Laser
strahl in den Rydberg-Zustand angeregt werden, ist die Le
bensdauer im Rydberg-Zustand einige 10 µs lang, selbst wenn
die Leistungsdichte niedrig ist im Vergleich zu dem Fall, in
dem ein gepulster Laserstrahl verwendet wird. Das Anregen in
den Rydberg-Zustand und die Akkumulation dort kann allmäh
lich erfolgen. Wenn Na-Atome vom Zustand 3 p 2P3/2 in den Zu
stand 20 d angeregt werden, kann der Übergang mit einer
Strahldichte von einigen 10 W/cm2 gesättigt werden.
Wenn Atome also durch kontinuierlich eingestrahltes Laser
licht in den Rydberg-Zustand überführt werden, können die
angeregten Atome den Elektrodenbereich auch dann noch im
Rydberg-Zustand erreichen, wenn die Laserausgangsleistung
nur einige 10 W/cm2 beträgt, was niedriger ist als die Lei
stung im Fall eines gepulsten Laserstrahls.
Wenn das elektrische Feld angelegt wird, wie in Fig. 10 dar
gestellt, werden Ionen im Takt des Feldes erzeugt, da sich
im Atomstrahl dauernd Atome im Rydberg-Zustand befinden, die
mit dem Zeittakt ionisiert werden, mit dem das elektrische
Feld angelegt wird. Beträgt die Feldanlegefrequenz etwa
1 MHz, kann ein Ionenstrahl von einigen mA/cm2 erzeugt wer
den. Wenn ein Gleichfeld zwischen die Elektroden 11 a und 11 b
gelegt wird, können alle Atome im Rydberg-Zustand ionisiert
und als Ionenstrahl herausgezogen werden. In diesem Fall
hängt der Ionenstromwert von der Zahl von Atomen im Rydberg-
Zustand zwischen den Elektroden ab. Es kann dann ein Ionen
strahl hoher Reinheit von einigen mA/cm2 kontinuierlich pro
blemlos gezogen werden.
Bei der dritten Ausführungsform gemäß Fig. 11 wird zusätz
lich ein magnetisches Feld 25 parallel zum elektrischen Feld
zwischen den Elektroden 11 a und 11 b angelegt. Dies dient
dazu, ein Diffundieren des Ionenstrahls zu vermeiden.
Bei den Ausführungsbeispielen war bisher nur vom Erzeugen
von Ionenstrahlen aus Atomen oder Molekülen die Rede. Es
können jedoch auch Ionenstrahlen besonderer Isotope dadurch
erzeugt werden, daß die Bandbreite des Laserlichts, das das
Anregen in den Rydberg-Zustand besorgt, verringert wird. Da
durch ist es z. B. möglich, selektiv Uran 235 aus Uran zu
ionisieren.
Fig. 12 veranschaulicht in einem vierten Ausführungsbei
spiel, wie ein dünner Film von z. B. Ga auf einem Substrat
erzeugt wird, wobei als Ionenquelle diejenige des zweiten
Ausführungsbeispiels von Fig. 9 verwendet wird.
Ein Substrat 26 wird außerhalb der Elektrode 11 b angeordnet,
durch das der Elektronenstrahl hindurchtritt. Er fällt dann
auf das Substrat.
Darüber hinaus ist es möglich, die Ionenstrahlquelle zur
Ionenimplantation statt zum Bilden dünner Filme zu verwen
den. Es werden dann z. B. P oder As Atome ionisiert, wobei
die elektrische Feldstärke auf einige 10 kV/cm gesetzt wird.
Dadurch wird eine hohe Strahlgeschwindigkeit für die Ionen
implantation erhalten.
Weiterhin ist es möglich, die Ionenstrahlquelle zum Ätzen
zu verwenden, wozu z. B. Atome wie Fluor oder Chlor oder
Moleküle ionisiert werden und zum Ätzen auf das Substrat 26
gestrahlt werden.
Beim dargestellten Ausführungsbeispiel ist das Substrat 26
außerhalb der Elektroden angeordnet. Da jedoch das Ionisie
ren gleichmäßig zwischen den Elektroden 11 a und 11 b erfolgt,
kann das Substrat 26 auch statt der Elektrode 11 b verwendet
werden. Die beschriebenen Effekte können also auch erreicht
werden, wenn das Substrat 26 zwischen den Elektroden 11 a und
11 b angeordnet wird.
Bei den bisher beschriebenen Ausführungsbeispielen wird ein
Strahl zu ionisierender Teilchen nahe einer Austrittsdüse
mit einem Laserstrahl bestrahlt, wodurch Anregen in den Ryd
berg-Zustand erfolgt, und anschließend wird mit Hilfe eines
elektrischen Feldes ionisiert. Dadurch kann ein Ionenstrahl
hoher Reinheit und mit großem Strom leicht und wirksam unter
Verwendung eines einfach aufgebauten Lasers mit niedriger
Leistung erzeugt werden.
Die Fig. 13 und 14 dienen zum Veranschaulichen eines fünften
Ausführungsbeispiels. Es ist ein Teilchenflußerzeuger 101
vorhanden, der einen Teilchenfluß von SF6 erzeugt. Die Teil
chen treten durch eine Austrittsdüse 102 als Teilchenstrahl
103 aus. Von einem zweiten Teilchenflußerzeuger 104 werden
Teilchen ausgegeben, die in den Rydberg-Zustand anzuregen
sind. Beim Ausführungsbeispiel handelt es sich um Ga. Diese
Teilchen treten durch eine zweite Austrittsdüse 105 am zwei
ten Teilchenflußerzeuger 104 als zweiter Teilchenfluß 106
aus.
In einem schraffiert dargestellten Überlappungsbereich 107
überlappen sich der erste Teilchenfluß 103 und der zweite
Teilchenfluß 106. In diesen Bereich strahlt Laserlicht von
einem Laserstrahlerzeuger 108 über eine Einrichtung 109 zum
Justieren des Strahlweges ein. Der Laser gibt mindestens
eine Wellenlänge aus, die geeignet ist, Atome vom Grundzu
stand in einen hochangeregten Zustand, d. h. den Rydberg-
Zustand, zu überführen, in dem die Hauptquantenzahl des Va
lenzelektrons groß ist. Beim Ausführungsbeispiel wird als
Einrichtung zum Justieren des Strahls auf den genannten
Überlappungsbereich ein Hohlspiegel verwendet.
Im Überlappungsbereich 107, in dem die Anregung mit dem La
serlicht erfolgt, sind angeregte Ga-Atome 110 im Rydberg-
Zustand vorhanden. Aus diesen Atomen werden Ga-Ionen 111 er
zeugt. Außerdem werden ionisierte Moleküle 112 im Überlap
pungsbereich 107 erzeugt, nämlich SF6⁻-Ionen. Das Ionisieren
erfolgt zwischen zwei parallelen plattenförmigen Elektroden
113 a und 113 b, die den Überlappungsbereich 107 einschließen.
In der zweiten Elektrode 103 b ist ein Ausgangsloch vorhan
den. Die erste Elektrode 103 a ist mit einer Spannungsversor
gung 115 verbunden. Es wird ein elektrisches Feld IE ange
legt, dessen Richtung durch einen Pfeil 116 gekennzeichnet
ist. Durch dieses Feld werden SF6⁻-Ionen in Richtung auf
das Loch 114 in der zweiten Elektrode 113 b beschleunigt, und
sie treten durch dieses Loch als Ionen-Strahl aus. Die Ionen
wurden also im Überlappungsbereich 107 erzeugt und durch das
elektrische Feld 116 beschleunigt.
Fig. 14 zeigt den Laserstrahlerzeuger 108 gemäß Fig. 13 im
Detail. Er ist im Aufbau identisch mit dem bereits anhand
von Fig. 4 erläuterten Erzeuger, jedoch mit anderen Wellen
der Farbstofflaser. Der erste Farbstofflaser trägt das Be
zugszeichen 108 a, der zweite das Bezugszeichen 108 b, der
erste Spiegel das Bezugszeichen 108 c, der zweite, halbdurch
lässige Spiegel das Bezugszeichen 108 d und der ausgegebene
Laserstrahl mit den zwei Wellenlängen trägt das Bezugszei
chen 108 e.
Der Aufbau des Teilchenflußerzeugers 101 ist durch Fig. 15
veranschaulicht. Er dient zum Erzeugen eines Teilchenstrahls
von Molekülen oder Atomen bei Zimmertemperatur. Das Material
befindet sich in einer Gasflasche 101 a und tritt durch ein
Druckreduzierventil 101 b und einen Flußregler 101 c durch
eine Öffnung 101 d als Teilchenstrahl 101 e aus. Beim darge
stellten Ausführungsbeispiel handelt es sich um einen Teil
chenstrahl von SF6.
Der zweite Teilchenflußerzeuger 104, wie er beim fünften
Ausführungsbeispiel verwendet wird, ist durch Fig. 16 veran
schaulicht. Während der vorstehend beschriebene Erzeuger
einen solchen für ein Material betrifft, das bei Raumtempe
ratur gasförmig ist, dient der Teilchenflußerzeuger 104 ge
mäß Fig. 16 zum Erzeugen eines Teilchenflusses von Material,
das bei Zimmertemperatur fest ist. Es ist ein Tiegel 104 a
vorhanden, der durch einen Heizer 104 b beheizt wird. Um
Wärmeabstrahlung nach außen zu verringern, ist eine Abschir
mung 104 c vorhanden. Im Tiegel 104 a befindet sich Material
104 d; beim Ausführungsbeispiel ist dies Ga. Die Temperatur
wird mit Hilfe eines Meßelementes 104 e gemessen. Der Tiegel
weist eine Öffnung 104 f auf, durch die ein Teilchenstrahl,
hier ein Strahl von Ga-Atomen, austritt.
Beim fünften Ausführungsbeispiel wird also SF6 aus einer
Gasflasche zum Herstellen eines Teilchenstrahls mit Hilfe
der Anordnung von Fig. 15 verwendet, und es wird festes Ga
in einem Tiegel 104 a verwendet, um einen Ga-Atomstrahl mit
Hilfe der Anordnung von Fig. 16 zu erzeugen. Die Teilchen
strahlen treten jeweils in den Überlappungsbereich 107
(Fig. 13) ein.
Im Überlappungsbereich 107 erfolgt, wie bereits erläutert,
Bestrahlen der Teilchenflüsse mit erstem Laserlicht. Dieses
weist eine Wellenlänge von 403,3 nm auf. Der zweite Laser
verfügt über eine Wellenlänge von 426,2 nm. Wie anhand von
Fig. 14 erläutert, werden die Laserstrahlen unterschiedli
cher Wellenlänge auf derselben optischen Achse eingestrahlt.
Fig. 17 zeigt das Energiediagramm von Ga-Atomen im Rydberg-
Zustand. Ga-Atome im zweiten Teilchenfluß 106 werden durch
den Laserstrahl mit der ersten Wellenlänge von 403,3 nm vom
Grundzustand 4 p 2P1/2 in den Zustand 5 s 2S1/2 angeregt, von
wo aus mit Hilfe des Laserstrahls mit der Wellenlänge
426,2 nm ein Anregen in den Rydberg-Zustand 30 p erfolgt,
in dem die Hauptquantenzahl des Valenzelektrons 30 ist.
Der Einstein-Koeffizient A für den ersten genannten Übergang
(Übergangswellenlänge 403,3 nm) von Gallium ist etwa
108(1/s) . Es reicht dann eine Energiedichte von mindestens
etwa 10 W/cm2, um Sättigung im genannten Übergang zu erzie
len. Der Übergangsquerschnitt für den folgenden Übergang in
den Rydberg-Zustand np hängt umgekehrt mit der dritten Po
tenz von der Hauptquantenzahl n im Rydberg-Zustand ab. Für
den Übergang 5 s 2S1/2-30p beträgt der Absorptionsquerschnitt
etwa 10-15 cm2 (Übergangswellenlänge 426,2 nm), mit n = 30.
Bei diesem Übergangsquerschnitt wird Sättigung für den ge
nannten Übergang erhalten, wenn der Laserstrahl mit der
zweiten Wellenlänge von 426,2 nm eine Leistungsdichte von
mindestens etwa 105W/cm2 aufweist.
Aus dem Vorstehenden geht hervor, daß Ga-Atome mit hohem
Wirkungsgrad vom Grundzustand in den Rydberg-Zustand 30 p
uberführt werden können, wenn die Leistungsdichte des ge
pulsten Farbstofflaser-Strahls mit den zwei Wellenlängen vom
Laserstrahlerzeuger 108 mindestens etwa 105W/cm2 beträgt.
Wie bereits weiter oben zitiert (Artikel von R.F. Stebbings)
hängen die Eigenschaften von Atomen im Rydberg-Zustand in
erster Linie von der Hauptquantenzahl (n) ab. Zum Anregen
von Ga-Atomen in den Rydberg-Zustand mit n = 30 wird, wie
erläutert, ein Laserstrahlerzeuger mit einer Leistungsdichte
von etwa 105W/cm2 benötigt.
Im Rydberg-Zustand ist die Lebensdauer lang und die Bin
dungsenergie für das Valenzelektron ist klein. Die Lebens
dauer verlängert sich mit der dritten Potenz von n. Für
n = 30 ist sie etwa 40 µs. Die Bindungsenergie hängt umge
kehrt in etwa von der zweiten Potenz von n ab. Für n = 30
ist sie etwa 20 meV.
Aufgrund der großen Lebensdauer strömen Atome oder Moleküle,
die gleich zu Anfang eines Teilchenstrahls in den Rydberg-
Zustand überführt wurden, bis in den Überlappungsbereich 107
(Fig. 13) in diesem Zustand.
Da das Valenzelektron des Atoms oder Moleküls im Rydberg-
Zustand eine kleine Bindungsenergie aufweist, kann es leicht
beim Stoß mit einem anderen Atom oder Molekül abgetrennt und
übertragen werden. Wenn Moleküle mit vielen Atomen vorlie
gen, tritt Elektronenaustausch resonant auf, da die Bin
dungsenergie des Valenzelektrons fast mit Rotations- oder
Schwingungsenergien des Moleküls zusammenfällt. Dadurch wird
der Stoßquerschnitt sehr hoch.
Fig. 18 zeigt ein Diagramm mit dem elektronischen Austausch
querschnitt von Xe** (Xenon) im Rydberg-Zustand, abhängig
von der Hauptquantenzahl (n). Es findet Stoß mit einem Mole
kül mit mehreren Atomen statt, wie SF6, CCl4 oder CCl3F.
Die Reaktionsformeln sind die folgenden:
Xe**+SF₆ → Xe⁺×SF₆-
Xe**+CCl₄ → Xe⁺+CCl₃+Cl-
Xe**+CCl₃F → Xe⁺+CCl₂F+Cl-
Xe**+CCl₄ → Xe⁺+CCl₃+Cl-
Xe**+CCl₃F → Xe⁺+CCl₂F+Cl-
Wenn CCl4 oder CCl3F mit Xe im Rydberg-Zustand kollidieren,
werden vorübergehend CCl4⁻ bzw. CCl3F⁻ erzeugt, die sich je
doch direkt anschließend in CCl3 und Cl⁻ bzw. CCl2F1 und
Cl⁻ teilen. Aus Fig. 18 ist ersichtlich, daß der elektroni
sche Austauschquerschnitt für ein Atom oder Molekül im Ryd
berg-Zustand etwa 10-11 cm2 beträgt. Dieser Wert ist sehr
groß, verglichen mit einem Stoßquerschnitt im Grundzustand
von nur etwa 10-19 bis 10-14 cm2. Die mittlere freie Weg
länge für den Elektronenaustausch ist etwa einige nm, wenn
sich Atome im Rydberg-Zustand durch SF6 mit einer Dichte von
etwa 10-5 Torr bewegen. Positive Ionen der Atome im Rydberg
Zustand und negative Ionen, also SF6⁻ werden leicht erzeugt.
Wie vorstehend beschrieben, können Ga-Atome im zweiten Teil
chenfluß 106 durch die Lasereinstrahlung leicht in den Ryd
berg-Zustand angeregt werden. Sie kollidieren dann im Über
lappungsbereich 107 mit den SF6-Molekülen im ersten Teil
chenfluß. Hierbei findet folgende Reaktion statt:
Ga**+SF₆ → Ga⁺+SF₆-,
gemäß der Ga⁺-und SF6⁻-Ionen mit hohem Wirkungsgrad erzeugt
werden.
Da im Überlappungsbereich 107 ein elektrisches Feld 116
durch die negative Spannung erzeugt wird, die von der Span
nungsversorgung 115 angelegt wird, werden die Ga⁺- und die
SF6⁻-Ionen in entgegengesetzten Richtungen beschleunigt. Da
bei den Stößen der SF6⁻-Ionen mit den Atomen im Rydberg-
Zustand keine Elektronen erzeugt werden, dient das elektri
sche Feld nur zum Erzeugen von Ionen, so daß es mit hohem
Wirkungsgrad arbeitet. Es wird also ein Ionenstrahl von
SF6⁻-Ionen durch das Austrittsloch 114 in der Elektrode 113 b
ausgegeben.
Mit der Anordnung gemäß dem fünften Ausführungsbeispiel ist
es somit möglich, besondere Atome oder Moleküle mit geringe
rer Laserenergiedichte zu ionisieren, als dies mit bekannten
Vorrichtungen möglich ist. Dadurch kann ein hoher Ionen
strahlstrom erzeugt werden.
Wird CCl4 oder CCl3F als Material im ersten Teilchenfluß 102
verwendet, kann ein Ionenstrahl von Cl⁻ erzeugt werden, ohne
daß die Wellenlänge der Laserstrahlanordnung 108 zu ändern
ist. Wird als Material für den ersten Teilchenfluß 102 SiH4
verwendet, kann ein Ionenstrahl von SiH4⁻ erzeugt werden. Es
ist also möglich, Ionenstrahlen aus unterschiedlichen Atomen
oder Molekülen herzustellen.
Die sechste Ausführungsform gemäß Fig. 19 unterscheidet sich
von der fünften Ausführungsform gemäß Fig. 13 dadurch, daß
die Spannungsversorgung 115 eine positive Spannung an die
Elektrode 113 a statt einer negativen Spannung ausgibt. Da
durch tritt durch das Loch 114 in der zweiten Elektrode 113 b
ein Strahl von Ga⁺-Ionen statt ein Strahl von SF6⁻-Ionen.
Statt eines Strahles von Ga⁺-Ionen kann auch einer ausgehend
von anderen Atomen oder Molekülen entsprechend erzeugt wer
den. Soll z. B. ein Ionenstrahl von Indium erzeugt werden,
wird In in den Tiegel 104 a (Fig. 16) gegeben und erhitzt. Es
wird dann ein erster Farbstofflaser 109 a mit einer Wellen
länge von 410,3 nm verwendet, um In-Atome vom Grundzustand
in den Zustand 6 s anzuregen. Der zweite Farbstofflaser 109 b
weist in diesem Anwendungsfall eine Wellenlänge von weniger
als 454 nm auf, zum Erzielen des Übergangs 6 s-np.
Auch mit den Vorrichtungen gemäß dem fünften und sechsten
Ausführungsbeispiel ist es möglich, Ionenstrahlen besonderer
Isotope zu erzeugen, wozu es jedoch erforderlich ist, zumin
dest die Wellenlänge-Bandbreite des Lasers für die Anregung
in den Rydberg-Zustand klein zu wählen. Es kann dann z. B.
Uran 235 selektiv aus Uran ionisiert werden.
Anregung kann statt durch einen gepulsten Laser auch durch
einen kontinuierlichen Laser erfolgen. Die Lebensdauer im
Rydberg-Zustand beträgt einige 10 µs, wodurch es auch mit
verhältnismäßig geringer Laserleistung, verglichen zur Lei
stung eines gepulsten Lasers möglich ist, Atome im Rydberg-
Zustand allmählich anzureichern. Sättigung kann mit einer
Leistungsdichte von einigen 10 W/cm2 erzielt werden, wenn Ga-
Atome vom Zustand 5 s 2S1/2 in den Zustand 30 p überführt wer
den.
Beim Einstrahlen kontinuierlichen Laserlichts reicht also
eine Leistungsdichte von einigen 10 W/cm2, um bereits ange
regte Atome in den Rydberg-Zustand zu überführen.
Bei den eben beschriebenen Ausführungsbeispielen wurde
Laserlicht in zwei Wellenlängenbereichen verwendet. Es ist
jedoch auch möglich, Atome oder Moleküle direkt vom Grund
zustand aus in den Rydberg-Zustand anzuregen, wenn Laser
licht mit kurzer Wellenlänge verwendet wird. Andererseits
ist es möglich, Laserlicht zu verwenden, das in vielen Wel
lenlängenbereichen strahlt, um Anregung schrittweise von
einem Niveau zu einem jeweils höheren vorzunehmen.
Das siebte Ausführungsbeispiel gemäß Fig. 20 unterscheidet
sich vom fünften gemäß Fig. 13 dadurch, daß ein magnetisches
Feld IB verwendet wird, das parallel zum elektrischen Feld
IE 116 zwischen den Elektroden 113 a und 113 b liegt. Dadurch
wird verhindert, daß sich der Ionenstrahl aufweitet, der
durch das Austrittsloch 114 aus dem Überlappungsbereich 107
austreten soll.
Um das Feld zu erzeugen, kann eine Spule um die Elektroden
113 a und 113 b herum angeordnet werden. Auch ein Permanent
magnet kann zum Erzeugen des Feldes verwendet werden.
Obwohl es am günstigsten ist, das Magnetfeld parallel zum
elektrischen Feld anzulegen, ist dies nicht zwingend erfor
derlich.
Beim achten Ausführungsbeispiel gemäß Fig. 21 wird der Über
lappungsbereich 107 mit dem Licht von zwei unterschiedlichen
Farbstofflasern 108 b und 108 a bestrahlt, die jeweils in
einer Wellenlänge abstrahlen. Das Licht wird jeweils durch
eine optische Justiereinrichtung 109 a bzw. 109 b auf den
Überlappungsbereich 107 ausgerichtet.
Beim neunten Ausführungsbeispiel gemäß Fig. 22 wird das
Laserlicht genau entgegen der Flußrichtung des zweiten Teil
chenflusses eingestrahlt. Dadurch ist es möglich, mit beson
ders hohem Wirkungsgrad Atome oder Moleküle über den gesam
ten Bereich des Teilchenflusses in den Rydberg-Zustand zu
überführen. Da die Lebensdauer im Rydberg-Zustand einige
10 µs beträgt, verbleiben Atome oder Moleküle in diesem An
regungszustand auch dann noch für einige 10 µs, wenn der
Laserstrahl abgeschaltet wird. Auch nach dem Abschalten des
Laserstrahls werden dadurch Ionen noch für etwas längere
Zeit erzeugt als mit der fünften Ausführungsform gemäß
Fig. 13.
Bei der zehnten Ausführungsform gemäß Fig. 23 weist die
erste Elektrode 113 a ein Loch 114 a auf, durch das der erste
Teilchenstrahl 103 in etwa parallel zum elektrischen Feld in
den Überlappungsbereich 107 eingestrahlt wird. In diesem
Fall liegt der Überlappungsbereich 107 im wesentlichen sym
metrisch zur Achse des Ionenflusses, wodurch dieser beson
ders gleichförmig abgezogen werden kann.
Fig. 24 zeigt eine Ultraschalldüse als weiteres Beispiel für
einen Teilchenflußerzeuger. Material 43, z. B. SF6, wird aus
einer Gasflasche oder einem Tiegel zugeführt. Es tritt als
freier Strahl in eine Vakuumkammer 46 durch eine Düse 44
ein. Der Druck in der Vakuumkammer 46 wird durch ein Eva
kuiersystem 47 konstant gehalten. Ein Teil des feinen
Strahls in die Vakuumkammer 46 wird durch eine Schneidenein
richtung 48 hindurch ausgestrahlt. In dem durch Ultraschall
erzeugten Strahl weisen die Teilchen im wesentlichen die
selbe Geschwindigkeit auf. Daher kann besonders gleichmäßige
Anregung und Ionisierung erwartet werden.
Beim elften Ausführungsbeispiel gemäß Fig. 25 ist eine Ent
ladungskammer 119 statt dem zweiten Teilchenflußerzeuger 104
vorhanden. Dadurch ist es möglich, verschiedene Ionenflüsse
zu erzeugen, wobei nur Licht im sichtbaren Bereich vom La
serstrahlerzeuger 108 benötigt wird. Aus der Entladungskam
mer 119 tritt durch eine Austrittsdüse 105 a ein Teilchenfluß
106 a aus, der beim Ausführungsbeispiel aus Ga-Atomen im an
geregten Zustand besteht.
Der Aufbau der Entladungskammer 119, wie sie beim elften
Ausführungsbeispiel verwendet wird, ist in Fig. 26 darge
stellt. Sie dient zum Erzeugen eines Teilchenstrahls von
Atomen oder Molekülen aus einem Material, das sich bei Zim
mertemperatur in festem Zustand befindet. Das Material be
findet sich in einem Tiegel 119 a, der durch einen Heizer
119 b erhitzt wird. Der Heizer wird durch eine Abschirmung
119 c gegen Wärmeverlust nach außen abgeschirmt. Als Material
119 d befindet sich beim Ausführungsbeispiel Ga im Tiegel
119 a. Die Temperatur des Tiegels wird an seiner Unterseite
durch eine Meßeinrichtung 119 e gemessen. An der Oberseite
des Tiegels befindet sich eine Öffnung 119 f, durch die ein
Teilchenstrahl 119g von Ga-Atomen austritt.
Der Teilchenstrahl 119 g tritt in einen Behälter 119 h ein, in
dem sich ein Material befindet, das bei Raumtemperatur gas
förmig ist. Das Material 119 i im Ausführungsbeispiel ist He.
Es dient zum Erhöhen des Ionisierwirkungsgrades. Es können
auch Atome mit einem metastabilen Zustand, z. B. Xe, verwen
det werden. Weiterhin ist ein Mikrowellenerzeuger 119 j vor
handen, der Mikrowellen mit einer Mittenfrequenz von 2,45 Hz
in den Behälter 119 h über einen Wellenleiter 119 k ein
strahlt. Um den Behälter 119 j herum befinden sich Magnet
spulen 119 l 1, 119 l 2 und 119 l 3, die ein magnetisches Feld
119 m erzeugen. Durch die Mikrowellen wird im Behälter 119
ein Plasma mit angeregten Teilchen 119 n erzeugt. Beim Aus
führungsbeispiel sind dies angeregte Teilchen Ga* und He*.
Durch eine Öffnung 119 p im Behälter 119 h tritt ein Teilchen
strahl 119 q von Ga- und He-Atomen im angeregten Zustand aus.
Wenn mit dem Ionenflußerzeuger gemäß Fig. 25 ein Ionenstrahl
von SF6⁻ erzeugt werden soll, wird als erster Teilchenfluß
erzeuger 101 ein solcher verwendet, wie er in Fig. 15 darge
gestellt ist. Der mit diesem Erzeuger hergestellte Strahl
von SF6-Molekülen fliegt durch die Austrittsdüse 102 in
Fig. 25 und weitet sich dann in den Überlappungsbereich 107
auf. Zum Erzeugen des zweiten Teilchenstrahls von angeregten
Ga-Atomen wird Ga im Tiegel 119 a gemäß Fig. 26 erwärmt und
mit Hilfe der Temperaturmeßeinrichtung 119e auf konstanter
Temperatur gehalten. Ga verdampft in den Behälter 119 a, wo,
wie beschrieben, das Ionisieren von He und Ga stattfindet.
Der Wirkungsgrad der Mikrowellenentladung wird erhöht, wenn
das magnetische Feld 119 m angelegt wird. Elektronische
Zyklotronresonanz tritt dann auf, wenn die Magnetfeldstärke
8,75 Gauss ist und die Frequenz 2,45 GHz beträgt. Der Wir
kungsgrad für das Ionisieren und Anregen der Ga-Atome und
der He-Atome ist dann besonders hoch. Die angeregten Teil
chen werden durch die Öffnung 119 p in den Überlappungsbe
reich 107 eingestrahlt.
Mit Hilfe einer optischen Justiereinrichtung 109 wird Licht
von einem Farbstofflaser mit einer Wellenlänge von 426,2 nm
in den Überlappungsbereich 107 eingestrahlt.
Fig. 27 zeigt ein Diagramm für die Energieniveaus des Ga-
Atoms, wobei sich Atome teilweise im Rydberg-Zustand befin
den. Da die Ga-Atome aus der Entladungskammer 119 bereits
bis zum 5 s 2S1/2-Zustand angeregt wurden, werden sie weiter
in den Rydberg-Zustand angeregt, in dem die Hauptquantenzahl
des Valenzelektrons 30 ist. Diese Anregung in den Zustand
30 p erfolgt durch das Laserlicht mit der Wellenlänge von
426,2 nm.
Der Absorptionsquerschnitt für den genannten Übergang ist im
wesentlichen umgekehrt proportional zur dritten Potenz der
Hauptquantenzahl n. Für den Übergang nach 30 p ist der Ab
sorptionsquerschnitt etwa 10-16 cm2. Mit einer Leistungs
dichte von mindestens etwa 105W/cm2 des Laserlichts von
426,2 nm wird für den genannten Übergang der Ga-Atome Sätti
gung erzielt.
In bezug auf Stöße mit Molekülen mit mehreren Atomen, wie
SF6, CCl4 oder CCl3F, für die Flugrichtungen der erzeugten
Ionen und für die Wirkungsquerschnitte, gilt das, was be
reits weiter vorne anhand des fünften Ausführungsbeispieles
von Fig. 14 erläutert wurde. Entsprechendes gilt auch für
das Erzeugen von SiH4⁻-Ionen.
Fig. 28 stellt eine zwölfte Ausführungsform eines Ionen
strahlerzeugers dar. Der Unterschied zur elften Ausführungs
form liegt darin, daß an die erste Elektrode 113 a eine posi
tive Spannung statt einer negativen Spannung gelegt wird.
Der Unterschied ist somit derselbe wie derjenige zwischen
der fünften Ausführungsform gemäß Fig. 13 und der sechsten
Ausführungsform gemäß Fig. 19. Es gilt demgemäß das zu Fig.
19 Ausgeführte entsprechend. Neu ist allerdings, daß die
Entladungskammer 119 vorhanden ist, in der Material gasför
mig in eine Entladungskammer geführt wird und dort angeregt
wird.
Was die Vorteile der Vorrichtungen gemäß dem elften und
zwölften Ausführungsbeispiel anbetrifft, gelten die vorste
hend zu den anderen Ausführungsformen, insbesondere zu den
Ausführungsformen 5 und 6 erläuterten Vorteile und Wirkungen
entsprechend.
Beim dreizehnten Ausführungsbeispiel gemäß Fig. 29 wird ein
Magnetfeld IB 118 parallel zum elektrischen Feld IE 116 zwi
schen den Elektroden 113 a und 113 b angelegt, um ein Aufwei
ten des Ionenstrahls zu vermeiden.
Beim vierzehnten Ausführungsbeispiel gemäß Fig. 13 werden
abweichend vom elften Ausführungsbeispiel gemäß Fig. 25 zwei
Farbstofflaser 108 a und 108 b verwendet, die ihr Licht ge
trennt in den Überlappungsbereich 107 einstrahlen. Dies er
folgt über optische Justiermittel 109 a bzw. 109 b.
Beim fünfzehnten Ausführungsbeispiel gemäß Fig. 31 erfolgt
das Einstrahlen von Laserlicht aus dem Laserstrahlerzeuger
108 wiederum genau entgegengesetzt der Strahlrichtung des
ersten Teilchenstrahls 106 a. Es gilt demgemäß entsprechend
das, was zum Ausführungsbeispiel gemäß Fig. 22 ausgeführt
wurde.
Beim sechzehnten Ausführungsbeispiel gemäß Fig. 32 ist auch
in der ersten Elektrode 113 a ein Loch 114 a vorhanden, durch
das ein Atomstrahl von SF6 eingestrahlt wird. Dieses Aus
führungsbeispiel stimmt somit weitgehend mit dem von Fig. 23
überein, mit dem Unterschied, daß nicht ein erster Teilchen
flußerzeuger 104, sondern eine Entladungskammer 119 verwen
det wird. Im übrigen gelten die Ausführungen zu Fig. 23 ent
sprechend, auch dahin, daß der Ultraschall-Strahlerzeuger
gemäß Fig. 24 verwendet werden kann.
Das siebzehnte Ausführungsbeispiel gemäß Fig. 33 unterschei
det sich vom fünften Ausführungsbeispiel gemäß Fig. 13 da
durch, daß ein Strahlerzeuger 150 für geladene Teilchen vor
handen ist. Der Strahlerzeuger gibt einen Teilchenstrahl 151
in Form eines Elektronenstrahls, eines Ionenstrahls oder
eines Plasmastrahls aus. Beim Ausführungsbeispiel handelt es
sich um einen Elektronenstrahl. Er wird so eingestrahlt, daß
er im Überlappungsbereich 107 auf die sich dort überlappen
den anderen beiden Teilchenstrahlen trifft. Die Teilchen
flußerzeuger 101 und 104 für die ersten beiden Teilchen
strahlen sind ausgebildet, wie durch die Fig. 15 und 16 ver
anschaulicht. Der Strahlerzeuger 115 ist aufgebaut, wie in
Fig. 34 dargestellt. Mit Hilfe einer Heizdrahtanordnung 152
werden thermische Elektronen erzeugt. Die Heizdrähte 152
werden von einer Grundplatte 153 gehalten. Es wird ihnen
Energie über eine Spannungsversorgung 154 zugeführt. Eine
weitere Spannungsversorgungsquelle 155 dient zum Zuführen
einer Beschleunigungsspannung an die Heizdrähte 152. Vor den
Heizdrähten befindet sich eine Lochelektrode 156, durch die
ein Elektronenstrahl 157 austritt.
Beim Ausführungsbeispiel gemäß Fig. 33 treten SF6-Moleküle
aus der Austrittsdüse 102 aus und erreichen den Überlap
pungsbereich 107. Aus dem zweiten Teilchenflußerzeuger 104
treten Ga-Atome aus, die dadurch erzeugt wurden, daß Ga in
einem Tiegel 104 a erzeugt wurde. Die Ga-Atome strahlen aus
der Öffnung 104 f aus und erreichen den Überlappungsbereich
107. Währenddessen werden die Heizdrähte 152, durch Spannung
von der Spannungsversorgung 154 erzhitzt, und mit Hilfe
eines Beschleunigungsfeldes werden die dabei erzeugten Elek
tronen so beschleunigt, daß sie durch die Lochelektrode 156
als Elektronenstrahl 157 austreten und den Überlappungsbe
reich 107 an dessen Anfang, gesehen in Flugrichtung der zu
nächst genannten Teilchen, erreichen.
Die Wellenlänge des Laserstrahls, der in den Rydberg-Zustand
anregt, beträgt wiederum 426,2 nm. Auf die hierbei hervor
gerufenen Effekte wird auf das verwiesen, was zu den Fig. 17
und 27 erläutert wurde. Der vom Strahlerzeuger 150 in den
Überlappungsbereich 107 eingestrahlte Strahl geladener Teil
chen dient zum wirksamen Anregen der Ga-Atome in den Ryd
berg-Zustand, was durch die Teilchen statt durch den Laser
strahl erfolgt.
Wie schon beim elften Ausführungsbeispiel, ist es auch beim
siebzehnten Ausführungsbeispiel möglich, besondere Atome
oder Moleküle in einem weiten Bereich mit Hilfe eines Laser
strahls zu ionisieren, der mit geringer Leistung im sichtba
ren Bereich abstrahlt. Die erzielbaren Ionenströme sind er
heblich größer, als sie mit herkömmlichen Vorrichtungen er
zielt werden können. Es lassen sich wiederum, ohne Ändern
der Laserwellenlänge, auch Ionenströme von z. B. Cl⁻ oder
SiH4⁻ erzeugen.
Bei der achten Ausführungsform gemäß Fig. 35 liegt wiederum
positive Spannung an der Elektrode 113 a, um einen Ionenstrom
von Ga⁺ zu erzeugen. Das zu anderen Ausführungsbeispielen
Erläuterte zur Erzeugung eines Ga⁺-Ionenstrahls gilt hier
entsprechend.
Auch für die siebzehnte und achtzehnte Ausführungsform gilt
wieder, daß auch Ionenstrahle von Isotopen erzeugt werden
können. Außerdem gilt für das Verwenden von kontinuierlichem
Laserlicht das zu weiter vorne erläuterten Ausführungsbei
spielen Angegebene entsprechend.
Bei der Vorrichtung gemäß dem siebzehnten und dem achtzehn
ten Ausführungsbeispiel wurde ein Elektronenstrahl erzeugt.
Es kann jedoch auch ein mit Hilfe eines Ionenquelle erzeug
ter Ionenfluß oder ein mit Hilfe einer Plasmaquelle erzeug
ter Plasmafluß verwendet werden.
Beim neunzehnten Ausführungsbeispiel gemäß Fig. 36 ist wie
der ein Magnetfeld IB 118 parallel zum elektrischen Feld IE
116 vorhanden. Das vorstehend Ausgeführte zu Vorrichtungen
mit Magnetfeld gilt entsprechend. Beim zwanzigsten Ausfüh
rungsbeispiel gemäß Fig. 37 sind wiederum zwei einzelne
Farbstofflaser 108 a und 108 b statt einem Laserstrahlerzeuger
108, der zwei Laser zusammenfaßt, vorhanden. Das zu entspre
chenden Ausführungsformen vorstehend Ausgeführte gilt ent
sprechend.
Beim einundzwanzigsten Ausführungsbeispiel gemäß Fig. 38
wird wiederum das Laserlicht genau entgegengesetzt zur Flug
richtung der Teilchen vom zweiten Teilchenflußerzeuger 104
eingestrahlt. Das zu entsprechenden Vorrichtungen vorstehend
Ausgeführte gilt entsprechend.
Beim zweiundzwanzigsten Ausführungsbeispiel gem. Fig. 39
weist die Elektrode 113 a wiederum ein Loch 114 a auf, durch
das SF6-Atome von einem Teilchenflußerzeuger 101 in den
Überlappungsbereich 107 eingestrahlt werden. Es kann wiede
rum ein Ultraschall-Teilchenerzeuger gem. Fig. 24 verwendet
werden. Das zu entsprechenden Ausführungsformen Erläuterte
gilt entsprechend.
Das dreiundzwanzigste Ausführungsbeispiel gemäß den Fig. 40
und 41 ist besonders einfach aufgebaut. Es weist einen ein
zigen Teilchenflußerzeuger 141 auf, der unterschiedliche
Atome oder Moleküle ausgibt. Beim Ausführungsbeispiel han
delt es sich um Ga-Atome und SF6-Moleküle. Dieser einzige
Erzeuger 1041 tritt also an die Stelle der Teilchenflußer
zeuger 101 und 104 im fünften Ausführungsbeispiel gemäß
Fig. 13. Wie aus Fig. 41 ersichtlich, ist eine Tiegelanord
nung vorhanden, bei der in den oberen Tiegelbereich Gas aus
einer Gasflasche 101 a, hier SF6-Gas eingeblasen wird. Die
Gasmoleküle treten zusammen mit verdampften Ga-Atomen durch
die Öffnung 104 f oben am Tiegel 104 a aus.
Beim vierundzwanzigsten Ausführungsbeispiel gemäß Fig. 42
liegt wiederum positive Spannung an der Elektrode 113 a, um
einen Strom von Ga⁺-Ionen zu erzeugen. Beim fünfundzwanzig
sten Ausführungsbeispiel gemäß Fig. 43 ist wiederum ein Mag
netfeld IB 118 parallel zum elektrischen Feld IE 116 vor
handen. Beim sechsundzwanzigsten Ausführungsbeispiel gemäß
Fig. 44 liegen wiederum zwei einzelne Farbstofflaser 108 a
und 108 b vor. Beim siebenundzwanzigsten Ausführungsbeispiel
gemäß Fig. 45 erfolgt Einstrahlung des Laserlichts wiederum
entgegengesetzt zur Flugrichtung der Teilchen. Beim achtund
zwanzigsten Ausführungsbeispiel gemäß Fig. 46 weist die er
ste Elektrode 113 a wieder ein Loch 114 a auf, durch das Teil
chen eingestrahlt werden. Allerdings handelt es sich in die
sem Fall nicht nur um SF6-Moleküle, sondern zusätzlich um
Ga-Atome, die aus einem Teilchenflußerzeuger 1041 einge
strahlt werden. Die Ausführungsbeispiele gemäß den Fig. 42
bis 46 unterscheiden sich also von denen der Fig. 19 bis 23
dadurch, daß statt zweier Teilchenflußerzeuger nur ein ein
zelner vorhanden ist.
Das Ausführungsbeispiel gemäß den Fig. 47 und 48 ist ähnlich
zu dem der Fig. 23 und 24. Es ist eine Entladungskammer 1191
statt einer Entladungskammer 119 vorhanden, in die SF6-
Moleküle 119 r statt He-Atomen eingeführt werden. Dadurch
wird wieder die Intensität des Magnetfeldes so eingestellt,
daß die Bedingung für Elektronzyklotronresonanz erfüllt ist.
Dadurch findet ein Entladen mit hohem Wirkungsgrad statt,
wodurch Ga-Atome und SF6-Moleküle angeregt oder ionisiert
werden.
Das dreißigste Ausführungsbeispiel gemäß Fig. 49 bis das
vierunddreißigste Ausführungsbeispiel gemäß Fig. 53 entspre
chen dem zwölften Ausführungsbeispiel von Fig. 28 bis zum
sechzehnten Ausführungsbeispiel gemäß Fig. 53, wobei jeweils
der Teilchenflußerzeuger 101 und die Entladungskammer 119
durch die Entladungskammer 1191 ersetzt sind.
Das fünfunddreißigste Ausführungsbeispiel gemäß Fig. 54 bis
das vierzigste Ausführungsbeispiel gemäß Fig. 59 entsprechen
dem siebzehnten Ausführungsbeispiel gemäß Fig. 33 bzw. dem
achtzehnten bis zweiundzwanzigsten Ausführungsbeispiel gemäß
den Fig. 35 bis 39. Es sind jeweils die beiden Teilchenfluß
generatoren 101 und 104 durch den gemeinsamen Teilchenfluß
generator 1041 gemäß Fig. 41 ersetzt.
Claims (31)
1. Ionenstrahlquelle mit
- - einer Teilchenfluß-Erzeugungseinrichtung (101, 104, 1041, 109, 1091) zum Erzeugen mindestens eines Atom- oder Mole külstrahls,
gekennzeichnet durch
- - eine Anregungseinrichtung (108; 108 a, 108 b) zum Erzeugen eines Laserstrahls mit mindestens einer Wellenlänge, um Teilchen im Teilchenstrahl vom Grundzustand oder einem an geregten Zustand in einen hochangeregten Zustand, d. h. einen Rydberg-Zustand zu überführen, in dem die Hauptquan tenzahl des Valenzelektrons groß ist,
- - und eine Felderzeugungseinrichtung, die so angeordnet ist, daß der Strahl hochangeregter Teilchen durch das von ihr erzeugte elektrische Feld hindurchtritt, wobei die hochan geregten Teilchen aufgrund der Wirkung des elektrischen Feldes ionisiert werden.
2. Ionenstrahlquelle nach Anspruch 1, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Felderzeugungseinrichtung Elektroden
(113 a, 113 b) aufweist, die so angeordnet sind, daß sich das
elektrische Feld und die Teilchenflugrichtung kreuzen.
3. Ionenstrahlquelle nach Anspruch 1, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Felderzeugungseinrichtung Elektroden (11 a,
11 b) aufweist, die so angeordnet sind, daß das elektrische
Feld parallel zur Flugrichtung der Teilchen ist.
4. Ionenstrahlquelle nach einem der vorstehenden Ansprü
che, dadurch gekennzeichnet, daß die Teilchen vom Grundzu
stand in den Rydberg-Zustand über mindestens einen Zwischen
zustand angeregt werden, wozu ein Laserstrahlerzeuger (108)
verwendet wird, der Laserlicht mit mindestens zwei Wellen
längen abstrahlt.
5. Ionenstrahlquelle nach einem der vorstehenden Ansprü
che, dadurch gekennzeichnet, daß der Laserstrahlerzeuger
(108) ein gepulster Laser ist und daß die Felderzeugungsan
ordnung (113 a, 113 b, 115) ebenfalls pulsbar ist.
6. Ionenstrahlquelle nach Anspruch 5, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Pulspause zwischen zwei Pulsen des elek
trischen Feldes länger ist als die Zeit, die für Teilchen
erforderlich ist, um durch das elektrische Feld zu fliegen.
7. Ionenstrahlquelle nach den Ansprüchen 5 oder 6, da
durch gekennzeichnet, daß der pulsförmige Betrieb des Laser
strahlerzeugers (108) und der Felderzeugungseinrichtung
(113 a, 113 b, 115) wiederholt werden.
8. Ionenstrahlquelle nach Anspruch 1, dadurch gekenn
zeichnet, daß der Laserstrahlerzeuger (108) kontinuierlich
Laserlicht ausstrahlt und daß die Felderzeugungseinrichtung
(113 a, 113 b, 115) periodisch arbeitet.
9. Ionenstrahlquelle nach Anspruch 8, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Pulspause zwischen zwei Pulsen für das
elektrische Feld länger ist als die Zeit, die die Teilchen
benötigen, um das elektrische Feld zu durchfliegen.
10. Ionenstrahlquelle nach Anspruch 1, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Anregung so erfolgt, daß ein Rydberg-
Zustand mit einer Hauptquantenzahl von mindestens 20 er
reicht wird.
11. Ionenstrahlquelle nach einem der vorstehenden Ansprü
che, dadurch gekennzeichnet, daß die Felderzeugungseinrich
tung außer einem elektrischen Feld auch ein magnetisches
Feld erzeugt.
12. Ionenstrahlquelle nach Anspruch 11, dadurch gekenn
zeichnet, daß das magnetische Feld so erzeugt wird, daß
seine Feldrichtung parallel zum elektrischen Feld liegt.
13. Ionenstrahlquelle nach einem der vorstehenden Ansprü
che, dadurch gekennzeichnet, daß Laserlicht von 403,3 nm
verwendet wird, um Gallium aus dem Grundzustand 4 p in den
angeregten Zustand 5 s zu überführen, und däß Laserlicht mit
einer Wellenlänger kleiner als 403,3 nm verwendet wird, um
von dort die Anregung in den Rydberg-Zustand vorzunehmen.
14. Ionenstrahlquelle nach einem der Ansprüche 1-12,
dadurch gekennzeichnet, daß die Bandbreite mindestens eines
der Laserstrahlen so klein ist, daß Anregung nur für ein
besonderes Atom oder ein besonderes Isotop in den Rydberg-
Zustand ermöglicht ist.
15. Ionenstrahlquelle nach Anspruch 1, dadurch gekenn
zeichnet, daß durch den erzeugten Ionenstrahl ein dünner
Film auf einem Substrat (26) erzeugt wird, oder Ionenimplan
tation auf dem Substrat ausgeführt wird oder ein Teil einer
Schicht abgeätzt wird.
16. Ionenstrahlquelle nach Anspruch 15, dadurch gekenn
zeichnet, daß das Substrat (26) zwischen den Elektroden
(11 a, 11 b) angeordnet wird.
17. Ionenstrahlquelle nach einem der vorstehenden An
sprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Teilchenfluß-
Erzeugungseinrichtung einen ersten Teilchenflußerzeuger
(101) und einen zweiten Teilchenflußerzeuger (104) zum Er
zeugen von Strahlen unterschiedlicher Teilchen aufweist.
18. Ionenstrahlquelle nach einem der vorstehenden Ansprü
che, dadurch gekennzeichnet, daß die Felderzeugungseinrich
tung ein Paar Elektroden (113 a, 113 b) und eine Spannungsver
sorgung (115) aufweist.
19. Ionenstrahlquelle nach Anspruch 18, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Felderzeugungseinrichtung Spannungspulse
negativen Potentials erzeugt.
20. Ionenstrahlquelle nach Anspruch 18, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Felderzeugungseinrichtung Pulse positiven
Potentials erzeugt.
21. Ionenstrahlquelle nach Anspruch 18, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Felderzeugungseinrichtung ein kontinuier
liches negatives Potential erzeugt.
22. Ionenstrahlquelle nach Anspruch 18, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Felderzeugungseinrichtung ein kontinuier
liches positives Potential erzeugt.
23. Ionenstrahlquelle nach einem der vorstehenden Ansprü
che, dadurch gekennzeichnet, daß eine Elektrode (113 b) in
der Felderzeugungseinrichtung ein Austrittsloch (114) auf
weist.
24. Ionenstrahlquelle nach einem der vorstehenden Ansprü
che, dadurch gekennzeichnet, daß die Anregungseinrichtung
mindestens einen ersten Laser (16 a) zum Erzeugen von Laser
licht einer ersten Wellenlänge und einen zweiten Laser (16 b)
zum Erzeugen von Laserlicht einer zweiten Wellenlänge auf
weist.
25. Ionenstrahlquelle nach einem der vorstehenden Ansprü
che, dadurch gekennzeichnet, daß die Anregungseinrichtung
pulsförmiges Laserlicht erzeugt.
26. Ionenstrahlquelle nach einem der Ansprüche 1-24,
dadurch gekennzeichnet, daß die Anregungseinrichtung konti
nuierliches Laserlicht erzeugt.
27. Ionenstrahlquelle nach einem der vorstehenden Ansprü
che, dadurch gekennzeichnet, daß Laserlicht entgegengesetzt
zur Teilchenflugrichtung verwendet wird.
28. Ionenstrahlquelle nach einem der Ansprüche 1-26,
dadurch gekennzeichnet, daß Laserlicht quer zu einer Teil
chenflugrichtung verwendet wird.
29. Ionenstrahlquelle nach einem der vorstehenden Ansprü
che, dadurch gekennzeichnet, daß die Teilfluß-Erzeugungs
einrichtung integrierte Einrichtungen (1041; 1091) zum Er
zeugen zweier Arten von Teilchen aufweist.
30. Ionenstrahlquelle nach einem der vorstehenden Ansprü
che, dadurch gekennzeichnet, daß die Teilchenfluß-Erzeu
gungseinrichtung eine Einrichtung (150) zum Erzeugen gelade
ner Teilchen aufweist, die zusätzlich zu den anregenden
Teilchen in den mindestens einen Teilchenstrahl eingestrahlt
werden.
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Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100211417B1 (ko) * | 1990-11-30 | 1999-10-01 | 유충식 | L-탈로피라노시드 유도체 및 그의 제조방법 |
WO1997020620A1 (en) * | 1995-12-07 | 1997-06-12 | The Regents Of The University Of California | Improvements in method and apparatus for isotope enhancement in a plasma apparatus |
US5821548A (en) * | 1996-12-20 | 1998-10-13 | Technical Visions, Inc. | Beam source for production of radicals and metastables |
US6105885A (en) * | 1998-04-03 | 2000-08-22 | Advanced Energy Systems, Inc. | Fluid nozzle system and method in an emitted energy system for photolithography |
US8530853B2 (en) * | 2011-07-22 | 2013-09-10 | The United States of America, as represented by the Secretary of Commerce, NIST | Charged particle source from a photoionized cold atom beam |
JP5801144B2 (ja) * | 2011-08-30 | 2015-10-28 | 株式会社東芝 | イオン源 |
US20170336431A1 (en) * | 2016-05-19 | 2017-11-23 | Purdue Research Foundation | System and method for measuring exhaust flow velocity of supersonic nozzles |
CN114447751B (zh) * | 2021-12-20 | 2024-01-02 | 军事科学院***工程研究院网络信息研究所 | 探通一体功能可定义里德堡原子天线实现方法 |
WO2023172902A1 (en) * | 2022-03-10 | 2023-09-14 | Radiabeam Technologies, Llc | Cold alkali plasma cathode electron beam source |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3914655A (en) * | 1973-06-28 | 1975-10-21 | Ibm | High brightness ion source |
US3987302A (en) * | 1975-08-27 | 1976-10-19 | The United States Of America As Represented By The United States Energy Research And Development Administration | Resonance ionization for analytical spectroscopy |
US4070580A (en) * | 1976-02-17 | 1978-01-24 | Stanford Research Institute | Method and apparatus for field ionization for isotope separation |
US4692627A (en) * | 1985-10-01 | 1987-09-08 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Ion beam generator |
US4716295A (en) * | 1985-10-01 | 1987-12-29 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Ion beam generator |
DE3817604A1 (de) * | 1987-05-27 | 1988-12-08 | Mitsubishi Electric Corp | Ionenstrahlgenerator |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4061921A (en) * | 1974-05-02 | 1977-12-06 | The United States Of America As Represented By The United States Energy Research & Development Administration | Infrared laser system |
US4020350A (en) * | 1975-06-23 | 1977-04-26 | Massachusetts Institute Of Technology | Isotope selective excitation and separation method and apparatus utilizing circularly polarized pulsed radiation |
JPS5327797A (en) * | 1976-08-27 | 1978-03-15 | Agency Of Ind Science & Technol | Enriching and separating method for lithium isotope by laser |
US4293769A (en) * | 1978-01-13 | 1981-10-06 | Massachusetts Institute Of Technology | Detecting IR and mm radiation |
DE2942386C2 (de) * | 1979-10-19 | 1984-01-12 | Ulrich Dr. 8000 München Boesl | Ionenquelle |
US4893019A (en) * | 1987-05-27 | 1990-01-09 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Ion current generator system for thin film formation, ion implantation, etching and sputtering |
-
1989
- 1989-04-21 JP JP1103177A patent/JP2947813B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1990
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3914655A (en) * | 1973-06-28 | 1975-10-21 | Ibm | High brightness ion source |
US3987302A (en) * | 1975-08-27 | 1976-10-19 | The United States Of America As Represented By The United States Energy Research And Development Administration | Resonance ionization for analytical spectroscopy |
US4070580A (en) * | 1976-02-17 | 1978-01-24 | Stanford Research Institute | Method and apparatus for field ionization for isotope separation |
US4692627A (en) * | 1985-10-01 | 1987-09-08 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Ion beam generator |
US4716295A (en) * | 1985-10-01 | 1987-12-29 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Ion beam generator |
DE3817604A1 (de) * | 1987-05-27 | 1988-12-08 | Mitsubishi Electric Corp | Ionenstrahlgenerator |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH02281536A (ja) | 1990-11-19 |
KR920010700B1 (ko) | 1992-12-12 |
KR900017084A (ko) | 1990-11-15 |
US5115135A (en) | 1992-05-19 |
JP2947813B2 (ja) | 1999-09-13 |
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