DE3900798A1

DE3900798A1 - Verfahren zum loeschen und programmieren eines elektrisch loeschbaren und programmierbaren nur-lese-speichers

Info

Publication number: DE3900798A1
Application number: DE3900798A
Authority: DE
Inventors: Jerry A Kreifels; Alan Baker; George Hoekstra; Virgil Niles Kynett; Steven Wells; Mark Winston
Original assignee: Intel Corp
Current assignee: Intel Corp
Priority date: 1988-02-17
Filing date: 1989-01-13
Publication date: 1989-08-31
Anticipated expiration: 2009-01-14
Also published as: JPH0210596A; FR2627315B1; US5053990A; FR2627315A1; GB2215155B; JPH0632226B2; GB8819579D0; DE3900798C2; FR2627089A1; GB2215155A

Description

Die Erfindung bezieht sich auf elektrisch programmierbare und elektrisch löschbare MOS-Nur-Lese-Speicher (EEPROMs) und auf elektrisch programmierbare Nur-Lese-Speicher (EPROMs) mit auf schwebendem Potential befindlichen Gate-Elektroden.

Die am häufigsten benutzte EPROM-Zelle hat ein elektrisch schwebendes Gate, das von Isoliermaterial vollständig umgeben ist und generell zwischen einer Source- und einer Drain-Zone angeordnet ist, die in einem Siliziumsubstrat gebildet sind. Bei früheren Ausführungen dieser Zellen wurde Ladung durch die Isolierschicht durch Avalanche-Injektion injiziert (US-PS 36 60 819). Spätere Ausführungen von EPROMs machten zum Aufladen der schwebenden Gate-Elektrode von der Kanalinjektion Gebrauch (US-PS′n 41 42 926, 41 14 255 und 44 12 310). Diese EPROMs wurden dadurch gelöscht, daß man sie ultravioletter Strahlung aussetzt.

Auch sind elektrisch löschbare EPROMs (EEPROMs) im Handel erhältlich. In einigen Fällen wird Ladung auf die und von der schwebenden Gate-Elektrode dadurch überführt, daß man die Ladung durch eine auf dem Substrat gebildete dünne Oxidschicht durchtunnelt (US-PS 42 03 158). In anderen Fällen wird Ladung über eine obere Elektrode entfernt (US-PS 40 99 196).

Diese EEPORM-Zellen eignen sich im Gegensatz zu den EPROM-Zel len nicht zu einer Reduktion der Substratfläche. Es wurden verschiedene Verfahren zum Reduzieren der Größe der Speicher matrix mit Hilfe dichterer Zellenanordnungen entwickelt. Ein solches Verfahren ist in der US-PS 44 32 075 beschrieben. Die US-PS 42 66 283 beschreibt die Anordnung eines EEPROM in einer Matrix und die Auswahl verschiedener auf der Speichermatrix durchzuführender Funktionen.

EEPROM-Speicher werden häufig zum Löschen als auch zum Pro grammieren von ihren gedruckten Schaltungsplatinen entfernt. Eine spezielle Programmiereinrichtung dient zum Programmieren der Zellen. Diese Einrichtung verifiziert auch, daß die Zellen geeignet gelöscht und programmiert sind. Während des Program mierens werden Elektronen zum schwebenden Gate übertragen, wodurch die Zellen weniger leitfähig werden. Der Betrieb die ser EPROM-Einrichtungen ist bekannt.

EEPROMs unterscheiden sich dadurch von EPROMs, daß erstere typischerweise programmiert und gelöscht werden, während sie in derselben Schaltung (z.B. einer gedruckten Schaltungskarte) installiert sind, die auch zum Lesen von Daten aus dem Spei cher benutzt wird. Dies bedeutet, daß eine spezielle Program miereinrichtung nicht benötigt wird. In einigen Fällen werden "on-chip"-Schaltungen dazu benutzt, die richtige Ausführung der Programmierung zu verifizieren. Die US-PS 44 60 982 be schreibt ein intelligentes EEPROM mit Mitteln sowohl zum Pro grammieren als auch zum Löschen.

In jüngster Zeit entstand eine neue Kategorie von elektrisch löschbaren EPROMs/EEPROMs, und diese Bauelemente werden manch mal als "Flash"O-EPROMs oder -EEPROMs bezeichnet. In diesen Flash-Speichern wird das gesamte Speicherfeld bzw. die Matrix gleichzeitig elektrisch gelöscht. Die Zellen selbst verwenden nur ein einziges Bauelement pro Zelle. Relevant ist in diesem Zusammenhang ein Artikel mit der Bezeichnung "Ein 256-kBit -Flash-E²PROM unter Verwendung der Triple-Polysilizium-Tech nologie", von Masuoka u.a., IEEE Journal of Solid-State Cir cuits, Bd. SC-22, Nr. 4, August 1987. Die vorliegende Erfin dung ist auf die Verwendung dieser Zellen gerichtet.

Elektrisch löschbare Flash-Speicherbauteile unterliegen einem anderen Problem, insbesondere der übermäßigen Löschung. Dabei kann zuviel Ladung entfernt werden, wodurch das Bauteil "ver armungs-artig" wird. Es kann erforderlich werden, die Zellen nach dem Löschen zu Testen, um zuverlässig festzustellen, daß die schwebende Gate-Elektrode gelöscht, jedoch nicht zu posi tiv geladen ist.

Ein anderes Problem entsteht, wenn das Löschen in der Schal tung bei Flash-Speichern verwendet wird. Zusätzliche Si gnal/Befehls-Leitungen werden benötigt, um den Flash-Speicher zu löschen und zu programmieren. Zusätzliche Leitungen mit entsprechenden zusätzlichen Stiften auf einem Speicherchip sind dann kein Problem, wenn neue Schaltungen, Karten, Systeme usw. konstruiert werden. Bei Flash-Speichern, die anstelle existierender EPROMs/EEPROMs verwendet werden sollen, ist eine Stift-zu-Stift-Kompatibilität eine notwendige Bedingung. Da zusätzliche Steuerleitungen zum Löschen und Programmieren benötigt werden, kann eine direkte Stift-zu-Stift-Kompatibili tät nur dann erreicht werden, wenn gewisse Architekturänderun gen innerhalb des Flash-Speicherbauelements durchgeführt wer den, die das Löschen und Neuprogrammieren ermöglichen.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, das Programmieren und Löschen von Flash-Speichergeräten zu verbessern und zu vereinfachen.

Die Erfindung schafft eine Befehlsportarchitektur zum Program mieren und Löschen von Flash-Speichergeräten über einen Daten port. Um in der Schaltung selbst Löschen, Programmieren und die Lösch/Programmier-Verifikation zu ermöglichen, sind Schal tungsmittel auf dem den Speicher enthaltenden Halbleiterchip integriert. Ein Befehlsport-Steuergerät ist so angeordnet, daß es Befehle von einer mit einem zugehörigen Prozessor gekoppel ten Datenleitung akzeptiert. In das Befehlsport-Steuergerät geschriebene Befehle sorgen für den notwendigen Befehl zur Erzeugung von Steuersignalen zum Löschen und Programmieren des Speichers sowie zum Verifizieren des Inhalts nach Durchführung der Lösch- und Programmieroperationen.

Der Befehlsport besteht aus einem Befehlsport-Steuergerät, Datenregistern, die mit einem Datenbus zum akzeptieren von Programmierdaten gekoppelt sind, und aus mit dem Adreßbus gekoppelten Adreßregistern, welche während des Programmierens und des Verifizierens Adreßinformationen aufnehmen. Das Be fehlsport-Steuergerät enthält Befehls- und Zustandsregister, die zur Aufnahme von Befehlsinstruktionen von einem Mikropro zessor mit einem Datenbus gekoppelt sind, Taktgeneratoren zur Erzeugung der notwendigen Taktfrequenzen und Zeitgaben und einen Zustandsdecodierer zum Decodieren der den Befehls- und Zustandsregistern eingegebenen Instruktionen.

Außerdem liefert das Steuergerät einen Löschalgorithmus und einen Programmieralgorithmus zum Löschen bzw. Programmieren des Speichers. Der Löschalgorithmus liefert die notwendigen Spannungen zum Löschen der Flash-Speicherzellen und verifi ziert danach, daß der Speicher gelöscht ist. Der Löschzyklus wird überwacht und wiederholt bei jedem Löschimpuls einer vorgegebenen Pulsbreite, der inkrementiert wird, bis die Lö schung erreicht ist. Es wird jedoch ein Fehler festgestellt, wenn eine maximale Impulszählung erreicht ist und der Speicher noch nicht vollständig gelöscht worden ist.

In äquivalenter Weise sorgt der Algorithmus während des Pro grammierens des Speichers für das Programmieren jedes Spei cherplatzes und das Verifizieren des Speicherinhalts nach dem Programmieren. Der Programmierzyklus wird überwacht und bei jedem Programmierimpuls einer vorgegebenen Impulsbreite wie derholt, bis die Programmierung erreicht ist. Wenn die Pro grammierung jedoch nach einer vorgegebenen maximalen Impuls zählung nicht erreicht werden kann, so wird ein Programmier fehler festgestellt.

Im folgenden wird die Erfindung anhand eines in der Zeichnung schematisch dargestellten Ausführungsbeispiels näher erläu tert. In der Zeichnung zeigen:

Fig. 1 ein Blockschaltbild eines Ausführungsbeispiels des erfindungsgemäßen Flash-Speichergeräts;

Fig. 2 ein Blockschaltbild eines Befehlsport-Steuerge räts nach der Erfindung;

Fig. 3 ein Zeitdiagramm für einen Lesezyklus des be schriebenen Ausführungsbeispiels der Erfindung;

Fig. 4 ein Zeitdiagramm eines Löschzyklus bei dem be schriebenen Ausführungsbeispiel;

Fig. 5 ein Zeitdiagramm eines Programmierzyklus bei dem beschriebenen Ausführungsbeispiel;

Fig. 6 ein Ablaufdiagramm für einen Löschzyklus bei dem beschriebenen Ausführungsbeispiel;

Fig. 7 ein Ablaufdiagramm für einen Programmieralgorith mus bei dem beschriebenen Ausführungsbeispiel; und

Fig. 8A, 8B, 8C, 8D und 8E Teilschaltbilder des Befehls port-Steuergeräts gemäß Fig. 2.

Beschrieben wird eine Befehlsport-Architektur, die für eine Mikroprozessorsteuerung von Programmier-, Lösch-, Programmve rifizier-, Löschverifizier- und Lesemoden zur Verwendung in einem Flash-Speicher sorgt. In der folgenden Beschreibung werden zahlreiche spezielle Einzelheiten, beispielsweise spe zielle Schaltungskonfigurationen, Komponenten usw. angegeben, um die Erfindung leichter verständlich zu machen. Es ist je doch für den Fachmann klar, daß die Erfindung ohne diese be sonderen Einzelheiten realisiert werden kann. In anderen Fäl len werden bekannte Verfahrensweisen, Architekturen und Schal tungen nicht im einzelnen beschrieben, um die Erfindung nicht mit unnötigen Einzelheiten zu belasten.

Das bevorzugte Ausführungsbeispiel der Erfindung wird in Ver bindung mit einem besonderen Doppelpoly-, Einzeltransistor-, elektrisch löschbaren und programmierbaren Flash-Speicher verwendet, der auch als Flash-EPROM bezeichnet wird. Es han delt sich dabei um einen nicht-flüchtigen Flash-Speicher hoher Dichte, der für Mikroprozessor-gesteuerte Umprogrammierung aktiviert ist. Dieser spezielle Flash-EPROM macht von einer weiterentwickelten komplementären Metalloxidhalbleiter -(CMOS-)1,5 µm-Technologie Gebrauch, die auf einer 6 µm mal 6 µm Zelle, hergestellt auf einem 4,88 mm quadratischen Scheib chen, 32 768×8 Bits zur Verfügung stellt. Obwohl ein speziel ler 256 KBit-Flash-EPROM beschrieben wird, ist es klar, daß andere Speichergrößen und andere Speichertechnologien unter Verwendung der Erfindung angewandt werden können.

Der nicht-flüchtige Flash-EPROM nach der Erfindung basiert auf der EPROM-Technologie. Die Speicherzelle verwendet einen äqui valenten Programmiermechanismus wie ein EPROM, kann jedoch elektrisch gelöscht werden. Elektrisches Löschen des Flash -Speichers wird durch Verwendung einer Tunneloxidschicht hoher Qualität unter einer Einzeltransistorzelle mit schwebender Polysilizium-Gate-Elektrode erreicht. Die Flash-Zelle erfor dert eine 12 V Betriebsspannung zum Löschen und Programmieren. Der Löschmechanismus benutzt ein Fowler-Nordheim-Durchtunneln zur Elektronenbewegung von dem schwebenden Gate zum Zellen -Sourceübergang. Das Programmieren wird mit dem EPROM-Stan dardverfahren der Injektion heißer Elektronen von dem Zellen -Drainübergang zur schwebenden Gate-Elektrode erreicht. Die Flash-EPROM-Zelle, wie sie bei der Erfindung Verwendung fin det, ist als solche bekannt aus den in der Beschreibungsein leitung bezeichneten Druckschriften.

Ohne die Verwendung einer speziellen Schaltung kann keine direkte Stift-zu-Stift-Kompatibilität zwischen dem Flash-EPROM und bekannten Speicherbauelementen hergestellt werden. Um die Stift-zu-Stift-Kompatibilität zwischen dem Flash-EPROM und bekannten EPROM-Bauelementen zu erreichen, sieht die Erfindung eine spezielle Befehlsport-Architektur vor, die ein Löschen und Programmieren in der Schaltung selbst ermöglicht. Die Befehlsport-Architektur nach der Erfindung ermöglicht die Mikroprozessorsteuerung von Programmier-, Lösch-, Programm/- Lösch-Verifizier- und Lesemoden bei gleichzeitiger Aufrechter haltung der Stift-zu-Stift-Kompatibilität mit den bekannten EPROMs/EEPROMs. Diese spezielle Architektur wird in einer Schaltung implementiert, die in ein den Flash-Speicher enthal tendes Halbleiterchip eingebaut wird.

In Fig. 1, auf die im folgenden Bezug genommen wird, ist ein Flash-EPROM-Halbleitergerät 10 gezeigt. Ein Adreßbus 12 kop pelt Adreßbits A 0- A 14 zum Adreßlatch 13. Wenn auch in dem beschriebenen Ausführungsbeispiel 15 Bits für eine Adresse auf dem Bus 12 benutzt werden, ist die tatsächliche Zahl von Adreßbits willkürlich. Adreßlatch 13 ist mit einem X-Decodie rer 14 und einem Y-Decodierer 15 verbunden. X-Decodierer 14 ist mit einer Speichermatrix 11 und Y-Decodierer 15 mit einer Y-Gatterschaltung 16 gekoppelt. Der Speicher 11 ist bei dem beschriebenen Ausführungsbeispiel eine 256 K Bitzellenmatrix struktur, wobei der X-Decodierer 14 die Decodierung zum Zu griff der X(Zeilen)-Adressierung und Y-Decodierer 15 die Deco dierung für die Y(Spalten)-Adressierung der X-Y-Matrix des Speicherfeldes 11 bewirkt. Die Anordnung der Speichermatrix 11 und das Zugreifen auf eine Matrix unter Verwendung von X- und Y-Decodierern 14 und 15 und Spaltengatterschaltung 16 sind auf dem Gebiete der EPROM-Technik bekannt.

Über einen 8-Bit-bidirektionalen Datenbus 20 werden Daten zum Gerät 10 übertragen; jedoch ist auch hier die Bitanzahl über den Datenbus 20 der Wahl des Konstrukteurs überlassen. Der Datenbus 20 ist mit einem Eingabe/Ausgabe-(I/O)Puffer 21 ge koppelt, wobei in den Speicher 11 eingegebene Daten über einen Bus 23 a und durch ein Datenlatch 22 übertragen werden. Ande rerseits werden Daten aus dem Speicher 11 über den Bus 23 b und Abtastschaltungen 101 zum I/O-Puffer 21 zur Ausgabe auf den Datenbus 20 übertragen. Einlaufende Daten werden auch von dem Bus 23 a an ein Befehlsport-Steuergerät 30 angelegt. Das Be fehlsport-Steuergerät 30 erhält auch externe Signale und und liefert Steuersignale zum Adressieren des Latch 13, Daten latch 22, Löschspannungsgenerators 24, Programmierspannungsge nerators 25 und Lösch/Programm-Verifiziergenerators 26. Ex terne Signale und werden an eine Chip/Ausgabeaktivie rungslogikschaltung 27 angelegt. Diese Daten, Adreß- und Steu ersignale kommen von einem Mikroprozessor, der in typischer Ausführung in Verbindung mit den Halbleiterspeichern verwendet wird.

Betriebsspannung VCC und deren Rückleitung VSS werden ebenso an das Gerät 10 angelegt, wie die Programmierspannung VPP, deren Spannungswert bestimmt, ob das Befehlsport-Steuergerät 30 zur Auswahl der Lese-, Lösch- oder Programmierfunktionen aktiviert wird. VPP wird an das Befehlsport-Steuergerät 30, den Löschspannungsgenerator 24, den Programmierspannungsgene rator 25 und den Lösch/Programmier-Verifiziergenerator 26 angelegt. Der Ursprung dieser Spannung ist für die Verwirkli chung der vorliegenden Erfindung ohne Bedeutung.

Eine Chip/Ausgabe-Aktivierungslogikschaltung 27 ist mit dem I/O-Puffer 21 gekoppelt. Die Schaltung 27 liefert Steuersigna le an den Puffer 21. Der Löschspannungsgenerator 24 ist mit dem Speicher 11 gekoppelt und liefert die notwendige Spannung zum gleichzeitigen Löschen der Speichermatrix 11. Der Ausgang des Programmierspannungsgenerators 25 ist mit den Decodierern 14 und 15 gekoppelt und liefert die Programmierspannung an den Speicher 11, wenn der Programmierfunktionsausgang des Lösch/ Programmier-Verifiziergenerators 26 mit dem X-Decodierer 14 zum Anlegen der Verifizierspannung an den Speicher 11 bei der Selektion der Lösch/Programmier-Verifizierfunktion gekoppelt ist.

Zum Zwecke des Löschens und Programmierens des Speichers 11 innerhalb der Schaltung ist das Gerät 10 des beschriebenen Ausführungsbeispiels so ausgebildet, daß es von dem mit dem Gerät 10 gekoppelten Prozessor über die Datenleitung 20 kom mende Befehle akzeptiert. Wenn das Gerät 10 angesteuert werden soll, wechselt das Chip-Aktivierungssignal auf den niedri gen Wert, und das Chip 10 ist für Modeninstruktionen über den Datenbus 20 vorbereitet. Befehle durchlaufen den I/O-Puffer 21 zum Befehlsport-Steuergerät 30. Das Befehlsport-Steuergerät 30 erhält eine der 2ⁿ Instruktionen bzw. Befehle (wobei n die Anzahl der Datenbits ist) von dem Datenbus 20, einschließlich der folgenden sechs Instruktionen: Programmieren, Programmve rifikation, Löschen, Löschverifikation, Lesen und Signaturle sen (eine spezielle Lesefunktion zur Anpassung des Speichers 11 an das geeignete externe Anlagenprotokoll). Abhängig von dem erhaltenen Instruktionswort erzeugt das Befehlsport-Steu ergerät 30 Steuersignale zur Erzeugung der entsprechenden Operation. Nach dem Eingang einer speziellen Instruktion an das Befehlsport-Steuergerät 30 erzeugen das Schreibaktivie rungssignal , das Chipaktivierungssignal und das Ausgabe aktivierungssignal die Erzeugung verschiedener Signale aus dem Befehlsport-Steuergerät 30 und der Logikschaltung 27 zur geeigneten Betätigung verschiedener Einheiten des Geräts 10.

Bei dem bevorzugten Ausführungsbeispiel wird das Befehlsport -Steuergerät 30 aktiviert, wenn VPP auf einem Spannungswert von angenähert 12 Volt Gleichspannung ist. Wenn das Befehls port-Steuergerät 30 jedoch entaktiviert werden soll, so sorgt eine Verschiebung von VPP von 12 Volt auf angenähert 5 Volt für die Entaktivierung des Steuergeräts 30. Immer wenn VPP auf 5 Volt übergeht, wird das Steuergerät 30 entaktiviert, so daß eine auf dem Datenbus 20 befindliche Matrixinstruktion für das Steuergerät 30 ignoriert wird. Immer wenn sich VPP auf 5 Volt befindet und das Steuergerät 30 entaktiviert ist, arbeitet das Gerät 10 nur in einem Lesebetrieb. Dieses Entaktivierungssche ma des Steuergeräts 30 wurde im Chip 10 des bevorzugten Aus führungsbeispiels für den Fall vorgesehen, daß das Gerät 10 in unmittelbarem Ersatz eines bekannten EPROM (oder eines nur im Lesebetrieb benutzten EEPROM) verwendet wird, in welchem 12 V nicht vorhanden ist. Bei derartigen bekannten EPROMs ist VPP typischerweise auf 5 Volt, wobei ein direkter Ersatz des Ge räts 10 für ein bekanntes EPROM dazu führt, daß das Gerät 10 nur einen Lesemodus herbeiführt. Dieses Entaktivierungsschema des Steuergeräts gewährleistet einen absoluten Schutz gegen unbeabsichtigtes Löschen oder Programmieren des Speichers, wenn VPP auf 5 Volt liegt.

Fig. 2, auf die im folgenden Bezug genommen wird, zeigt ein Blockschaltbild des Befehlsport-Steuergeräts 30 des beschrie benen Ausführungsbeispiels der Erfindung. Ein Chip-Aktivie rungssignal wird an eine Steuerlogik 31 und einen Adreß taktgenerator 32 angelegt. Ein Schreibaktivierungssignal wird als ein Eingangssignal an die Steuerlogik 31 angelegt. Die Steuerlogik 31 läßt eine Übertragung des Signals an den Adreßtaktgenerator 32, einen Zustandstaktgenerator 33 und Befehls/Datentaktgeneratoren 34 nur dann zu, wenn das Chip-Ak tivierungssignal das Chip 10 aktiviert hat. Das Ausgangssi gnal des Zustandstaktgenerators 33 sowie Daten auf dem Daten bus 23 a werden zum Zustandsregister 35 übertragen, dessen Ausgang mit dem Zustandsdecodierer 36 und einem Befehlstaktge nerator 34 a gekoppelt ist. Der Ausgang des Befehlstaktgenera tors 34 a ist mit einem Befehlsregister 37 verbunden. Das Be fehlsregister 37 erhält außerdem Daten vom Datenbus 23 a, und sein Ausgang ist mit einem Zustandsdecodierer 36 gekoppelt. Der Ausgang des Adreßtaktgenerators 32 liefert das Strobe-Si gnal für das Adreßlatch 13 der Schaltung gemäß Fig. 1 und der Datentaktgenerator 34 b liefert das Strobe für das Datenlatch 22 der Fig. 1. Die Ausgänge des Zustandsdecodierers 36 sind zum Adreßtaktgenerator 32 und zum Zustandsregister 35 des Steuergeräts rückgekoppelt. Andere Ausgänge des Zustandsdeco dierers 36 sind für den Löschspannungsgenerator 24, den Pro grammierspannungsgenerator 25 und den Lösch/Programmier-Veri fikationsgenerator 26 in Fig. 1 vorgesehen. Das Zustandsregi ster 35 liefert ein Rückkopplungsignal an den Befehlstaktgene rator 34 a, während das Befehlsregister 37 über keine derartige Rückkopplung verfügt.

In einem von den Signalen und kontrollierten Schreibzy klus werden Funktionen über den Datenbus 23 a ausgewählt. Der Inhalt des Adreßlatchs 13 wird an der abfallenden Flanke von aktualisiert. Die ansteigende Flanke des Signals bewirkt das Laden von Instruktionen in das Zustandsregister 35 und entweder in das Befehlsregister 37 oder das Datenlatch 22. Der Zustandsdecodierer 36 decodiert neue interne Moden bzw. Be triebsarten und löst geeignete Operationen durch Anlegen der entsprechenden Steuersignale aus. Steuerleitungen vom Zu standsdecodierer 36 zu Löschspannungs-, Programmierspannungs- und Lösch/Programmier-Verifikationsgeneratoren 23, 25 bzw. 26 lassen diese Generatoren VPP-Spannungen an die in Fig. 1 dar gestellten X-Y-Decodierer 14 und 15 oder den Speicher 11 anle gen. Aus VPP abgeleitete Verifizierspannungen werden über die X-Decodierer während des Programmierverifizierens und Löschve rifizierens an die Wortleitungen angelegt, um den Programmier und Löschrand zu gewährleisten.

Die Fig. 3, 4 und 5, auf die nachfolgend ebenfalls Bezug genommen wird, stellen Zeitfolgen verschiedener Signale im Gerät 10 dar. Fig. 3 zeigt eine Lesefunktion, bei der der Speicher 11 adressiert wird und Daten aus dem Speicher 11 gelesen werden, wenn das Ausgabeaktivierungssignal OE die Schaltung 27 aktiviert, die wiederum die Ausgabefunktion des Puffers 21 aktiviert.

Fig. 4 zeigt den Zeitzyklus für eine Löschoperation. Das Lö schen wird erreicht durch eine Zwei-Schreib-Zyklen-Folge, wobei der Löschcode in das Befehlsregister 37 und das Zu standsregister 35 in einem ersten Schreibzyklus 40 und der Lösch-Bestätigungscode in einem zweiten Schreibzyklus 41 in das Zustandsregister 35 geschrieben wird. Der Bestätigungscode löst an der ansteigenden Flanke des zweiten Zyklus 41 des Signals die Löschoperation aus. Der Zustandsdecodierer 36 löst einen Befehl an den Löschspannungsgenerator 24 aus, der daraufhin einen Hochspannungsschalter triggert, der 12 Volt (VPP) an die Source-Elektrode aller Matrixzellen des Speichers 11 anlegt. Ferner werden alle Wortleitungen an Erde gelegt. Die Fowler-Nordheim-Tunnelung führt zur gleichzeitigen Lö schung aller Zellen der Speichermatrix 11. Das Schreiben eines Löschverifiziercodes in die Register 35 und 37 während des Schreibzyklus 42 beendet das Löschen, verriegelt die Adresse des zu verifizierenden Bytes und baut interne Lösch-Grenzspan nungen (margin voltages) auf. Ein Mikroprozessor kann danach auf die Speicherausgabe von der zugegriffenen Adresse unter Verwendung üblicher Lesezeitgabe zugreifen, wenn das Signal während der Zeit 43 auf einen niedrigen Wert geht. Der Verifi ziervorgang wird dann für alle Adressen wiederholt.

Das Programmieren wird in einer in Fig. 5 veranschaulichten Weise ausgeführt. Der Programmierbefehl wird in die Register 35 und 37 während des ersten Zyklus 45 des Schreib-Aktive rungssignals eingegeben. Ein zweiter Zyklus 46 lädt das Adreßlatch 13 und das Datenlatch 22. Die ansteigende Flanke des zweiten Zyklus 46 initiiert die Programmierung über den Zustandsdecodierer 36, der zur Erzeugung eines Steuersignals an den Programmierspannungsgenerator 25 veranlaßt wird. Letz terer legt daraufhin eine hohe Spannung VPP an die Gate- und Drain-Elektroden der adressierten Zelle des Speichers 11. Das Schreiben des Programmierverifizierbefehls in die Register 35 und 37 beim Zyklus 47 beendet das Programmieren und setzt die internen Grenzspannungen zum Verifizieren des neuprogram mierten Byte. Auch hier kann das adressierte Byte unter Ver wendung üblicher Mikroprozessor-Lesezeitgaben zugegriffen werden, wenn während des Zeitabschnitts 48 auf einen nie drigen Wert geht.

Fig. 6 zeigt ein Ablaufdiagramm des von dem Befehlsport-Steu ergerät 30 benutzten Löschalgorithmus. Während der Initiali sierungsphase steht VPP an, alle Bytes werden auf einen spezi ellen Wert, in diesem Falle 00H (Vorkonditionierung) program miert, und es werden die Zähler auf einen vorgegebenen Initia lisierungswert voreingestellt. Danach wird der Aufbau-Löschbe fehl geschrieben, gefolgt vom Schreiben des Löschbefehls (vgl. Fig. 4 im Zeitdiagramm). Nach einer Auszeit, während der die Löschung erreicht wird, wird der Lösch-Verifizierbefehl ge schrieben, gefolgt von einer anderen vorgegebenen Auszeit (6 µs in dem beschriebenen Beispiel).

Danach werden Daten aus dem Speicher gelesen und überprüft, um festzustellen, ob die Daten gelöscht worden sind. Wurden die Daten nicht gelöscht, so wird die Pulsbreite zum Löschen der Daten um einen vorgegebenen Wert inkrementiert und in dem TEW-Zähler gespeichert und auf einen maximalen Grenzwert ge prüft (CUMTEW und TEW-Berechnungen sind in Fig. 6 gezeigt. Bei dem beschriebenen Ausführungsbeispiel wird die Pulsbreite auf einen maximalen Grenzwert für eine kumulative Löschzeit von 10 Sekunden inkrementiert. Nach jedem Inkrement wird die Folge durch den Schreib-Lösch-Aufbaubefehl und den Schreib-Lösch-Be fehl wiederholt. Wenn die Daten jedoch nach einer vorgegebenen Impulszählung (bei dem beschriebenen Beispiel wurde der Wert von 64 eingestellt) nicht gelöscht worden sind, so wird auf Fehler erkannt, was bedeutet, daß für diese Speicherzelle eine Löschung nicht erreicht werden kann. Wenn nach dem Lesen der Daten deren Löschung festgestellt wurde, wird die Adresse inkrementiert und die Lösch-Verifizierfolge solange wieder holt, bis die letzte Adresse verifiziert worden ist; in diesem Falle wird ein Lesebefehl in die Befehls- und Zustandsregister geschrieben, um diese Register für eine Leseoperation rückzu setzen, und der Löschzyklus ist beendet. Wenn ein Byte nicht als gelöscht verifiziert werden kann, wird die Pulsbreite TEW inkrementiert und die Löschfolge wiederholt. Die Löscheffi zienz wird auch dadurch erreicht, daß man einen neuen Verifi zierzyklus bei dem letzten gelöschten Byte beginnt und verifi ziert.

Im folgenden wird auf Fig. 7 Bezug genommen, in der ein Ab laufdiagramm für einen Programmalgorithmus gezeigt ist. Der Programmierzyklus wird durch Anlegen von VPP und Auslösen des Impulszählers initiiert. Danach wird der Aufbau-Programmierbe fehl in die Befehls- und Zustandsregister geschrieben, gefolgt von einem zweiten Schreibzyklus, der die Adresse und die Daten verriegelt (vgl. Zeitdiagramm gemäß Fig. 5). Nach einer vorge gebenen Auszeit, in der das Programmieren erreicht wird, wird der Programmierverifizierbefehl geschrieben. Wieder nach einer vorgegebenen Auszeit (6 µs bei dem beschriebenen Beispiel) werden Daten aus dem Speicher zum Verifizieren der program mierten Daten gelesen. Wenn die geschriebenen Daten nicht den aus dem Speicher ausgelesenen Daten entsprechen, wird die Impulszählung inkrementiert, um die Programmierzeit zu verlän gern und die Schreib- und Lesefolgen werden wiederholt. Bei dem beschriebenen Beispiel wird die Programmierzeit durch Wiederholen von 100 µs Impulsen auf eine maximale Impulszäh lung (PLSCNT) von 25 verlängert. Jeder Impulszählschritt ver längert die Dauer der Programmierzeit solange, bis der vorge gebene Wert, in diesem Falle 25, erreicht ist; an diesem Punkt wird ein Fehler festgestellt. Wenn die gelesenen Daten als richtig verifiziert sind, wird die Adresse inkrementiert, und die Folge wiederholt, um Daten an jeder der anderen Adressen zu schreiben und zu lesen. Wenn die letzte Adresse erreicht worden ist, wird ein Befehl in die Zustands- und Befehlsregi ster geschrieben, um die Register für eine Leseoperation rück zusetzen. Der Algorithmus gemäß Fig. 7 dient auch zum Laden von 00 zwecks Vorkonditionierung vor der Löschoperation gemäß Fig. 6.

An sich können verschiedene bekannte Schaltungen zum Aufbau des in Fig. 2 gezeigten Blockschaltbilds implementiert werden; Fig. 8A bis E zeigen eine besondere Schaltung, die bei dem beschriebene Ausführungsbeispiel zur Realisierung der ver schiedenen Blöcke in Fig. 2 verwendet wird. Die Bezugszeichen der verschiedenen Blöcke der Fig. 2 entsprechen den Bezugszei chen in den Fig. 8A-E. Außerdem sind eine Rücksetzschaltung 50 und Seitenregisterschaltungen 51 gezeigt. Die Rücksetz schaltung dient zum Rücksetzen der Befehls- und Zustandsregi ster, so während des Spannungsaufbaus (power up) oder wenn sich VPP auf 5 V befindet. Die Seitenregisterschaltung 51 dient zur Steuerung der Seitenmodenadressierung des Speichers. Die Steuerschaltung 31 ist in der Detailschaltung nicht ge zeigt, da sie die Chip-Aktivierungs- und die Schreib-Aktivie rungssignale grundsätzlich einer UND-Verknüpfung unterwirft. Das resultierende Signal ist als CWE bezeichnet und darge stellt.

Das bevorzugte Ausführungsbeispiel verwendet eine Reihe von Invertern zur verzögerten Erzeugung des Strobe des Adressen latch vom Adressentaktgenerator 32. In der beschriebenen Schaltungskonfiguration des Ausführungsbeispiels besteht das Befehlsregister 37 aus vier getrennten Registern R 3, R 5, R 6 und R 7. Die Register R 5, R 6 und R 7 dienen zur Modenselektion, d.h. zur Betriebsartenauswahl, und das R 3-Register dient zum Decodieren und Verriegeln ungültiger Eingaben. Es gibt zwei Register im Zustandsregister 35. Register R 2 wird mit Rück kopplungssteuerung zum Aktivieren des Löschens und das Pro grammierzustandsregister R 1 zum Steuern des Eingabedatenstroms in die Datenlatches oder Befehlsregister verwendet. Die Be fehls- und Datentaktgeneratoren 34 a und 34 b dienen zur Erzeu gung der nicht-überlappenden Taktphasen, die von den Registern und den Datenlatches gebraucht werden. Diese Taktsignale steu ern das Verriegeln von Eingangsdaten während eines Schreibzy klus in die Programmierdatenlatches, Befehlsregister und Zu standsregister.

Der Adressentaktgenerator ist für die Steuerung des Adressen informationsflusses zu den Adreßlatches verantwortlich. Die Zustandsregister 35 und Befehlsregister 37 bilden das Herz der Befehlsportarchitektur, erhalten Eingaben vom Dateneingabepuf fer und speichern die Daten zum Decodieren von Betriebsmoden für das Chip. Die Befehlsinstruktionen werden von drei Daten bits an die Register R 5, R 6 und R 7 bestimmt, und die Wahr heitstabelle zur Bestimmung des Operationsmodes aus diesen Bits ist in Fig. 8E gezeigt. Die Befehlsregister haben keine Rückkopplung von ihren Ausgängen und verfolgen einzelne Schreibmoden und wählen die Eingabe zu Mehrfach-Schreibmoden aus. Die Zustandsregister haben einen Rückkopplungsweg von ihrem Ausgang zu ihren Eingängen und verfolgen die Folgeopera tion des Chips, wenn es die verschiedenen Stufen der Mehrfach schreibmoden durchläuft.

Wenn das Gerät 10 mit existierenden EPROM-Geräten kompatibel gemacht werden soll, wird das Schreibaktivierungssignal einer Multiplexoperation mit dem am höchsten bewerteten Adreßbit A 14 unterzogen. Wenn VPP auf 5 Volt ist, liest der A 14/-Stift das am höchsten bewertete Adreßbit (A 14), das in einigen Fäl len zur Auswahl des Seitenmodes verwendet wird. Wenn jedoch VPP auf einer Programmierspannung (im beschriebenen Falle 12 Volt) liegt, wird das Signal auf dem A 14/-Stift als Schreib aktivierungssignal gelesen. Daher ermöglicht das Multiplex schema durch Multiplexen des am höchsten bewerteten Adreßbits mit dem Schreibaktivierungssignal die Stift-zu-Stift-Kompati bilität des Geräts 10 nach der vorliegenden Erfindung mit existierenden EPROM-Geräten.

Claims

1. Verfahren zum Löschen eines elektrisch löschbaren und elektrisch programmierbaren Nur-Lese-Speichers, der auf einem Siliziumsubstrat aufgebaut und mit einer Vielzahl von Spei cherzellen mit jeweils einer schwebenden Gate-Elektrode verse hen ist, wobei Programmier- und Löschinstruktionen als Daten in ein Befehlsregister eingegeben werden, das geeignete Steu ersignale für die Speicherzellen erzeugt, dadurch gekennzeichnet, daß

(a) ein Lösch-Aufbaubefehl während eines ersten Schreibzy klus im das Register geschrieben wird;
(b) ein Löschbefehl während eines zweiten Schreibzyklus in das Register geschrieben wird;
(c) die Speicherzellen während eines Löschzyklus gelöscht werden;
(d) ein Lösch-Verifizierbefehl während eines dritten Schreibzyklus in das Register geschrieben und eine bezeichnete Adresse zum Zugriff auf einen Speicherplatz erzeugt wird;
(e) der Inhalt des Speicherplatzes gelesen wird, um festzu stellen, ob der Speicherplatz gelöscht worden ist; und wenn die Daten nicht gelöscht worden sind, die Dauer des Löschzy klus verlängert und die Schritte (a) bis (e) solange wieder holt werden, bis der Speicherplatz gelöscht ist; und
(f) die Schritte (d) und (e) bis zum Löschen und Löschungs verifizieren aller Adreßplätze wiederholt werden.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ein Fehler festgestellt wird, wenn der Löschzyklus eine vorge gebene Dauer übersteigt.

3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß man in einem Adreßregister den im Schritt (e) zuletzt verifizierten Speicherplatz beibehält und die Verifizierung von verifizierten Plätzen nicht dupliziert.

4. Verfahren zum Programmieren eines elektrisch löschbaren und elektrisch programmierbaren Nur-Lese-Speichers, der auf einem Siliziumsubstrat aufgebaut und mit einer Vielzahl von Speicherzellen mit jeweils einer schwebenden Gate-Elektrode versehen ist, wobei Programmier- und Löschinstruktionen als Daten in ein Befehlsregister eingegeben werden, das geeignete Steuersignale für die Speicherzellen erzeugt, dadurch gekennzeichnet, daß

(a) ein Programmier-Aufbaubefehl während eines ersten Schreibzyklus in das Register geschrieben wird;
(b) Adresse und Daten zu dem Speicher während eines zweiten Schreibzyklus verriegelt werden, in welchem die Daten gleich 00 sind;
(c) der Speicher während eines Programmierzyklus program miert wird;
(d) ein Programmier-Verifizierbefehl während eines dritten Schreibzyklus in das Register geschrieben wird;
(e) der Inhalt eines zuvor im Schritt (c) mit Daten pro grammierten Speicherplatzes zu dessen Verifizieren gelesen wird, wobei die Schritte (a) bis (e) bis zum Programmieren des Speicherplatzes wiederholt werden, wenn der Speicherplatz als unprogrammiert verifiziert wird; und
(f) die Schritte (a) bis (e) für jede neue Adresse wieder holt werden, bis alle Adreßplätze programmiert und verifiziert sind.

5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß ein Fehler festgestellt wird, wenn ein Programmierzyklus einer vorgegebene Anzahl von Wiederholungszyklen unterworfen worden ist.

6. Verfahren zum Löschen und Programmieren eines elektrisch löschbaren und elektrisch programmierbaren Nur-Lese-Speichers, der auf einem Siliziumsubstrat aufgebaut und mit einer Viel zahl von Speicherzellen mit jeweils einer schwebenden Gate -Elektrode versehen ist, wobei Programmier- und Löschinstruk tionen als Daten in ein Befehlsregister eingegeben werden, das geeignete Steuersignale für die Speicherzellen erzeugt, dadurch gekennzeichnet, daß

(1a) ein Lösch-Aufbaubefehl während eines ersten Schreibzy klus in das Register geschrieben wird;
(1b) ein Löschbefehl während eines zweiten Schreibzyklus in das Register geschrieben wird;
(1c) die Speicherzellen während eines Löschzyklus gelöscht werden;
(1d) ein Lösch-Verifizierbefehl während eines dritten Schreibzyklus in das Register geschrieben und eine bezeichnete Adresse zum Zugriff auf einen Platz in dem Speicher erzeugt wird;
(1e) der Inhalt des Speicherplatzes ausgelesen wird, um festzustellen, ob der Speicherplatz gelöscht wurde, und falls die Daten nicht gelöscht wurden, die Dauer des Löschzyklus verlängert und die Schritte (1a) bis (1e) solange wiederholt werden, bis der Platz gelöscht ist;
(1f) die Schritte (1d) und (1e) solange wiederholt werden, bis alle Adreßplätze gelöscht und verifiziert sind;
(2a) ein Programmier-Aufbaubefehl während eines vierten Schreibzyklus in das Register geschrieben wird;
(2b) Adresse und Daten zu dem Speicher während eines fünf ten Schreibzyklus verriegelt werden;
(2c) der Speicher während eines Programmierzyklus program miert wird;
(2d) ein Programmier-Verifizierbefehl während eines sech sten Schreibzyklus in das Register geschrieben wird;
(2e) der Inhalt eines zuvor im Schritt (2c) mit Daten pro grammierten Speicherplatzes zu dessen Verifizieren gelesen wird, wobei die Schritte (2a) bis (2e) bis zum Programmieren des Speicherplatzes wiederholt werden, wenn der Speicherplatz als unprogrammiert verifiziert wird; und
(2f) die Schritte (2a) bis (2e) für jede neue Adresse wie derholt werden, bis alle Adreßplätze programmiert und verifi ziert sind.

7. Verfahren zum Vorkonditionieren, Löschen und Programmie ren eines elektrisch löschbaren und elektrisch programmierba ren Nur-Lese-Speichers, der auf einem Siliziumsubstrat aufge baut und mit einer Vielzahl von Speicherzellen mit jeweils einer schwebenden Gate-Elektrode versehen ist, wobei Program mier- und Löschinstruktionen als Daten in ein Befehlsregister eingegeben werden, das geeignete Steuersignale für die Spei cherzellen erzeugt, dadurch gekennzeichnet, daß

(1) der Speicher durch Programmieren von Bytes auf einen vorgegebenen Wert vorkonditioniert wird;
(2a) ein Lösch-Aufbaubefehl während eines ersten Schreibzy klus in das Register geschrieben wird;
(2b) ein Löschbefehl während eines zweiten Schreibzyklus in das Register geschrieben wird;
(2c) die Speicherzellen während eines Löschzyklus gelöscht werden;
(2d) ein Lösch-Verifizierbefehl während eines dritten Schreibzyklus in das Register geschrieben und eine bezeichnete Adresse zum Zugriff auf einen Platz in dem Speicher erzeugt wird;
(2e) der Inhalt des Speicherplatzes ausgelesen wird, um festzustellen, ob der Speicherplatz gelöscht wurde, und falls die Daten nicht gelöscht wurden, die Dauer des Löschzyklus verlängert und die Schritte (2a) bis (2e) solange wiederholt werden, bis der Platz gelöscht ist;
(2f) die Schritte (2d) und (2e) solange wiederholt werden, bis alle Adreßplätze gelöscht und verifiziert sind;
(3a) ein Programmier-Aufbaubefehl während eines vierten Schreibzyklus in das Register geschrieben wird;
(3b) Adresse und Daten zu dem Speicher während eines fünf ten Schreibzyklus verriegelt werden;
(3c) der Speicher während eines Programmierzyklus program miert wird;
(3d) ein Programmier-Verifizierbefehl während eines sech sten Schreibzyklus in das Register geschrieben wird;
(3e) der Inhalt eines zuvor im Schritt (3c) mit Daten pro grammierten Speicherplatzes zu dessen Verifizieren gelesen wird, wobei die Schritte (3a) bis (3e) bis zum Programmieren des Speicherplatzes wiederholt werden, wenn der Speicherplatz als unprogrammiert verifiziert wird; und
(3f) die Schritte (3a) bis (3e) für jede neue Adresse wie derholt werden, bis alle Adreßplätze programmiert und verifi ziert sind.