DE3900787A1 - Verfahren zur herstellung eines keramischen elektrischen bauelementes - Google Patents
Verfahren zur herstellung eines keramischen elektrischen bauelementesInfo
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Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines kera
mischen elektrischen Bauelementes, insbesondere eines PTC-Wider
standes, welches zumindest auf Teilbereichen seiner Oberfläche
für jede Elektrode mindestens zwei elektrisch leitende Metall
schichten aufweist, und bei dem zunächst die zu metallisierende
Oberfläche zumindest teilweise mit einer ersten, mittels Sieb
drucktechnik hergestellten Schicht versehen wird.
Ein derartiges Bauelement ist aus der US 42 32 214 bekannt.
Keramische Bauelemente im Sinne der Erfindung verfügen über
einen elektrisch aktiven, scheibchen- oder stabförmigen oder
rechteckigen Grundkörper aus Keramik. Es kann sich um PTC- bzw.
NTC-Widerstände, d.h. um Widerstände mit positivem bzw. nega
tivem Temperaturkoeffizienten der Widerstandswerte handeln
(Kalt- bzw. Heißleiter), aber auch um keramische Kondensatoren
oder Varistoren (spannungsabhängige Widerstände).
In allen genannten Fällen und bei anderen keramischen elektri
schen Bauelementen, auf die sich die Erfindung bezieht, müssen
die der Stromzuführung dienenden Metallbelegungen bestimmten An
forderungen genügen. Zu den üblichen Forderungen nach einfacher
Lötbarkeit bzw. Kontaktierbarkeit der Metallschichten und nach
mechanischer Festigkeit der Lötverbindungen kommen je nach Bau
art und Anwendung noch weitere Forderungen hinzu. Zum einen
können die elektrische Querleitfähigkeit des Metallbelages und
seine Strombelastbarkeit von Bedeutung sein. Zum anderen stellt
sich häufig die Frage nach der Langzeitstabilität hinsichtlich
der Klimabelastbarkeit (Feuchtigkeit, Temperatur) der Metalli
sierung von keramischen Bauelementen.
Im Falle eines PTC-Heizelementes mit wabenartiger Struktur ist
es aus der US-PS 42 32 214 bekannt, die elektrischen und chemi
schen Eigenschaften von Metallelektroden durch einen mehrschich
tigen Aufbau unter Verwendung unterschiedlicher Metallisierungs
methoden zu verbessern. In der genannten Schrift geht es vor
allem darum, ein Abbrennen der Metallelektrode durch Funkenbil
dung zu verhindern, ohne die Dicke der Metallschicht auf unbe
quem hohe Werte erhöhen zu müssen. Gleichzeitig soll aber auch
die Korrosion der üblichen Aluminium- oder Silberschichten ver
mindert und das bekannte Problem der Silberwanderung (Migration)
gelöst werden.
Hierzu ist in der US-PS 42 32 214 vorgesehen, zunächst einen
ersten Belag, dessen wesentlicher Bestandteil Silber ist, mit
tels Siebdrucktechnik aufzutragen und darüber elektrolytisch
einen zweiten, gleichgroßen Belag aus Nickel, Zink oder Chrom
aufzutragen. In der Patentschrift wird vorgeschlagen, gegebenen
falls zwischen den genannten Schichten noch eine dritte Schicht
aus Silber, Gold oder Kupfer ebenfalls elektrolytisch aufzutra
gen.
Da die oben angeführten zwei bzw. drei Metallschichten sich alle
gleichweit bis zum Rand des Keramikkörpers erstrecken, ist die
unterste Schicht aus Silber jedenfalls nicht vollständig gegen
den Kontakt mit Feuchtigkeit und damit gegen die Gefahr der Kor
rosion geschützt. Aus der Patentschrift ergibt sich außerdem,
daß die dort vorgeschlagene konkrete Wahl des Materials und der
immer noch relativ hohen Dicke der Metallschichten ziemlich
einseitig unter dem Aspekt der Vermeidung des Abbrennens der
Elektrode durch Funkenbildung getroffen wurde. Wie einleitend
festgestellt wurde, sieht man sich jedoch in der Praxis mit
einem ganzen Bündel von Anforderungen konfrontiert, die es mög
lichst alle gleichermaßen zu befriedigen gilt. Vor allem aber
ist der vorgeschlagene Weg der elektrolytischen Aufbringung der
oberen Metallschichten nach aller praktischen Erfahrung immer
mit erheblichem Aufwand verbunden und umständlich.
Der vorliegenden Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, ein
Verfahren der eingangs angegebenen Art zu schaffen, mit dessen
Hilfe es auf einfache Weise möglich ist, eine gut lötbare Me
tallisierung keramischer elektrischer Bauelemente zu erzeugen,
die korrosionsfest ist und eine hohe Strombelastbarkeit er
möglicht.
Zur Lösung dieser Aufgabe sieht die Erfindung bei einem Ver
fahren der eingangs genannten Art vor, daß die zweite und ge
gebenenfalls weitere Metallschichten mittels Sputter- oder Auf
dampftechnik auf das Bauelement aufgebracht werden.
Der Erfindung liegt die Erkenntnis zugrunde, daß sich durch
einen speziellen Schichtaufbau der Metallelektrode eine über
raschende Kombination der Vorteile der Methoden der Dickschicht
metallisierung (Siebdruck) und der Dünnschichtmetallisierung
(z.B. Sputtern oder Bedampfen) erzielen läßt.
Es hatte sich gezeigt, daß die an sich bewährte Sputtermethode
bei elektrisch hoch belastbaren Kaltleitern, z.B. Schalt-Kalt
leitern, zu Problemen führt, da die sehr dünnen gesputterten
Schichten der elektrischen Belastung nicht standhielten. Die mit
den gesputterten Mehrschichtsystemen erzielbare Langzeitstabi
lität der Metallisierung ist jedoch angesichts der von den Kun
den gestellten Anforderungen unverzichtbar.
Der Erfindung gelingt es, einen Schichtaufbau anzugeben, der
eine Optimierung der gewünschten Eigenschaften der Metallisie
rung in Richtung auf eine besonders vorteilhafte universelle
Anwendbarkeit der hergestellten Kaltleiter leistet.
Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen aus
geführt.
Weitere Einzelheiten, Merkmale und Vorteile der Erfindung erge
ben sich aus den nachfolgenden Ausführungsbeispielen, die nach
dem Gegenstand der Erfindung hergestellte Metallisierungen be
schreiben.
In der dazugehörenden Zeichnung zeigen:
Fig. 1 einen seitlichen Schnitt einer Ausführungsform,
Fig. 2 eine Draufsicht auf die gleiche Ausführungsform,
Fig. 3 die Draufsicht auf eine andere Ausführungsform,
Fig. 4 eine weitere Ausführungsform,
Fig. 5 einen seitlichen Schnitt durch eine weitere Ausführungs
form und
Fig. 6 eine Draufsicht auf die Ausführungsform nach Fig. 5.
Bei dem in der Fig. 1 dargestellten Ausführungsbeispiel handelt
es sich um einen Kaltleiter, dessen aktiver elektrischer Grund
körper 5 aus Keramik auf der Basis von durch Dotierung halblei
tend gemachtem Bariumtitanat besteht. Dieser Grundkörper 5 ist
etwa 4 cm lang, 3 cm breit und 0,3 cm dick. Obwohl der Kaltlei
ter auf Ober- und Unterseite mit zur Stromzuführung dienenden
Belegen versehen wird, ist zur Vereinfachung der Figur nur die
Oberseite detailliert dargestellt. Im Mittenbereich der Ober
seite des Grundkörpers 5 ist eine 10 µm dicke Metallschicht 1
auf der Basis von Indium-Gallium-Silber vorhanden. Die Schicht 1
wird mit Hilfe eines Siebdruckverfahrens auf den Grundkörper 5
in Form einer Einbrennpaste aufgebracht und anschließend einge
brannt, wobei die organischen Lösungsmittel der Paste verdampfen
und die mit dem Grundkörper 5 verbundene leitende Metallschicht
1 entsteht. Die Metallschicht 1 zeichnet sich durch hohe Quer
leitfähigkeit und Strombelastbarkeit aus. Um eine Veränderung
insbesondere des Widerstandswertes des kontaktierten Kaltleiters
zu verhindern, muß die Silberschicht 1 gegen schädliche Umwelt
einflüsse, insbesondere Luftfeuchtigkeit, geschützt werden. Die
besten Erfolge erzielt man, wenn über die Silberschicht 1 mit
tels Sputtertechnik eine nur wenige Zehntel µm dicke Chrom
schicht 2 aufgetragen wird, darüber auf dieselbe Weise eine
ebenso dünne Schicht 3 aus Nickel und schließlich eine minde
stens 0,1 µm dicke Deckschicht 4 aus einem einfach lötbares Ma
terial, z.B. Silber.
Es ist wichtig, bei Schicht 2 in Abstimmung mit Schicht 1 Mate
rialien zu verwenden, die eine sperrschichtfreie Kontaktierung
ermöglichen. Bei einer Schicht 1 deren Hauptbestandteil Alumi
nium ist, bietet es sich beispielsweie an, dasselbe Material
auch für Schicht 2 zu verwenden.
Die Nickelschicht 3 dient als Diffusionssperre und hat eine
Schutzfunktion für die darunter befindlichen Schichten. In der
Fig. erkennt man außerdem den auf der Deckschicht 4 haftenden Löt
tropfen 6 und den durch ihn festgelegten Stromzuführungsdraht 7.
In der Fig. 2 ist die gesamte große Oberfläche eines keramischen
elektrischen Bauelementes mit den oberen Schichten 2, 3 und 4
belegt. Der mittig liegende, flächenmäßig kleinere Bereich, in
dem die Grundschicht 1 aufgebracht wurde, wird von den oberen
Schichten 2, 3 und 4 vollständig überdeckt. Die vollständige
Überdeckung hat den Vorteil, den Schutz der Grundschicht gegen
klimatische Einflüsse durch die oberen Schichten noch zu er
höhen.
Die Fig. 3 und 4 stellen Ausführungsformen dar, in denen zum
einen neben der schon erwähnten Überdeckung ein Freirand 9 zwi
schen dem äußeren Rand der obersten Schicht 4 und dem äußeren
Rand des Bauelementes vorgesehen wurde. Zum anderen wurde die
erste Schicht 1 aber auch nur selektiv (in Fig. 3 beispielsweise
in Form eines konzentrischen Ringes) an solchen Stellen aufge
bracht, die für eine spätere Außenkontaktierung oder das An
bringen von Lötanschlüssen vorgesehen sind. Dies bringt den
Vorteil einer erheblichen Material- und damit Kosteneinsparung
mit sich.
Fig. 5 und 6 zeigen als Beispiel für die vorteilhafte Freiheit in
der Gestaltung der Geometrie der einzelnen Schichten eine weite
re Ausführungsform. Wieder ist die erste Schicht 1 auf den Zen
tralbereich der großen Oberfläche des Grundkörpers 5 begrenzt,
während die zweite Schicht 2 und die dritte Schicht 3 die Ober
fläche bis auf einen schmalen Freirand 9 vollständig bedecken.
Die vierte Schicht 4, an der ein Klemmkontakt 8 anliegt, ist
jedoch nur über einen Bereich aufgetragen, der den der Ausdeh
nung der ersten Schicht 1 nur wenig überdeckt.
Claims (7)
1. Verfahren zur Herstellung eines keramischen elektrischen
Bauelementes, insbesondere eines PTC-Widerstandes, welches zu
mindest auf Teilbereichen seiner Oberfläche für jede Elektro
de mindestens zwei elektrisch leitende Metallschichten aufweist,
und bei dem zunächst die zu metallisierende Oberfläche zumindest
teilweise mit einer ersten, mittels Siebdrucktechnik hergestell
ten Schicht (1) versehen wird,
dadurch gekennzeichnet,
daß die zweite (2) und gegebenenfalls weitere Metallschichten
mittels Sputter- oder Aufdampftechnik auf das Bauelement auf
gebracht werden.
2. Verfahren nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß als Material für die erste Schicht (1) eine Einbrennpaste
auf der Basis einer Mischung von Indium-Gallium-Silber, für die
zweite Schicht (2) Chrom, für eine dritte Schicht (3) Nickel und
für eine vierte Schicht (4) Silber, Kupfer, Blei, Zinn oder eine
Mischung dieser Elemente verwendet wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß als Material für die erste Schicht (1) eine Einbrennpaste
auf der Basis einer Mischung von Indium-Gallium-Aluminium, für
die zweite Schicht (2) Chrom, für eine dritte Schicht (3) Nickel
und für eine vierte Schicht (4) Silber, Kupfer, Blei, Zinn oder
eine Mischung dieser Elemente verwendet wird.
4. Verfahren nach Anspruch 2 oder 3,
dadurch gekennzeichnet,
daß die erste Schicht (1) mit einer Dicke von größer oder gleich
10 µm , die zweite (2) und dritte (3) Schicht jeweils mit einer
Dicke kleiner oder gleich 2 µm, und die vierte Schicht (4) mit
einer Dicke größer oder gleich 0,1 µm hergestellt wird.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4,
dadurch gekennzeichnet,
daß die erste Schicht (1) in einem flächenmäßig kleineren Be
reich als die weiteren Schichten (2, 3, 4) aufgebracht und von
diesen abgedeckt wird.
6. Verfahren nach Anspruch 5,
dadurch gekennzeichnet,
daß die erste Schicht (1) selektiv nur an solchen Stellen aufge
bracht wird, die für eine spätere Außenkontaktierung oder das
Anbringen von Lötanschlüssen vorgesehen sind.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4
dadurch gekennzeichnet,
daß die vierte Schicht (4) selektiv nur an solchen Stellen
aufgebracht wird, die für eine spätere Außenkontaktierung oder
das Anbringen von Lötanschlüssen vorgesehen sind.
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DE (1) | DE3900787A1 (de) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE9015206U1 (de) * | 1990-11-05 | 1991-01-17 | Isabellenhütte Heusler GmbH KG, 6340 Dillenburg | Widerstandsanordnung in SMD-Bauweise |
EP0569983A2 (de) * | 1992-05-15 | 1993-11-18 | Nippondenso Co., Ltd. | Kaltleiterthermistor für Heizgeräte und Verfahren zur Herstellung davon |
DE19517310A1 (de) * | 1995-05-03 | 1996-11-14 | Thermik Geraetebau Gmbh | Baustein aus Kaltleitermaterial |
DE19946199A1 (de) * | 1999-09-27 | 2001-04-26 | Epcos Ag | Elektrisches Bauelement mit variablem elektrischem Widerstand |
EP1227308A1 (de) * | 2001-01-26 | 2002-07-31 | Cornerstone Sensors, Inc. | Thermistor und Verfahren zu dessen Herstellung |
DE102006041054A1 (de) * | 2006-09-01 | 2008-04-03 | Epcos Ag | Heizelement |
Citations (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3436614A (en) * | 1965-04-20 | 1969-04-01 | Nippon Telegraph & Telephone | Nonrectifying laminated ohmic contact for semiconductors consisting of chromium and 80% nickel |
DE1665877A1 (de) * | 1967-02-22 | 1971-04-15 | Siemens Ag | Verfahren zum Herstellen eines keramischen elektrischen Widerstands aus dotiertem,ferroelektrischem Material mit sperrschichtfreien Kontaktbelegungen |
DE2348946B2 (de) * | 1973-09-28 | 1975-08-07 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Rohrförmiger Kaltleiterwiderstand |
DE2342172B2 (de) * | 1972-09-20 | 1979-01-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kadoma, Osaka (Japan) | Spannungsabhängiger Widerstand mit Zinkoxid als Hauptbestandteil |
DE2307322B2 (de) * | 1972-02-16 | 1979-07-26 | Mitsubishi Cement Co., Ltd., Tokio | Varistor |
DE2838508A1 (de) * | 1978-09-04 | 1980-03-20 | Siemens Ag | Elektrischer widerstand mit positivem temperaturkoeffizienten des widerstandswertes |
US4232214A (en) * | 1978-02-22 | 1980-11-04 | Tdk Electronics Company Limited | PTC Honeycomb heating element with multiple electrode layers |
DE3019969A1 (de) * | 1980-05-24 | 1981-12-03 | Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg | Spannungsabhaengiger widerstand und verfahren zu seiner herstellung |
DE3124741A1 (de) * | 1980-08-13 | 1982-03-18 | VEB Elektronik Gera, DDR 6500 Gera | Verfahren zur herstellung der elektroden von keramikkondensatoren |
DE3320409A1 (de) * | 1982-06-14 | 1983-12-15 | N.V. Philips' Gloeilampenfabrieken, 5621 Eindhoven | Metallurgische kontakte in hermetisch verschlossenen in glas eingekapselten keramischen kondensatoren |
DE3206869C2 (de) * | 1981-03-02 | 1984-05-17 | General Electric Co., Schenectady, N.Y. | Metalloxid-Varistor und Verfahren zu seiner Herstellung |
DE3341523C2 (de) * | 1982-11-19 | 1985-05-09 | E.I. Du Pont De Nemours And Co., Wilmington, Del. | Silber-Metallisierungs-Zusammensetzung für dicke Filme |
US4538347A (en) * | 1984-06-18 | 1985-09-03 | Gte Laboratories Incorporated | Method for making a varistor package |
DE3509014A1 (de) * | 1985-03-13 | 1986-09-18 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Elektrisches bauelement mit einem keramisch hergestellten koerper und gegenpoligen kontaktbelegungen |
DE3638286A1 (de) * | 1986-11-10 | 1988-05-11 | Siemens Ag | Elektrisches bauelement aus keramik mit mehrlagenmetallisierung und verfahren zu seiner herstellung |
-
1989
- 1989-01-12 DE DE19893900787 patent/DE3900787A1/de not_active Withdrawn
Patent Citations (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3436614A (en) * | 1965-04-20 | 1969-04-01 | Nippon Telegraph & Telephone | Nonrectifying laminated ohmic contact for semiconductors consisting of chromium and 80% nickel |
DE1665877A1 (de) * | 1967-02-22 | 1971-04-15 | Siemens Ag | Verfahren zum Herstellen eines keramischen elektrischen Widerstands aus dotiertem,ferroelektrischem Material mit sperrschichtfreien Kontaktbelegungen |
DE2307322B2 (de) * | 1972-02-16 | 1979-07-26 | Mitsubishi Cement Co., Ltd., Tokio | Varistor |
DE2342172B2 (de) * | 1972-09-20 | 1979-01-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kadoma, Osaka (Japan) | Spannungsabhängiger Widerstand mit Zinkoxid als Hauptbestandteil |
DE2348946B2 (de) * | 1973-09-28 | 1975-08-07 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Rohrförmiger Kaltleiterwiderstand |
US4232214A (en) * | 1978-02-22 | 1980-11-04 | Tdk Electronics Company Limited | PTC Honeycomb heating element with multiple electrode layers |
DE2838508A1 (de) * | 1978-09-04 | 1980-03-20 | Siemens Ag | Elektrischer widerstand mit positivem temperaturkoeffizienten des widerstandswertes |
DE3019969A1 (de) * | 1980-05-24 | 1981-12-03 | Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg | Spannungsabhaengiger widerstand und verfahren zu seiner herstellung |
DE3124741A1 (de) * | 1980-08-13 | 1982-03-18 | VEB Elektronik Gera, DDR 6500 Gera | Verfahren zur herstellung der elektroden von keramikkondensatoren |
DE3206869C2 (de) * | 1981-03-02 | 1984-05-17 | General Electric Co., Schenectady, N.Y. | Metalloxid-Varistor und Verfahren zu seiner Herstellung |
DE3320409A1 (de) * | 1982-06-14 | 1983-12-15 | N.V. Philips' Gloeilampenfabrieken, 5621 Eindhoven | Metallurgische kontakte in hermetisch verschlossenen in glas eingekapselten keramischen kondensatoren |
DE3341523C2 (de) * | 1982-11-19 | 1985-05-09 | E.I. Du Pont De Nemours And Co., Wilmington, Del. | Silber-Metallisierungs-Zusammensetzung für dicke Filme |
US4538347A (en) * | 1984-06-18 | 1985-09-03 | Gte Laboratories Incorporated | Method for making a varistor package |
DE3509014A1 (de) * | 1985-03-13 | 1986-09-18 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Elektrisches bauelement mit einem keramisch hergestellten koerper und gegenpoligen kontaktbelegungen |
DE3638286A1 (de) * | 1986-11-10 | 1988-05-11 | Siemens Ag | Elektrisches bauelement aus keramik mit mehrlagenmetallisierung und verfahren zu seiner herstellung |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
DE-Z: LENDLE, Eberhard: Der Siebdruck und seine Einsatzgebiete in der industriellen Produktion. In: Der Polygraph 7-81, S. 497-505 * |
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE9015206U1 (de) * | 1990-11-05 | 1991-01-17 | Isabellenhütte Heusler GmbH KG, 6340 Dillenburg | Widerstandsanordnung in SMD-Bauweise |
EP0569983A2 (de) * | 1992-05-15 | 1993-11-18 | Nippondenso Co., Ltd. | Kaltleiterthermistor für Heizgeräte und Verfahren zur Herstellung davon |
EP0569983A3 (de) * | 1992-05-15 | 1994-03-30 | Nippon Denso Co | |
US5354969A (en) * | 1992-05-15 | 1994-10-11 | Nippondenso Co., Ltd. | Positive-temperature-coefficient thermistor heating device and process for production of the same |
DE19517310A1 (de) * | 1995-05-03 | 1996-11-14 | Thermik Geraetebau Gmbh | Baustein aus Kaltleitermaterial |
DE19517310C2 (de) * | 1995-05-03 | 1999-12-23 | Thermik Geraetebau Gmbh | Baustein aus Kaltleitermaterial und Temperaturwächter mit einem solchen Baustein |
DE19946199A1 (de) * | 1999-09-27 | 2001-04-26 | Epcos Ag | Elektrisches Bauelement mit variablem elektrischem Widerstand |
DE19946199B4 (de) * | 1999-09-27 | 2005-01-20 | Epcos Ag | Elektrisches Bauelement mit variablem elektrischem Widerstand |
EP1227308A1 (de) * | 2001-01-26 | 2002-07-31 | Cornerstone Sensors, Inc. | Thermistor und Verfahren zu dessen Herstellung |
US6498561B2 (en) | 2001-01-26 | 2002-12-24 | Cornerstone Sensors, Inc. | Thermistor and method of manufacture |
US6660554B2 (en) | 2001-01-26 | 2003-12-09 | Gregg J. Lavenuta | Thermistor and method of manufacture |
US8373535B2 (en) | 2001-01-26 | 2013-02-12 | Quality Thermistor, Inc. | Thermistor and method of manufacture |
DE102006041054A1 (de) * | 2006-09-01 | 2008-04-03 | Epcos Ag | Heizelement |
US8373100B2 (en) | 2006-09-01 | 2013-02-12 | Epcos Ag | Heating element |
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