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Hintergrund der Erfindung
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Feld der Erfindung
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Die Erfindung betrifft eine Ladungsübertragungsvorrichtung,
und insbesondere eine Verbesserung in ihrer Ausgangsstufe.
Beschreibung bekannter Technik
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Die Ausgabe einer Ladungsübertragungsvorrichtung wird durch
eine Ausgangsstufe aufgenommen, die den Wert der
elektrischen Ladung in eine Spannung wandelt. Die Figuren 1a und
1b sind eine Aufsicht auf eine bekannte Ausgangsstufe der
Ladungsübertragungsvorrichtung bzw. ein Schnitt entlang der
Linie D-D', und die Figuren 1c, 1d und 1e sind Diagramme
von Potentialen zur Erläuterung des Betriebs der
Ausgangsstufe. Zur Vereinfachung der Beschreibung ist die
Ladungsübertragungsvorrichtung hier vom Oberflächen-Kanal-Typ, das
Substrat ist ein Halbleitersubstrat vom p-Typ, und die zu
übertragenden Ladungsträger sind Elektronen. In den
Zeichnungen bezeichnet die Bezugsziffer 1 ein
p-Silizium-Substrat, 2 bezeichnet einen Isolierfilm, 3 bezeichnet einen
Übertragungskanal, die Bezugsziffern 4 bis 7 bezeichnen
Übertragungselektroden aus einem Leiter wie
polykristallinem Silizium oder dergleichen, 8 bezeichnet eine
Ausgangstorelektrode, 403 bezeichnet eine Rückstelltorelektrode,
und die Bezugsziffern 401 und 402 bezeichnen einen
n-Sourcebereich bzw. einen n-Drainbereich. Ein MOS-Transistor Tr&sub1;
ist aus 401, 402 und 403 gebildet. Normalerweise treten die
Ladungs-/Spannungswandlung und die Impedanzwandlung in
einer
Anordnung auf, die aus dem diffundierten Bereich
(Floatende Diffusionsschicht) 401, einem
Ausgangsstufentransistor Tr&sub2; und einem Widerstand R zusammengesetzt ist,
und die Ausgabe erscheint an einem Anschluß VOUT.
Bezugsziffern 9 und 10 bezeichnen Diffusionsschichten zur
Bestimmung der Richtung der Übertragung elektrischer Ladungen.
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Im Folgenden wird der Betrieb der konventionellen
Ausgangsstufe in Verbindung mit den Figuren 1c, 1d und 1e
beschrieben. Potentiale unter den Übertragungselektroden werden
durch Änderung der Taktpulse &sub1; und &sub2; geändert, um die
Signalladung nach rechts in den Zeichnungen zu
transportieren. Gleichzeitig wird ein Rückstellpuls R mit "hohem"
(aktiven) Pegel erzeugt, so daß der MOS-Transistor TR&sub1;
eingeschaltet wird. Anschließend wird das Potential der
floatenden Diffusionsschicht 401 auf den gleichen Wert
zurückgestellt wie die Drainspannung VRD des MOS-Transistors
TR&sub1; (Fig. 1c) . Anschließend wird der Rückstellpuls R mit
"niedrigem" Pegel erzeugt, um den MOS-Transistor TR&sub1;
auszuschalten und ein Signal zu erfassen, so daß eine
Potentialbarriere unter der Torelektrode 403 (Fig. 1c) ausgebildet
wird. Anschließend wird der Taktpuls &sub1; mit niedrigem Pegel
erzeugt, und die unter der Übertragungselektrode 7
gespeicherte Signalladung kann in die floatende
Diffusionsschicht 401 durch einen Übertragungskanal unter der
Ausgangstorelektrode 8 fließen, an die eine vorgegebene
konstante Spannung VOG angelegt wird (Fig. 1e).
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Hier wird die Ladungs-/Spannungs-Wandlung durch die
elektrostatische Kapazität der floatenden Diffusionsschicht 401
bezüglich des Substrats 1 durch die Kapazität der
Verdrahtung, die mit der floatenden Diffusionsschicht 401
verbunden ist, und durch die elektrostatische Kapazität bezüglich
der Torelektrode bewirkt, wobei die Impedanzwandlung durch
eine Sourcefolgerschaltung aus dem Transistor TR&sub2; und dem
Widerstand R durchgeführt wird, und die Ausgangsspannung
wird vom Ausgangsanschluß VOUT erhalten.
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Die Potentialänderung ΔVTSO in der floatenden
Diffusionsschicht 401 aufgrund des Flusses elektrischer Ladung ist
gegeben durch
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wobei Q der Anteil der eingegebenen elektrischen Ladung ist
und C&sub0; die Summe der elektrostatischen Kapazität der
floatenden Diffusionsschicht 401 bezüglich des Substrats,
der elektrostatischen Kapazität bezüglich der Torelektrode
und der Kapazität der Verdrahtung, die mit dem
Sourcebereich 301 verbunden ist, sind.
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Die Ausgangsstufe der oben beschriebenen, bekannten
Ladungsübertragungsvorrichtung zeigt jedoch die im folgenden
beschriebenen Nachteile.
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Wenn die elektrische Ladung, die in die floatende
Diffusionsschicht 401 fließt, höher wird als die Höhe VSAT der
Potentialbarriere, wenn der Rückstellpuls R niedrigen Pegel
aufweist, wie in Fig. 2a und 2b dargestellt ist, fließt die
elektrische Ladung in den Drainbereich 402 durch einen
Übertragungskanal unter der Torelektrode 403. Aufgrund
dessen steigt die Potentialänderung aufgrund der
Potentialbarriere VSAT nicht, sondern ist durch die Potentialbarriere
VSAT beschränkt. Wenn, wie in Fig. 3 dargestellt ist,
versucht wird, die Empfindlichkeit der Ausgangsstufe durch
Verminderung der elektrostatischen Kapazität C&sub0; zu erhöhen,
wird der dynamische Bereich vermindert. Falls demgegenüber
versucht wird, den dynamischen Bereich durch Erhöhung der
elektrostatischen Kapazität C&sub0; zu erhöhen, nimmt die
Empfindlichkeit ab.
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Ladungsübertragungsvorrichtungen gemäß dem Oberbegriff des
Anspruchs 1 sind aus EP-A-0096166, GB-A-2116398 bzw. EP-A-
0192142 bekannt.
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Es ist eine Hauptaufgabe der Erfindung, eine
Ladungsübertragungsvorrichtung zu schaffen mit einem
Ladungsübertragungsabschnitt und einer Ausgangsstufe, die Ladungen von
einem Ladungsübertragungsabschnitt erhält, zur Wandlung der
empfangenen Ladungen in ein spannungsförmiges
Ausgangssignal, wobei die Ausgangsstufe hochempfindlich für den Fall
ist, daß die Menge der empfangenen Ladungen gering ist, und
ein Ausgangssignal mit großem dynamischen Bereich für den
Fall erzeugt, bei dem die Menge der empfangenen Ladungen
groß ist.
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Diese Aufgabe wird durch eine
Ladungsübertragungsvorrichtung gemäß Anspruch 1 gelöst.
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Falls die Menge der durch den Kanalabschnitt zur
Ausgangsstufe transportierten Ladungen klein ist, kann
erfindungsgemäß
ein großes Ausgangssignal von der Ausgangsstufe
erhalten werden durch Verminderung der Fläche des Bereichs,
der mit dem Ladungsübertragungsabschnitt verbunden ist,
durch Öffnen der Schalter. Das bedeutet, daß die
Ausgangsstufe empfindlich wird. Falls andererseits die Menge der
durch den Kanalbereich zur Ausgangsstufe transportierten
Ladungen groß ist, kann ein Ausgangssignal mit großem
dynamischen Bereich erhalten werden durch Vergrößern der Fläche
des Bereichs, der mit dem Ladungsübertragungsabschnitt
verbunden ist, durch Schließen der Schaltung. Die
Empfindlichkeit und der Wert des dynamischen Bereiches können durch
Einstellen der Fläche der Bereiche gesteuert werden, die
mit dem Ladungsübertragungsabschnitt verbunden sind, durch
Steuerung der Anzahl der Schalter, die geöffnet oder
geschlossen sind. Mit anderen Worten kann immer ein adäquates
Ausgangssignal erhalten werden, unabhängig von der Menge
der durch den Kanalbereich übertragenen Ladungen, durch
Steuern der Anzahl der Schalter, die geschlossen oder
geöffnet sind.
Kurzbeschreibung der Zeichnungen
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Die oben genannten und weitere Aufgaben, Merkmale und
Vorteile der Erfindung werden aus der folgenden detaillierten
Beschreibung in Verbindung mit den beigefügten Zeichnungen
deutlich.
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Es zeigen:
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Fig. 1a eine Aufsicht einer Ladungsübertragungsvorrichtung
gemäß bekannter Technik,
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Fig. 1b eine Schnittdarstellung entlang der Linie D-D', der
Fig. 1a und die Figuren 1c bis 1e Potentialprofile zur
Erläuterung des Betriebs der Ausgangsstufe in der
Ladungsübertragungsvorrichtung gemäß den Figuren 1a und 1b;
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Fig. 2a und 2b eine Schnittdarstellung der Ausgangsstufe
der Ladungsübertragungsvorrichtung gemäß Fig. 1a und 1b und
ein Potentialprofil zur Erläuterung ihres
Rückstellbetriebes;
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Fig. 3 einen Graphen zur Erläuterung der Beziehungen
zwischen der Potentialänderung in einem floatenden
Diffusionsbereich 401 der Figuren 1a und 1b und der Menge der
Ladungen, die von dem Ladungsübertragungsabschnitt in den
floatenden Diffusionsbereich 401 eingebracht werden;
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Fig. 4a eine Aufsicht auf eine
Ladungsübertragungsvorrichtung gemäß einer ersten Ausführungsform der Erfindung,
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Fig. 4b eine Schnittdarstellung der Ausgangsstufe entlang
der Linie A-A' der Fig. 4a und die Figuren 4c und 4d
Potentialprofile zur Erläuterung des Betriebs der Ausgangsstufe
gemäß der Figuren 4a und 4b.
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Fig. 5 eine Aufsicht auf eine
Ladungsübertragungsvorrichtung gemäß der zweiten Ausführungsform der Erfindung,
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Fig. 5b eine Schnittdarstellung der Ausgangsstufe entlang
der Linie B-B' der Fig. 5a und die Figuren 5c bis 5e
Potentialprofile zur Erläuterung des Betriebs der Ausgangsstufe
der Figuren 5a und 5b; und
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Fig. 6a eine Aufsicht auf eine
Ladungsübertragungsvorrichtung gemäß einer dritten Ausführungsform der Erfindung, 6b
eine Schnittdarstellung der Ausgangsstufe entlang der Linie
C-C' und die Figuren 6c bis 6e Potentialprofile zur
Erläuterung des Betriebs der Ausgangsstufe gemäß der Figuren 6a
und 6b.
Detaillierte Beschreibungen der Ausführungsformen
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Die Erfindung wird nunmehr mit Bezug auf die Zeichnunge
erläutert.
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Die Figuren 4a bis 4d zeigen eine erste Ausführungsform der
Erfindung, wobei die Figuren 1a und 1b eine Aufsicht auf
die Ladungsübertragungsvorrichtung einschließlich eines
Ladungsübertragungsabschnittes und einer Ausgangsstufe bzw.
eine Schnittdarstellung entlang der Linie A-A' sind, und
die Figuren 1c und 1d sind Potentialprofile unter der Linie
A-A'. In diesen Zeichnungen bezeichnet die Bezugsziffer 1
ein p-Siliziumsubstrat, 2 bezeichnet einen Isolierfilm wie
SiO&sub2;, 3 bezeichnet einen Übertragungskanal, die
Bezugsziffern 4 bis 7 bezeichnen Übertragungselektroden aus
leitfähigem Material wie polykristallinem Silizium, Aluminium od.
dergl., 8 bezeichnet eine Ausgangstorelektrode, 101 bis 104
bezeichnen n-Bereiche, 105 bezeichnet eine
Rückstelltorelektrode, und Bezugsziffern 106 und 107 bezeichnen
Torelektroden zur Änderung der Empfindlichkeit der
Ausgangsstufe. Die Torelektroden 106 und 107 zur Änderung der
Empfindlichkeit werden mit Schaltsteuersignalen SEL1 und SEL2
versorgt, wie später beschrieben wird. Die floatende
Diffusionsschicht 102 ist mit dem Gate des Transistors T2
verbunden, und die Ausgangs spannung wird von einem
Ausgangsanschluß VOUT an einem Verbindungspunkt zwischen dem Source-
Anschluß und dem Widerstand R mit dem Transistor TR&sub2; als
Sourcefolger abgenommen. Der Übertragungskanal 3 ist an der
Oberfläche des Substrat 1 mit N-Typ ausgebildet. Jede
andere Übertragungselektrode 5, 7 ist auf den
Übertragungskanal 3 mit einem Isolierfilm 2 aus polykristallinem Silizium
ausgebildet. Nachdem die Oberflächen der
Übertragungselektroden 5, 7 durch thermische Oxydation mit SiO&sub2; bedeckt
sind, werden die verbleibenden Übertragungselektroden 4, 6
und die Ausgangstorelektrode 8 auf dem Isolierfilm 2 mit
Überlapp über die Oberfläche SiO&sub2; der
Übertragungselektroden 5, 7 ausgebildet, um einen Ladungsübertragungsabschnitt
auszubilden. Taktpulse &sub2; und &sub2; werden jedem anderen Paar
von Transferelektroden 6 und 7 zugeführt und dem
verbleibenden Paar Übertragungselektroden 4 und 5. Eine konstante
Spannung VOG wird der Ausgangstorelektrode 8 zugeführt, um
einen Rückfluß von Ladungen zum Übertragungskanal 3 von der
Ausgangsstufe zu verhindern.
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Die Ausgangsstufe hat n-Bereiche 101 und 104 und einen n-
Bereich dazwischen. Der n-Bereich zwischen den n-Bereichen
101 und 104 ist fortgesetzt ausgebildet, enthält aber die
Regionen 102 und 103. Die Rückstellelektrode 105 ist auf
dem Isolierfilm 2 zwischen den Regionen 101 und 102
ausgebildet. Die Torelektroden 106 und 107 sind entsprechend auf
dem Isolierfilm 2 zwischen den Regionen 102 und 103 bzw.
zwischen den Regionen 103 und 104 ausgebildet, um FET-
Schalter zu bilden. Eine konstante Rückstellspannung VRD
wird den Bereichen 101 und 104 zum Rückstellen von Ladungen
in den Bereichen 102 und 103 zugeführt. Der Bereich 102 ist
mit dem Gate eines MOS-FET-Tr&sub2; verbunden, dessen Drain bei
einer Spannung von VOD gehalten wird und dessen Source
durch einen Lastwiderstand R geerdet und mit dem
Ausgangsanschluß VOUT zur Wandlung der Ladungsmenge in ein
spannungsförmiges Signal verbunden ist.
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Im folgenden wird der Betrieb der Ausgangsstufe mit Bezug
auf die Figuren 4b bis 4d erläutert. Ein Rückstellpuls R
wird bei der Rückstellung zugeführt, und gleichzeitig
werden Schaltsignale SEL 1 und SEL 2 zugeführt, wodurch ein
erster MOS-Schalttransistor eingeschaltet wird, wobei der
Rückstellpuls als Gatesignal zugeführt wird, und der zweite
und der dritte MOS-Schalttransistor werden durch die
Schaltsignale SEL1 und SEL2 als Gatesignale eingeschaltet,
so daß Ladungen in den floatenden Diffusionsschichten 102
und 103 rückgesetzt werden.
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Zur Erreichung einer hohen Empfindlichkeit in diesem
Betriebszustand wird das Schaltsignal SEL1 zur Änderung der
Empfindlichkeit auf den "niedrigen" Pegel gesetzt, wie in
Fig. 4c dargestellt ist, und die Signalladung, die über die
Übertragungselektroden 4 bis 7 und die Ausgangselektrode 8
übertragen wurde, wird nur im floatenden Diffusionsbereich
102 gespeichert. Zu diesem Zeitpunkt wird das Signale SEL 2
auf den hohen Pegel gebracht, um den dritten MOS-
Schalttransistor einzuschalten, und das Potential im
floatenden Diffusionsbereich 103 wird eingestellt, damit es
zu VRD wird, um zu verhindern, daß in dem floatenden
Diffusionsbereich 103 sich elektrische Ladungen aufgrund von
Dunkelstrom ansammeln, daß der floatende Diffusionsbereich
102 von elektrischen Ladungen überflutet wird und um zu
verhindern, daß die flutende elektrische Ladung sich mit
der Signalladung vermischt, wenn die Empfindlichkeit auf
einen niedrigen Wert geschaltet wird. Die Potentialänderung
ΔVSIH im floatenden Diffusionsbereich 102 aufgrund der
Signalladung Q bei hoher Empfindlichkeit ist gegeben durch
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wobei C&sub1;&sub0;&sub2; die Summe der elektrostatischen Ladung der
floatenden Diffusionsbereich 102 bezüglich des Substrats 1,
der elektrischen Kapazität bezüglich des Nachbartores und
der elektrostatischen Kapazität der Verdrahtung, die mit
dem floatenden Diffusionsbereich 102 bezeichnet.
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Wenn die Empfindlichkeit gering ist, wird das
Empfindlichkeits-Schaltsignal SEL1 auf "hohen" Pegel geschaltet, wie
in Fig. 4d dargestellt ist, und der zweite
MOS-Schalttransistor wird eingeschaltet, um die floatenden
Diffusionsbereiche 102 und 103 leitend werden zu lassen. Zu diesem
Zeitpunkt wird das Empfindlichkeits-Schaltsignal SEL2 auf
"hohen" Pegel geschaltet. Die Potentialänderung ΔVSIL in
den floatenden Diffusionsbereichen 102 und 103 aufgrund des
Flusses der elektrischen Ladung Q ist gegeben durch
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wobei C&sub1;&sub0;&sub2; die gleiche Bedeutung wie oben hat und C&sub1;&sub0;&sub3; die
Summe der elektrischen Kapazität der floatenden
Diffusionsschicht 103 bezüglich des Substrats 1 und der
elektrostatischen Kapazität bezüglich des Nachbartores bezeichnet.
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Wie oben beschrieben wurde, wird die Kapazität des
floatenden Diffusionsbereichs, die die Ladungs-/Spannungs-Wandlung
bewirkt, im wesentlichen in Abhängigkeit von den
Empfindlichkeits-Schaltsignalen SEL1 und SEL2 geändert, so daß
eine hohe Empfindlichkeit aufrechterhalten wird, selbst
wenn elektrische Ladungen in kleinen Anteilen fließen und
ein breiter Dynamikbereich erhalten wird durch Vermindern
der Empfindlichkeit, wenn elektrische Ladungen in großen
Anteilen fließen.
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Die Figuren 5a bis 5e zeigen eine zweite Ausführungsform
der Erfindung, wobei die Figuren 5a und 5b eine Aufsicht
auf die Ausgangsvorrichtung und eine Schnittdarstellung
entlang der Linie B-B' sind und die Figuren 5c, 5d und 5e
Potentialprofile unter der Linie B-B' sind. In diesen
Zeichnungen sind die gleichen Teile wie in Figuren 4a bis
4d mit denselben Bezugsziffern bezeichnet. Die
Bezugsziffern 201 bis 205 bezeichnen n-Bereiche zur Änderung der
Kapazität, 206 bezeichnet eine Rückstelltorelektrode und 207
bis 209 bezeichnen Torelektroden zur Änderung der
Empfindlichkeit. In dieser Ausführungsform ist der zweite
floatende Diffusionsbereich 203 mit dem ersten floatenden
Diffusionsbereich 202 über die erste Torelektrode 207
verbunden, und der dritte floatende Diffusionsbereich 204 ist
mit dem zweiten floatenden Diffusionsbereich 202 über die
zweite Torelektrode 208 verbunden. Hier ist der dritte
floatende Diffusionsbereich 204 mit der Versorgungsquelle
VRD über die dritte Torelektrode 209 verbunden.
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Wenn die Empfindlichkeit hoch ist, ist das Signal SEL1 auf
"niedrigen" Pegel eingestellt, um die Signalladung im
floatenden Diffusionsbereich 202 zu speichern. In diesem
Fall haben die Signale SEL2 und SEL 3 "hohen" Pegel, und
die Potentiale der floatenden Diffusionsbereiche 203 und
204 sind auf VRD eingestellt.
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Wenn die Empfindlichkeit in einem Zwischenzustand ist, ist
das Signal SEL2 auf den "niedrigen" Pegel eingestellt und
das Signal SEL1 auf den "hohen" Pegel, um die Signalladung
in den floatenden Diffusionsbereichen 202 und 203 zu
speichern. In diesem Fall ist das Signal SEL 3 auf den "hohen"
Pegel eingestellt, und das Potential der floatenden
Diffusionsschicht 204 ist auf VRD eingestellt.
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Wenn die Empfindlichkeit niedrig ist, sind die Signale SEL1
und SEL2 auf "hohen" Pegel eingestellt, und das Signal SEL3
ist auf den "niedrigen" Pegel eingestellt, um die
Signalladung in den floatenden Diffusionsbereichen 202, 203 und 204
zu speichern.
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In dieser zweiten Ausführungsform sind der erste, zweite
und der dritte floatende Diffusionsbereich 202, 203 und 204
in Reihe über Torelektroden 207 und 208 geschaltet, und die
Potentiale der Torelektroden 207 und 208 werden geändert,
um die Empfindlichkeit auf drei verschiedenen Wegen zu
ändern.
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Die Figuren 6a bis 6e zeigen eine dritte Ausführungsform
der Erfindung, wobei die Figuren 6a und 6b eine Aufsicht
auf die Ausgangsvorrichtung und ein Schnitt entlang der
Linie C-C'
sind, und die Figuren 6c, 6d und 6e sind
Potentialprofile unter der Linie C-C'. In den Zeichnungen sind die
gleichen Teile wie in den Figuren 4a bis 4d durch
diesselben Bezugsziffern bezeichnet. Bezugsziffern 301 bis 306
bezeichnen n-Diffusionsbereiche, 307 bezeichnet eine
Rückstelltorelektrode, und 308 bis 311 bezeichnen Torelektroden
zur Änderung der Empfindlichkeit.
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In dieser Ausführungsform sind der zweite floatende
Diffusionsbereich 303 und der dritte floatende Diffusionsbereich
305 mit dem ersten floatenden Diffusionsbereich 302 über
die erste Torelektrode 308 und die zweite Torelektrode 310
verbunden.
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Wenn die Empfindlichkeit hoch ist, sind die Signale SEL1
und SEL3 auf "niedrigem" Pegel eingestellt, um die
Signalladung in der floatenden Diffusionsschicht 302 zu
speichern. In diesem Moment sind die Signale SEL2 und SEL4 auf
dem "hohen" Pegel, und die floatenden Diffusionsbereiche
303 und 305 sind auf dasselbe Potential wie VRD eingestellt
(6C).
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Wenn die Empfindlichkeit in einem Zwischenzustand ist, sind
die Signale SEL2 und SEL3 auf den "niedrigen" Pegel
eingestellt, das Signal SEL1 ist auf hohen Pegel eingestellt,
und die Signalladung wird in den floatenden
Diffusionsbereichen 302 und 303 gespeichert (Fig. 6d). Oder die Signale
SEL1 und SEL4 sind auf den "niedrigen" Pegel eingestellt,
und das Signal SEL3 ist auf den "hohen" Pegel eingestellt,
um die Signalladung in den floatenden Diffusionsbereichen
302 und 305 zu speichern. In diesen Fällen ist die
Empfindlichkeit nicht diesselbe, wenn der floatende
Diffusionsbereich 305 und der floatende Diffusionsbereich 303 diesselbe
Kapazität haben, und die Empfindlichkeit kann ferner
differenziert werden, wenn die Kapazitäten nicht diesselben
sind.
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Wenn die Empfindlichkeit niedrig ist, sind die Signale SEL2
und SEL4 auf "niedrigen" Pegel eingestellt, und die Signale
SEL1 und SEL3 sind auf "hohen" Pegel eingestellt, um die
Signalladung in den floatenden Diffusionsbereichen 302, 303
und 305 zu speichern.
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Bei dieser oben beschriebenen Ausführungsform sind der
zweite und der dritte floatende Diffusionsbereich mit dem
ersten floatenden Diffusionsbereich über die erste bzw. die
zweite Torelektrode verbunden, und die Empfindlichkeit kann
in drei bis vier verschiedene Weisen geändert werden durch
Änderung der Potentiale der Torelektroden.
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Gemäß der oben beschriebenen Erfindung werden die
Kapazitäten der floatenden Diffusionsbereiche zur Wandlung der
elektrischen Ladung in eine Spannung in der Ausgangsstufe
geändert, um die Empfindlichkeit zu steigern, wenn die
elektrische Ladung in kleinen Beträgen fließt, und
demgegenüber zur Veränderung der Empfindlichkeit, um den
dynamischen Bereich zu verbreitern, wenn die elektrischen
Ladungen in großen Beträgen fließen, wobei hohe Empfindlichkeit
nicht erforderlich ist.
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Die vorstehende Beschreibung betrifft
Ladungsübertragungsvorrichtungen vom Oberflächenkanaltyp. Es muß jedoch nicht
betont werden, daß die Erfindung auch bei
Ladungsübertragungsvorrichtungen verwendet werden kann, in denen ein Teil
oder alle Teile der Vorrichtung in versenkten Kanälen
liegen. Desweiteren ist das Halbleitersubstrat nicht
notwendigerweise auf den p-Typ beschränkt, sondern kann auch vom n-
Typ sein, vorausgesetzt, daß die Polaritäten der
Leitfähigkeitsarten umgekehrt sind und die positive und negative
Polarität der Potentiale umgekehrt sind.