DE3815293A1 - Dreidimensional angeordnete wellenleiter - Google Patents
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Description
Die Erfindung betrifft eine Anordnung von mehreren Wellenleitern
nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1.
Eine derartige Anordnung von Wellenleitern ist für optische
Datenübertragungen geeignet. Die gestapelten Wellenleiter
sind in dreidimensionale und zweidimensionale, optische und
optoelektronische Schaltungen integrierbar.
Wellenleiter, die in einer Ebene angeordnet sind, sind u. a.
aus einer Veröffentlichung von H. Inoue et. al.
in Optoelectronics, Vol. 1 (2), 137 (1986) bekannt.
Die konventionelle ebene Anordnung insbesondere von mehreren
Wellenleitern hat den Nachteil, daß sie einen hohen Platzbedarf
erfordert. Häufig ist eine planare Bauweise von integrierten
Schaltungen nicht möglich. Die Begrenzung der zu
übertragenden Wellen auf die wellenführende Halbleiterschicht
ist bei einem herkömmlichen, ebenen Aufbau der Wellenleiter
sehr schwierig.
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, eine Anordnung
von mehreren Wellenleitern anzugeben, die eine abhörfreie
und störungsfreie Datenübertragung gewährleistet und
bei der eine hohe Packungsdichte von Wellenleitern möglich
ist.
Diese Aufgabe wird gelöst durch die im kennzeichnenden Teil
des Patentanspruchs 1 angegebenen Merkmale. Vorteilhafte
Ausgestaltungen und/oder Weiterbildungen sind den Unteransprüchen
zu entnehmen.
Die Erfindung besitzt den Vorteil, daß durch eine dreidimensionale
Anordnung von Wellenleitern eine hohe Packungsdichte
erreicht wird und eine planare Bauweise von optischen und
optoelektronischen Schaltungen möglich ist. Weiterhin ist
durch den Einbau von Zwischenschichten zwischen die jeweiligen
wellenführenden Halbleiterschichten, die einen hohen
Brechungsindexsprung zur wellenführenden Halbleiterschicht
bewirken, ein Übersprechen der optischen Signale gering.
Die Erfindung wird im folgenden anhand von Ausführungsbeispielen
unter Bezugnahme auf schematische Zeichnungen näher
erläutert.
In Fig. 1 und Fig. 2 sind unterschiedliche Schichtenfolgen
und deren Brechungsindexverlauf dargestellt, die für eine
dreidimensionale Anordnung von Wellenleitern geeignet sind.
In Fig. 3, Fig. 4 und Fig. 5 sind verschiedene Möglichkeiten
zur seitlichen Begrenzung der wellenführenden Halbleiterschichten
von dreidimensional angeordneten Wellenleitern
dargestellt.
Gemäß Fig. 1 besteht eine beispielhafte Schichtenfolge aus
einer alternierenden Folge von Schichten aus einem Material
mit großem Bandabstand und einer Halbleiterschicht mit
kleinerem Bandabstand, die übereinander epitaktisch aufgewachsen
sind. Da die Halbleiterschichten mit kleinem Bandabstand
einen größeren Berechnungsindex n als die Schichten mit
großem Bandabstand besitzen, bilden diese Halbleiterschichten
die wellenführenden Halbleiterschichten 2 n, n=1, 2, 3,
4 . . ., und die Schichten aus einem Material mit großem
Bandabstand die wellenbegrenzenden Schichten 1 a . . . 2 n+1,
n=1, 2, 3, 4 . . . Die Intensität der Welle, die sich in
den wellenführenden Halbleiterschichten 2 n ausbreitet,
sollte möglichst schnell in den wellenbegrenzenden Schichten
1 a . . . 23 n+1 abklingen. Dies erfordert bei einheitlicher
Zusammensetzung der wellenbegrenzenden Schichten, z. B. aus
halbisolierendem InP, eine Schichtdicke von 0,5 µm bis 1,5 µm,
je nach Materialzusammensetzung und Schichtdicke der wellenführenden
Halbleiterschicht 2 n. Je dicker die wellenbegrenzenden
Schichten 1 a . . . 2 n+1 sind, desto geringer ist ein
Übersprechen der optischen Signale. Werden in den benachbarten,
wellenführenden Halbleiterschichten 2 n-2, 2 n, 2 n+2
Wellen verschiedener Wellenlänge λ und/oder zeitversetzte
Wellenpakete geführt, so ist die gegenseitige Störung der
Wellen viel geringer als bei gleichartigen und gleichzeitigen
Wellen. Die Schichtdicken der wellenbegrenzenden Schichten
1 a . . . 2 n+1 können deshalb weniger als 0,5 µm betragen.
Die wellenbegrenzenden und wellenführenden Schichten sind
z. B. aus einem Halbleitermaterial der gleichen Materialgruppe
aufgebaut. Beispielsweise bestehen die wellenführenden
Schichten aus In x Ga₁-x As y P₁-y oder GaAs und die wellenbegrenzenden
Schichten aus InP bzw. Ga x Al₁-x As oder aber die
wellenführenden Schichten sind aus Hg x Cd₁-x Te und die wellenbegrenzenden
Schichten aus CdTe aufgebaut. Weiterhin
können die wellenführenden Halbleiterschichten eine unterschiedliche
Zusammensetzung aufweisen. Etwa im Falle von
In x Ga₁-x As y P₁-y gilt für die wellenführenden Halbleiterschichten
2 n, 2 n-2 für die Materialanteile x, y die
Beziehung x 2n , y 2n , x 2n-2. Auch die Schichtdicken
und die Dotiermaterialien können unterschiedlich sein. Für
die wellenführenden Halbleiterschichten werden undotierte
oder möglichst gering dotierte Halbleitermaterialien verwendet,
da undotierte Halbleitermaterialien einen größeren
Brechungsindex n als dotierte Halbleitermaterialien besitzen.
Die wellenbegrenzenden Halbleiterschichten sind entweder
hochdotiert oder aus halbisolierendem Halbleitermaterial
aufgebaut. Außerdem können sich die wellenbegrenzenden
Halbleiterschichten 2 n+1, 2 n-1 sowohl in der Materialzusammensetzung
als auch in der Schichtdicke unterscheiden.
Um einen möglichst großen Brechungsindexsprung zwischen
wellenführenden und wellenbegrenzenden Schichten zu erreichen,
ist es vorteilhaft, die wellenbegrenzenden Schichten
aus einkristallinen Fluoriden aufzubauen, deren Gitterabstände
annähernd den Gitterabständen der wellenführenden
Halbleiterschichten entsprechen. Beispielsweise sind einkristalline
Isolatorschichten CaF₂ oder Ba x Sr₁-x F₂ an GaAs oder
HgCdTe-Schichten anpaßbar. Der Vorteil von isolierenden,
wellenbegrenzenden Schichten 1 a . . . 2 n+1 besteht darin,
daß die Isolatoren wesentlich geringere Brechungsindizes von
etwa n=1,4-1,5, verglichen mit den III/V-Halbleitermaterialien
von ca. n=3,5, besitzen. Der Brechungsindexsprung
Δ n zwischen isolierenden Schichten und wellenführenden
Halbleiterschichten beträgt Δ n∼2. Sind die wellenführenden
und wellenbegrenzenden Schichten aus gleichartigen
Halbleitern aufgebaut, so beträgt der Brechungsindexsprung
lediglich Δ n∼0,1-0,5.
Eine ungestörte Übertragung von verschiedenen Wellen in
einer dreidimensionalen Wellenleiterstruktur ist insbesondere
durch die Verwendung von einkristallinen Fluoriden als
isolierende, wellenbegrenzende Schichten 2 n+1 gegeben, die
zwischen den wellenführenden Halbleiterschichten lückenlose
Mischkristallschichten bilden.
In der dreidimensionalen Wellenleiterstruktur gemäß Fig. 1
können die wellenführenden Halbleiterschichten 2 n auch aus
unterschiedlichen Materialgruppen aufgebaut sein. Beispielsweise
besteht die Schicht 2 aus GaAs, die Schicht 4 aus
InGaAsP und die Schicht 6 aus HgCdTe. Dadurch ist es möglich,
daß in Schicht 2 Wellen der Wellenlänge λ₂=0,8 µm,
in der Schicht 4 Wellen der Wellenlänge λ₄=1,3 µm und in der
Schicht 6 Wellen der Wellenlänge g₆=10 µm geführt werden.
Beispielsweise ist durch eine graduelle Änderung der x-Anteile
in o. g. tenären Fluoridschichten eine Anpassung an die
unterschiedlichen Gitterparameter der verschiedenen Halbleiter
möglich. Zum Beispiel besteht die wellenbegrenzende
Schicht 3 aus einer Ca x Sr₁-x F₂/Ba y Sr₁-y F₂-Schicht, wobei
der x-Wert von der GaAs-Schicht 2 zur InGaAsP-Schicht 4
abnimmt und der y-Wert zunimmt; die wellenbegrenzende Schicht
5 besteht z. B. aus Ba z Sr₁-z F₂, wobei der z-Wert von der
InGaAsP-Schicht 4 zur HgCdTe-Schicht 6 zunimmt. Die Schichtdicken
der wellenführenden Halbleiterschichten sind in der
Größenordnung der Wellenlängen λ der zu führenden Wellen.
Die in Fig. 2 dargestellte dreidimensionale Wellenleiterstruktur
unterscheidet sich von der in Fig. 1 gezeigten
dreidimensionalen Wellenleiterstruktur dadurch, daß eine
erste hochdotierte, leitende Halbleiterschicht 2 na zwischen
die wellenführende Halbleiterschicht 2 n und die wellenbegrenzende
Schicht 2 n-1 und/oder daß eine zweite hochdotierte,
leitende Halbleiterschicht 2 nb zwischen die wellenführende
Halbleiterschicht 2 n und die wellenbegrenzende
Schicht 2 n+1 epitaktisch gewachsen ist (n=1, 2, 3 . . .).
Die hochdotierten, leitenden Halbleiterschichten 2 a, 2 b . . .
2 na, 2 nb besitzen vorzugsweise einen größeren Bandabstand
als die wellenführenden Halbleiterschichten 2, 4 . . . 2 n.
Dadurch und durch die höhere Dotierung wird die Wellenführung in
den Halbleiterschichten 2, 4 . . . 2 n verbessert. Beispielsweise
besteht die wellenführende Halbleiterschicht 2 n aus
GaAs, die daran angrenzende erste und zweite leitende Halbleiterschicht
2 na, 2 nb aus n ++-dotiertem Ga0,8Al0,2As und
die wellenbegrenzenden Schichten 2 n+1, 2 n-1 aus halbisolierendem
Ga0,5Al0,5As. Weiterhin sind alle vorher für die
Wellenleiterstruktur gemäß Fig. 1 beschriebenen Materialkombinationen
für den Schichtaufbau gemäß Fig. 2 geeignet.
Außerdem kann je nach Schichtaufbau lediglich einseitig eine
hochdotierte Halbleiterschicht 2 na oder 2 nb zwischen die
wellenführende Halbleiterschicht 2 n und die wellenbegrenzende
Schicht 2 n-1 oder 2 n+1 gewachsen werden.
Damit die Wellen seitlich entlang jedes Wellenleiters begrenzbar
sind, muß der Berechnungsindex in der wellenführenden
Schicht seitlich abnehmen. Beispielsweise ist gemäß Fig. 3
in einem Halbleiterkörper 1, etwa in ein einkristallines
Substrat oder in eine einkristalline Halbleiterschichtfolge,
ein Graben geätzt, dessen Wände mit einem Dielektrikum 8,
z. B. SiO₂, beschichtet sind. Der Boden des Grabens besteht
aus einkristallinem Halbleitermaterial. Mit selektiver Epitaxie
wird die oben beschriebene dreidimensionale Wellenstruktur
aus zwei wellenführenden Halbleiterschichten 2, 4,
die durch die wellenbegrenzenden Schichten 1 a, 3, 5 getrennt
sind, im Graben aufgewachsen. Die seitliche Begrenzung der
Wellenleiter kommt dadurch zustande, daß das Dielektrikum 8,
z. B. SiO₂, mit dem die Grabenwände beschichtet sind, einen
wesentlich kleineren Berechnungsindex besitzt als das Halbleitermaterial
der wellenführenden Schichten 2, 4. Der horizontale
Berechnungsindexverlauf (Richtung BB′) innerhalb des
Grabens ist im unterem Teil der Fig. 3 dargestellt. Ist
jedoch der Graben in ein beispielsweise halbisolierendes
InP- oder CdTe-Substrat geätzt, dessen Bandabstand merklich
größer ist als der Bandabstand der wellenführenden Halbleiterschichten
2, 4 aus InGaAsP oder HgCdTe, so kann auf die
Beschichtung der Grabenwände mit einem Dielektrikum verzichtet
werden.
In Fig. 4 ist eine weitere Möglichkeit zur seitlichen Begrenzung
einer dreidimensionalen Wellenleiterstruktur angegeben.
In einer Schichtenfolge aus beispielsweise zwei wellenführenden
Halbleiterschichten 2, 4, die in wellenbegrenzenden
Schichten 1 a, 3, 5 eingebettet sind, sind zwei Gräben
im Abstand der gewünschten Breite der Wellenleiter eingeätzt.
Die Gräben sind entweder vollständig mit einem Dielektrikum
gefüllt oder gemäß Fig. 4 mit einem Dielektrikum 8
beschichtet. Durch den geringeren Berechnungsindex des
Dielektrikums im Verhältnis zu dem Material der wellenführenden
Halbleiterschichten entsteht der für die seitliche
Begrenzung der Wellen notwendige Berechnungsindexsprung (Fig. 4
unten).
Eine seitliche Wellenführung jedes einzelnen Wellenleiters
in einer dreidimensionalen Wellenleiterstruktur ist außerdem
durch die Ausnutzung des sog. elektrooptischen Effektes
erreichbar. Die elektrooptische Steuerung von eben angeordneten
Wellenleitern ist in der Veröffentlichung von J. C.
Campbell et al., Appl. Phys. Lett. Vol. 26 (11), 640 (1975)
beschrieben. Ein zwischen Elektroden angelegtes elektrisches
Feld ändert den Berechnungsindex in der wellenführenden
Halbleiterschicht und begrenzt den wellenführenden Bereich
der Halbleiterschicht. In einer beispielhaften, dreidimensionalen
Wellenleiterstruktur gemäß Fig. 5 bilden die wellenbegrenzenden
Schichten 1 a, 3, 5, 7 die Elektroden. Die wellenbegrenzenden
Schichten bestehen z. B. aus leitendem InP.
Die leitenden, wellenbegrenzenden Schichten 1 a, 3, 5, 7 sind
über implantierte oder diffundierte Zuleitungszonen 9, 10,
11, 12 kontaktierbar. Geeignete Dotiermaterialien zur Herstellung
der Zuleitungszonen sind z. B. Si oder Be. Die
Wellen in der wellenführenden Halbleiterschicht 2 sind über
die Kontakte 14, 16 und die Zuleitungszonen 10, 12 zu den
zuleitenden, wellenbegrenzenden Halbleiterschichten 1 a, 3
steuerbar und damit seitlich zwischen den Zuleitungszonen
10, 12 bzw. der Isolationswanne 20 begrenzbar. Eine seitliche
Begrenzung der Wellen in der wellenführenden Halbleiterschicht
4 ist über die Kontakte 14, 15 und die Zuleitungszonen
10, 11 zu den gutleitenden, wellenbegrenzenden
Schichten 3, 5 erreichbar. Über die Kontakte 13, 15 und die
Zuleitungszone 9, 11 zu den leitenden, wellenbegrenzenden
Schichten 5, 7 und den Isolationszonen 17, 18, 19, 20 wird
eine seitliche Begrenzung der Wellen in der wellenführenden
Halbleiterschicht 6 erzielt. Geeignete Isolationszonen 17,
18, 19 zwischen den Zuleitungszonen 9, 10, 11, 12 verhindern
Kurzschlüsse zwischen den Zuleitungszonen und den als Elektroden
wirkenden, wellenbegrenzenden Schichten 1 a, 3, 5, 7.
Wenn die wellenbegrenzenden Schichten eine gute Leitfähigkeit
besitzen, ist es für die elektrooptische Steuerung
ausreichend, daß die Kontakte und Zuleitungszonen lediglich
in einem Teilbereich 21 der dreidimensionalen Wellenleiterstruktur
angeordnet sind (Fig. 5).
Isolationswannen 20, die z. B. durch Ionenimplantation mit
Protonen senkrecht zur Wellenleiterstruktur hergestellt
werden und über die gesamte Länge L der Wellenleiter verlaufen,
beschränken den elektrischen Feldbereich auf die
Breite der dreidimensionalen Wellenleiterstruktur und sorgen
damit für eine seitliche Wellenführung.
Die angelegten Spannungen zwischen den als Elektroden wirkenden
wellenbegrenzenden Schichten betragen lediglich
einige Volt. Aufgrund der geringen Schichtdicken der wellenführenden
Halbleiterschichten von wenigen µm treten in den
wellenführenden Halbleiterschichten Feldstärken von mehr als
10 kV/cm auf.
Bestehen die wellenbegrenzenden Schichten aus isolierendem
Material, z. B. aus CaF₂, so ist eine elektrooptische Steuerung
der Wellenleiter lediglich mit einer dreidimensionalen
Wellenleiterstruktur gemäß Fig. 2 durchführbar. Bei derartigen
mehrschichtig aufgebauten Wellenleitern werden die
leitenden Halbleiterschichten 2 na, 2 nb als Elektroden verwendet,
die über entsprechende Zuleitungszonen elektrisch
kontaktierbar sind. Mindestens eine der beiden leitenden
Halbleiterschichten 2 na oder 2 nb sollte aus einem Halbleitermaterial
aufgebaut sein, das einen anderen Leitfähigkeitstyp
besitzt als die wellenführende Halbleiterschicht
2 n. Beispielsweise besteht die wellenführende Halbleiterschicht
2 n aus n --leitendem InGaAsP, die erste leitende
Halbleiterschicht 2 na aus p++-leitendem InGaAsP und die
zweite Halbleiterschicht 2 nb aus n⁺-leitendem InGaAsP.
Die erfindungsgemäße dreidimensionale Wellenleiterstruktur
ist nicht auf die angegebenen Materialien beschränkt, sondern
es sind weitere Kombinationen aus III/V- und/oder
II/VI-Halbleiterverbindungen sowie aus Si und Ge zum
Aufbau einer Halbleiterschichtenfolge für dreidimensional
angeordnete Wellenleiter geeignet. Zur Herstellung der
Schichtenfolge für die dreidimensionale Wellenleiterstruktur
werden vorteilhafterweise die Molekularstrahlepitaxie oder die
MOVPE (metal organic vapor phase epitaxy) verwendet.
Claims (12)
1. Anordnung von mehreren Wellenleitern, wobei die Wellenleiter
aus mindestens einer wellenführenden Halbleiterschicht
mit kleinem Bandabstand bestehen und zwischen
wellenbegrenzenden Schichten mit großem Bandabstand eingebettet
sind, dadurch gekennzeichnet, daß die Wellenleiter
übereinander angeordnet sind, derart, daß die Wellenleiter
durch wellenbegrenzende Schichten (2 n+1, n=1, 2, 3 . . .)
vertikal getrennt sind und eine dreidimensionale Wellenleiterstruktur
bilden.
2. Anordnung von mehreren Wellenleitern nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß die Wellenleiter lediglich je aus
einer wellenführenden, einkristallinen Halbleiterschicht
(2 n, n=1, 2, 3 . . .) bestehen, die undotiert oder gering
dotiert sind (Fig. 1).
3. Anordnung von mehreren Wellenleitern nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß die Wellenleiter aus einer
epitaktisch gewachsenen, einkristallinen Schichtenfolge aus
- - einer ersten, leitenden Halbleiterschicht (2 na)
- - einer undotierten oder gering dotierten, wellenführenden Halbleiterschicht (2 n) und
- - einer zweiten, leitenden Halbleiterschicht (2 nb) besteht (Fig. 2), und
- - daß der Bandabstand der leitenden Halbleiterschichten (2 na, 2 nb) größer ist als der Bandabstand der wellenführenden Halbleiterschicht (2 n) und der wellenbegrenzenden Schichten (2 n+1).
4. Anordnung von mehreren Wellenleitern nach einem der
vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die
wellenführenden Schichten aus gleichen Halbleitermaterialien
aufgebaut sind.
5. Anordnung von mehreren Wellenleitern nach einem der
Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die wellenführenden
Schichten aus unterschiedlichen Halbleitermaterialien
bestehen.
6. Anordnung von mehreren Wellenleitern nach einem der
vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die
wellenbegrenzenden Schichten aus leitendem, einkristallinem
Halbleitermaterial aufgebaut sind.
7. Anordnung von mehreren Wellenleitern nach einem der
Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die wellenbegrenzenden
Schichten aus einkristallinem, isolierendem
Material aufgebaut sind.
8. Anordnung von mehreren Wellenleitern nach Anspruch 7,
dadurch gekennzeichnet, daß die wellenbegrenzenden Schichten
aus einkristallinen Fluoriden bestehen.
9. Anordnung von mehreren Wellenleitern nach einem der
vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die
wellenführenden Halbleiterschichten und die wellenbegrenzenden
Schichten aus Materialien mit annähernd gleichem Gitterabstand
bestehen.
10. Anordnung von mehreren Wellenleitern nach einem der
vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet,
- - daß in einen einkristallinen Halbleiterkörper (1) ein Graben geätzt ist, dessen Grabenwände mit einem Dielektrikum (8) beschichtet sind,
- - daß auf das einkristalline Halbleitermaterial des Grabenbodens die dreidimensionale Wellenleiterstruktur epitaktisch gewachsen ist, und
- - daß die Grabenwände die Wellen in den wellenführenden Halbleiterschichten (2, 4) seitlich begrenzen (Fig. 3).
11. Anordnung von mehreren Wellenleitern nach den Ansprüchen 1
bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß senkrecht zur Schichtenfolge
der dreidimensionalen Wellenleiterstruktur mindestens
zwei mit einem Dielektrikum (8) beschichtete oder gefüllte
Gräben geätzt sind, die die Wellen in den wellenführenden
Halbleiterschichten (2, 4) seitlich begrenzen (Fig. 4).
12. Anordnung von mehreren Wellenleitern nach einem der
vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet,
- - daß die an die wellenführenden Halbleiterschichten angrenzenden, leitenden Schichten über implantierte und/oder diffundierte Zuleitungszonen elektrisch kontaktierbar sind, derart, daß die wellenführenden Halbleiterschichten separat ansteuerbar sind, und
- - daß durch Ausnutzung des elektrooptischen Effekts die Wellen in den wellenführenden Halbleiterschichten seitlich begrenzbar sind.
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DE3815293A DE3815293A1 (de) | 1988-05-05 | 1988-05-05 | Dreidimensional angeordnete wellenleiter |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE3815293A DE3815293A1 (de) | 1988-05-05 | 1988-05-05 | Dreidimensional angeordnete wellenleiter |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3815293A1 true DE3815293A1 (de) | 1989-11-16 |
Family
ID=6353687
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE3815293A Withdrawn DE3815293A1 (de) | 1988-05-05 | 1988-05-05 | Dreidimensional angeordnete wellenleiter |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE3815293A1 (de) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0449719A1 (de) * | 1990-03-27 | 1991-10-02 | Thomson-Csf | Dreidimensionale integrierte Leiterstruktur und Verfahren zu ihrer Herstellung |
EP0541247A1 (de) * | 1991-10-16 | 1993-05-12 | AT&T Corp. | Optische integrierte Schaltung |
-
1988
- 1988-05-05 DE DE3815293A patent/DE3815293A1/de not_active Withdrawn
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0449719A1 (de) * | 1990-03-27 | 1991-10-02 | Thomson-Csf | Dreidimensionale integrierte Leiterstruktur und Verfahren zu ihrer Herstellung |
FR2660439A1 (fr) * | 1990-03-27 | 1991-10-04 | Thomson Csf | Structure guidante integree en trois dimensions et son procede de realisation. |
US5159699A (en) * | 1990-03-27 | 1992-10-27 | Thomson-Csf | 3d integrated guiding structure |
EP0541247A1 (de) * | 1991-10-16 | 1993-05-12 | AT&T Corp. | Optische integrierte Schaltung |
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