DE3814054A1 - Auf die einwirkung einer kraft ansprechender sensor - Google Patents
Auf die einwirkung einer kraft ansprechender sensorInfo
- Publication number
- DE3814054A1 DE3814054A1 DE19883814054 DE3814054A DE3814054A1 DE 3814054 A1 DE3814054 A1 DE 3814054A1 DE 19883814054 DE19883814054 DE 19883814054 DE 3814054 A DE3814054 A DE 3814054A DE 3814054 A1 DE3814054 A1 DE 3814054A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- force
- semiconductor material
- base body
- monocrystalline semiconductor
- side edges
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
- G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
- G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
- G01P15/12—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values by alteration of electrical resistance
- G01P15/123—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values by alteration of electrical resistance by piezo-resistive elements, e.g. semiconductor strain gauges
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L1/00—Measuring force or stress, in general
- G01L1/18—Measuring force or stress, in general using properties of piezo-resistive materials, i.e. materials of which the ohmic resistance varies according to changes in magnitude or direction of force applied to the material
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
- Force Measurement Appropriate To Specific Purposes (AREA)
Description
Die Erfindung bezieht sich auf einen auf die Einwirkung ei
ner Kraft ansprechenden Sensors mit einem aus monokristalli
nem Halbleitermaterial bestehenden Grundkörper mit einer in
der (100)-Kristallfläche liegenden Hauptfläche, einem aus
dem gleichen monokristallinen Halbleitermaterial bestehenden
Kraftaufnahmeelement mit einer ebenfalls in der (100)-Kri
stallfläche liegenden Hauptfläche und mit zueinander senk
recht verlaufenden Seitenkanten, sich zwischen dem Grundkör
per und dem Kraftaufnahmeelement in der (110)-Richtung er
streckenden, an die (100)-Kristallfläche angrenzenden Trä
gerelementen aus dem gleichen monokristallinen Halbleiterma
terial, die das Kraftaufnahmeelement und den Grundkörper
einstückig miteinander verbinden und sich unter dem Einfluß
einer auf das Kraftaufnahmeelement einwirkenden Kraft ver
formen, und Meßgliedern, die im Verformungsbereich der Trä
gerelemente angebracht sind und auf eine Verformung des je
weiligen Trägerelements mit einer Änderung eines physikali
schen Parameters reagieren.
Ein Sensor dieser Art ist aus der DE-PS 34 29 250 bekannt.
Bei diesem bekannten Sensor bildet der Grundkörper einen
quadratischen Rahmen, der ein ebenfalls quadratisches Kraft
aufnahmeelement umgibt, dessen Seitenkanten parallel zu den
Seitenteilen des umgebenden Rahmens verlaufen. Zwischen den
Seitenteilen des vom Grundkörper gebildeten Rahmens und dem
Kraftaufnahmeelement erstrecken sich parallel zu den Seiten
kanten des Kraftaufnahmeelements und den Seitenteilen des
Rahmens die Trägerelemente, die das Kraftaufnahmeelement mit
dem Grundkörper einstückig verbinden. Die Trägerelemente
bilden dabei ein mechanisches Gebilde, das wie Blattfedern
an einem Ende vom Grundkörper ausgehen und am anderen Ende
mit dem Kraftaufnahmeelement verbunden sind. Dabei sind vier
Trägerelemente vorgesehen, die jeweils eine Ecke des Kraft
aufnahmeelements mit dem Grundkörper verbinden. Wenn auf das
Kraftaufnahmeelement eine Kraft einwirkt, verformen sich die
Trägerelemente im Übergangsbereich zum Grundkörper, und an
jedem Trägerelement ist in diesem Übergangsbereich ein Pie
zowiderstandselement angebracht, dessen elektrischer Wider
stand sich beim Auftreten der mechanischen Verformung ver
ändert. Die Piezowiderstandselemente können beispielsweise
in einer Brückenschaltung miteinander verbunden werden, in
der durch die einzelnen Widerstandselemente ein elektrischer
Strom fließt. Mit Hilfe der Brückenschaltung kann ein elek
trisches Signal erhalten werden, das eine Aussage darüber
ermöglicht, ob und wieweit sich die Trägerelemente durch
eine Auslenkung des Kraftaufnahmeelements verformt haben.
Bei der Herstellung des bekannten Sensors wird von einem
Blättchen aus monokristallinem Halbleitermaterial ausgegan
gen, dessen Hauptfläche in der (100)-Kristallfläche liegt.
Unter Anwendung des richtungsabhängigen Ätzens werden Nuten
erzeugt, die so tief reichen, daß das Kraftaufnahmeelement
nur noch über Stege mit dem Grundkörper verbunden ist, die
die Dicke der zu bildenden Trägerelemente haben. Durch die
Stege werden dann Schlitze erzeugt, so daß die blattfeder
artige Ausbildung der Trägerelemente geschaffen wird, die
für die Erzielung der gewünschten Kraftempfindlichkeit des
Kraftaufnahmeelements erforderlich ist. Bei dem bekannten
Sensor verlaufen die Seitenkanten des Kraftaufnahmeelements
und auch die Schlitze beiderseits der Trägerelemente in der
(110)-Richtung des Halbleiterkristalls. Dies ist erwünscht,
weil bei monokristallinem Silizium mit einer in der (100)-
Kristallfläche liegenden Hauptfläche die größte piezoresi
stive Empfindlichkeit in der (110)-Richtung vorliegt. Da
sich die Trägerelemente in der (110)-Richtung erstrecken,
spricht der Sensor bei dieser Orientierung sehr gut auf ein
wirkende Kräfte an. Allerdings ergibt sich bei der Anwendung
des richtungsabhängigen Ätzens zur Herstellung des Sensors
bei dieser Orientierung ein Problem bei der Erzielung der
gewünschten geometrischen Formen des Kraftaufnahmeelements
und der Trägerelemente. Es tritt nämlich ein starkes Unter
ätzen auf, das zu einem unerwünschten Abtragen von Material
führt und so die gewünschten Formen verändert. Um uner
wünschte Auswirkungen dieses starken Unterätzens zu kompen
sieren, müssen für die bei der Bildung des Kraftaufnahmeele
ments verwendeten Ätzschutzmasken Formen mit Kompensations
flächen gewählt werden, die keine optimale Ausgestaltung des
Kraftaufnahmeelements einerseits und der Trägerelemente an
dererseits ermöglichen.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen Sensor der
eingangs geschilderten Art zu schaffen, der ohne Aufgabe der
maximalen piezoresistiven Empfindlichkeit eine optimale Form
und Lage des Kraftaufnahmeelements ermöglicht.
Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe dadurch gelöst, daß die
Seitenkanten des Kraftaufnahmeelements in einer von der (110)
-Richtung des monokristallinen Halbleitermaterials verschie
denen Richtung verlaufen. Im erfindungsgemäßen Sensor sind
die Seitenkanten des Kraftaufnahmeelements gegenüber der
(110)-Richtung verdreht. Bei dieser von der (110)-Richtung
abweichenden Orientierung der Seitenkanten tritt das oben
erwähnte Problem des Unterätzens bei der Herstellung
der Trägerelemente und des Kraftaufnahmeelements nicht mehr
auf, so daß eine optimale Geometrie für das Kraftaufnahme
element erhalten werden kann. Der Übergangsbereich zwischen
den Trägerelementen und dem Grundkörper bleibt dabei jedoch
unbeeinflußt, so daß in diesem Bereich die für die piezo
resistive Empfindlichkeit optimale Orientierung in der (110)
-Richtung beibehalten werden kann. Der erfindungsgemäße Sen
sor hat somit eine für die Erzielung einer großen Empfind
lichkeit optimierte Geometrie.
Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind in den
Unteransprüchen gekennzeichnet. Besonders vorteilhafte Rich
tungen der Seitenkanten des Kraftaufnahmeelements sind die
(210)-Richtung oder die (310)-Richtung.
Die Erfindung wird nun anhand der Zeichnung beispielshalber
erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 eine Draufsicht auf den erfindungsgemäßen Sensor und
Fig. 2 einen perspektivisch ergänzten Schnitt längs der
Linie A-A von Fig. 1.
Der in Fig. 1 in einer Draufsicht dargestellte Sensor 10
enthält einen Grundkörper 12 und ein Kraftaufnahmeelement
14, das über vier Trägerelemente 16, 18, 20 und 22 mit dem
Grundkörper 12 verbunden ist. Das Kraftaufnahmeelement 14
hat eine quadratische Form, und die Trägerelemente 16 bis 22
verlaufen vom Grundkörper 12 aus zunächst parallel zu den
Rändern des Grundkörpers 12, und sie erstrecken sich dann
abgewinkelt in Richtung zu einer Seitenkante des Kraftauf
nahmeelements 14. Wie zu erkennen ist, sind die Trägerele
mente 16 bis 22 an einem Ende mit dem Grundkörper 12 und am
anderen Ende jeweils mit dem Kraftaufnahmeelement 14 verbun
den. Die Bereiche 24, 26, 28, 30 sind Durchbrüche, was zur
Folge hat, daß die Trägerelemente 16 bis 22 das Kraftaufnah
meelement 14 in der Art von Blattfedern festhalten.
Wie aus der perspektivisch ergänzten Schnittansicht von Fi
gur 2 hervorgeht, hat das Kraftaufnahmeelement 14 eine rela
tiv große Dicke, und die Trägerelemente 16 bis 22 sind dün
ne, blattfederartige Streifen, die das Kraftaufnahmeelement
14 mit dem Grundkörper 12 verbunden halten. Das Kraftaufnah
meelement 14 kann sich unter der Einwirkung einer Kraft, die
senkrecht zu seiner Flächenausdehnung wirkt, in der Ansicht
von Fig. 2 nach oben oder nach unten verschieben. Die Trä
gerelemente 16 bis 22 verformen sich dabei und begrenzen die
höchstzulässige Auslenkung. In einem Bereich der Trägerele
memente 16 bis 22, in dem sich diese verformen, wenn auf das
Kraftaufnahmeelement 14 eine Kraft einwirkt, sind Meßglieder
32, 34, 36 und 38 angebracht, die auf die Verformung mit
einer Änderung einer ihrer physikalischen Parameter anspre
chen. Bei diesen Meßgliedern 32 bis 38 kann es sich um Pie
zowiderstandselemente handeln, deren elektrischer Widerstand
sich unter dem Einfluß einer mechanischen Verformung ändert.
Wenn die Meßglieder 32 bis 38 beispielsweise in einer
Brückenschaltung miteinander verbunden werden, in der durch
die einzelnen Meßglieder ein elektrischer Strom fließt, dann
kann ein elektrisches Signal erhalten werden, das eine Aus
sage darüber ermöglicht, ob und wieweit sich die Trägerele
mente durch eine Auslenkung des Kraftaufnahmeelements ver
formt haben. Wegen seiner Dicke hat das Kraftaufnahmeelement
14 eine definierte Masse, die auf eine Beschleunigung an
spricht. Der dargestellte Sensor kann daher als Beschleuni
gungs-Sensor verwendet werden, und das mit Hilfe der Meß
glieder 32 bis 38 erzeugbare elektrische Signal ermöglicht
eine Aussage über die Beschleunigung, die das mit dem Grund
körper 12 verbundene Kraftaufnahmeelement 14 erfahren hat.
Der Sensor 10 ist aus einem Blättchen aus monokristallinem
Silizium hergestellt. Dies bedeutet, daß der Grundkörper 12,
das Kraftaufnahmeelement 14 und die Trägerelemente 16 bis 22
einstückig miteinander verbunden sind. Die in der Draufsicht
von Fig. 1 zu erkennende Hauptfläche des Sensors 10 liegt
dabei in der (100)-Kristallfläche. Die Trägerelemente 16 bis
22 sind so angeordnet, daß sie sich zunächst, wenn sie vom
Grundkörper 12 ausgehen, in der (110)-Richtung erstrecken.
Dies ist von Vorteil, weil sich bei dieser Orientierung die
größte piezoresistive Empfindlichkeit beim Auftreten einer
mechanischen Verformung erzielen läßt. Die Meßglieder 32 bis
38 können daher an Stellen angebracht werden, an denen sie
bei einer mechanischen Verformung die größstmögliche Wider
standsänderung erfahren.
Die Draufsicht von Fig. 1 läßt deutlich erkennen, daß die
Seitenkanten des Kraftaufnahmeelements 14 nicht parallel zu
den in der (110)-verlaufenden Trägern 16 bis 22 liegen, son
dern mit dieser Richtung einen Winkel bilden. Im dargestell
ten Beispiel verlaufen die Seitenkanten des Kraftaufnahme
elements in der (310)-Richtung. Auch die Darstellung von
Fig. 2 läßt die verdrehte Lage des Kraftaufnahmeelements 14
deutlich erkennen. Die in Fig. 1 rechts angegebenen, senk
recht zueinander verlaufenden Pfeilpaare geben die (110)-
Orientierung und die (310)-Orientierung an. Der gleiche
Effekt kann auch bei einer (210)-Orientierung erreicht wer
den.
Der Sensor 10 wird dadurch hergestellt, daß bei einem Halb
leiterblättchen eine Maske aus ätzbeständigem Material ange
bracht wird, deren Umrißlinie die Form des Sensors festlegt,
die nach Durchführung eines Ätzvorgangs entstehen soll. Der
Ätzvorgang wird als richtungsabhänger Ätzvorgang durchge
führt, bei dem bekanntlich das Ätzen in Richtung bestimmter
Kristallflächen schneller als in Richtung anderer Kristall
flächen erfolgt. In der Darstellung des Sensors von Fig. 2
wird die ätzbeständige Maske auf der Unterseite des Sili
ziumblättchens angebracht, und auch die Ätzflüssigkeit wird
von der Unterseite her zur Einwirkung gebracht. Der Ätzvor
gang wird solange durchgeführt, bis die Bereiche 24 bis 30
unter Bildung der Durchbrüche durchgeätzt sind, wobei dann
im zentralen Bereich des Sensors 10 das Kraftaufnahmeelement
14 mit den zugehörigen Trägerelementen 16 bis 22 übrigblei
ben.
Bei der oben angegebenen Orientierung der Trägerelemente und
der Seitenkanten des Kraftaufnahmeelements 4 werden genau
definierte Übergänge zwischen den Enden der Trägerelemente
16 bis 22 und dem Kraftaufnahmeelement 14 erreicht, da es
nicht zu einem unerwünschten Unterätzen in diesen Bereichen
kommt. Es müssen daher keine Kompensationsflächen zum Aus
gleich eines möglichen Unterätzens vorgesehen werden, wie
dies notwendig wäre, wenn die Seitenkanten des Kraftaufnah
meelements 14 wie die Trägerelemente 16 bis 22 in der (110)-
Richtung verlaufen würden. Aufgrund der Verdrehung des
Kraftaufnahmeelements 14 bezüglich der (110)-Richtung in die
(310)-Richtung läßt sich in optimaler Weise die Struktur des
Kraftaufnahmeelements 14 und der zugehörigen Trägerelemente
16 bis 22 erreichen, die für eine gute Empfindlichkeit er
forderlich ist.
Claims (3)
1. Auf die Einwirkung einer Kraft ansprechender Sensor mit
einem aus monokristallinem Halbleitermaterial bestehenden
Grundkörper mit einer in der (100)-Kristallfläche liegenden
Hauptfläche, einem aus dem gleichen monokristallinen Halb
leitermaterial bestehenden Kraftaufnahmeelement mit einer
ebenfalls in der (100)-Kristallfläche liegenden Hauptfläche
und mit zueinander senkrecht verlaufenden Seitenkanten, sich
zwischen dem Grundkörper und dem Kraftaufnahmeelement in der
(110)-Richtung erstreckenden, an die (100)-Kristallfläche
angrenzenden Trägerelementen aus dem gleichen monokristalli
nen Halbleitermaterial, die das Kraftaufnahmeelement und den
Grundkörper einstückig miteinander verbinden und sich unter
dem Einfluß einer auf das Kraftaufnahmeelement einwirkenden
Kraft verformen, und Meßgliedern, die im Verformungsbereich
der Trägerelemente angebracht sind und auf eine Verformung
des jeweiligen Trägerelements mit einer Änderung eines
physikalischen Parameters reagieren, dadurch gekennzeichnet,
daß die Seitenkanten des Kraftaufnahmeelements (14) in einer
von der (110)-Richtung des monokristallinen Halbleitermate
rials verschiedenen Richtung verlaufen.
2. Sensor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die
Seitenkanten des Kraftaufnahmeelements (14) in der (210)
oder (310)-Richtung des monokristallinen Halbleitermaterials
verlaufen.
3. Sensor nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet,
daß das Kraftaufnahmeelement (14) quadratisch ist, daß der
Grundkörper (12) das Kraftaufnahmeelement (14) wie ein Rah
men umgibt und daß vier Trägerelemente (16, 18, 20, 22) vor
gesehen sind, von denen sich jedes vom Grundkörper (12) aus
zu einer der Seitenkanten des Kraftaufnahmeelementes (14)
erstreckt.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19883814054 DE3814054A1 (de) | 1988-04-26 | 1988-04-26 | Auf die einwirkung einer kraft ansprechender sensor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19883814054 DE3814054A1 (de) | 1988-04-26 | 1988-04-26 | Auf die einwirkung einer kraft ansprechender sensor |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3814054A1 true DE3814054A1 (de) | 1989-11-09 |
DE3814054C2 DE3814054C2 (de) | 1990-12-13 |
Family
ID=6352904
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19883814054 Granted DE3814054A1 (de) | 1988-04-26 | 1988-04-26 | Auf die einwirkung einer kraft ansprechender sensor |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE3814054A1 (de) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19921272A1 (de) * | 1999-05-07 | 2000-11-09 | Heidelberger Druckmasch Ag | Piezokeramische Einspannüberwachung Vorrichtung zur Erfassung einer Druckplattenlage |
US6691616B2 (en) | 1999-05-07 | 2004-02-17 | Heidelberger Druckmaschinen Ag | Device for detecting the position of a printing plate on a cylinder of a rotary printing machine |
CN103921171A (zh) * | 2014-04-17 | 2014-07-16 | 西安交通大学 | 一种大量程压阻式高频响固定式四分量铣削力传感器 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4334080C2 (de) * | 1993-10-06 | 1996-05-02 | Telefunken Microelectron | Piezoresistive Sensorstruktur |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2841312A1 (de) * | 1978-09-22 | 1980-04-03 | Bosch Gmbh Robert | Halbleiter-drucksensor mit piezoresistiven elementen und verfahren zu dessen herstellung |
DE3429250C1 (de) * | 1984-08-08 | 1986-03-27 | Texas Instruments Deutschland Gmbh, 8050 Freising | Auf die Einwirkung einer Kraft ansprechender Sensor |
-
1988
- 1988-04-26 DE DE19883814054 patent/DE3814054A1/de active Granted
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2841312A1 (de) * | 1978-09-22 | 1980-04-03 | Bosch Gmbh Robert | Halbleiter-drucksensor mit piezoresistiven elementen und verfahren zu dessen herstellung |
DE3429250C1 (de) * | 1984-08-08 | 1986-03-27 | Texas Instruments Deutschland Gmbh, 8050 Freising | Auf die Einwirkung einer Kraft ansprechender Sensor |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. ED-26, No. 12, December 1979, S. 1887-1917 * |
Regelungstechnische Praxis 24. Jg., 1982, H. 7, S. 224-230 * |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19921272A1 (de) * | 1999-05-07 | 2000-11-09 | Heidelberger Druckmasch Ag | Piezokeramische Einspannüberwachung Vorrichtung zur Erfassung einer Druckplattenlage |
US6691616B2 (en) | 1999-05-07 | 2004-02-17 | Heidelberger Druckmaschinen Ag | Device for detecting the position of a printing plate on a cylinder of a rotary printing machine |
CN103921171A (zh) * | 2014-04-17 | 2014-07-16 | 西安交通大学 | 一种大量程压阻式高频响固定式四分量铣削力传感器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE3814054C2 (de) | 1990-12-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE19921863B4 (de) | Halbleitersensor für eine dynamische Größe mit Elektroden in einer Rahmenstruktur | |
DE69737588T2 (de) | Halbleiteranordnung und Herstellungsverfahren dafür | |
DE69834043T2 (de) | Eine stromüberwachungseinrichtung und ein verfahren zu ihrer herstellung | |
DE2603383C2 (de) | ||
DE2429894A1 (de) | Polykristalliner monolithischer druckfuehler und verfahren zu dessen herstellung | |
DE1802669B2 (de) | Messumformer | |
DE2705068A1 (de) | Feststoffenergiewandler und verfahren zu dessen herstellung | |
DE1590870A1 (de) | Elektrischer Bauteil,insbesondere Widerstand | |
DE102008016214A1 (de) | Sensorelement und Sensorzusammenstellung mit Umhüllung | |
CH660917A5 (de) | Biegefeder. | |
DE3702412C2 (de) | ||
DE4133008C2 (de) | Kapazitive Drucksensoren und Herstellungsverfahren hierzu | |
DE102004015237A1 (de) | Sensor mit Vorsprung und Verfahren zu dessen Herstellung | |
DE3026785A1 (de) | Druckwandler und verfahren zu seiner herstellung | |
DE19733891A1 (de) | Beschleunigungssensor und Verfahren zu dessen Herstellung | |
DE2617731A1 (de) | Druckmesswandler | |
DE1447995C3 (de) | Elektromechanischer Wandler mit einem Piezo-Widerstandselement | |
DE2349463B2 (de) | Halbleiter-Druckfühler | |
DE2323102A1 (de) | Messelement aus einem halbleiter-piezowiderstand und verfahren zu dessen herstellung | |
DE19835443A1 (de) | Chip-Thermistor und Verfahren zum Einstellen eines Chip-Thermistors | |
EP1535027B1 (de) | Drehratensensor | |
DE3814054C2 (de) | ||
DE19920066B4 (de) | Sensor aus einem mehrschichtigen Substrat mit einem aus einer Halbleiterschicht herausstrukturierten Federelement | |
WO1999014613A1 (de) | Sensorelement | |
DE19600393A1 (de) | Leiterrahmen und Halbleitervorrichtung |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |