DE3726171A1 - Verfahren und vorrichtung zur reinigung von silicium - Google Patents
Verfahren und vorrichtung zur reinigung von siliciumInfo
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Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Reinigung von Si
licium und insbesondere ein Verfahren, das sich des Prin
zips der Segregationserstarrung zur Reinigung von metalli
schem Silicium für industrielle Zwecke bedient, so daß Si
licium mit einer hohen Reinheit von mindestens 99,9% aus
rohem Silicium mit einer Reinheit von etwa 98 bis etwa 99%
hergestellt werden kann.
Die angegebenen Prozentangaben beziehen sich auf Gewichts
prozentangaben.
Es ist unerläßlich, Silicium mit einer hohen Reinheit von
mindestens 99,9% als polykristallines Silicium für Solar
zellen und ebenfalls als polykristallines Silicium zur Her
stellung von Siliciumeinkristallen für Halbleiter zu ver
wenden. Hochreines Silicium wird in der Weise hergestellt,
daß man für industrielle Zwecke im Handel erhältliches rohes Si
licium mit einer Reinheit von 98 bis 99% reinigt. Zur Rei
nigung des rohen Siliciums wurden bisher chemische oder me
tallurgische Verfahren angewendet. Ein chemisches Verfahren
wird gewöhnlich in der Weise durchgeführt, daß man rohes
Silicium unter Bildung von Trichlorsilan mit Chlorwasser
stoff umsetzt, das Trichlorsilan reinigt, das gereinigte
Silan mit Wasserstoff reduziert und unter Abscheidung auf
einem rotglühenden Stab hochreines Silicium erhält. Die
herkömmlichen chemischen Reinigungsverfahren enthalten vie
le Stufen und bergen weiterhin den Nachteil, daß sie
schwierig in der Durchführung und außerdem kostspielig
sind. Das Prinzip der Abscheidungserstarrung bei der metal
lurgischen Reinigung wird in der Weise durchgeführt, daß
man hochreines Silicium aus einer Schmelze aus rohem Sili
cium in einer geschmolzenen Sn-Pb-Legierung, einer Al-Le
gierung oder Aluminium auskristallisieren läßt. Das her
kömmliche metallurgische Reinigungsverfahren erfordert je
doch einen sehr großen Zeitaufwand, damit die Erstarrung im
Gleichgewicht erfolgen kann. Sie weist außerdem nur eine
geringe Produktivität auf und ist bisher noch nicht in in
dustriellem Maßstab angewendet worden.
Es ist Aufgabe der Erfindung, ein Verfahren, das die oben
genannten Nachteilel zur Reinigung von Silicium nicht auf
weist, anzugeben.
Diese Aufgabe wird mit dem erfindungsgemäßen Verfahren zur
Reinigung von Silicium gelöst, das darin besteht, daß man
rohes Silicium schmilzt, das geschmolzene Silicium oberhalb
einer Erstarrungstemperatur in einer lnertgasatmosphäre
hält und eine in das geschmolzene Silicium getauchte Hohl
raumrotationskühleinheit dreht, währenddem man eine Kühl
flüssigkeit in die Kühleinheit einleitet, um in dieser Wei
se die Kristallisation von hochreinem Silicium auf der äu
ßeren Umfangsoberfläche der Kühlvorrichtung zu veranlassen.
Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren wird rohes Silicium bis
auf eine hohe Reinheit mit einem einfacheren Verfahren als
das herkömmliche chemische Reinigungsverfahren innerhalb
eines kürzeren Zeitraums als bei dem herkömmlichen metal
lurgischen Verfahren gereinigt. Wenn man rohes Silicium,
das eutektische Unreinheiten enthält, die mit dem Silicium
eine eutektische Reaktion eingehen, schmilzt und dann einer
Gleichgewichtserstarrung unterwirft, so scheiden sich zu
nächst primäre Siliciumkristalle von hoher Reinheit ab. Das
Verhältnis der Konzentration der Verunreinigung der festen
Phase zu der Konzentration der Verunreinigung der flüssigen
Phase, CS/CL, wird durch den Gleichgewichtssegregationsko
effizienten Ko ausgedrückt. Die Gleichgewichtssegregations
koeffizienten verschiedener Unreinheiten im Silicium sind
bisher empirisch bestimmt worden. ln der Nachbarschaft der
Fest-Flüssig-Grenzfläche des oben beschriebenen Systems
bildet sich durch die freigewordenen Verunreinigungen eine
konzentrierte Schicht aus Verunreinigungen mit einer höhe
ren Verunreinigungskonzentration als in den anderen Berei
chen. Wenn man dann die Erstarrung sehr langsam über einen
längeren Zeitraum durchführen läßt, während dem die Ver
unreinigungen in der konzentrierten Schicht durch die ge
samte flüssige Phase diffundieren, so wird der Fortgang der
Erstarrung ebenfalls durch den Gleichgewichtssegregations
koeffizienten bestimmt, d. h. also, daß die Erstarrung im
Gleichgewicht verläuft. Dieses zeitaufwendige Verfahren ist
jedoch im Hinblick auf die Produktivität in industriellem
Maßstab undurchführbar. Die Erstarrung muß daher innerhalb
eines kürzeren Zeitraums durchgeführt werden. Bei einer Be
schleunigung wird die Erstarrung der flüssigen Phase durch
den effektiven Segregationskoeffizienten bestimmt, der
einen größeren Wert als der Gleichgewichtssegregations
koeffizient hat, was schließlich dazu führt, daß die gebil
dete feste Phase eine höhere Verunreinigungskonzentration
als diejenige, die man nach dem oben genannten durch den
Gleichgewichtssegregationskoeffizienten bestimmten Erstar
rungsverfahren erhält, aufweist. Im Falle, daß man das Si
licium erfindungsgemäß auf der äußeren Periphere der Rota
tionskühleinheit während der Rotation auskristallisieren
läßt, können die in der Nachbarschaft der fest-flüssigen
Grenzfläche freigesetzten Verunreinigungen durch die ge
samte flüssige Phase diffundieren und mit dieser vermischt
werden, wodurch die Dicke der konzentrierten Verunreini
gungsschicht in der flüssigen Phase, welche sich in der
Nähe der Grenzfläche während des Vorgangs der Erstarrung
des Siliciums befindet, schnell vermindert wird. Auf diese
Weise wird der bei der Erstarrung beteiligte Segregations
koeffizient auf einen Wert herabgesetzt, der nahe an den
Gleichgewichtssegregationskoeffizienten herankommt, was
schließlich dazu führt, daß gereinigtes Silicium innerhalb
eines kurzen Zeitraums mit einer wesentlich höheren Rein
heit als das rohe Silicium hergestellt werden kann.
Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren kann die Oxidation des
geschmolzenen Siliciums verhindert werden. Geschmolzenes
Silicium bildet, wenn es oxidiert ist, auf der Oberfläche
der Schmelze einen Oxidfilm, der den Reinigungsprozeß er
heblich behindert, was schließlich dazu führt, daß das zu
reinigende Silicium verworfen werden muß.
Das Verfahren wird mit einer Vorrichtung durchgeführt, die
einen Schmelzofen mit einer Heizeinrichtung, einen in dem
Schmelzofen zur Aufbewahrung des geschmolzenen Siliciums
angebrachten Tiegel, eine Einrichtung zum Halten des ge
schmolzenen Siliciums in einer Inertgasatmosphäre, eine
rotierbare, in dem Tiegel angebrachte Hohlraumkühleinheit
und eine Einrichtung zum Einleiten einer Kühlflüssigkeit in
den Innenraum der Hohlraumkühleinheit umfaßt.
Die Erfindung wird nachfolgend im einzelnen beschrieben.
Fig. 1 zeigt eine Ansicht eines senkrechten Schnitts durch
eine erste Ausführungsform einer Vorrichtung zum
Durchführen des erfindungsgemäßen Verfahrens;
Fig. 2 zeigt eine Ansicht eines senkrechten Schnittes durch
eine zweite Ausführungsform einer Vorrichtung zur
Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens; und
Fig. 3 zeigt eine Ansicht eines senkrechten Schnittes durch
eine dritte Ausführungsform einer Vorrichtung zur
Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens.
In den Fig. 1 bis 3 sind die einzelnen Teile und Substanzen
mit Bezugszahlen gekennzeichnet.
Fig. 1 zeigt eine erste Ausführungsform einer Vorrichtung,
die erfindungsgemäß zur Reinigung des Siliciums eingesetzt
werden kann. Aus dieser Zeichnung geht hervor, daß die Si
liconreinigungsvorrichtung einen Schmelzofen 1 und einen in
dem Schmelzofen 1 angebrachten Tiegel 2 aufweist. Der
Schmelzofen 1 umfaßt einen Hauptkörper 3 mit einem offenen
oberen Ende und eine Schließeinrichtung 4, die durch Ver
rücken das obere offene Ende des Ofenhauptkörpers 3 ver
schließt. Eine Heizeinrichtung 5 befindet sich entlang der
inneren Oberfläche der peripheren Wand des Hauptkörpers 3.
Die Heizeinrichtung 5 besteht hauptsächlich aus Graphit,
Siliciumcarbid oder ähnlichen Keramikmaterialien, die für
Hochtemperaturanwendungen geeignet sind. Die Schließein
richtung 4 ist in der Mitte mit einer Bohrung 6 versehen.
Eine darüber befindliche röhrenförmige Einheit 7 ist um die
Bohrung 6 auf der oberen Seite der damit eingebauten
Schließeinrichtung 4 angebracht. Durch die Schließein
richtung 4 erstreckt sich eine Röhre 8, mit der in den In
nenraum des Ofens 1 ein lnertgas, das vorzugsweise Argongas
ist, eingeleitet wird. Die Schließeinrichtung 4 und das
Gaseinleitungsrohr 8 dienen dazu, das geschmolzene Silicium
in dem Tiegel 2 in einer Inertgasatmosphäre zu halten.
Es ist wünschenswert, daß der Tiegel 2 aus einem Material,
wie Graphit oder Aluminiumoxid, hergestellt ist, damit kei
ne Reaktion mit dem Silicium oder dem verunreinigten ge
schmolzenen Silicium erfolgen kann. Der Tiegel 2 wird vor
zugsweise zusammen mit einem darin eingefügten Quarzglas
tiegel 11 aus Siliciumdioxid verwendet. Der Tiegel 11 bil
det eine Siliciumdioxidschicht. Der Tiegel 2 befindet sich
auf einem Block aus feuerfestem Normalstein 9 am unteren
Ende des Ofens 1. Das rohe, zu reinigende Silicium wird in
den Tiegel 2 eingebracht und bis zur Entstehung von ge
schmolzenem Silicium 10 mit der Heizvorrichtung 5 erhitzt.
Eine Hohlraumrotationskühleinheit 12 in Gestalt einer ver
tikalen Röhre mit einem geschlossenen unteren Ende geht ab
wärts durch die röhrenförmige Einheit 7 und die Bohrung 6
in den Schmelzofen 1 und taucht somit in das im Tiegel 2
befindliche geschmolzene Silicium 10. Die Kühleinheit 12
kann sich sowohl nach oben als auch nach unten bewegen. Die
Kühleinheit 12 verjüngt sich an der Stelle, wo sie in das
geschmolzene Silicium 10 eintaucht. Die Hohlraumrotations
kühleinheit 12 ist in ihrem Inneren mit einer Röhre 13 aus
gestattet, die eine Kühlflüssigkeit in den Innenraum der
Kühlvorrichtung 12 leitet. Eine Vielzahl von Löchern 14 zum
Entweichen der Kühlflüssigkeit sind in der peripheren Wand
des Rohres 13 an der Stelle eingelassen, wo sich die Kühl
einheit 12 unterhalb der Flüssigkeitsgrenze des geschmolze
nen Siliciums 10 befindet. Die Kühleinheit 12 besteht vor
zugsweise aus einem Material, wie Siliciumnitrid oder Gra
phit, damit keine Reaktionen mit dem verunreinigten ge
schmolzenen Silicium stattfinden kann. Außerdem weist ein
solches Material eine hohe Hitzeleitfähigkeit auf.
Beim Betrieb dieser Vorrichtung bringt man das rohe zu rei
nigende Silicium zunächst in den Tiegel 2 ein und leitet
ein Inertgas in den Schmelzofen 1 über das Gaseinleitungs
rohr 8 ein, um somit eine lnertgasatmosphäre im lnnenraum
des Ofens zu schaffen. Man setzt die Heizvorrichtung 5 in
Betrieb, um somit das rohe Silicium in das geschmolzene Si
licium 10 unter Hitze zu verwandeln, das während des Er
hitzens oberhalb seiner Erstarrungstemperatur gehalten
wird. Das rohe Silicium kann andererseits auch, bevor es
in den Tiegel 2 eingebracht wird, geschmolzen werden. Man
hält das geschmolzene Silicium 10 in der lnertgasatmosphä
re. Man dreht dann die Kühleinheit 12, währenddem eine
Kühlflüssigkeit über das Rohr 13, welches zur Einleitung
der Flüssigkeit dient, in den lnnenraum der Einheit 12 ein
leitet. Es ist bevorzugt, die Kühleinheit 12 bei einer Um
fangsgeschwindigkeit von 500 bis 6000 mm/s, insbesondere
500 bis 1500 mm/s, rotieren zu lassen. Die in die flüssige
Phase an der Fest-Flüssig-Grenzfläche abgegebenen Verunrei
nigungen können von der Grenzfläche aus durch die Rotation
während des Fortschreitens der Erstarrung des geschmolzenen
Siliciums in die gesamte flüssige Phase diffundiert werden.
Der Erstarrungsprozeß wird daher durch einen Segregations
koeffizienten bestimmt, der nahe an den Wert für den
Gleichgewichtsegregationskoeffizienten kommt, was dazu
führt, daß hochreines Silicium 15 an der äußeren peripheren
Oberfläche der Kühleinheit 12 innerhalb eines kurzen Zeit
raums kristallisiert. Wenn die Umfangsgeschwindigkeit un
terhalb der unteren Grenze liegt, so kann diese Wirkung
nicht in vollem Ausmaß erreicht werden, wenn jedoch die
Geschwindigkeit oberhalb der oberen Grenze liegt, so wird
sich das Silicium wahrscheinlich nur schwer auf der äußeren
peripheren Oberfläche der Kühleinheit 12 während der Er
starrung abscheiden.
Man kann das hochreine, an der äußeren peripheren Oberflä
che der Kühleinheit 12 abgeschiedene Silicium 15 sammeln,
indem man das Silicium 15 abschabt oder dieses nach dem Em
porheben der Kühleinheit 12 entlang der Schließeinrichtung
4 wieder schmilzt.
Die Fig. 2 zeigt als zweite erfindungsgemäße Ausführungs
form eine Vorrichtung, bei der zwei Ablenkplatten 20 zur
Verminderung der Fließgeschwindigkeit des geschmolzenen Si
liciums an der unteren Seite der Schließeinrichtung 4 je
weils hängend mit einer Halteeinrichtung 21 in Gestalt ei
nes runden Stabes angebracht sind. Diese zweite Ausfüh
rungsform unterscheidet sich nur hinsichtlich dieses Merk
mals von der ersten Ausführungsform. Die Ablenkplatten 20
weisen jeweils ein unterhalb des unteren Endes der Rota
tionskühleinheit 12 anbringbares unteres Ende und ein un
terhalb der Flüssigkeitsoberfläche anbringbares oberes Ende
auf. Die Anzahl der Ablenkplatten 20 ist keinesfalls nur
auf zwei beschränkt, jedoch sollte zumindest eines vorhan
den sein. Zwei bis acht Ablenkplatten sind bevorzugt. Die
Ablenkplatten 20 sind in einem bestimmten Umfangsabstand um
die Rotationskühleinheit 12 angebracht.
Die Ablenkplatten 20 vermindern die Geschwindigkeit des
Flusses des geschmolzenen Siliciums 10, die durch die Rota
tion der Rotationskühleinheit 12 entsteht, wobei die Ge
schwindigkeit der Rotationskühleinheit 12 gegenüber der
flüssigen Phase erhöht wird, was den Unterschied zwischen
der Umfangsgeschwindigkeit der Kühleinheit 12 und der
Fließgeschwindigkeit des geschmolzenen Siliciums 10 aus
macht. Wenn dieser Unterschied ansteigt, vermischt sich ei
ne konzentrierte Schicht aus Verunreinigungen, die sich in
der Nachbarschaft der Fest-Flüssig-Grenzfläche bildet, mit
der verbleibenden flüssigen Phase in stärkerem Maße als
ohne den Einbau der Ablenkplatten, so daß die Verunreini
gungen in Gegenwart der Ablenkplatten 20 in der konzen
trierten Schicht durch die gesamte flüssige Phase diffun
diert werden, wobei die Dicke der konzentrierten Schicht
vermindert wird und ein größerer Temperaturgradient in die
sem Bereich entsteht. Die Ablenkplatten 20 erzeugen außer
dem Wirbelströmungen in dem geschmolzenen Silicium 10, wo
durch die Dicke der konzentrierten Schicht ebenfalls ver
mindert wird. Der Erstarrungsvorgang in diesem Zustand er
möglicht auf der äußeren Oberfläche der Kühleinheit 12 das
Abscheiden einer Masse aus gereinigtem Silicium 15 mit ei
nem wesentlich höheren Reinheitswert als das rohe Silicium.
Wenn man die Ablenkplatten 20 weiter nach oben oberhalb der
Flüssigkeitsgrenze anbringt, so werden Wirbelströmungen des
geschmolzenen Siliciums in der Nähe der Oberfläche der
Schmelze entstehen, so daß die Schmelze eine wellenförmige
Oberfläche bekommt, was schließlich dazu führt, daß ge
schmolzenes Silicium herausspritzt. Um diese Nachteile zu
überwinden, sollte das obere Ende der Ablenkplatten 20
stets unterhalb der Flüssigkeitsgrenze angebracht sein.
Sollten die oberen Enden der Ablenkplatten 20 oberhalb der
Flüssigkeitsgrenze angebracht sein, so erstarrt aufgrund
von Wirbelströmungen oder Wellenbildung herausgespritztes
geschmolzenes Silicium oberhalb der oberen inneren Oberflä
che des Tiegels 11 oder auf den Bereichen der Ablenkplatten
20, die aus der Flüssigkeit herausragen. Auf diese Weise
kommt es dann zu einer verminderten Reinigungseffektivität
und auch zu einer verminderten Produktivität.
Fig. 3 zeigt als dritte erfindungsgemäße Ausführungsform
eine Vorrichtung, bei der zwei Ablenkplatten 20 zur Ver
minderung der Fließgeschwindigkeit des geschmolzenen Sili
ciums auf der inneren Oberfläche des Tiegels 11 angebracht
sind und sich in einem bestimmten Umfangsabstand von
einander befinden. Diese dritte Ausführungsform unterschei
det sich von der zweiten nur in dieser Hinsicht.
Man führt die Reinigung unter Verwendung der in Fig. 1 ge
zeigten Vorrichtung durch.
Man gibt in den Tiegel 2 4 kg festes rohes Silicium, das
0,50% Eisen und 0,45% Aluminium enthält und leitet über
das Gaseinleitungsrohr 8 Argongas in den Schmelzofen 1, um
somit die Luft in dem Schmelzofen 1 durch eine Argongasat
mosphäre zu ersetzen. Man schmilzt das rohe Silicium mit
der Heizeinrichtung 5 und hält das geschmolzene Silicium 10
auf einer Temperatur von 1500°C. Man läßt die Rotations
kühleinheit 12 bei 400 Upm, d. h. bei einer Umfangsge
schwindigkeit von 628 mm/s, rotieren, währenddem man eine
Kühlflüssigkeit durch die Flüssigkeitseinleitungsröhre 13
in die Einheit 12 einleitet. Nachdem die Vorrichtung wäh
rend 10 Minuten in Betrieb genommen wurde, hält man die
Kühleinheit 12 an und erhält 200 g einer Siliciummasse 15,
die sich um die Kühleinheit 12 angesammelt haben. Die von
der Kühleinheit 12 entfernte Siliciummasse 15 enthält 40
ppm Eisen und 30 ppm Aluminium als Verunreinigungen.
Man reinigt rohes Silicium mit der gleichen oben angegebe
nen Zusammensetzung unter den gleichen Bedingungen wie in
Beispiel 1, jedoch mit der Ausnahme, daß man die in Fig. 2
gezeigte Vorrichtung verwendet. 210 g einer Siliciummasse
15 kristallisieren dann auf der Außenfläche der Rotations
kühleinheit 12. Die von der Kühleinheit 12 entfernte Sili
ciummasse 15 enthält 20 ppm Eisen und 10 ppm Aluminium als
Verunreinigungen.
Man reinigt rohes Silicium mit der gleichen oben angegebe
nen Zusammensetzung unter den gleichen Bedingungen wie in
Beispiel 1, jedoch mit der Ausnahme, daß man die in Fig. 3
gezeigte Vorrichtung verwendet. Es kristallisieren dann 210
g einer Siliciummasse 15 auf der Außenfläche der Rotations
kühleinheit 12. Die von der Kühleinheit 12 entfernte Sili
ciummasse 15 enthält 20 ppm Eisen und 10 ppm Aluminium als
Verunreinigungen.
Claims (10)
1. Verfahren zur Reinigung von rohem Silicium, dadurch
gekennzeichnet, daß man das rohe Silicium schmilzt, das ge
schmolzene Silicium oberhalb seiner Erstarrungstemperatur
in einer Inertgasatmosphäre hält und eine in das geschmol
zene Silicium getauchte Hohlraumrotationskühleinheit ro
tiert, währenddem man eine Kühlflüssigkeit in die Kühlein
heit zur Kristallisation von hochreinem Silicium auf der
äußeren Oberfläche der Kühleinheit einleitet.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß die Kühleinheit bei einer Umfangsgeschwindigkeit von
500 bis 6000 mm/s rotiert.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß die Kühleinheit bei einer Umfangsgeschwindigkeit von
500 bis 1500 mm/s rotiert.
4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß man als lnertgas Argon verwendet.
5. Vorrichtung zur Reinigung von rohem Silicium zur
Bildung von hochreinem Silicium, gekennzeichnet durch
einen Schmelzofen (1) mit einer Heizeinrichtung (5),
einen im Schmelzofen angebrachten Tiegel (2),
eine Einrichtung (4, 8) zum Halten des in dem Tiegel befin
dlichen geschmolzenen Siliciums in einer Inertgasatmosphä
re,
eine rotierbare, in den Tiegel eingebrachte Hohlraumkühl einheit (12) und
eine Einrichtung (13) zum Einleiten einer Kühlflüssigkeit in den Innenraum der Hohlraumkühleinheit.
eine rotierbare, in den Tiegel eingebrachte Hohlraumkühl einheit (12) und
eine Einrichtung (13) zum Einleiten einer Kühlflüssigkeit in den Innenraum der Hohlraumkühleinheit.
6. Vorrichtung zur Reinigung von rohem Silicium zur
Bildung von hochreinem Silicium, gekennzeichnet durch
einen Schmelzofen (1) mit einem Ofenhauptkörper (3), der
ein offenes oberes Ende und eine Schließeinrichtung (4) zum
Verschließen des offenen oberen Endes des Hauptkörpers
aufweist, wobei der Ofen in seinem Innenraum mit einer
Heizeinrichtung (5) ausgestattet ist,
einen in dem Schmelzofen angebrachten Tiegel (2) mit einem offenen oberen Ende,
ein an der Schließeinrichtung angebrachtes und sich durch diese erstreckendes Gaseinleitungsrohr (8) zum Einleiten eines Inertgases in den Schmelzofen,
eine sich durch die Schließeinrichtung erstreckende und in dem dem Tiegel angeordnete rotierbare Hohlraumkühleinheit (12) und
ein in der Hohlraumkühleinheit befindliches Einleitungsrohr (13) für Flüssigkeiten zum Einleiten einer Kühlflüssigkeit in den lnnenraum der Kühleinheit.
einen in dem Schmelzofen angebrachten Tiegel (2) mit einem offenen oberen Ende,
ein an der Schließeinrichtung angebrachtes und sich durch diese erstreckendes Gaseinleitungsrohr (8) zum Einleiten eines Inertgases in den Schmelzofen,
eine sich durch die Schließeinrichtung erstreckende und in dem dem Tiegel angeordnete rotierbare Hohlraumkühleinheit (12) und
ein in der Hohlraumkühleinheit befindliches Einleitungsrohr (13) für Flüssigkeiten zum Einleiten einer Kühlflüssigkeit in den lnnenraum der Kühleinheit.
7. Vorrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet,
daß die Schließeinrichtung (4) mindestens eine mittels ei
ner Halteeinrichtung (21) hängend angebrachte Ablenkplatte
(20) zur Verminderung der Fließgeschwindigkeit des ge
schmolzenen Siliciums aufweist, wobei die Ablenkplatte ein
unterhalb der Oberfläche des in dem Tiegel befindlichen ge
schmolzenen Siliciums anbringbares oberes Ende und ein ge
ringfügig unterhalb des unteren Endes der Kühleinheit an
gebrachtes unteres Ende aufweist.
8. Vorrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet,
daß der Tiegel (2) an seiner inneren Oberfläche mindestens
eine Ablenkplatte (20) zur Verminderung der Fließgeschwin
digkeit des Siliciums aufweist und die Ablenkplatte ein un
terhalb der Oberfläche des im Tiegel befindlichen geschmol
zenen Siliciums anbringbares oberes Ende und ein unterhalb
des unteren Endes der Kühleinheit angebrachtes unteres Ende
aufweist.
9. Vorrichtung nach Anspruch 5 oder 6, dadurch gekenn
zeichnet, daß der Tiegel aus Graphit oder Aluminiumoxid be
steht und eine Siliciumdioxidschicht auf seiner inneren
Oberfläche aufweist.
10. Vorrichtung nach Anspruch 5 oder 6, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Hohlraumkühleinheit aus Siliciumnitrid
oder Graphit besteht.
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NO873299D0 (no) | 1987-08-06 |
NO174844C (no) | 1994-07-20 |
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JPH0753569B2 (ja) | 1995-06-07 |
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