DE3718789A1 - Transparenter leitender film und verfahren zu seiner herstellung - Google Patents

Transparenter leitender film und verfahren zu seiner herstellung

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Description

Die Erfindung betrifft einen transparenten leitenden Film mit guter Transparenz und elektrischer Leitfähigkeit und ein Verfahren zu seiner Herstellung.
Transparente leitende Filme finden z. B. Anwendung auf transparenten leitfähigen Gläsern und Folien, transparenten Elektroden, als Antistatikfilme oder elektromagnetische Abschirmungen. Sie werden z. B. eingesetzt in Anzeigevorrichtungen, Photosensoren, Solarbatterien, Lichtemissionselementen, permselektiven Membranen und transparenten Heizelementen.
Bekannte transparente leitende Filme sind z. B. der ITO-Film [In2O3(Sn)] und der NESA-Film [SnO2(Sb)]. Diese Filme haben jedoch verschiedene Nachteile. So besitzt der ITO- Film keine voll zufriedenstellende Transparenz und ist sehr kostspielig. Außerdem läßt seine chemische Stabilität zu wünschen übrig, so daß aufgrund der Diffusion von Alkaliionen, wie Na⁺ und K⁺, aus dem Glassubstrat seine Leitfähigkeit verloren geht. Aufgrund seiner Anfälligkeit in reduzierender Atmosphäre wird der leitende Film bei der Herstellung einer a-Si:H-Solarbatterie nach dem Plasma-CVD-Verfahren unter Verwendung von gasförmigem SiH4 durch den atomaren Wasserstoff (·) in dem Plasma reduziert, wodurch seine Umwandlungsleitung abnimmt.
Der NESA-Film besitzt höhere chemische Stabilität als der ITO-Film, ist jedoch hinsichtlich der Leitfähigkeit und Transparenz unterlegen. Ferner ist er relativ schwer chemisch ätzbar, so daß die zur Herstellung von Elektroden und dergleichen erforderliche Musterbildung nicht leicht durchführbar ist.
Angesichts dieser Nachteile herkömmlicher transparenter leitender Filme besteht Bedarf an neuen transparenten leitenden Filmen, die den verschiedenen geforderten Anwendungseigenschaften genügen.
Die herkömmlichen transparenten leitenden Filme werden z. B. durch Sputtern, Ionenstrahlabscheidung oder nach dem CVD- Verfahren hergestellt. Diese bekannten Verfahren erfordern jedoch relativ hohe Substrattemperaturen, um die gewünschten Eigenschaften zu erzielen, so daß z. B. Kunststoffolien als Substrate nur beschränkt einsetzbar sind.
Ziel der Erfindung ist es daher, einen transparenten leitenden Film von ausgezeichneter Transparenz und Leitfähigkeit sowie ein Verfahren zu seiner Herstellung bereitzustellen.
Gegenstand der Erfindung ist ein transparenter leitender Film, der hauptsächlich aus den Elementen Indium, Sauerstoff und Kohlenstoff besteht.
Gegenstand der Erfindung ist ferner ein Verfahren zur Herstellung dieses Films, das dadurch gekennzeichnet ist, daß man eine Indiumalkylverbindung in ein Vakuumgefäß einbringt, die Alkylverbindung nach dem Plasma-CVD-Verfahren in Form eines Films auf einem vorher in dem Vakuumgefäß angeordneten Substrat abscheidet und anschließend den abgeschiedenen Film einer Wärmebehandlung unterzieht, wobei während der Abscheidung der Alkylverbindung oder während der Wärmebehandlung eine Sauerstoffquelle vorhanden ist. In einem anderen Verfahren zur Herstellung des erfindungsgemäßen Films wird die Wärmebehandlung durch eine Plasmaglühbehandlung ersetzt.
In der Zeichnung zeigen:
Fig. 1 ein Schema einer zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahren geeigneten Plasma- CVD-Vorrichtung;
Fig. 2A und 2B IR-Spektren des Films vor bzw. nach der Wärmebehandlung;
Fig. 3 ein Massenspektrum (thermische Zersetzung) des Films vor der Wärmebehandlung;
Fig. 4 das Röntgenbeugungsspektrum des Films vor bzw. nach der Wärmebehandlung;
Fig. 5 die Spektraldurchlässigkeit des Films vor bzw. nach der Wärmebehandlung.
Die Einzelheiten sind in Beispiel 3 beschrieben.
Das Atomverhältnis von In, O und C in dem erfindungsgemäßen transparenten leitenden Film entspricht vorzugsweise der folgenden Formel:
In x O y C z
wobei x + y + z = 1; 0,1 x 0,6 (vorzugsweise 0,2 x 0,6); 0,2 y 0,6 (vorzugsweise 0,3 y 0,6); und 0,005 z 0,5 (vorzugsweise 0,01 z 0,3).
Obwohl die kristalline Struktur des erfindungsgemäßen Films nicht besonders beschränkt ist, haben transparente leitende Filme mit polykristalliner oder teilweise mikrokristalliner Textur eine höhere Leitfähigkeit als solche von amorpher Textur.
Der transparente leitende Film kann weitere Elemente als Verunreinigungen enthalten, z. B. Si, Ge, Sn, H, F, Cl, Br und/oder I, um gegebenenfalls die Leitfähigkeit zu erhöhen. Das H-Atom kann dem Film über die Indiumalkylverbindung zugeführt werden, die als In-Quelle und teilweise als C- Quelle dient, um den Anteil an Schlenkerverbindungen zu verringern.
Der transparente leitende Film hat gewöhnlich eine Dicke von etwa 50 bis 15 000 Å, vorzugsweise 100 bis 8000 Å und insbesondere 100 bis 3000 Å.
Der erfindungsgemäße Film kann auf beliebige geeignete Substrate abgeschieden werden, z. B. Gläser, Quarzgläser, Keramikmaterialien, hochmolekulare Folien und Papiere, wie sie gewöhnlich als Substrate verwendet werden. Selbstverständlich kann der transparente leitende Film auch direkt auf verschiedene funktionelle Vorrichtungen aufgebracht werden, z. B. a-Si-Solarbatterien oder a-Si- Sensoren.
Der erfindungsgemäße Film kann nach beliebigen Filmherstellungsverfahren erhalten werden, z. B. nach der CVD-, Plasma-CVD-, reaktiven Sputter-, reaktiven Vakuumaufdampf- oder Cluster-Ionenstrahl-Methode. Wenn der Film bei niedriger Temperatur oder auf einem Substrat mit großer Oberfläche erzeugt werden soll, kann mit Vorteil die Plasma-CVD-Methode, insbesondere die Plasma-CVD-Methode mit Glimmentladung, zur Herstellung eines leitenden Films auf eine hochmolekularen Folie angewandt werden, z. B. einer Polyethylenterephthalat- oder Polyimid-Folie. Hierdurch ist die direkte Erzeugung von leitenden Filmen auf funktionellen Vorrichtungen in Form von Elektroden oder Fenstern möglich.
Im folgenden wird die Herstellung des leitenden Films nach der Plasma-CVD-Methode mit Glimmentladung unter Bezug auf Fig. 1 näher erläutert.
Fig. 1 ist eine schematische Darstellung einer Plasma-CVD- Vorrichtung. In einem Vakuumgefäß (11) sind Gegenelektroden (13) und (15) angeordnet. Auf der Elektrode (13) befindet sich ein Substrat (17), auf das der transparente leitende Film abgeschieden werden soll. Mit einem Evakuiersystem (19) wird Luft abgezogen und das Innere des Vakuumgefäßes (11) unter Vakuum gesetzt. Hierauf werden die Reaktionsgase aus einer Reihe von Gasbehältern (35) gegebenenfalls zusammen mit einem Trägergas, wie Ar, dem Vakuumgefäß (11) zugeführt, wobei die Strömungsvolumina mit Durchflußmessern (33) geregelt werden. Die flüssigen Ausgangsmaterialien, z. B. In(C2H5)3 werden in das Vakuumgefäß (11) in Kombination mit einem Trägergas aus einer Waschflasche (37) zugeführt. Mit Hilfe von elektrischer Energie aus einer Hochfrequenz- Spannungsquelle (21) wird eine RF-Entladung induziert und ein Plasma erzeugt, wodurch sich ein transparenter leitender Film auf dem Substrat abscheidet. In Fig. 1 sind ferner dargestellt eine Stickstofflasche (23) zum Spülen des Systems, ein Vakuummeßgerät (25), eine Gasleitung (31) und eine Gasflasche (41) für das Trägergas.
Im folgenden sind typische Bedingungen für die Abscheidung des Films nach dem Plasma-CVD-Verfahren angegeben:
  • (1) Reaktionsgase:
    In-Quelle (teilweise C-Quelle): In(CH3)3, In(C2H5)3, In(C3H7)3 und In(C4H9)3 etc.
    O-Quelle (teilweise C-Quelle): O2, CO, CO2 etc.;
    C-Quelle: CH4, C2H4 etc.;
  • (2) Trägergas: Ar, He, Ne, N2 etc.;
  • (3) Glimmentladungsvorrichtung: Gleichstrom- oder Wechselstrom-Glimmentladungsvorrichtung mit kapazitiver oder induktiver Kopplung;
  • (4) Reaktionsgasdruck: 0,01 bis einige Torr, vorzugsweise 0,05 bis 2 Torr;
  • (5) Substrattemperatur: 0 bis 350°C, vorzugsweise 20 bis 200°C;
  • (6) Elektrische Leistung: 0,01 bis 3 W/cm2, vorzugsweise 0,05 bis 1 W/cm2.
Nach dem Plasma-CVD-Verfahren kann der Film bei relativ niedriger Temperatur hergestellt werden und der erhaltene Film besitzt sowohl ausgezeichnete Transparenz als auch elektrische Leitfähigkeit. Die Leitfähigkeit und Transparenz des Films kann noch weiter dadurch verbessert werden, daß man eine Wärmebehandlung oder Plasmaglühbehandlung durchführt. Wenn später eine Wärmebehandlung oder Plasmaglühbehandlung erforderlich ist, kann das Ausgangsmaterial während der Abscheidung nach dem Plasma-CVD-Verfahren die als In-Quelle und teilweise C-Quelle dienende Indiumalkylverbindung enthalten, muß jedoch nicht immer eine O-Quelle enthalten. Die O-Quelle kann dem abgeschiedenen Film in geeigneter Menge während der Wärmebehandlung oder Plasmaglühbehandlung zugesetzt werden. Die Indiumalkylverbindung kann bei der Abscheidung ihre Rolle als In- und C-Quelle erfüllen, worauf man den abgeschiedenen Film während der Wärmebehandlung oder Plasmaglühbehandlung oxidiert, um die Zusammensetzung In x O y C z zu erhalten. Die Bedingungen des Plasma-CVD-Verfahrens sind in diesem Fall dieselben, wie oben beschrieben, mit der Ausnahme, daß die O-Quelle weggelassen wird. Bei gleichzeitiger Zufuhr der Indiumalkylverbindung und der Sauerstoffquelle besteht die Möglichkeit, daß zwei Substanzen auf dem Substrat chemisch miteinander reagieren, bevor sie die Plasmaatmosphäre erreichen. Diese ungünstige chemische Reaktion kann dadurch vermieden werden, daß man die CVD-Abscheidung des Films unter alleiniger Zufuhr der Indiumalkylverbindung durchführt und anschließend den abgeschiedenen Film durch Plasmaglühen oxidiert.
Obwohl die Wärmebehandlung unter Vakuum durchgeführt werden kann, erfolgt sie vorzugsweise an der Luft oder in Gegenwart von Sauerstoff. Die Wärmebehandlungstemperatur beträgt gewöhnlich 150 bis 600°C, vorzugsweise 200 bis 450°C. Die Dauer der Wärmebehandlung liegt gewöhnlich im Bereich von 30 Sekunden bis 2 Stunden, vorzugsweise 1 Minute bis 1 Stunde.
Der Mechanismus der Wärmebehandlung führt vermutlich zu folgenden Ergebnissen, die zusammen eine verbesserte Transparenz und elektrische Leitfähigkeit bewirken:
  • (1) In dem abgeschiedenen Film sind vor der Wärmebehandlung Kohlenwasserstoffgruppen wie -CH3 vorhanden, die ein Grund für die Verringerung der Transparenz und elektrischen Leitfähigkeit sind. Durch die Wärmebehandlung werden diese Kohlenwasserstoffgruppen thermisch aus dem Film eliminiert.
  • (2) Aufgrund des in der Atmosphäre vorhandenen Sauerstoffs wird die Oxidation induziert.
  • (3) Die Kristallisation des abgeschiedenen Films schreitet fort.
Die Plasmaglühbehandlung besteht darin, den abgeschiedenen Film einem relativ schwachen Plasma aus einem Inertgas oder einem aktiven Gas auszusetzen. Sie unterscheidet sich von dem Plasma-CVD-Verfahren dadurch, daß keine nennenswerte weitere Filmakkumulation erfolgt. Im folgenden sind typische Bedingungen für die Plasmaglühbehandlung genannt:
  • (1) Gas für die Plasmaglühbehandlung: He, Ar, Ne, Kr, Xe, N2, O2, H2 etc.;
  • (2) Gasströmungsvolumen (unter Normalbedingungen): 0,1 bis 1000 cm3, vorzugsweise 1 bis 100 cm3;
  • (3) Druck: 0,01 bis 10 Torr, vorzugsweise 0,05 bis 2 Torr;
  • (4) Elektrische Entladungsleistung: 0,01 bis 5 W/cm2, vorzugsweise 0,1 bis 1 W/cm2;
  • (5) Substrattemperatur: 0 bis 400°C, vorzugsweise 0 bis 250°C;
  • (6) Glühzeit: 10 Sekunden bis 10 Stunden, vorzugsweise 30 Sekunden bis 3 Stunden.
Der Mechanismus des Plasmaglühens ist noch nicht vollständig geklärt, entspricht jedoch vermutlich dem der Wärmebehandlung. Auch das Plasmaglühen eliminiert vermutlich die Kohlenwasserstoffgruppen wie CH3, die in dem abgeschiedenen Film vorhanden sind, induziert die Oxidation mit der geringen, in dem Plasma vorhandenen Sauerstoffmenge oder dem zugeführten sauerstoffhaltigen Reaktionsgas und fördert das Fortschreiten der Kristallisation, wodurch die elektrische Leitfähigkeit verbessert wird.
Erfindungsgemäß wird ein transparenter leitender Film von geringem Widerstand und hoher Lichtdurchlässigkeit erhalten, der hauptsächlich aus den Elementen In, O und C besteht. Der Film besitzt hohe chemische Stabilität und Zuverlässigkeit und ist leicht zur Herstellung von Mustern ätzbar.
Der erfindungsgemäße Film ist nach dem Plasma-CVD-Verfahren herstellbar, d. h. die Filmbildung kann bei niedrigen Temperaturen erfolgen, so daß eine Abscheidung des transparenten leitenden Films auf hochmolekularen Kunststoffolien oder hitzeempfindlichen funktionellen Vorrichtungen möglich ist.
Die Verbesserung der elektrischen Leitfähigkeit und Transparenz, die bei dem nach dem Plasma-CVD-Verfahren erhaltenen Film aufgrund der Verwendung einer Indiumalkylverbindung als Ausgangsmaterial erzielt wird, läßt sich noch weiter dadurch verbessern, daß man den Film einer Wärmebehandlung oder Plasmaglühbehandlung unterzieht.
Die folgenden Beispiele erläutern die Erfindung.
Beispiel 1
Ein transparenter leitender Film wird nach dem folgenden Verfahren unter Verwendung der in Fig. 1 dargestellten Plasma- CVD-Vorrichtung hergestellt:
  • (1) Ein Glassubstrat oder Siliciumplättchen (Wafer), die vorher gesäubert und getrocknet worden sind, werden auf der oberen Elektrode im Inneren des Vakuumgefäßes angeordnet.
  • (2) Das Innere des Reaktionsgefäßes wird auf nicht mehr als 10-3 Torr evakuiert, worauf man das Substrat auf 150°C erhitzt und bei dieser Temperatur hält.
  • (3) Argongas wird mit einer Strömungsgeschwindigkeit von 20 cm3 eingeleitet und der Druck wird durch Regeln des Evakuierventils bei 0,3 Torr gehalten. Durch Anlegen einer Hochfrequenzspannung von 13,56 MHz und 50 W wird eine Plasmaentladung 10 Minuten durchgeführt, um die Reinigung des Substrats und der Elektrode zu vervollständigen.
  • (4) Die Plasmaentladung und das Einleiten von Ar werden zeitweilig unterbrochen und das Innere des Vakuumgefäßes wird wieder auf nicht mehr als 10-3 Torr evakuiert.
  • (5) Sauerstoff wird in das Vakuumgefäß mit einer Strömungsgeschwindigkeit von 20 cm3 eingeleitet, bis sein Partialdruck 0,3 Torr erreicht. Anschließend leitet man In(C2H5)3 unter Einblasen von Ar in das Gefäß ein, bis sein Partialdruck 0,1 Torr beträgt.
  • (6) Sobald das Strömungsvolumen und der Druck konstante Werte erreicht haben, wird ein Hochfrequenzspannung von 13,56 MHz und 50 W angelegt um die Reaktion 15 Minuten durchzuführen.
Der erhaltene transparente leitende Film ist eine farblose transparente Membran mit einer Dicke von 1800 Å und einer Spektraldurchlässigkeit von nicht weniger als 85% bei 400 bis 800 nm. Der nach der Vierpunkt-Methode gemessene Oberflächenwiderstand beträgt etwa 500 Ohm/cm2. Testet man den Film auf seine Ätzeigenschaften und die Umgebungsbeständigkeit, werden sehr zufriedenstellende Ergebnisse erhalten. Der Film zeigt hohe Stabilität gegen Umgebungsänderungen hinsichtlich Temperatur und Feuchtigkeit und gute Beständigkeit gegen verschiedene Lösungsmittel. Außerdem hält er der reduzierenden Plasmaatmosphäre stand. Er ermöglicht eine sicherere Durchführung der Säureätzung als dies bisher möglich war und kann daher leicht zu einem Leitungsmuster verarbeitet werden.
Die Spektraldurchlässigkeit des NESA-Films liegt im Bereich von 75 bis 80% bei 400 bis 800 nm und die des ITO-Films im Bereich von 78 bis 89%. Dies unterstreicht die hervorragende Lichtdurchlässigkeit des erfindungsgemäßen Films. Testet man den NESA- und ITO-Film auf ihre Ätzeigenschaften und die Umgebungsbeständigkeit, so zeigt sich, daß der NESA-Film schlecht ätzbar ist und bei der herkömmlichen Säureätzung nur schwer feine Muster ergibt. Der ITO-Film ist andererseits schwierig an die Umgebung anpaßbar und unterliegt dem Angriff der reduzierenden Plasmaatmosphäre, die z. B. H-Atome enthält.
Beispiel 2
Ein transparenter leitender Film wird unter Anwendung der folgenden Schritte im Anschluß an die Schritte (1) bis (4) von Beispiel 1 hergestellt:
  • (5) Argongas wird mit einer Strömungsgeschwindigkeit von 10 cm3 in das Vakuumgefäß eingeleitet, bis sein Partialdruck 0,3 Torr erreicht. Anschließend leitet man In(C2H5)3 unter Durchleiten von Ar in das Gefäß ein, bis sein Partialdruck 0,1 Torr beträgt.
  • (6) Wenn das Strömungsvolumen und der Druck konstante Werte erreicht haben, legt man eine Hochfrequenzspannung von 13,56 MHz und 50 W an, um eine Reaktion von 15 Minuten durchzuführen und den Film abzuscheiden.
  • (7) Nach beendeter Reaktion werden die Plasmaentladung, das Einleiten von Gas und das Erhitzen des Substrats unterbrochen und das Gefäß wird evakuiert.
  • (8) Der abgeschiedene Film wird abkühlen gelassen und dann aus dem Gefäß entnommen. Er wird 20 Minuten an der Atmosphäre eine Wärmebehandlung bei 250°C unterzogen.
Der erhaltene Film ist eine farblose transparente Membran mit einer Spektraldurchlässigkeit von nicht weniger als 85% bei 400 bis 800 nm und einer Dicke von etwa 1600 Å. Der Oberfächenwiderstand des Films beträgt 300 Ohm/cm2. Seine Stabilität bei der Säureätzung und die verschiedenen anderen Eigenschaften entsprechen denen des Films von Beispiel 1.
Beispiel 3
Ein Film wird wie in Beispiel 1 hergestellt, jedoch beträgt die Substrattemperatur während der Filmabscheidung nach dem Plasma-CVD-Verfahren 140°C. Der abgeschiedene Film wird 30 Minuten bei 250°C wärmebehandelt. Die Filmeigenschaften vor bzw. nach der Wärmebehandlung werden miteinander verglichen.
In den Fig. 2A und 2B sind FT-IR-Spektren des Films vor bzw. nach der Wärmebehandlung gezeigt. Die beiden IR-Spektren zeigen deutlich, daß die durch Alkylgruppen hervorgerufene Absorption durch die Wärmebehandlung verschwindet.
Fig. 3 ist ein Massenspektrum des Films vor der Wärmebehandlung und zeigt die Anwesenheit von Kohlenwasserstoffgruppen in dem abgeschiedenen Film.
Fig. 4 zeigt das Röntgenbeugungsspektrum des Films vor bzw. nach der Wärmebehandlung. Es ist erkennbar, daß während der Wärmebehandlung eine Kristallisation erfolgt.
Fig. 5 zeigt die Spektraldurchlässigkeit des Films vor bzw. nach der Wärmebehandlung. Es ist erkennbar, daß die Spektraldurchlässigkeit nach der Wärmebehandlung wesentlich verbessert ist.
Beispiel 4
Ein transparenter leitender Film wird unter Anwendung der folgenden Schritte im Anschluß an die Schritte (1) bis (4) von Beispiel 1 hergestellt:
  • (5) Argongas wird in das Vakuumgefäß mit einer Strömungsgeschwindigkeit von 10 cm3 eingeleitet, bis sein Partialdruck 0,3 Torr erreicht. Anschließend leitet man In(C2H5)3 unter Durchleiten von Ar ein, bis sein Partialdruck 0,1 Torr beträgt.
  • (6) Nachdem das Strömungsvolumen und der Druck konstante Werte erreicht haben, wird eine Hochfrequenzspannung von 13,56 MHz und 50 W angelegt, um die Reaktion 15 Minuten durchzuführen.
  • (7) Nach dem Unterbrechen der Plasmaentladung und der Gaseinleitung wird das Innere des Reaktionsgefäßes auf ein Vakuum von nicht mehr als 10-3 Torr evakuiert. Anschließend leitet man Ar mit einer Strömungsgeschwindigkeit von 10 cm3 und O2 mit einer Strömungsgeschwindigkeit von 1 cm3 ein und hält den Druck dann auf einem Wert von 0,3 Torr. Eine Hochfrequenzspannung von 13,56 MHz und 10 W wird angelegt, worauf man den erhaltenen Film 60 Minuten einer Plasmaglühbehandlung unterzieht.
Der erhaltene transparente leitende Film hat eine Spektraldurchlässigkeit von nicht weniger als 85% bei 400 bis 800 nm und besitzt eine Dicke von 1500 Å. Die Ätzeigenschaften und die verschiedenen anderen Eigenschaften sind ähnlich zufriedenstellend wie bei dem Film von Beispiel 1.
Im vorstehenden bedeutet "CVD" "Chemical Vapour Deposition".

Claims (12)

1. Transparenter leitender Film, dadurch gekennzeichnet, daß er hauptsächlich aus den Elementen Indium, Sauerstoff und Kohlenstoff besteht.
2. Film nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Elementzusammensetzung der folgenden Formel entspricht: In x O y C z wobei x + y + z = 1; 0,1 x 0,6; 0,2 y 0,6; und 0.005 z 0,5.
3. Film nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß er zumindest teilweise kristallisiert ist.
4. Film nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß er zusätzlich Si, Ge, Sn, H, F, Cl, Br und/oder I als Verunreinigungselemente enthält.
5. Film nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß er eine Spektraldurchlässigkeit von nicht weniger als 85% bei 400 bis 800 nm hat.
6. Verfahren zur Herstellung des Films nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß man eine Indiumalkylverbindung in ein Vakuumgefäß einbringt, die Alkylverbindung nach einem Plasma-CVD-Verfahren in Form eines Films auf einem vorher in dem Vakuumgefäß angeordneten Substrat abscheidet und den abgeschiedenen Film einer Wärmebehandlung oder einer Plasmaglühbehandlung unterzieht, wobei während des Abscheidens der Alkylverbindung oder während der Wärmebehandlung oder Plasmaglühbehandlung eine Sauerstoffquelle vorhanden ist.
7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß man In(CH3)3, In(C2H5)3, In(C3H7)3 und/oder In(C4H9)3 als Indiumalkylverbindung verwendet.
8. Verfahren nach Anspruch 6 oder 7, dadurch gekennzeichnet, daß man die Substrattemperatur bei 0 bis 350°C, vorzugsweise 20 bis 200°C, hält.
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 6 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß während der Wärmebehandlung oder Plasmaglühbehandlung eine Sauerstoffquelle vorhanden ist.
10. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß der abgeschiedene Film der Alkylverbindung während der Wärmebehandlung oder Plasmaglühbehandlung oxidiert wird.
11. Verfahren nach einem der Ansprüche 6 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Wärmebehandlung 30 Sekunden bis 2 Stunden, vorzugsweise 1 Minute bis 1 Stunde, bei einer Temperatur von 150 bis 600°C, vorzugsweise 200 bis 450°C, durchgeführt wird.
12. Verfahren nach einem der Ansprüche 6 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Plasmaglühbehandlung unter folgenden Bedingungen durchgeführt wird:
  • (i) Gas für die Plasmaglühbehandlung: He, Ar, Ne, Kr, Xe, N2, O2 oder H2;
  • (ii) Gasströmungsvolumen: 0,1 bis 1000 cm3, vorzugsweise 1 bis 100 cm3;
  • (iii) Druck: 0,01 bis 10 Torr, vorzugsweise 0,05 bis 2 Torr;
  • (iv) Elektrische Entladungsleistung: 0,01 bis 5 W/cm2, vorzugsweise 0,01 bis 1 W/cm2;
  • (v) Substrattemperatur: 0 bis 400°C, vorzugsweise 0 bis 250°C; und
  • (vi) Glühzeit: 10 Sekunden bis 10 Stunden, vorzugsweise 30 Sekunden bis 3 Stunden.
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