CN104822219B - 等离子发生器、退火设备、镀膜结晶化设备及退火工艺 - Google Patents

等离子发生器、退火设备、镀膜结晶化设备及退火工艺 Download PDF

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Abstract

一种等离子发生器、退火设备、镀膜结晶化设备及退火工艺。该等离子发生器包括气体室、用于向所述气体室输入气体的进气单元、用于给进入所述气体室内的气体施加电场使其电离成为等离子体的阴极和阳极、用于控制等离子发生器温度的冷却水循环单元、以及设置在所述气体室顶面的离子束出口。包含该等离子发生器的退火设备可产生等离子束，可用于对非晶硅薄膜退火，使其结晶成为多晶硅薄膜。

Description

等离子发生器、退火设备、镀膜结晶化设备及退火工艺
技术领域
本发明的实施例涉及一种等离子发生器、退火设备、镀膜结晶化设备及退火工艺。
背景技术
在液晶面板行业，通常将非晶硅(a-Si)晶化成多晶硅(p-Si)的晶化技术是准分子激光退火(Excimer laser Annealing，ELA)。对于准分子激光退火，激光器内使用的气体主要包括卤素(Halogen)、氙(Xe)、氖(Ne)和/或氦(He)等工艺气体，气体种类多，用量大；而且，气体寿命为3到5天，即使不使用，到达该时间，也要重新更换设备中的气体。因此，气体消耗量大，给生产厂家带来很大的运营成本。
准分子激光退火设备主要包括如下单元/装置：激光器、光学单元、退火单元、控制单元和传输单元。庞大的设备***占地面积数十平米乃至上百平米，重量可达数十吨。准分子激光退火设备复杂的***组成，使得维护成本较高，并增加风险概率。
另外，准分子激光退火***的多数部件都是消耗类部件，如激光器的激光管连续使用寿命只有半年左右，但价格却在数百万元以上。除此之外，气体过滤单元(Gas PureUnit，GP单元)、高电压单元(High Voltage Unit，HV单元)、脉冲修正单元(Pulse ExtentUnit，PEX单元)、光学单元(Optic Module Unit)等单元价格都十分昂贵，且在一定程度上属于消耗类部件。因此，准分子激光退火的各消耗类部件的频繁更换也带来了巨大的运营成本。
从设备的布线角度看，准分子激光退火设备是单台设备，未能实现与其他设备的连线，这种方式增加了人工成本、增大了颗粒物(particle)的引入机会。
从工艺角度看，准分子激光退火设备的激光性能会随着气体的消耗有一定的变化，或者说激光稳定性存在局限性。
发明内容
本发明的实施例提供一种等离子发生器、等离子退火设备、镀膜结晶化设备及等离子退火工艺。本发明的实施例提供一种新的退火方式和设备，可用于非晶硅薄膜退火，使其结晶成为多晶硅薄膜。本发明的实施例提供一种等离子发生器、包含该等离子发生器的等离子退火设备、包含该等离子退火设备的镀膜结晶化设备以及等离子退火工艺，包含该等离子发生器的退火设备可产生等离子束，可用于对非晶硅薄膜退火，使其结晶成为多晶硅薄膜。
本发明的实施例提供一种等离子发生器，包括：气体室、用于向所述气体室输入气体的进气单元、用于给进入所述气体室内的气体施加电场使其电离成为等离子体的阴极和阳极、用于控制等离子发生器温度的冷却水循环单元、以及设置在所述气体室顶面的离子束出口。
例如，该等离子发生器中，所述阳极设置于所述气体室内，所述阴极作为所述气体室的顶面或设置于所述气体室的顶面上。
例如，所述阳极和所述阴极的尺寸可调或可更换。
例如，该等离子发生器中还包括绝缘板，所述绝缘板设置于所述阳极之下。
例如，该等离子发生器中，所述冷却水循环单元包括冷却水水管，在所述阳极中及所述气体室的侧壁上设置所述冷却水水管。
本发明的实施例还提供一种等离子退火设备，包括真空腔体以及任一上述等离子发生器。
例如，该等离子退火设备还包括设置在所述真空腔体上用于给所述等离子体施加加速电场的第一电极板和第二电极板。
例如，该等离子退火设备还包括在所述等离子发生器的等离子束路径上设置的用于给所述等离子束施加磁场的磁性件。
例如，该等离子退火设备还包括控制单元和用于加载基板的平台，其中，所述控制单元用以控制所述平台在三维空间运动。
例如，该等离子退火设备中，所述平台置于所述等离子发生器之上或之下，所述等离子发生器与所述基板之间的距离控制在1～10mm。
例如，该等离子退火设备中，所述等离子发生器与所述基板之间的距离控制在3mm。
例如，该等离子退火设备中，所述阴极和阳极之间的电场电压控制在1.0～3.0KV。
本发明的实施例还提供一种镀膜结晶化设备，包括化学气相沉积(ChemicalVapor Deposition，CVD)设备和任一上述等离子退火设备，所述等离子退火设备的真空腔体与化学气相沉积设备的真空腔体对接。
例如，该镀膜结晶化设备中，所述平台置于所述等离子发生器之上，在所述化学气相沉积设备的真空腔体或者所述等离子退火设备的真空腔体内设置翻转机构，用以将所述平台翻转。
本发明的实施例还提供一种等离子退火工艺，包括采用等离子体对具有非晶硅薄膜的基板进行退火处理，使所述非晶硅薄膜结晶形成多晶硅薄膜的步骤。
例如，该等离子退火工艺中，所述等离子体为氩等离子体。
例如，该等离子退火工艺中，所述退火工艺在等离子退火设备中进行，所述退火设备包括真空腔体以及设置于所述真空腔体内的等离子发生器，所述等离子发生器包括气体室、用于向所述气体室输入气体的进气单元、用于给进入所述气体室内的气体施加电场使其电离成为等离子体的阴极和阳极、用于控制等离子发生器温度的冷却水循环单元、以及设置在所述气体室顶面的离子束出口。
例如，该等离子退火工艺中，所述阴极和阳极之间的电场电压控制在1.0～3.0KV。
例如，该等离子退火工艺中，所述具有非晶硅薄膜的基板置于所述等离子发生器之上或之下。
例如，该等离子退火工艺中，所述等离子发生器与所述具有非晶硅薄膜的基板之间的距离控制在1～10mm。
例如，该等离子退火工艺中，所述等离子发生器与所述具有非晶硅薄膜的基板之间的距离控制在3mm。
例如，该等离子退火工艺中，在退火处理前还包括对所述具有非晶硅薄膜的基板进行烘烤的步骤。
例如，该等离子退火工艺中，所述等离子退火设备的真空腔体与化学气相沉积设备的真空腔体对接，在所述对具有非晶硅薄膜的基板进行退火处理之前，无须对烘烤后的基板进行清洁处理。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本发明的一些实施例，而非对本发明的限制。
图1为ELA过程中对基板扫描过程的示意图；
图2为本发明一实施例提供的一种等离子发生器剖面示意图；
图3为本发明一实施例提供的一种等离子发生器立体示意图；
图4为本发明一实施例提供的一种等离子发生器中的离子束出口示意图；其中(a)为直线型，(b)为环型；
图5为本发明一实施例提供的一种等离子退火设备剖面示意图；
图6为本发明一实施例提供的一种等离子退火设备与CVD设备对接形成的镀膜结晶化设备示意图；
图7为本发明另一实施例提供的一种等离子退火设备与CVD设备对接形成的镀膜结晶化设备示意图；
图8为本发明一实施例提供的等离子退火(PA)过程示意图；
图9为本发明另一实施例提供的ELA及PA工艺流程比较；
附图标记：
1-等离子退火设备；2-CVD设备；3-镀膜结晶化设备；101-气体室；102-进气单元；103-阴极；104-阳极；105-冷却水循环单元；106-离子束出口；107-绝缘板；108-磁性件；109-第一电极板；110-第二电极板；111-气体；112-等离子束；10-等离子发生器；20-平台；30-真空腔体；30’-CVD设备的真空腔体；40-基板；50-控制单元；60-翻转机构；1011-气体室的底面；1021-进气单元的进气管；1051-冷却水水管。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例的附图，对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本发明的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
因为准分子激光退火设备需要使用卤素(Halogen)、氙(Xe)、氖(Ne)和氦(He)等多种工艺气体，且用量较大。因此，这种准分子激光退火方式运行成本高。又因为准分子激光退火设备很大，厂家只能选择单台设备方式，增加了基板氧化及颗粒物(Particle)的污染几率。而且，准分子激光退火设备窗口(Window)小，制得的薄膜晶体管(Thin FilmTransistor，TFT)的稳定性不高。通常的准分子激光退火技术中，基板扫描方式如图1所示。准分子激光发生器在上方，载有基板的平台在下方，激光被照射在移动的平台上，实现非晶硅薄膜转化为多晶硅薄膜。
在本发明的实施例描述中需要说明的是，术语“上”、“下”、“顶面”、“底面”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明的实施例和简化描述，而不是指示或暗示所描述的装置或元件必须具有相应的特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
本发明的实施例提供一种等离子发生器10，如图2所示，该等离子发生器包括气体室101、用于向气体室101输入气体111的进气单元102、用于给进入气体室101内的气体111施加电场使其电离成为等离子体的阴极103和阳极104、用于控制等离子发生器10温度的冷却水循环单元105、以及设置在气体室101顶面的离子束出口106。
例如，如图2所示，该等离子发生器10中，阳极104设置于气体室101内，阴极103作为气体室101的顶面或设置于气体室101的顶面上。气体室101的侧壁也可与作为顶面的阴极103一体形成。在阴极103和阳极104施加电压后在二者之间产生(强)电场。
例如，阳极104和阴极103可更换或尺寸可调，可通过改变阳极104和阴极103的尺寸，再将阳极104和阴极103设置到适当的电压值，即可满足调节离子束出口(开口尺寸)的要求，从而实现等离子束112线性化，无需大量的光学***处理。等离子发生器10内阴极103和阳极104之间的电压可由电压源提供，该电压源可具有较宽的电压范围，以方便灵活调节等离子束的状态。
例如，如图2所示，该等离子发生器中还可包括绝缘板107，该绝缘板107设置于阳极104之下。该绝缘板107用以隔离阳极104和与其接触的部件。
例如，如图2和图3所示，该等离子发生器的进气单元102包括进气管1021。可通过进气管1021向气体室101输入气体111。进气管1021可穿过气体室101的底面1011和/或侧面。
例如，如图3所示，该等离子发生器中，冷却水循环单元105包括冷却水水管1051。例如，可在阳极104中及气体室101的侧壁上设置冷却水水管1051。但冷却水水管1051的设置位置不限于此。通过冷却水循环***，控制等离子发生器的温度，以使等离子处于特定的温度环境。例如，通过减小冷却水循环***的冷却水流量来提升等离子体温度，或通过提高冷却水循环***的冷却水流量来降低等离子体温度。
例如，该等离子发生器中，进气单元102输入用以电离产生等离子体的气体，例如可以为氩气，以产生氩等离子体。
例如，该等离子发生器中，等离子发生器中的离子束出口106可为直线型，如图3和图4(a)所示，也可为环型，如图4(b)所示。且等离子束出口106不限于此，可根据需要选取不同类型。
例如，该等离子发生器中，所述进气单元输入的气体为氩气。由于气体可只使用Ar气，不再使用ELA设备传统的卤素、Xe、Ne、He等工艺气体，因此运行成本极大降低。
本发明的实施例还提供一种等离子退火(Plasma Annealing，PA)设备1，如图5所示，包括真空腔体30以及任一上述等离子发生器10。
例如，如图5所示，该等离子退火设备还包括设置在真空腔体30上用于给等离子体施加加速电场的第一电极板109和第二电极板110。第一电极板109和第二电极板110之间的离子加速电场电压源的电压可从较宽范围内选取，以有效调节离子加速度。例如，第一电极板109和第二电极板110可分别设置在真空腔体30的顶面和底面上，但它们的设置位置不限于此。
例如，如图5所示，该等离子退火设备还包括在等离子发生器10的等离子束112路径上设置的用于给等离子束112施加磁场的磁性件108。磁性件108例如可以呈圆环状置于等离子束112的路径上。图5中所示例如可为呈圆环状的磁性件的纵切面。例如，等离子束(Plasma beam)经过加速电场加速后，通过在等离子束112路径上增加的磁场，有效离子被筛选出来以使用。设置的磁性件108，能筛选有效离子即可。
例如，该等离子退火设备还包括控制单元50和用于加载基板40的平台20，该等离子退火设备中，该控制单元50用以控制平台20在三维空间运动，控制单元50例如可以采用通用计算机或专用计算机设备，例如步进马达等可以用于精确地移动平台20。可以设计来在上下方向(Z轴)上可控平台20，实现灵活调节基板40与等离子发生器之间的距离，以满足灵活调节等离子束能量等。例如，该控制单元50亦可控制平台20在水平平面(X-Y平面)内运动。
例如，平台20面对等离子发生器10，可置于等离子发生器10之上或之下。当平台20置于等离子发生器之上时，等离子束从下往上照射，可减少环境颗粒物的不利影响。
例如，该等离子退火设备中，等离子退火时，等离子发生器10与基板40之间的距离可控制在1～10mm。
例如，该等离子退火设备中，阴极103和阳极104之间的电场电压控制在1.0～3.0KV。
例如，PA设备的等离子体发生器10，经过适当的内部阴极103及阳极104电压控制、氩气气体流量控制、循环冷却水温度控制等，可产生均匀的等离子束(Plasma Beam)，该等离子体能量大小可符合非晶硅退火条件，均一性良好，满足工艺需求。
例如，等离子发生器可设置在等离子退火设备真空腔体的下底板或上底板(顶面)上，但其设置位置不限于此。只要其位置的设置不影响由其产生的等离子束的应用即可。
本发明实施例提供的上述任一等离子退火设备，相比通常的ELA设备，构造简单，等离子束均一性好，设备尺寸变小。
例如，使用氩气在施加的电场中产生等离子体，控制等离子体的加速电压和等离子体到基板40的距离，使非晶硅产生良好的晶化效果。该等离子退火设备较为简单，且该等离子退火备区别于通常的ELA设备单台设置的方式，可以与CVD设备连线。例如，在CVD设备本体上增加一个PA工艺腔体，形成新的组合体设备，可称为镀膜结晶化设备(CVD-PA设备)。
本发明的实施例还提供一种镀膜结晶化设备(CVD-PA设备)3，包括CVD(ChemicalVapor Deposition，化学气相沉积)设备2和任一上述等离子退火设备1，等离子退火设备1的真空腔体30与CVD设备2的真空腔体30’对接。
需要说明的是，对接例如指代连通，即等离子退火设备1的真空腔体30与CVD设备的真空腔体30’连通。
例如，如图6所示，该镀膜结晶化设备3中，等离子退火时，平台20置于等离子发生器10之上，在CVD设备2的真空腔体30’或者等离子退火设备1的真空腔体30内设置翻转机构60，用以将平台20翻转。例如平台20在CVD设备2的真空腔体30’被翻转后，再进入等离子退火设备1的真空腔体30内，移动至等离子发生器的上方，再进行退火处理即可。若基板40在镀膜时位于CVD设备2的真空腔体30’上侧，可在CVD真空腔体30’内设置翻转机构60。若基板在镀膜时位于CVD设备2的真空腔体30’下侧，省略翻转机构60，如图7所示。在图7中，等离子发生器10的气体室101底面设置离子束出口。
PA设备相对于ELA单台设备来说，总结起来至少具有如下的诸多优点之一：
(1)PA设备构造简单，无需长距离光学传输，所以等离子束均匀性好。
(2)不需要光学变换，等离子发生器尺寸小，所以设备尺寸小，成本低。
(3)使用气体可只是单一气体，例如氩气，运行成本低。
(4)仅通过更换阳极和/或阴极、或调节阳极和/或阴极的尺寸，即可调开口宽度和开口形状，即等离子束的宽度和形状，等离子束调节十分便捷。
(5)由于设备可以做到较小的尺寸，为避免镀有非晶硅(a-Si)的基板40接触空气引起氧化等不良，可将PA设备与CVD设备对接，镀膜a-Si及烘烤后，直接在真空腔体30’内将基板40搬送到PA设备，形成连线设备，该新设备可称为CVD-PA设备。
(6)由于基板40在真空环境下未受到暴漏大气的影响，因此a-Si特性容易控制，无需进行HF清洗过程。
(7)基板40方便设计成面向下(Face Down)的方式，有效减少颗粒物。面向上(FaceUp)方式亦可实现。
本发明的实施例还提供一种等离子退火(Plasma Annealing，PA)工艺，包括采用等离子体对具有非晶硅薄膜的基板40进行退火处理，使非晶硅薄膜结晶形成多晶硅薄膜的步骤。本发明实施例的等离子退火工艺为一种新的a-Si的退火方式，为一种使用等离子方式的真空结晶化方式，使用等离子体作为退火源。
例如，该等离子退火工艺中，等离子体可为氩等离子体。一般使用的产生等离子的气体为Ar(氩气)。
例如，该等离子退火工艺中，退火工艺在等离子退火设备中进行，退火设备包括真空腔体30以及设置于真空腔体30内的等离子发生器，等离子发生器包括气体室101、用于向气体室101输入气体的进气单元102、用于给进入气体室101内的气体施加电场使其电离成为等离子体的阴极103和阳极104、用于控制等离子发生器温度的冷却水循环单元105、以及设置在气体室101顶面的离子束出口106。通过冷却水循环***，来控制等离子发生器的温度。可通过阴极103和阳极104施加电压，产生电场，使气体(例如氩气)电离成等离子体。
例如，该等离子退火工艺中，等离子体由氩气在等离子发生器中经电场电离而得。
例如，该等离子退火工艺中，阴极103和阳极104之间的电场电压控制在1.0～3.0KV。通过控制阴极103和阳极104之间的电压来控制氩气电离，该电压控制对工艺的影响很大。该电压值不能过大，否则产生的电场太强而会像等离子注入机(Implanter)一样将离子注入到基板40内。
例如，该等离子退火工艺中，具有非晶硅薄膜的基板40置于等离子发生器之上或之下。
例如，该等离子退火工艺中，等离子退火时，等离子发生器与基板40之间的距离可控制在1～10mm。该距离也是一项影响工艺的重要设备指标。该距离可被设计得可控，一般选择3mm距离为宜，否则等离子体可能不能达到基板40从而提供足够的热量，或能量过大产生离子注入的不良效果。
例如，等离子退火(PA)工艺中，基板40的扫描方式如图8所示，图中设计基板在上，等离子束在下的面向下的方式(平台置于等离子发生器之上)，如此，可以避免颗粒物的产生。亦可采用等离子束在上，基板在下的面向上的方式(平台置于等离子发生器之下)。该过程可包括如下步骤。
步骤1：基板40从上游真空腔体例如CVD真空腔体30’进入PA设备的真空腔体30。
步骤2：开启等离子束，例如氩等离子束。
步骤3：平台20载着基板40相对于等离子束运动实现等离子束的扫描。
步骤4:平台20运行结束，关闭等离子束。
例如，该等离子退火工艺中，在退火处理前还包括对具有非晶硅薄膜的基板40进行烘烤的步骤。
例如，该等离子退火工艺中，等离子退火设备的真空腔体30与CVD设备的真空腔体30’对接，在对具有非晶硅薄膜的基板40进行退火处理之前，无须对烘烤后的基板40进行清洁处理。
图9为本发明一实施例提供的ELA及PA工艺流程比较。从图中可以看出，采用PA工艺，可以省去对烘烤后的基板40进行清洁处理的步骤。PA方式相对于ELA方式来说，工艺流程更简单，因为真空环境下完成退火，基板40不会出现氧化，也不会引入来自外界环境的颗粒物，无需进行氢氟酸(HF)清洗及颗粒物清洗等工艺流程。从该角度看，工艺流程的减少也可降低设备运行成本。
需要说明的是，本发明实施例及其附图只是示意性的描述与本申请相关的部分，其余未涉及部分可参见通常设计。
本发明的实施例提供一种等离子发生器、退火设备、镀膜结晶化设备及退火工艺。该等离子发生器包括气体室、用于向所述气体室输入气体的进气单元、用于给进入所述气体室内的气体施加电场使其电离成为等离子体的阴极和阳极、用于控制等离子发生器温度的冷却水循环单元、以及设置在所述气体室顶面的离子束出口。包含该等离子发生器的退火设备可产生等离子束，用以对非晶硅薄膜退火，使其结晶成为多晶硅薄膜。本发明实施例提供的退火工艺使用等离子体作为退火源使非晶硅薄膜结晶形成多晶硅薄膜。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应所述以权利要求的保护范围为准。

Claims (21)

1.一种等离子发生器，包括：
气体室；
设置在所述气体室的底面上的用于向所述气体室输入气体的进气单元；
用于给进入所述气体室内的气体施加电场使其电离成为等离子体的阴极和阳极；
用于控制等离子发生器温度的冷却水循环单元；以及
设置在所述气体室顶面的离子束出口；其中，
所述阳极设置于所述气体室内，所述阴极作为所述气体室的顶面或设置于所述气体室的顶面上。
2.根据权利要求1所述的等离子发生器，其中，所述阳极和所述阴极可更换或尺寸可调。
3.根据权利要求1所述的等离子发生器，还包括绝缘板，其中，所述绝缘板设置于所述阳极之下。
4.根据权利要求1所述的等离子发生器，其中，所述冷却水循环单元包括冷却水水管，在所述阳极中及所述气体室的侧壁上设置所述冷却水水管。
5.一种等离子退火设备，包括真空腔体以及权利要求1-4任一项所述的等离子发生器。
6.根据权利要求5所述的等离子退火设备，还包括设置在所述真空腔体上用于给所述等离子体施加加速电场的第一电极板和第二电极板。
7.根据权利要求5所述的等离子退火设备，还包括在所述等离子发生器的等离子束路径上设置的用于给所述等离子束施加磁场的磁性件。
8.根据权利要求5所述的等离子退火设备，还包括控制单元和用于加载基板的平台，其中，所述控制单元用以控制所述平台在三维空间运动。
9.根据权利要求8所述的等离子退火设备，其中，所述平台置于所述等离子发生器之上或之下，所述等离子发生器与所述基板之间的距离控制在1～10mm。
10.根据权利要求9所述的等离子退火设备，其中，所述等离子发生器与所述基板之间的距离控制在3mm。
11.根据权利要求5-10任一项所述的等离子退火设备，其中，所述阴极和阳极之间的电场电压控制在1.0～3.0KV。
12.一种镀膜结晶化设备，包括化学气相沉积(CVD)设备和权利要求5-11任一项所述等离子退火设备，其中，所述等离子退火设备的真空腔体与化学气相沉积设备的真空腔体对接。
13.一种镀膜结晶化设备，包括化学气相沉积(CVD)设备和权利要求8-10任一项所述等离子退火设备，其中，所述等离子退火设备的真空腔体与化学气相沉积设备的真空腔体对接，所述平台置于所述等离子发生器之上，在所述化学气相沉积设备的真空腔体或者所述等离子退火设备的真空腔体内设置翻转机构，用以将所述平台翻转。
14.一种等离子退火工艺，包括采用等离子体对具有非晶硅薄膜的基板进行退火处理，使所述非晶硅薄膜结晶形成多晶硅薄膜的步骤，所述退火工艺在权利要求5-11任一项所述的等离子退火设备中进行。
15.根据权利要求14所述的等离子退火工艺，其中，所述等离子体为氩等离子体。
16.根据权利要求14所述的等离子退火工艺，其中，所述阴极和阳极之间的电场电压控制在1.0～3.0KV。
17.根据权利要求14所述的等离子退火工艺，其中，所述具有非晶硅薄膜的基板置于所述等离子发生器之上或之下。
18.根据权利要求17所述的等离子退火工艺，其中，所述等离子发生器与所述具有非晶硅薄膜的基板之间的距离控制在1～10mm。
19.根据权利要求18所述的等离子退火工艺，其中，所述等离子发生器与所述具有非晶硅薄膜的基板之间的距离控制在3mm。
20.根据权利要求14-19任一项所述的等离子退火工艺，在退火处理前，还包括对所述具有非晶硅薄膜的基板进行烘烤的步骤。
21.根据权利要求20所述的等离子退火工艺，其中，所述等离子退火设备的真空腔体与化学气相沉积设备的真空腔体对接，在所述对具有非晶硅薄膜的基板进行退火处理之前，无须对烘烤后的基板进行清洁处理。
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