DE3717919C2 - Hochspannungsversorgungseinrichtung - Google Patents

Description

Die Erfindung bezieht sich auf eine Hochspannungs­ versorgungseinrichtung.

JP 60-197160 (A) in Patents Abstracts of Japan, Sect E, 1986, Vol. 10, Nr. 42 (E-382) offenbart eine Hochspanungsversor­ gungseinrichtung, bei welcher sowohl die Sekundärspanung wie auch der Strom eines Hochspannungstransformators auf der Se­ kundärseite detektiert wird und eine Rückkopplung auf die Primärseite zur Steuerung des Oszillators auf der Primärseite erfolgt. Die bekannte Hochspanungsversorgungseinrichtung um­ faßt dazu einen Ausgangsspannungsdetektor und einen Ausgangs­ stromdetektor sowie eine Vergleichereinrichtung zum Verglei­ chen der beiden Ausgänge zwischen der Primärseite und der Se­ kundärseite des Transformators, wobei der Ausgang der Ver­ gleichereinrichtung an eine Steuerung angelegt wird. Das Do­ kument enthält jedoch keinen Hinweis auf eine geeignete unab­ hängige Versorgung von zwei Schaltkreisen mit unterschiedli­ cher Versorgungsspanung durch einen Spannungstransformator.

Herkömmlicherweise ist ein Gerät, das eine relativ hohe Span­ nung, sog Mittelspannung, und eine Hochspannung erfordert, die höher als die Mittelspannung ist, beispielsweise ein elektrostatischer Kopierer, eine elektrostatische Druckein­ richtung oder eine elektrostatische Fascimileeinrichtung, mit individuellen Transformatoren versehen, die für die Mittel­ spannung bzw. die Hochspannung vorgesehen sind. Eine derar­ tige Anordnung des Transformators in dem jeweiligen Schalt­ kreis, der die Mittelspannung erfordert (im folgenden als "Mittelspannungsschaltkreis" bezeichnet) und in einem Schalt­ kreis, der die hohe Spannung erfordert (im folgenden als "Hochspannungsschaltkreis" bezeichnet), macht nicht nur die Miniaturisierung der Spannungsversorgungseinrichtung schwie­ rig, sondern erhöht auch deren Kosten.

Andererseits wird in Betracht gezogen, daß eine Spannung gleichzeitig sowohl dem Mittelspannungsschaltkreis als auch dem Hochspannungsschaltkreis unter Verwendung eines ge­ meinsamen Transformators zugeführt wird, wie es in Fig. 1 ge­ zeigt ist.

Die Fig. 1 ist ein Schaltbild, das ein Beispiel einer her­ kömmlichen Hochspannungsversorgungseinrichtung zeigt. Bei diesem konventionellen Schaltkreis sind ein Mittelspannungs­ schaltkreis 2 und ein Hochspannungsschaltkreis 3 gemeinsam an einer Sekundärseite einer Sekundärwicklung 1a eines Transfor­ mators 1 über eine Diode angeschlossen. In dem Fall, wenn dieser herkömmliche Schaltkreis für den elektrostatischen Ko­ pierer verwendet wird, ist der Mittelspannungsschaltkreis 2 beispielsweise ein Vorspannungsschaltkreis für eine Entwick­ lerstation und der Hochspannungsschaltkreis 3 enthält bei­ spielsweise eine Koronaentladungseinrichtung. Wenn eine Span­ nung an der Sekundärseite der Sekundärwicklung höher ist als eine Spannung, die von der Koronaentladungseinrichtung oder dem Hochspannungsschaltkreis 3 erforderlich ist, sind sowohl der Mittelspannungsschaltkreis 2 als auch der Hoch­ spannungsschaltkreis 3 gleichzeitig in Betrieb. Jedoch wird, wenn die Sekundärspannung niedriger wird als die Ko­ ronaentladungsspannung, der Betrieb des Hochspannungsschalt­ kreises 3 beendet.

Bei dem herkömmlichen Schaltkreis, wie er in Fig. 1 gezeigt ist, kann, da nur ein Strom durch den Hochspannungsschalt­ kreis 3 fließt, durch einen Erkennungswiderstand RF dann, wenn der Hochspannungsschaltkreis 3 in Betrieb ist, die Ein­ gangsspannung des Transformators durch den Strom gesteuert werden. Jedoch ist es, da kein Strom durch den Erkennungswi­ derstand RF fließt, wenn der Hochspannungsschaltkreis 3 abge­ schaltet ist, unmöglich, die Eingangsspannung durch den Strom durch den Mittelspannungsschaltkreis 2 zu steuern.

Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, eine Hoch­ spannungsversorgungseinrichtung anzugeben, bei der eine Aus­ gangsspannung jeweils in Abhängigkeit von einem Strom durch einen Mittelspannungsschaltkreis oder einen Hoch­ spannungsschaltkreis gesteuert wird.

Diese Aufgabe wird durch die Merkmale des Hauptanspruches ge­ löst.

Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung ergeben sich aus den Unteransprüchen.

Ausführungsbeispiele der Erfindung werden im folgenden zusam­ men mit den zugehörigen Zeichnungen genauer erläutert. Es zeigen:

Fig. 1 ein Schaltbild, das einen herkömmlichen Schaltkreis zeigt;

Fig. 2 ein Schaltbild, das eine Ausführungsform gemäß der Erfindung zeigt;

Fig. 3 eine grafische Darstellung, die eine Strom-Spannungs-Charakteristik der Ausführungsform nach Fig. 2 zeigt;

Fig. 4 ein Schaltbild, das eine andere Ausführungsform gemäß der Erfindung zeigt;

Fig. 5 ein Schaltbild, das ein modifiziertes Beispiel der Ausführungsform nach Fig. 4 zeigt;

Fig. 6 ein Schaltbild, das eine weitere Ausführungsform ge­ mäß der Erfindung zeigt; und

Fig. 7 ein Schaltbild, das eine andere Ausführungsform gemäß der Erfindung zeigt.

Die Fig. 2 ist ein Schaltbild, das eine Ausführungsform gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt. Ein Transformator 10 umfaßt eine Sekundärwicklung 12. Ein Ende 12a der Sekundärwicklung 12 ist mit Erdpotential oder dem Bezugspotential über eine Serienschaltung aus einem ersten Widerstand R1 und einem Feldeffekttransistor (im folgenden als "FET" bezeichnet) 14 vom n-Kanal-Typ verbunden. Ein zweiter Widerstand R2 ist zwi­ schen einem Serienschaltungspunkt 16 des einen Endes 12a und des FET 14 in Parallelschaltung mit dem Bezugspotential ver­ bunden.

Ein invertierter Ausgang eines Flipflops 18 ist an dem Gate des FET 14 angeschlossen. Ein Setzeingang des Flipflops 18 wird von einem (nicht dargestellten) Steuerschaltkreis ange­ steuert.

Ein Mittelspannungsschaltkreis 22, der beispielsweise einen Vorspannungskreis für eine Entwicklungsstation umfaßt, ist über eine Diode 20 in Rückwärtsrichtung zwischen dem anderen Ende 12b der Sekundärwicklung 12 und einem Verbindungspunkt 24 des FET 14 und des ersten Widerstands R1 angeschlossen. Ein Hochspannungsschaltkreis 26 umfaßt beispielsweise eine Einrichtung, bei der kein Strom fließt bei einer Spannung, die kleiner als ihre Arbeitsspannung, beispielsweise eine Ko­ ronaentladungseinrichtung 28 eines elektrostatischen Kopie­ rers. Der Hochspannungsschaltkreis 26 ist zwischen einem Ver­ bindungspunkt der Diode 20 und dem Mittelspannungsschalt­ kreis 22 und dem Erdpotential oder dem Bezugspotential ange­ schlossen.

Der Verbindungspunkt 16 des einen Endes 12a der Sekundär­ wicklung 12 und des FET 14 ist weiterhin mit einem (-)-An­ schluß des Spannungskomparators 30 verbunden. An einem (+)-Anschluß des Spannungskomparators 30 ist eine Quelle 32 für eine Vergleichsbezugsspannung angeschlossen. Ein Aus­ gangsanschluß des Spannungskomparators 30 ist mit einer Basis eines npn-Transistors 36 über einen geeigneten Oszillator­ verstärkerschaltkreis 34 verbunden. Insbesondere gibt der Spannungskomparator 30 eine Spannung ab, die einen Pegel auf­ weist, der sich entsprechend der Differenz zwischen zwei Ein­ gangsspannungen verändert. Diese Ausgangsspannung des Span­ nungskomparators 30 wird dem Oszillatorverstärkerschaltkreis 34 zugeführt. Der Oszillatorverstärkerschaltkreis 34 gibt ein Steuersignal ab, das einen Spannungspegel aufweist, der pro­ portional dem Pegel der Spannung ist, die von dem Span­ nungskomparator 30 zugeführt wird. Das Steuersignal wird an die Basis des Transistors 36 angelegt. Somit wiederholt der Transistor 36 das Einschalten und Ausschalten in Abhängig­ keit von dem Pegel des Steuersignals. Folglich wird eine Ein­ gangsspannung in Form einer Wechselspannung an der Ein­ gangswicklung 38 des Transformators 10 erzeugt, die eine Größe entsprechend dem Steuersignal aufweist. Somit kann durch geeignetes Regeln des Einschalt- und des Ausschaltzu­ stands des Transistors 36, d. h. durch Steuern der Größe des Stroms der Primärwicklung 38, die Größe der Sekundärspannung an der Sekundärwicklung 12 geregelt werden.

Wenn bei der Ausführungsform nach Fig. 2 eine Wechselspannung an der Primärwicklung 38 durch Schalten des Transistors 36 erzeugt wird, wird in der Sekundärwicklung 12 eine Spannung induziert und diese induzierte Spannung wird durch die Diode 20 gleichgerichtet und als eine Sekundärspannung mit negati­ ver Polarität an dem anderen Ende 12b der Sekundärwicklung 12 abgenommen.

Wenn nicht nur der Mittelspannungsschaltkreis 22, sondern auch der Hochspannungsschaltkreis 26 betrieben wird, wird das Flipflop 18 durch ein Signal von dem (nicht gezeigten) Steu­ erschaltkreis zurückgesetzt. Als Folge davon nimmt der in­ vertierte Ausgang des Flipflops 18 einen hohen Pegel an, und der FET 14 wird eingeschaltet. Deshalb fließt ein Strom I1 des Hochspannungsschaltkreises 26 über den ersten Wider­ stand R1 und den zweiten Widerstand R2, wie es durch die durchgezogene Pfeilmarkierung in Fig. 2 gezeigt ist.

Andererseits fließt ein Strom I2 des Mittelspannungsschalt­ kreises 22 direkt über die Drain und die Source des FET 14, aber nicht über die obenbeschriebenen beiden Widerstände R1 und R2.

Deshalb ist es durch Ermittlung einer Spannung V16 an dem Verbindungspunkt 16 mittels des Spannungskomparators 30 mög­ lich, nur den Strom durch den ersten Widerstand R1 und den zweiten Widerstand R2 zu erkennen, d. h. den Strom I1, der über den Hochspannungsschaltkreis 26 fließt. Auf der anderen Seite beeinflußt der Strom I2 des Mittelspannungsschaltkrei­ ses 22 nicht die Spannung V16 an dem Verbindungspunkt 16. So­ mit reagiert der Spannungskomparator 30 nur auf den Strom, der über den Hochspannungsschaltkreis 26 fließt, wenn der Hochspannungsschaltkreis 26 in Tätigkeit ist. Dann kann mit­ tels des Spannungskomparators 30 die Eingangsspannung des Transformators 10 durch Steuern des Transistors 36 gesteuert werden, so daß die Spannung I1′ {R1R2/(R1+R2)} konstant wird. Während dieser Zeit sind, wenn die Größe der Ausgangsspannung derart eingestellt wird, daß sie größer ist als die Arbeits­ spannung der in dem Hochspannungsschaltkreis 26 enthaltenen Koronaentladungseinrichtung 28, sowohl der Mittelspannungs­ schaltkreis 23 als auch der Hochspannungsschaltkreis 26 in Betrieb genommen.

Nun wird, um dafür zu sorgen, daß der Hochspannungsschalt­ kreis 26 nicht in Betrieb genommen wird, das Flipflop 18 durch das Steuersignal gesetzt. Damit nimmt ein nicht-in­ vertierter Ausgang einen hohen Pegel an und der invertierte der Ausgang nimmt einen niedrigen Pegel an. Deshalb wird der FET 14 abgeschaltet. In diesem Zustand fließt ein Strom I2′ über den Mittelspannungsschaltkreis 22, wie es durch eine gestrichelte Pfeilmarkierung gezeigt ist. D.h., der Strom I2′ des Mittelspannungsschaltkreises 22 fließt über den zweiten Widerstand R2 und den ersten Widerstand R1. Somit hängt die Spannung V16 an dem Verbindungspunkt 16 nur von dem Strom I2′ ab, der über den zweiten Widerstand R2 fließt, da der Hoch­ spannungsschaltkreis 26 in dem nicht-arbeitenden Zustand ist.

Der Spannungskomparator 30 steuert den Transistor 36 gemäß der Spannung V16 an dem Verbindungspunkt 16, so daß die Span­ nung (I1′+I2′)R2 konstant wird.

Wenn die Ausgangsspannung an dem anderen Ende 12b der Aus­ gangswicklung 12 derart eingestellt wird, daß sie kleiner ist als die Entladungsstartspannung (beispielsweise 2 kV) der Ko­ ronaentladungseinrichtung 28, die in dem Hochspannungs­ schaltkreis 26 vorgesehen ist, wird der Strom I1′ Null und damit wird der Hochspannungsschaltkreis 26 abgeschaltet. Somit wird, wenn der Hochspannungsschaltkreis 26 nicht in Betrieb ist, die Primärspannung des Transformators 10 nur durch den Strom I2′ gesteuert, der durch den Mittelspannungsschaltkreis 22 fließt.

Zusätzlich wird, wenn der FET 14 eingeschaltet oder aus­ geschaltet wird, die Spannung an der Sekundärwicklung 12 des Transformators 10 verändert. Zu diesem Zweck kann in dem Mit­ telspannungsschaltkreis 22 ein Spannungsregler eingebaut wer­ den, falls dies erforderlich ist.

Bei der Ausführungsform nach Fig. 2 schließt also der Hoch­ spannungsschaltkreis eine Koronaentladungseinrichtung 28 ein, die bei einer vorgegebenen Spannung VO′, wie sie in Fig. 3 gezeigt ist, nicht arbeitet, was zur Folge hat, daß kein Strom I1′ fließt. Deshalb ist, wenn die Sekundärspannung an dem anderen Ende 12b derart eingestellt ist, daß sie kleiner ist als VO′, so daß I1′ in (I1′+12′) R2 Null wird, nur der Mittelspannungsschaltkreis 22 betreibbar und deshalb ist es möglich, nur den Hochspannungsschaltkreis 26 ein oder aus­ schaltet.

Durch eine derartige Beziehung muß bei der Ausführungsform die Betriebsspannung des Mittelspannungsschaltkreises 22 kleiner sein als die Spannung, bei der die Koronaentladungs­ einrichtung 28 mit dem Entladen beginnen kann.

Die Fig. 4 ist ein Schaltbild, das eine andere Ausführungs­ form zeigt. Diese Ausführungsform unterscheidet sich von der Ausführungsform nach Fig. 2 dadurch, daß die Polarität der Sekundärspannung umgedreht ist.

In Fig. 4 ist ein Ende 12a der Sekundärwicklung 12 des Trans­ formators 10 mit einer Spannungsquelle 40 verbunden, um eine Bezugsspannung Vk durch eine Serienschaltung eines FET 14 vom p-Kanal-Typ und eines ersten Widerstands R1 zu bilden. Ein zweiter Widerstand R2 ist parallel zu der Serienschaltung des FET 14 und des ersten Widerstands R1 geschaltet. Ein inver­ tierter Ausgang Q des Flipflops 18 wird einem Gate des FET 14 zugeführt, wie bei der Ausführungsform nach Fig. 2.

Der Mittelspannungsschaltkreis 22 ist über die Diode 20 in Vorwärtsrichtung zwischen dem anderen Ende 12b der Sekundär­ wicklung 12 und einem Verbindungspunkt 24 des FET 14 und des ersten Widerstands R1 angeschlossen. Der Hochspannungs­ schaltkreis 26, der die Koronaentladungseinrichtung 28 ent­ hält, ist zwischen einem Verbindungspunkt der Diode 20 und dem Mittelspannungsschaltkreis 22 und dem Bezugspotential angeschlossen.

Die Funktion der Ausführungsform nach Fig. 4 ist im wesent­ lichen äquivalent zu derjenigen der Ausführungsform nach Fig. 2, mit der Ausnahme, daß die Polarität umgekehrt ist und die Bezugsspannung Vk der Spannung V16 an dem Verbindungspunkt 16 hinzuaddiert (oder von dieser subtrahiert) wird. Deshalb wurde eine doppelte Beschreibung hier weggelassen.

Die Ausführungsform nach Fig. 4 kann derart modifiziert werden, wie es in Fig. 5 gezeigt ist. Bei der Ausführungsform nach Fig. 5 wird anstelle des FET 14 nach Fig. 4 ein pnp-Transistor 15 verwendet.

Die Fig. 6 ist ein Schaltbild, das eine noch andere Ausfüh­ rungsform gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt. Diese Aus­ führungsform unterscheidet sich im wesentlichen von der Aus­ führungsform nach Fig. 2 in dem folgenden Punkt. Insbesondere ist eine Anode einer Diode 42 mit dem Verbindungspunkt 16 verbunden und der Mittelspannungsschaltkreis 22 ist mit einer Kathode der Diode 42 verbunden. Ein Verbindungspunkt der Di­ ode 42 und des Mittelspannungsschaltkreises 22 ist über eine Zenerdiode 44 geerdet. Ein Ver­ bindungspunkt der Diode 42 und der Mittelspannungsschaltkreis 22 ist auch mit einem Vorspannungsanschluß 46 über einen ge­ eigneten Widerstand verbunden. An dem Vorspannungsanschluß 46 ist der nicht-invertierte Ausgang Q des Flipflops 18 ange­ schlossen.

Zusätzlich wird anstelle des FET 14 vom n-Kanal-Typ, wie er in Fig. 2 gezeigt ist, ein npn-Transistor 15 als Schalt­ element verwendet. Wenn sowohl der Mittelspannungsschaltkreis 22 als auch der Hochspannungsschaltkreis 26 in Betrieb genom­ men werden sollen, wird das Flipflop 18 durch das Signal von dem Steuerschaltkreis zurückgesetzt. Als Antwort darauf nimmt der invertierte Ausgang des Flipflops 18 einen hohen Pegel an und damit wird der Transistor 15 eingeschaltet. Zu diesem Zeitpunkt ist der nicht-invertierte Ausgang Q des Flipflops 18 auf einem niedrigen Pegel und eine positive Spannung liegt an dem Vorspannungsanschluß 46 an. In diesem Zustand ist die Spannung V16 an dem Verbindungspunkt 16 kleiner als die Ze­ nerspannung V44 der Zenerdiode 44 (V16 < V44), und somit fließt kein Strom durch die Zenerdiode 44. Deshalb fließt der Strom I1 des Hochspannungsschaltkreises 26 durch den ersten Wider­ stand R1 und den zweiten Widerstand R2, wie es durch die durchgezogenen Pfeilmarkierungen in Fig. 6 gezeigt ist. Ande­ rerseits fließt in diesem Zustand der Strom I2 des Mit­ telspannungsschaltkreises 22 durch die Diode 42, wie es durch die durchgezogene Pfeilmarkierung gezeigt ist, da die Diode 42 leitend gesteuert ist. Deshalb fließt der Strom I2 nicht über die obenbeschriebenen beiden Widerstände R1 und R2. Da­ bei hat, wie oben beschrieben, selbst wenn der Transistor 15 eingeschaltet ist, sein Basisstrom keinen Einfluß auf die er­ mittelte Spannung V16. Der Grund liegt darin, daß der erste Widerstand R1 auf eine höhere Position im Potential ein­ gestellt ist als die Position, bei der der Basisstrom des Transistors 15 fließt.

Andererseits wird, wenn der Hochspannungsschaltkreis nicht in Betrieb genommen werden soll, das Flipflop 18 durch das Steu­ ersignal gesetzt. Somit wird der Transistor 15 abgeschaltet und die positive Spannung oder der hohe Pegel wird an den Vorspannungsanschluß 46 angelegt. Damit wird die Zenerdiode 44 eingeschaltet. In diesem Zustand fließt der durch den Mit­ telspannungsschaltkreis 26 fließende Strom I2′ durch den zweiten Widerstand R2 und die Zenerdiode 44 und deshalb hängt die Spannung V16 nur vom Strom I2′ ab, der durch den zweiten Widerstand R2 fließt.

Dann wird die Steuerung des Schaltens der Primärwicklung 38 des Transformators 10 durch den Spannungskomparator 30 und den Transistor 15 durchgeführt, wie es vorher beschrieben wurde .

Die Fig. 7 ist ein Schaltbild, das eine andere Ausführungs­ form gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt. Im Vergleich mit der Ausführungsform nach Fig. 6 ist bei dieser Ausfüh­ rungsform die Polarität der Sekundärspannung umgedreht und damit wird die Zenerdiode 44 als ein spannungsabhängiges Ele­ ment durch einen Transistor 48 ersetzt.

Claims (7)

1. Hochspannungsversorgungseinrichtung umfassend einen Lei­ stungsteil, einen Steuerteil, einen Sekundärteil, einen Mittelspannungsschaltkreis und einen Hochspannungsschalt­ kreis, wobei
der Leistungsteil einen Transformator (10) mit einer Pri­ märwicklung (38) und einer Sekundärwicklung (12) und ein Schaltelement (36) umfaßt,
der Steuerteil eine Steuereinrichtung (18, 30, 34) zum Umschalten eines Schaltelementes (14, 15) und zum Steuern der Spannung der Primärwicklung (38) mittels des Schaltelementes (36) aufgrund eines Stromes umfaßt, der durch einen ersten und zweiten Widerstand (R1 bzw. R2) fließt, wenn der Hochspannungsschaltkreis (26) in Betrieb ist, und alternativ zum Abschalten des Schaltelementes (14, 15), damit der Hochspannungsschaltkreis (26) nicht in Betrieb ist,
der Sekundärteil eine Serienschaltung aus dem ersten Widerstand (R1) und dem Schaltelement (14, 15), wobei diese Serienschaltung zwischen einem Ende (12a) der Se­ kundärwicklung (12) und einem Bezugspotential angeschlos­ sen ist, und den zweiten Widerstand (R2) aufweist, der parallel zu der Serienschaltung angeschlossen ist, der Mittelspannungsschaltkreis (22) mit dem Hochspan­ nungsschaltkreis (26) über den ersten Widerstand (R1) parallel geschaltet ist, und wobei
eine Diode (20) zwischen dem anderen Ende (12b) der Se­ kundärwicklung (12) und sowohl dem Mittelspannungsschalt­ kreis (22) als auch dem Hochspannungsschaltkreis (26) an­ geschlossen ist.

2. Hochspannungsversorgungseinrichtung nach Anspruch 1, da­ durch gekennzeichnet, daß das Schaltelement (14, 15) ein Transistor ist.

3. Hochspannungsversorgungseinrichtung nach Anspruch 2, da­ durch gekennzeichnet, daß der Transistor als ein Feldef­ fekttransistor ist.

4. Hochspannungsversorgungseinrichtung nach einem der An­ sprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Steuer­ einrichtung einen Hochspannungskomparator (30) umfaßt, der eine von den Spannungsabfällen an R1 und/oder R2 ab­ hängige Istspannung (V16) und eine Bezugsspannung (32) empfängt.

5. Hochspannungsversorgungseinrichtung nach einem der An­ sprüche 1 bis 4, gekennzeichnet durch eine Diode (42), die zwischen einem Verbindungspunkt (16) der Serienschal­ tung und dem Mittelspannungsschaltkreis (22) angeschlos­ sen ist, ein spannungsabhängiges Element (44, 48), das zwischen einem Verbindungspunkt des Mittelspannungs­ schaltkreises (26) und der Diode (42) und einem Bezugspo­ tential angeschlossen ist, und eine Einrichtung (46) zum Anlegen einer Sperrspannung an die Diode (42), wenn der Hochspannungsschaltkreis (26) nicht in Betrieb ist.

6. Hochspannungsversorgungseinrichtung nach Anspruch 5, da­ durch gekennzeichnet, daß das spannungsabhängige Element (44) als eine Zenerdiode ausgebildet ist.

7. Hochspannungsschaltkreis nach Anspruch 5, dadurch gekenn­ zeichnet, daß das spannungsabhängige Element als ein Transistor (48) ausgebildet ist.