DE3717919A1 - Hochspannungsversorgungseinrichtung - Google Patents

Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Hochspannungsversorgungseinrichtung. Insbesondere bezieht sich die vorliegende Erfindung auf eine Hochspannungsversorgungseinrichtung, die die Versorgungsspannungen für zwei Schaltkreise zur Verfügung stellt, die jeweils Spannungen verschiedener Größen erfordern und die an einer Ausgangswicklung eines Transformators angeschlossen sind.

Herkömmlicherweise ist eine Ausrüstung, die eine relativ hohe Spannung und eine Spannung erfordert, die höher ist (im folgenden als "Mittelspannung" und "Hochspannung" bezeichnet), beispielsweise ein elektrostatischer Kopierer, eine elektrostatische Druckeinrichtung, eine elektrostatische Fascimileeinrichtung oder ähnliches, mit individuellen Transformatoren versehen, die für die Mittelspannung bzw. die Hochspannung vorgesehen sind.

Eine derartige Installation der zugeordneten Transformatoren in dem jeweiligen Schaltkreis, der die Mittelspannung erfordert (im folgenden als "Mittelspannungsschaltkreis" bezeichnet), und in einem Schaltkreis, der die hohe Spannung erfordert (im folgenden als "Hochspannungsschaltkreis" bezeichnet), macht nicht nur die Miniaturisierung der Spannungsversorgungseinrichtung schwierig, sondern erhöht auch deren Kosten.

Andererseits wird einfach in Betracht gezogen, daß eine Spannung gleichzeitig sowohl dem Mittelspannungsschaltkreis als auch dem Hochspannungsschaltkreis unter Verwendung eines gemeinsamen Transformators zugeführt wird, wie es in Fig. 1 gezeigt ist.

Die Fig. 1 ist ein Schaltbild, das ein Beispiel einer herkömmlichen Hochspannungsversorgungseinrichtung zeigt, die den Hintergrund der vorliegenden Erfindung bildet. Bei diesem konventionellen Schaltkreis sind ein Mittelspannungsschaltkreis 2 und ein Hochspannungsschaltkreis 3 gemeinsam an einer Ausgangsseite einer Ausgangswicklung 1 a eines Transformators 1 über eine Diode angeschlossen. In dem Fall, wenn dieser herkömmliche Schaltkreis für den elektrostatischen Kopierer verwendet wird, ist der Mittelspannungsschaltkreis 2 beispielsweise ein Vorspannungsschaltkreis für eine Entwicklerstation und der Hochspannungsschaltkreis 3 enthält beispielsweise eine Koronaentladungseinrichtung. Wenn eine Spannung an der Ausgangsseite der Ausgangswicklung höher ist als eine Spannung, die von der Koronaentladungseinrichtung oder dem Hochspannungsschaltkreis 3 erforderlich ist, sind sowohl der Mittelspannungschaltkreis 2 als auch der Hochspannungsschaltkreis 3 gleichzeitig in Betrieb. Jedoch, wenn die Ausgangsspannung niedriger wird als die Koronaentladungsspannung, der Betrieb des Hochspannungsschaltkreises 3 beendet.

Bei dem herkömmlichen Schaltkreis, wie er in Fig. 1 gezeigt ist, kann, da nur ein Strom durch den Hochspannungsschaltkreis 3 fließt, durch einen Erkennungswiderstand RF dann, wenn der Hochspannungsschaltkreis 3 in Betrieb ist, die Eingangsspannung des Transformators durch den Strom gesteuert werden. Jedoch ist es, da kein Strom durch den Erkennungswiderstand RF fließt, wenn der Hochspannungsschaltkreis 3 abgeschaltet ist, unmöglich, die Eingangsspannung durch den Strom durch den Mittelspannungsschaltkreis 2 zu steuern.

Der vorliegenden Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, eine Hochspannungsversorgungseinrichtung anzugeben, bei der eine Ausgangsspannung jeweils in Abhängigkeit von einem formators aufgrund eines Stroms nur durch den Mittelspannungsschaltkreis gesteuert. Wenn die Ausgangsspannung kleiner gemacht wird als die Arbeitsspannung des Hochspannungsschaltkreises, kann im wesentlichen nur der Hochspannungsschaltkreis abgeschaltet werden.

Gemäß der vorliegenden Erfindung wird die Eingangsspannung aufgrund des Stroms gesteuert, der durch den Hochspannungsschaltkreis fließt, wenn der Mittelspannungsschaltkreis und der Hochspannungsschaltkreis in Betrieb sind, und die Eingangsspannung wird aufgrund des Stroms gesteuert, der durch den Mittelspannungsschaltkreis fließt, wenn der Hochspannungsschaltkreis nicht in Betrieb ist, und damit kann eine in höchstem Maße geeignete Spannungssteuerung bei den jeweiligen Zuständen oder Bedingungen durchgeführt werden.

Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung werden im folgenden zusammen mit den zugehörigen Zeichnungen genauer erläutert. Es zeigen:

Fig. 1 ein Schaltbild, das einen herkömmlichen Schaltkreis zeigt, der einen Hintergrund der vorliegenden Erfindung bildet;

Fig. 2 ein Schaltbild, das eine Ausführungsform gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt;

Fig. 3 eine grafische Darstellung, die eine Strom-Spannungs- Charakteristik der Ausführungsform nach Fig. 2 zeigt;

Fig. 4 ein Schaltbild, das eine andere Ausführungsform gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt;

Fig. 5 ein Schaltbild, das ein modifiziertes Beispiel der Ausführungsform nach Fig. 4 zeigt;

Fig. 6 ein Schaltbild, das eine weitere Ausführungsform gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt; und

Fig. 7 ein Schaltbild, das eine andere Ausführungsform gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt.

Die Fig. 2 ist ein Schaltbild, das eine Ausführungsform gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt. Ein Transformator 10 umfaßt eine Ausgangswicklung 12. Ein Ende 12 a der Ausgangswicklung 12 ist mit Erdpotential oder dem Bezugspotential über eine Serienschaltung aus einem ersten Widerstand R 1 und einem Feldeffekttransistor (im folgenden als "FET" bezeichnet) 14 vom n-Kanal-Typ verbunden. Ein zweiter Widerstand R 2 ist zwischen einem Serienschaltungspunkt 16 des einen Endes 12 a und des FET 14 in Parallelschaltung mit dem Bezugspotential verbunden.

Ein invertierter Ausgang Q eines Flipflops 18 ist an dem Gate des FET 14 angeschlossen. Ein Setzeingang des Flipflops 18 wird von einem (nicht dargestellten) Steuerschaltkreis angesteuert.

Ein Mittelspannungsschaltkreis 22, der beispielsweise einen Vorspannungskreis für eine Entwicklungsstation umfaßt, ist über eine Diode 20 in Rückwärtsrichtung zwischen dem anderen Ende 12 b der Ausgangswicklung 12 und einem Verbindungspunkt 24 des FET 14 und des ersten Widerstands R 1 angeschlossen. Ein Hochspannungsschaltkreis 26 umfaßt beispielsweise eine Einrichtung, bei der kein Strom fließt bei einer Spannung, die kleiner als ihre Arbeitsspannung, beispielsweise eine Koronaentladungseinrichtung 28 eines elektrostatischen Kopierers. Der Hochspannungsschaltkreis 26 ist zwischen einem Verbindungspunkt der Diode 20 und dem Mittelspannungsschaltkreis 22 und dem Erdpotential oder dem Bezugspotential angeschlossen.

Der Verbindungspunkt 16 des einen Endes 12 a der Ausgangswicklung 12 und des FET 14 ist weiterhin mit einem (-)-Anschluß des Spannungskomparators 30 verbunden. An einem (+)-Anschluß des Spannungskomparators 30 ist eine Quelle 32 für eine Vergleichsbezugsspannung angeschlossen. Ein Ausgangsanschluß des Spannungskomparators 30 ist mit einer Basis eines npn-Transistors 36 über einen geeigneten Oszillatorverstärkerschaltkreis 34 verbunden. Insbesondere gibt der Spannungskomparator 30 eine Spannung ab, die einen Pegel aufweist, der sich entsprechend der Differenz zwischen zwei Eingangsspannungen verändert. Diese Ausgangsspannung des Spannungskomparators 30 wird dem Oszillatorverstärkerschaltkreis 34 zugeführt. Der Oszillatorverstärkerschaltkreis 34 gibt ein Steuersignal ab, das einen Spannungspegel aufweist, der proportional dem Pegel der Spannung ist, die von dem Spannungskomparator 30 zugeführt wird. Das Steuersignal wird an die Basis des Transistors 36 angelegt. Somit wiederholt der Transistor 36 das Einschalten und Ausschalten in Abhängigkeit von dem Pegel des Steuersignals. Folglich wird eine Eingangsspannung in Form einer Wechselspannung an der Eingangswicklung 38 des Transformators 10 erzeugt, die eine Größe entsprechend dem Steuersignal aufweist. Somit kann durch geeignetes Regeln des Einschalt- und des Ausschaltzustands des Transistors 36, d. h. durch Steuern der Größe des Stroms der Eingangswicklung 38, die Größe der Ausgangsspannung an der Ausgangswicklung 12 geregelt werden.

Wenn bei der Ausführungsform nach Fig. 2 eine Wechselspannung an der Eingangswicklung 38 durch Schalten des Transistors 36 erzeugt wird, wird in der Ausgangswicklung 12 eine Spannung induziert und diese induzierte Spannung wird durch die Diode 20 gleichgerichtet und als eine Ausgangsspannung mit negativer Polarität an dem anderen Ende 12 b der Ausgangswicklung 12 abgenommen.

Wenn nicht nur der Mittelspannungsschaltkreis 22, sondern auch der Hochspannungsschaltkreis 26 betrieben wird, wird das Flipflop 18 durch ein Signal von dem (nicht gezeigten) Steuerschaltkreis zurückgesetzt. Als Folge davon nimmt der invertierte Ausgang Q des Flipflops 18 einen hohen Pegel an, und der FET 14 wird eingeschaltet. Deshalb fließt ein Strom I 1 des Hochspannungsschaltkreises 26 über den ersten Widerstand R 1 und den zweiten Widerstand R 2, wie es durch die durchgezogene Pfeilmarkierung in Fig. 2 gezeigt ist.

Andererseits fließt ein Strom I 2 des Mittelspannungsschaltkreises 22 direkt über die Drain und die Source des FET 14, aber nicht über die obenbeschriebenen beiden Widerstände R 1 und R 2.

Deshalb ist es durch Ermittlung einer Spannung V 16 an dem Verbindungspunkt 16 mittels des Spannungskomparators 30 möglich, nur den Strom durch den ersten Widerstand R 1 und den zweiten Widerstand R 2 zu erkennen, d. h. den Strom I 1, der über den Hochspannungsschaltkreis 26 fließt. Auf der anderen Seite beeinflußt der Strom I 2 des Mittelspannungsschaltkreises 22 nicht die Spannung V 16 an dem Verbindungspunkt 16. Somit reagiert der Spannungskomparator 30 nur auf den Strom, der über den Hochspannungsschaltkreis 26 fließt, wenn der Hochspannungsschaltkreis 26 in Tätigkeit ist. Dann kann mittels des Spannungskomparators 30 die Eingangsspannung des Transformators 10 durch Steuern des Transistors 36 gesteuert werden, so daß die Spannung I 1 · {R 1 R 2/(R 1- + R 2)} konstant wird. Während dieser Zeit sind, wenn die Größe der Ausgangsspannung derart eingestellt wird, daß sie größer ist als die Arbeitsspannung der in dem Hochspannungsschaltkreis 26 enthaltenen Koronaentladungseinrichtung 28, sowohl der Mittelspannungsschaltkreis 23 als auch der Hochspannungsschaltkreis 26 in Betrieb genommen.

Nun wird, um dafür zu sorgen, daß der Hochspannungsschaltkreis 26 nicht in Betrieb genommen wird, das Flipflop 18 durch das Steuersignal gesetzt. Damit nimmt ein nicht-invertierter Ausgang einen hohen Pegel an und der invertierte Ausgang Q nimmt einen niedrigen Pegel an. Deshalb wird der FET 14 abgeschaltet. In diesem Zustand fließt ein Strom I 2′ über den Mittelspannungsschaltkreis 26, wie es durch eine gestrichelte Pfeilmarkierung gezeigt ist. D. h., der Strom I 2′ des Mittelspannungsschaltkreises 22 fließt über den zweiten Widerstand R 2. Somit hängt die Spannung V 16 an dem Verbindungspunkt 16 nur von dem Strom I 2′ ab, der über den zweiten Widerstand R 2 fließt, da der Hochspannungsschaltkreis 26 in dem nicht-arbeitenden Zustand ist.

Der Spannungskomparator 30 steuert den Transistor 36 gemäß der Spannung V 16 an dem Verbindungspunkt 16, so daß die Spannung (I 1′ + I 2′)R 2 konstant wird.

Wenn die Ausgangsspannung an dem anderen Ende 12 b der Ausgangswicklung 12 derart eingestellt wird, daß sie kleiner ist als die Entladungsstartspannung (beispielsweise 2 kV) der Koronaentladungseinrichtung 28, die in den Hochspannungsschaltkreis 26 vorgesehen ist, wird der Strom I 1′ Null und damit wird der Hochspannungsschaltkreis 26 abgeschaltet. Somit wird, wenn der Hochspannungsschaltkreis 26 nicht in Betrieb ist, die Eingangsspannung des Transformators 10 nur durch den Strom I 2′ gesteuert, der durch den Mittelspannungsschaltkreis 22 fließt.

Zusätzlich wird, wenn der FET 14 eingeschaltet oder ausgeschaltet wird, die Spannung an der Ausgangswicklung 12 des Transformators 10 verändert. Zu diesem Zweck kann in dem Mittelspannungsschaltkreis 22 ein Spannungsregler eingebaut werden, falls dies erforderlich ist.

Bei der Ausführungsform nach Fig. 2 schließt also der Hochspannungsschaltkreis eine Koronaentladungseinrichtung 28 ein, die bei einer vorgegebenen Spannung V 0′, wie sie in Fig. 3 gezeigt ist, nicht arbeitet, was zur Folge hat, daß kein Strom I 1′ fließt. Deshalb ist, wenn die Ausgangsspannung an dem anderen Ende 12 b derart eingestellt ist, daß sie kleiner ist als V 0′, so daß I 1′ von (I 1′ + I 2′)R 2 Null wird, nur der Mittelspannungsschaltkreis 22 betreibbar und deshalb ist es möglich, nur den Hochspannungsschaltkreis 26 ein- oder auszuschalten.

Durch eine derartige Beziehung muß bei der Ausführungsform die Betriebsspannung des Mittelspannungsschaltkreises 22 kleiner sein als die Spannung, bei der die Koronaentladungseinrichtung 28 mit dem Entladen beginnen kann.

Die Fig. 4 ist ein Schaltbild, das eine andere Ausführungsform zeigt. Diese Ausführungsform unterscheidet sich von der Ausführungsform nach Fig. 2 dadurch, daß die Polarität der Ausgangsspannung umgedreht ist.

In Fig. 4 ist ein Ende 12 a der Ausgangswicklung 12 des Transformators 10 mit einer Spannungsquelle 40 verbunden, um eine Bezugsspannung Vk durch eine Serienschaltung eines FET 14 vom p-Kanal-Typ und eines ersten Widerstands R 1 zu bilden. Ein zweiter Widerstand R 2 ist parallel zu der Serienschaltung des FET 14 und des ersten Widerstands R 1 geschaltet.

Ein invertierter Ausgang Q des Flipflops 18 wird einem Gate des FET 14 zugeführt, wie bei der Ausführungsform nach Fig. 2.

Der Mittelspannungsschaltkreis 22 ist über die Diode 20 in Vorwärtsrichtung zwischen dem anderen Ende 12 b der Ausgangswicklung 12 und einem Verbindungspunkt 24 des FET 14 und des ersten Widerstands R 1 angeschlossen. Der Hochspannungsschaltkreis 26, der die Koronaentladungseinrichtung 28 enthält, ist zwischen einem Verbindungspunkt der Diode 20 und dem Mittelspannungsschaltkreis 22 und dem Bezugspotential angeschlossen.

Die Funktion der Ausführungsform nach Fig. 4 ist im wesentlichen äquivalent zu derjenigen der Ausführungsform nach Fig. 2, mit der Ausnahme, daß die Polarität umgekehrt ist und die Bezugsspannung Vk der Spannung V 16 an dem Verbindungspunkt 16 hinzuaddiert (oder von dieser subtrahiert) wird. Deshalb wurde eine doppelte Beschreibung hier weggelassen.

Die Ausführungsform nach Fig. 4 kann derart modifiziert werden, wie es in Fig. 5 gezeigt ist. Bei der Ausführungsform nach Fig. 5 wird anstelle des FET 14 nach Fig. 4 ein pnp-Transistor 15 verwendet.

Die Fig. 6 ist ein Schaltbild, das eine noch andere Ausführungsform gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt. Diese Ausführungsform unterscheidet sich im wesentlichen von der Ausführungsform nach Fig. 2 in dem folgenden Punkt. Insbesondere ist eine Anode einer Diode 42 mit dem Verbindungspunkt 16 verbunden und der Mittelspannungsschaltkreis 22 ist mit einer Kathode der Diode 42 verbunden. Ein Verbindungspunkt der Diode 42 und des Mittelspannungschaltkreises 22 ist über eine Kathode und eine Diode einer Zenerdiode 44 geerdet. Ein Verbindungspunkt der Diode 42 und der Mittelspannungsschaltkreis 22 ist auch mit einem Vorspannungsanschluß 46 über einen geeigneten Widerstand verbunden. An dem Vorspannungsanschluß 46 ist der nicht-invertierte Ausgang Q des Flipflops 18 angeschlossen.

Zusätzlich wird anstelle des FET 14 vom n-Kanal-Typ, wie er in Fig. 2 gezeigt ist, ein npn-Transistor 15 als Schaltelement verwendet.

Wenn sowohl der Mittelspannungsschaltkreis 22 als auch der Hochspannungsschaltkreis 26 in Betrieb genommen werden sollen, wird das Flipflop 18 durch das Signal von dem Steuerschaltkreis zurückgesetzt. Als Antwort darauf nimmt der invertierte Ausgang Q des Flipflops 18 einen hohen Pegel an und damit wird der Transistor 15 eingeschaltet. Zu diesem Zeitpunkt ist der nicht-invertierte Ausgang Q des Flipflops 18 auf einem niedrigen Pegel und eine positive Spannung liegt an dem Vorspannungsanschluß 46 an. In diesem Zustand ist die Spannung V 16 an dem Verbindungspunkt 16 kleiner als die Spannung V 44 der Zenerdiode 44 (V 16 ≦ωτ V 44), und somit fließt kein Strom durch die Zenerdiode 44. Deshalb fließt der Strom I 1 des Hochspannungsschaltkreises 26 durch den ersten Widerstand R 1 und den zweiten Widerstand R 2, wie es durch die durchgezogenen Pfeilmarkierungen in Fig. 6 gezeigt ist.

Andererseits fließt in diesem Zustand der Strom I 2 des Mittelspannungsschaltkreises 22 durch die Diode 42, wie es durch die durchgezogene Pfeilmarkierung gezeigt ist, da die Diode 42 leitend gesteuert ist. Deshalb fließt der Strom I 2 nicht über die obenbeschriebenen beiden Widerstände R 1 und R 2.

Dabei hat, wie oben beschrieben, selbst wenn der Transistor 15 eingeschaltet ist, sein Basisstrom keinen Einfluß auf die ermittelte Spannung V 16. Der Grund liegt darin, daß der erste Widerstand R 1 auf eine höhere Position im Potential eingestellt ist als die Position, bei der der Basisstrom des Transistors 15 fließt.

Andererseits wird, wenn der Hochspannungsschaltkreis in Betrieb genommen werden soll, das Flipflop 18 durch das Steuersignal gesetzt. Somit wird der Transistor 15 abgeschaltet und die positive Spannung oder der hohe Pegel wird an den Vorspannungsanschluß 46 angelegt. Damit wird die Zenerdiode 44 eingeschaltet. In diesem Zustand fließt der durch den Mittelspannungsschaltkreis 26 fließende Strom I 2′ durch den zweiten Widerstand R 2 und die Zenerdiode 44 und deshalb hängt die Spannung V 16 nur vom Strom I 2′ ab, der durch den zweiten Widerstand R 2 fließt.

Dann wird die Steuerung des Schaltens der Eingangswicklung 38 des Transformators 10 durch den Spannungskomparator 30 und den Transistor 38 durchgeführt, wie es vorher beschrieben wurde.

Die Fig. 7 ist ein Schaltbild, das eine andere Ausführungsform gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt. Im Vergleich mit der Ausführungsform nach Fig. 6 ist bei dieser Ausführungsform die Polarität der Ausgangsspannung umgedreht und damit wird die Zenerdiode 44 als ein spannungsabhängiges Element durch einen Transistor 48 ersetzt.

Auch kann, wenn eine Schalteinrichtung für den Mittelspannungsschaltkreis 22 in Verbindung mit diesem vorgesehen ist, nur der Mittelspannungsschaltkreis abgeschaltet werden, unabhängig von dem Hochspannungsschaltkreis 26.

Bei den oben beschriebenen Ausführungsformen wurde die Beschreibung der vorliegenden Erfindung im Zusammenhang mit Beispielen durchgeführt, die als eine Spannungsversorgungseinrichtung für einen elektrostatischen Kopierer usw. verwendet werden. Es ist jedoch überflüssig, zu erwähnen, daß die vorliegende Erfindung als eine beliebige Spannungsversorgungseinrichtung verwendet werden kann, die eine Spannung sowohl zu dem Mittelspannungsschaltkreis als auch zu dem Hochspannungsschaltkreis von einem gemeinsamen Transformator zuführt.

Claims (9)

1. Hochspannungsversorgungseinrichtung mit einem Transformator (10) mit einer Eingangswicklung (38) und einer Ausgangswicklung (12), gekennzeichnet durch eine Serienschaltung aus einem ersten Widerstand (R 1) und einem Schaltelement (14, 15), wobei dieses Serienschaltung zwischen einem Ende (12 a) der Ausgangswicklung (12) und einem Bezugspotential angeschlossen ist, einen zweiten Widerstand (R 2), der parallel zu der Serienschaltung angeschlossen ist, einen Mittelspannungsschaltkreis (22), der zwischen dem anderen Ende (12 b) der Ausgangswicklung (12) und dem Bezugspotential angeschlossen ist, einen Hochspannungsschaltkreis (26), der parallel zu dem Mittelspannungsschaltkreis (22) angeschlossen ist, eine erste Steuereinrichtung (18, 30, 34, 36) zum Einschalten des Schaltelements (14, 15) und zum Steuern einer Eingangsspannung der Eingangswicklung (38) aufgrund eines Stroms, der durch den ersten und zweiten Widerstand (R 1 bzw. R 2) fließt, wenn der Hochspannungsschaltkreis (26) in Betrieb ist, und eine zweite Steuereinrichtung (18, 20, 34, 36) zum Abschalten des Schaltelementes (14, 15) und zum Steuern der Eingangsspannung aufgrund eines Stroms, der durch den zweiten Widerstand (R 2) fließt, wenn der Hochspannungschaltkreis (26) nicht in Betrieb ist.

2. Hochspannungsversorgungseinrichtung nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch eine Diode (20), die zwischen dem anderen Ende (12 b) der Ausgangswicklung (12) und sowohl dem Mittelspannungsschaltkreis (22) als auch dem Hochspannungsschaltkreis (26) angeschlossen ist.

3. Hochspannungsversorgungseinrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Schaltelement (14, 15) als Transistor ausgebildet ist.

4. Hochspannungsversorgungseinrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Transistor als ein Feldeffekttransistor (14) ausgebildet ist.

5. Hochspannungsversorgungseinrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Steuereinrichtung und die zweite Steuereinrichtung einen Hochspannungskomparator (30), der eine Erkennungsspannung (V 16) und eine Bezugsspannung empfängt, und eine Schalteinrichtung (34, 36) umfassen zum Schalten eines Schaltkreises, der die Eingangswicklung (38) einschließt, in Abhängigkeit von einer Ausgangsspannung des Spannungskomparators (30).

6. Hochspannungsversorgungseinrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Hochspannungsschaltkreis (26) eine Koronaentladungseinrichtung (28) umfaßt und daß eine Einrichtung zum Steuern einer Ausgangsspannung der Ausgangswicklung in Abhängigkeit von einem durch den zweiten Widerstand (R 2) fließenden Strom vorgesehen ist, so daß die Ausgangsspannung kleiner wird als eine Spannung, bei der die Koronaentladungseinrichtung (28) mit der Entladung beginnt.

7. Hochspannungsversorgungseinrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, gekennzeichnet durch eine Diode (42), die zwischen einem Verbindungspunkt (16) der Serienschaltung und dem Mittelspannungsschaltkreis (22) angeschlossen ist, eine spannungsabhängiges Element (44, 48), das zwischen einem Verbindungspunkt des Mittelspannungsschaltkreises (26) und der Diode (42) und einem Bezugspotential angeschlossen ist, und eine Einrichtung (46) zum Anlegen einer umgekehrten Vorspannung an die Diode (42), wenn der Hochspannungsschaltkreis (26) nicht in Betrieb ist.

8. Hochspannungsversorgungseinrichtung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß das Spannungsabhängige Element (44) als ein Zenerdiode ausgebildet ist.

9. Hochspannungsschaltkreis nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß das spannungsabhängige Element als ein Transistor (48) ausgebildet ist.