DE3687297T2 - Schaltung zum ableiten gespeicherter induktiver energie. - Google Patents

Schaltung zum ableiten gespeicherter induktiver energie.

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DE3687297T2 DE8686901595T DE3687297T DE3687297T2 DE 3687297 T2 DE3687297 T2 DE 3687297T2 DE 8686901595 T DE8686901595 T DE 8686901595T DE 3687297 T DE3687297 T DE 3687297T DE 3687297 T2 DE3687297 T2 DE 3687297T2
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Description

    Hintergrund der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung betrifft einen intergrierten Steuerschaltkreis zum Treiben einer induktiven Last und zur Ableitung gespeicherter Energie in der induktiven Last. Die Erfindung ist anwendbar zur sicheren Ableitung der gespeicherten Energie einer induktiven Last eines integrierten Fahrzeugschaltkreissystems, um Schaden an dem System unter bestimmten Umständen zu verhindern.
  • Fahrzeugsysteme wie Fenstersteuerungssysteme, Kraftstoffeinspritzsysteme, Kraftsoffpumpen, usw. enthalten Magnetspulen oder Relais zur Steuerung des Betriebs des jeweiligen Systems. Die Relais oder Magnetspulen können von einem integrierten Steuermodulschaltkreis, der Halbleiterbauteile enthält, betrieben oder gespeist werden. Der integrierte Steuermodulschaltkreis kann einen PNP-Transistor beinhalten, der in Reihenschaltung zwischen einer Quelle des Betriebspotentials (einer Batterie) und der induktiven Last (einem Relais oder Magnetspule) angeordnet ist. Das Einschalten und Ausschalten des PNP-Transistors wird durch interne Steuerschaltkreise des Steuermoduls gesteuert. Der PNP-Transistor arbeitet somit als Stromschalter zum Einschalten und Ausschalten der induktiven Last. Im Allgemeinen sind diese induktiven Lasten entfernt von dem integrierten Steuermodulschaltkreis angeordnet, obwohl beide mit einer gemeinsamen Massereferenz, die das Fahrzeugchassis sein kann, verbunden sind.
  • Während des Betriebs werden die induktiven Lasten von der positiven Seite der Batterie über den PNP-Transistorschalter betrieben. Wird der PNP-Transistor abgeschaltet, wird die induktive Last versuchen, wie man weis, den Stromfluß dortdurch aufrechtzuerhalten. Dieser Umstand verursacht einen großen negativen Spannungssprung, der am Kollektor des in Reihe liegenden PNP-Transistors auftritt. In wenigstens einem System nach dem Stand der Technik wird eine externe einzelne Leistungszenerdiode zwischen die positive Batterieversorgung und dem Kollektor des in Reihe liegenden Transistors geschaltet. Die Zenerdiode wird auf Grund des negativen Spannungssprungs zum Leiten gebracht, um einen Stromführungspfad zu der induktiven Last bereitzustellen, sobald der in Reihe liegende Transisitor abschaltet, sodaß die gespeicherte Energie der Last abgeleitet wird, wodurch der integrierte Steuermodulschaltkreis geschützt wird, da die Zenerdiode die negative Spannung auf einen nichtzerstörenden Maximalpegel begrenzt.
  • Ein Problem bei der obigen Ableitungsmethode besteht darin, daß die Zenerdiode relativ große Ströme an die induktive Last liefern muß in Verbindung mit einem hohen Spannungsabfall darüber, was bedeutet, daß die Zenerdiode ein Hochleistungsbauteil sein muß. Somit ist ein großes externes Einzelbauteil erforderlich, um dazu fähig zu sein, die abzuleitende Leistung zu handhaben. Dazu kommt, daß moderne Leistungszenerdioden relativ teuer für den Fahrzeughersteller sind.
  • Ein anderes Problem mit Fahrzeugsystemen nach dem Stand der Technik, die den Zenerdiodenschutz wie oben beschrieben verwenden, betrifft umgekehrte Batteriepolung. Ist z.B. die Batterie eines Automobils umgekehrt angeschlossen, z.B. der negative und positive Anschluß vertauscht, wird ein negatives Potential an das Steuermodul und die Zenerdiode geliefert. Dadurch wird die Zenerdiode in Vorwärtsrichtung leitend und bereitet einen direkten Stromführungspfad zu der induktiven Last. Ist die induktive Last z.B. ein Relais, wird das Relais erregt, da die meisten, wenn nicht alle, Relais zweiseitig sind, d.h. sie werden durch einen in jeder Richtung fließenden Strom erregt.
  • Dies ist ein sehr unerwünschter Zustand, da das Relais vielleicht eine Kraftsoffpumpe betreibt, die daher ständig arbeiten würde, wenn die Batterie umgekehrt angeschlossen ist. In Systemen nach dem Stand der Technik wird dieses Problem manchmal durch eine zusätzliche Diode in Reihe mit der Zenerdiode gelöst, um das Leiten während des Zustands umgekehrter Batterie zu blockieren. Diese Lösung fügt ein weiteres für den Hersteller teures Bauteil hinzu.
  • Zusätzlich zu dem oben beschriebenen umgekehrten Batteriezustand muß das automatische integrierte Steuermodul auch anderen abnormalen Zuständen, wie Verlust des positiven Batterieanschlusses oder den Verlust der Masseverbindung während der Zeit, in der die induktive Last gespeist wird, widerstehen. Einige Schutzeinrichtungen nach dem Stand der Technik, wie die Zener oder Zener plus Diode Methode, stellen keinen Leitungspfad für die induktiv gespeicherte Energie für diese beiden abnormalen Zustände zur Verfügung. Somit kann die hohe negative Spannung, die sich über der induktiven Last bildet, den Zerstörungspegel der integrierten Schaltung innerhalb des Steuermoduls überschreiten.
  • Es besteht daher eine Notwendigkeit für ein verbessertes und preiswertes System zur Ableitung gespeicherter induktiver Energie in einer induktiven Last, die mit einem integrierten Schaltkreis gekoppelt ist, besonders dann, wenn ein solcher integrierter Schaltkreis im Fahrzeugbereich verwendet wird.
  • Ein Steuerschaltkreis nach dem Stand der Technik, Teil von Anspruch 1, ist in US-A-4178619 offengelegt. Andere solcher Schaltkreise sind bekannt aus US-A-4167030 und 0. KILGENSTEIN, "Formeln und Diagramme der Elektronik Diskrete Halbleiterbauelemente" 1. Ausgabe, 1981, Vogelverlag Würzburg, Seiten 241, 242.
  • Erfindungsgemäß wird folglich versucht, einen verbesserten Schaltkreis zur Ableitung gespeicherter induktiver Energie bereitzustellen, der zur Ableitung gespeicherter induktiver Energie in einer induktiven Last eines Fahrzeugsystems geeignet ist.
  • Erfindungsgemäß wird ein integrierter Steuerschaltkreis zum Betreiben einer daran gekoppelten induktiven Last bereitgestellt. Der integrierte Steuerschaltkreis bestehend aus einem Reihentransistor (20), eingerichtet, um zwischen eine externe Quelle des Betriebspotentlals und einen Ausgang (16) des integrierten Steuerschaltkreises als Stromquelle für die induktive Last, die zwischen Ausgang (16) und Massepotential gekoppelt ist, gekoppelt zu werden, erstem und zweitem Stromversorgungsleiter (26, 28), der erste Stromversorgungsleiter eingerichtet zum Empfang des Betriebspotentials, der zweite Stromversorgungsleiter eingerichtet zum Empfang des Massepotentials; einschließlich der Schaltelemente (30, 32, 34, 40), die zwischen den zweiten Stromversorgungsleiter und den Ausgang der integrierten Steuerschaltung gekoppelt sind, zur Bereitstellung sowohl eines direkten Stromleitungspfades zu der induktiven Last wann immer die Schaltung wirksam wird infolge des Abschaltens des Transistors durch Unterbrechen des Betriebspotentials von dem ersten Stromversorgungsleiter während der Reihentransistor die induktive Last antreibt, als auch der Verhinderung des direkten Stromleitungspfades während normaler Betriebsbedingungen der Schaltung, dadurch gekennzeichnet, daß die Schaltung weiterhin enthält:
  • einen gesteuerten Siliziumgleichrichterkreis (30), dessen erste und zweite Elektroden zwischen den zweiten Stromversorgungsleiter (28) und den Ausgang (16) des integrierten Steuerschaltkreises gekoppelt sind, und eine Steuerelektrode (G) des gesteuerten Siliziumgleichrichters, umfassend einen ersten Transistor (36), Bestandteil des integrierten Steuerschaltkreises, mit erster, zweiter und Steuerelektrode, die erste Elektrode angeschlossen an den Ausgang (16), einen zweiten Transistor (38), Bestandteil des integrierten Steuerschaltkreises, mit erster, zweiter und Steuerelektrode, die erste und zweite Elektrode angeschlossen an den zweiten Stromversorgungsleiter (28) bzw. an die Steuerelektrode des ersten Transistors, die Steuerelektrode angeschlossen an die zweite Elektrode des ersten Transistors, und
  • einer Zenerdiode (32) angeschlossen zwischen dem zweiten Stromversorgungsleiter und der Steuerelektrode des gesteuerten Siliziumgleichrichters, die Zenerdiode (32) angeschlossen zwischen der Steuerelektrode des zweiten Transistors und der Steuerelektrode des ersten Transistors.
  • Kurzbeschreibung der Figuren
  • Figur 1 ist ein Teilblock und ein schematisches Schaltbild, das einen erfindungsgemäßen Steuerschaltkreis darstellt.
  • Figur 2 ist eine schematische Darstellung des integrierten gesteuerten Siliziumgleichrichters des Schaltkreises von Abbildung 1.
  • Detailbeschreibung der bevorzugten Ausführung
  • In den Figuren wird innerhalb der unterbrochenen Umrandung 10 ein allgemeiner Typ eines Steuermoduls gezeigt, das erfindungsgemäße Schaltkreise zur Ableitung gespeicherter induktiver Energie enthält. Steuermodul 10 kann im Form eines monolithisch integrierten Schaltkreises hergestellt werden und besitzt die äußeren Anschlüsse 12, 14 und 16. Bei Verwendung in einem Fahrzeugsystem würde der integrierte Steuermodulschaltkreis 10 über die Anschlüsse 12 und 14 mit der positiven Batterieklemme bzw. Chassismasse des Automobils verbunden werden. Steuermodul 10 wird mit Ausgangsanschluß 16 mit einer externen induktiven Last (18) verbunden (symbolisiert durch die Spule), die von der hohen Seite (positiv) der Automobilbatterie durch den PNP-Transistor 20 gespeist wird. Induktive Last 18 kann z.B. ein Relais oder eine Magnetspule in dem Fahrzeugsystem sein, die von dem Steuermodul 10 betrieben werden. PNP-Transistor 20 ist generell ein Bauteil mit hohen Durchbruch, dessen Emitter-Kollektorpfad über den Stromversorgungsleiter 26 zwischen die Batterie, die die Quelle des Betriebspotentials VCC bildet, und Ausgang 16 zu der induktiven Last (18) geschaltet ist. Das Leitvermögen des Transistors (20) wird durch den Steuerkreis 22 gesteuert, der mit VCC und Masse durch den Anschluß zwischen den Stromversorgungsleitern 26 und 28 verbunden ist. Andere integrierte Schaltkreise können in das Steuermudul 10 einbezogen werden, wie z.B. der gezeigte integrierte Schaltkreis 24, der zwischen den Stromversorgungsleitern 26 und 28 angeschlossen ist.
  • Wenn der Reihentransistor 20 durch den Steuerschaltkreis 22 leitend geschaltet wird, wird Strom zum Ausgangsanschluß 16 gezogen, wodurch die induktive Last gespeist wird, um das betreffende Fahrzeugsystem zu betätigen. Wenn Transistor 20 nichtleitend geschaltet wird, muß die in der induktiven Last 18 gespeicherte Energie abgeleitet werden. Wie bekannt, versucht die induktive Last bei Abschalten des Transistors 20 den Stromfluß durch diesen aufrechtzuerhalten. Dies hat eine große negative Spannung oben an der induktiven Last 18 zur Folge, die an den Kollektor des Transistors 20 angelegt wird. Ist kein Strompfad zur Ableitung der gespeicherten induktiven Energie vorgesehen, kann diese negative Spannung die integrierte Schaltung, die das Steuermodul 10 bildet, beschädigen oder zerstören. Wie zuvor erwähnt, wurde beim Stand der Technik eine Leistungszenerdiode verwendet, die zwischen VCC und Anschluß 16 in einer Weise geschaltet ist, daß sie auf Grund der negativen Spannung, die an Anschluß 16 erscheint, leitend wird, um einen Stromleittungspfad von VCC durch die induktive Last 18 zu bilden.
  • Die Verwendung der Zenerdiode, wie oben erwähnt, ist jedoch aus verschiedenen Gründen nicht wünschenswert. Abgesehen von dem realtiv hohen Preis besteht ein Leitungspfad in Vorwärtsrichtung durch die Zenerdiode, der die induktive Last 18 speisen wird, wenn VCC negativ wird, z.B. wenn die Batterieanschlüsse vertauscht zwischen die Stromversorgungsleiter 26 und 28 angeschlossen werden. Auch besteht für den Fall, daß VCC unterbrochen wird während die induktive Last 18 gespeist wird, z.B. wenn die Batterie abgeklemmt wird, kein Leitungspfad zur Ableitung der gespeicherten Energie der induktiven Last (18), wenn diese nachfolgend abgeschaltet wird, indem der Transistor (20) nichtleitend geschaltet wird.
  • Um die vorerwähnten Probleme zu überwindun, wird erfindungsgemäß zur Ableitung gespeicherter induktiver Energie ein Schaltkreis innerhalb des Steuermoduls (10) bereitgestellt, der einen gesteuerten Siliziumgleichrichter (SCR) enthält, dessen Kathode und Anode, wie gezeigt, mit dem Ausgangsanschluß 16 bzw. dem Stromversorgungsleiter 28 verbunden sind, und dessen Steuerelektrode (Gate) mit der Anode der Zenerdiode 32 verbunden ist, deren Kathode mit dem Stromversorgungsleiter 28 über die Basis-Emitterstrecke des Transistors 38 verbunden ist. Zusätzlich ist eine zweite Zenerdiode 34 zwischen die Basis oder Steuerelektrode des Transistors 20 und Ausgangsanschluß 16 geschaltet. SCR 30 ist schematisch, bestehend aus den NPN und PNP Transitoren 36 und 38, wie gut bekannt ist, dargestellt. Ein Vorladungswiderstand 40 ist zwischen den Stromversorgungsleiter 26 und die verbundenen Basis und Emitterlektroden des PNP Transistors 38 bzw. NPN Transistors 36 geschaltet. Widerstand 40 dient zur Vorladung des Grenzschichtkondensators 44, der durch die parasitäre Kapazität zwischen der Epitaxieschicht und dem Substrat der integrierten Steuermodulschaltung 10 gebildet wird. Durch Vorladung der Kapazität 44 wird eine Falschtriggerung von SCR 30 unter bestimmten Umständen unterbunden, wie hierin später erklärt werden wird. Widerstand 42 stellt den minimalen Haltestrom des SCR 30 ein und vermindert die Empfindlichkeit von SCR 30 gegenüber raschen Spannungsänderungen über der Last 18, wie zu verstehen ist.
  • Im Normalbetrieb, wenn Transistor 20 abgeschaltet wird, um das Treiben der Last zu unterbinden, wird die Spannung an der induktiven Last 18 negativ im Bezug zu der Spannung, die darüber aufgebaut wurde, als sie gespeist wurde. Da die Höhe dieser negativ gehenden Spannung einen Wert gleich VCC minus der Durchbruchspannung der Zenerdiode 34 plus einer VBE (wobei VBE die Basis-Emitterspannung des Transistors 20 ist) erreicht, wird Zenerdiode 34 leitend und der Transistor 20 eingschaltet, wodurch die gespeicherte Energie der induktiven Last 18 abgeleitet wird, da ein direkter Stromleitungspfad hergestellt ist. Folglich werden, solange die Durchbruchspannung der Zenerdiode 34 gleich oder kleiner gemacht wird als die Durchbruchspannung der Zenerdiode 32, entsprechend einem vorbestimmten Wert, und solange ein Bertiebspotential VCC an das Steuermodul 10 angelegt ist, bei normalem Betrieb die Zenerdiode 32 und SCR 30 niemals leiten.
  • Wenn jedoch die induktive Last 18 über Transistor 20 gespeist wird und wenn VCC unterbrochen wird, könnte das Steuermodul anderweitig beschädigt werden, da dort kein direkter Stromleitungspfad bestehen würde, um die gespeicherte Energie in der induktiven Last abzuleiten. Sollte dieser Umstand eintreten, wird Zenerdiode 32 leitend, sobald die Spannung über der induktiven Last in negativer Richtung abfällt bis eine Spannung gleich der Durchbruchspannung der Zenerdiode 32 plus der Basis-Emitterspannung des Transistors 36 erreicht wird. Bei diesem Wert zündet SCR 30 und es wird ein direkter Stromleitungspfad von Masse über den SCR nach Ausgangsanschluß 16 und der Last hergestellt, um die gespeicherte Energie abzuleiten. Einmal gezündet, fällt die Spannung über SCR 30 auf einen niedrigen Wert ab, was den Leistungsbedarf des SCR reduziert, wie zu verstehen ist. Folglich wird unter normalen Betriebsbedingungen ein Stromleitungspfad über die Zenerdiode 34 und den Transistor 20 hergestellt, um die gespeicherte induktive Energie in der induktiven Last 18 abzuleiten, wann immer Transistor 20 nichtleitend geschaltet wird. Außerdem wird ein direkter Stromleitungspfad über SCR 30 hergestellt, um die Lastenergie abzuleiten, wenn VCC verlorengeht oder unterbrochen wird während Last 18 gespeist wird. Weiterhin besteht kein Pfad zur Stromführung an die induktive Last 18 wenn die Batterieanschlüsse vertauscht sein sollten. Folglich verhindert das Steuermodul 10 erfindungsgemäß, daß die induktive Last 18 gespeist wird, wenn eine negative Spannung an Anschluß 12 angelegt wird. Weiter erlaubt der verminderte Leistungsbedarf für den SCR die Verwendung einer minimalen Bauteilfläche zur Integration des SCR 30 auf dem integrierten Schaltkreis. Weiterhin sind die Zenerdioden 32 und 34 Kleinleistungsbauteile, die einen minimalen Platzbedarf haben.
  • Vorladungswiderstand 40 verhindert eine Falschtriggerung von SCR 30 unter den Umständen, wo der Massebezug an Anschluß 14 verloren ist oder eine negative Spannungsänderung (dv/dt) mit sehr hoher Rate an Ausgang 14 auftritt. Geht die Masse aus irgendeinem Grund während des normalen Betriebs verloren, könnte die parasitäre Kapazität 44 andernfalls einen Stromfluß liefern, wenn der Stromversorgungsleiter 28 positiv wird und Strom durch die integrierte Schaltung des Steuermoduls derart geführt wird, daß der Stromversorgungsleiter beginnt, sich der Spannung VCC zu nähern. Dies könnte den SCR 30 veranlssen, zu zünden, wenn die Vorladung des Kondensators 44 auf VCC durch Widerstand 40 fehlt. Folglich kann, durch die Aufladung von Kondensator 44 auf VCC, der SCR 30 nicht zünden, bis das Massepotential über VCC hinausgeht, was bei Verlust der Masse nicht möglich ist. Widerstand 40 reduziert außerdem stark die Empfindlichkeit von SCR 30 gegenüber Falschtriggerung auf Grund hoher dv/dt am Ausgang 16, indem er bewirkt, daß die Größe des dv/dt induzierten Stromes in Kondensator 44 VCC/R40 übersteigt, bevor PNP 38 leitend wird und SCR 30 zündet.
  • Die SCR-Technik schützt die anderen integtrierten Schaltkreise, z.B. den integrierten Schaltkreis 24, nicht, wenn die Last während eines Verlusts der Masse abgeschaltet wird. Wird die induktive Last 18 während eines Verlusts der Masse abgeschaltet, ist das Steuermodul 10 durch die Zenerdiode 34 geschützt. Die Verwendung der Zenerdiode 34, die zwischen die Basis- und Kollektorelektroden von Transistor 20 geschaltet ist, ist stark verbessert gegenüber der Verwendung einer einzelnen Leistungszenerdiode, die zwischen VCC und Anschluß 16 geschaltet ist, dadurch, daß nur der kleine Basisstrom von Transistor 20 verwendet wird, der durch die Zenerdiode 34 geleitet wird, wenn diese durch eine resultierende negative Spannung, die am Ausgang 16 erscheint, leitend wird.
  • Folglich ist, was oben beschrieben wurde, eine neuartige Kombination eines Reihenleistungstransistors, Zenerdioden, einem Widerstand und eines SCR zur Ableitung gespeicherter induktiver Energie in einem Fahrzeugsystem. Weiterhin erlaubt die offengelegte Schaltung zur Ableitung der gespeicherten induktiven Energie nicht, daß die induktive Last, die an das System gekoppelt ist, bei Verlust der Masse oder umgekehrten Batteriebedingungen gespeist wird. Ferner ist das Steuermodul, das die induktive Last betreibt, geschützt, wenn entweder der positive Batterie- oder der Masseanschluß während des Betriebs des Fahrzeugsystems geöffnet werden.

Claims (4)

1. Integrierter Steuerschaltkreis zum Betreiben einer daran gekoppelten induktiven Last. Der integtrierte Steuerschaltkreis bestehend aus einem Reihentransistor (20), eingerichtet, um zwischen eine externe Quelle des Betriebspotentials und einen Ausgang (16) des integrierten Steuerschaltkreises als Stromquelle für die induktive Last, die zwischen Ausgang (16) und Massepotential gekoppelt ist, gekoppelt zu werden, erstem und zweitem Stromversorgungsleiter (26, 28), der erste Stromversorgungsleiter eingerichtet zum Empfang des Betriebspotentials, der zweite Stromversorgungsleiter eingerichtet zum Empfang des Massepotentials; einschließlich den Schaltelementen (30, 32, 34, 40), die zwischen den zweiten Stromversorgungsleiter und den Ausgang der integrierten Steuerschaltung gekoppelt sind, zur Bereitstellung sowohl eines direkten Stromleitungspfades zu der induktiven Last wann immer die Schaltung wirksam wird infolge des Abschaltens des Transistors durch Unterbrechen des Betriebspotentials von dem ersten Stromversorgungsleiter während der Reihentransistor die induktive Last antreibt, als auch der Verhinderung des direkten Stromleitungspfades während normaler Betriebsbedingungen der Schaltung, dadurch gekennzeichnet, daß die Schaltung weiterhin enthält:
einen gesteuerten Siliziumgleichrichterkreis (30), dessen erste und zweite Elektroden zwischen den zweiten Stromversorgungsleiter (28) und den Ausgang (16) des integrierten Steuerschaltkreises gekoppelt sind, und eine Steuerelektrode (G) des gesteuerten Siliziumgleichrichters, umfassend einen ersten Transistor (36), Bestandteil des integrierten Steuerschaltkreises, mit erster, zweiter und Steuerelektrode, die erste Elektrode angeschlossen an den Ausgang (16), einen zweiten Transistor (38), Bestandteilteil des integrierten Steuerschaltkreises, mit erster, zweiter und Steuerelektrode, die erste und zweite Elektrode angeschlossen an den zweiten Stromversorgungsleiter (28) bzw. an die Steuerelektrode des ersten Transistors, die Steuerelektrode angeschlossen an die zweite Elektrode des ersten Transistors, und
eine Zenerdiode (32) angeschlossen zwischen dem ersten Stromversorgungsleiter und der Steuerelektrode des gesteuerten Siliziumgleichrichters, die Zenerdiode (32) angeschlossen zwischen der Steuerelektrode des zweiten Transistors und der Steuerelektrode des ersten Transistors.
2. Integrierter Steuerschaltkreis nach Anspruch 1 mit einer zusätzlichen Diode (34), die zwischen eine Steuerelektrode des Reihentransistors (20) und den Ausgang (16) des Steuerschaltkeises geschaltet ist.
3. Integrierter Steuerschaltkreis nach Anspruch 1 oder 2 mit einem Widerstand (40) gekoppelt zwischen den ersten Stromversorgungsleiter (26) und der Steuerelektrode des zweiten Transistors.
4. Integrierter Steuerschaltkreis nach Anspruch 2, worin die zusätzliche Diode (34) eine Zenerdiode ist.
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SG (1) SG30618G (de)
WO (1) WO1986005932A1 (de)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4791521A (en) * 1987-04-07 1988-12-13 Western Digital Corporation Method and apparatus for reducing transient noise by premagnetization of parasitic inductance
US4862866A (en) * 1987-08-25 1989-09-05 Marelli Autronica S.P.A. Circuit for the piloting of inductive loads, particularly for operating the electro-injectors of a diesel-cycle internal combustion engine
US4839769A (en) * 1988-05-09 1989-06-13 Motorola, Inc. Driver protection circuit
IT1226557B (it) * 1988-07-29 1991-01-24 Sgs Thomson Microelectronics Circuito di controllo della tensione di bloccaggio di un carico induttivo pilotato con un dispositivo di potenza in configurazione "high side driver"
US4893212A (en) * 1988-12-20 1990-01-09 North American Philips Corp. Protection of power integrated circuits against load voltage surges
US5001373A (en) * 1990-01-09 1991-03-19 Ford Motor Company Active clamp circuit with immunity to zener diode microplasmic noise
JPH04150223A (ja) * 1990-10-10 1992-05-22 Nippondenso Co Ltd 集積回路を含んでなる出力回路
US5258758A (en) * 1991-01-31 1993-11-02 Crystal Semiconductor Corporation DAC shutdown for low power supply condition
DE69127359T2 (de) * 1991-06-27 1998-03-19 Cons Ric Microelettronica Schaltkreis zum Verbinden eines ersten Knotens mit einem zweiten oder dritten Knoten in Abhängigkeit vom Potential des letzteren, zum Steuern des Potentials eines Isolationsbereiches in einer integrierten Schaltung in Abhängigkeit der Substratspannung
US5448441A (en) * 1994-04-05 1995-09-05 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Fault protection circuit for power switching device
WO1999003205A1 (de) * 1997-07-08 1999-01-21 Robert Bosch Gmbh Schaltungsanordnung, insbesondere zum ansteuern einer zündendstufe
DE19815628C1 (de) * 1998-04-07 1999-09-23 Siemens Ag Steuereinrichtung für ein Kraftstoff-Einspritzsystem
DE102005002648A1 (de) * 2005-01-19 2006-07-27 Dbt Gmbh Schutzbeschaltung für eigensichere Elektromagnetaktoren sowie Schutzbeschaltung für eigensichere Energieversorgungssysteme

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3252051A (en) * 1962-06-12 1966-05-17 Westinghouse Electric Corp Overvoltage protective device
DE2638177C2 (de) * 1976-08-25 1985-10-24 Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart Schutzvorrichtung gegen Spannungsumpolung und Überspannungen für eine Halbleiterschaltung
DE2732512C2 (de) * 1977-07-19 1979-09-13 Frankl & Kirchner Gmbh & Co Kg Fabrik Fuer Elektromotoren U. Elektrische Apparate, 6830 Schwetzingen Schutzschaltungsanordnung für einen elektronischen Schaltverstärker vor einem Elektromagneten
US4359652A (en) * 1980-07-07 1982-11-16 Motorola, Inc. Over voltage detection circuit for use in electronic ignition systems
US4484244A (en) * 1982-09-22 1984-11-20 Rca Corporation Protection circuit for integrated circuit devices
US4491122A (en) * 1984-03-07 1985-01-01 R. E. Phelon Company, Incorporated Anti-reverse operation of solid state inductive magneto

Also Published As

Publication number Publication date
DE3687297D1 (de) 1993-01-28
WO1986005932A1 (en) 1986-10-09
EP0216816A1 (de) 1987-04-08
US4665459A (en) 1987-05-12
HK100895A (en) 1995-06-30
EP0216816B1 (de) 1992-12-16
SG30618G (en) 1995-09-01
EP0216816A4 (de) 1989-06-26
JPH0720057B2 (ja) 1995-03-06
JPS62502440A (ja) 1987-09-17
KR870700179A (ko) 1987-03-14

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