DE3630212A1 - Halbleiter-laseranordnung - Google Patents
Halbleiter-laseranordnungInfo
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf eine Halbleiter-Laseranordnung,
die mehrere Halbleiterlaser auf einem einzigen
Substrat besitzt und damit Licht mit einem einzigen
schmalen Strahl mit hoher Ausgangsleistung erzeugt.
Halbleiterlaser, die als Lichtquellen für die Abtastung
optischer Scheiben, für Laserdrucker, optische Meßsysteme
etc. verwendet werden, müssen eine hohe Ausgangsleistung
bringen. Allerdings können herkömmliche Halbleiterlaser,
die eine einzige Wellenleiterstruktur
haben, bestenfalls eine Ausgangsleistung von 60-70 mW
erzeugen, selbst wenn man ihren "Fenstereffekt" und/
oder eine Steuerung des Reflektionsfaktors an ihren
Facetten berücksichtigt. Es wurden auch schon Halbleiter-
Laseranordnungen untersucht, bei denen mehrere
Wellenleiter so parallel zueinander angeordnet waren,
daß zwischen benachbarten Wellenleitern eine optische
Phasenkopplung erzielt wurde; damit schwingt das Laserlicht
in einer bestimmten Mode (nämlich mit einer Mode
mit einer Phasenverschiebung von 0°, was zu einem einzigen
schmalen Strahl mit hoher Ausgangsleistung führt).
Allerdings liegt die optische Phasenverschiebung
zwischen den benachbarten Wellenleitern bei diesen Anordnungen
bei 180°, womit das Ausgangslicht in Form
von zwei Strahlen, zwischen denen ein gewisser Winkel
vorhanden ist, ausgesandt wird, was zu einem Fernfeldmuster
mit zwei Peaks bzw. Spitzen führt. Folglich
kann dieses Laserlicht nicht mittels jeglicher bekannter
optischer Linsen zu einem Lichtfleck mit begrenzter
Diffraktion konzentriert werden. Um diese Halbleiter-
Laseranordnung als Lichtquellen für optische
Scheiben, Laserdrucker etc. verwenden zu können, müssen
sie in einer einzigen Mode oszillieren und Ausgangslicht
in einem einzigen schmalen Strahl emittieren.
Die Fig. 4 und 5 zeigen eine herkömmliche Halbleiter-
Laseranordnung, die wie folgt aufgebaut sein kann:
Auf der (001)-Ebene eines p-GaAs-Substrates 101 werden aufeinanderfolgend eine n⁺-Al0,1Ga0,9As-Stromblockierungsschicht 102 mit einer Dicke von 0,7 µm und eine n-GaAs-Oberflächenschutzschicht 103 mit einer Dicke von 0,1 µm mittels Flüssigphasenepitaxie aufgebracht. Sodann werden drei geradlinige Kanäle 108 parallel zueinander durch die beiden Schichten, d. h. die Oberflächenschutzschicht 103 und die Stromblockierungsschicht 102 in das p-GaAs-Substrat 101 eingebracht. Jeder der Kanäle 108 hat eine Breite von 4 µm und eine Tiefe von ca. 1 µm. Der Mittenabstand der Kanäle liegt bei 5 µm. Diese Kanäle 108 liegen in einem rechten Winkel zur (110)-Ebene, welche den Facetten der Anordnung entspricht. Darauf wird auf der n-GaAs-Oberflächenschutzschicht 103 (einschließlich der Kanäle 108) eine p-Al0,42Ga0,58As-Abdeckschicht 104 mit einer Dicke von 0,2 µm in den Teilen außerhalb der Kanäle 108, eine p- oder n-Al0,14Ga0,86As-Aktivschicht 105 mit einer Dicke von 0,08 µm, eine n-Al0,42Ga0,58As- Abdeckschicht 106 mit einer Dicke von 0,8 µm und eine n⁺-GaAs-Kontaktschicht 107 mit einer Dicke von 1,5 µm aufeinanderfolgend durch Flüssigphasenepitaxie aufgebracht. Da die Kanäle 108 mit der p-Abdeckschicht 104 ausgefüllt sind, wird die Oberfläche der Schichten 104, 105, 106 und 107 eben. Sodann werden die Oberseite der Kontaktschicht 107 und die Rückseite des Substrates 101 einer Dampfabscheide-Behandlung mit metallischen Materialien unterworfen und dann erwärmt, um ohmsche Kontakte auf ihnen auszubilden, wobei diese Kontakte aus Legierungen der metallischen Materialien bestehen. Darauf folgt ein Abspalten in der (011)- Ebene des Wafers, was zu einer herkömmlichen Halbleiter- Laseranordnung führt.
Auf der (001)-Ebene eines p-GaAs-Substrates 101 werden aufeinanderfolgend eine n⁺-Al0,1Ga0,9As-Stromblockierungsschicht 102 mit einer Dicke von 0,7 µm und eine n-GaAs-Oberflächenschutzschicht 103 mit einer Dicke von 0,1 µm mittels Flüssigphasenepitaxie aufgebracht. Sodann werden drei geradlinige Kanäle 108 parallel zueinander durch die beiden Schichten, d. h. die Oberflächenschutzschicht 103 und die Stromblockierungsschicht 102 in das p-GaAs-Substrat 101 eingebracht. Jeder der Kanäle 108 hat eine Breite von 4 µm und eine Tiefe von ca. 1 µm. Der Mittenabstand der Kanäle liegt bei 5 µm. Diese Kanäle 108 liegen in einem rechten Winkel zur (110)-Ebene, welche den Facetten der Anordnung entspricht. Darauf wird auf der n-GaAs-Oberflächenschutzschicht 103 (einschließlich der Kanäle 108) eine p-Al0,42Ga0,58As-Abdeckschicht 104 mit einer Dicke von 0,2 µm in den Teilen außerhalb der Kanäle 108, eine p- oder n-Al0,14Ga0,86As-Aktivschicht 105 mit einer Dicke von 0,08 µm, eine n-Al0,42Ga0,58As- Abdeckschicht 106 mit einer Dicke von 0,8 µm und eine n⁺-GaAs-Kontaktschicht 107 mit einer Dicke von 1,5 µm aufeinanderfolgend durch Flüssigphasenepitaxie aufgebracht. Da die Kanäle 108 mit der p-Abdeckschicht 104 ausgefüllt sind, wird die Oberfläche der Schichten 104, 105, 106 und 107 eben. Sodann werden die Oberseite der Kontaktschicht 107 und die Rückseite des Substrates 101 einer Dampfabscheide-Behandlung mit metallischen Materialien unterworfen und dann erwärmt, um ohmsche Kontakte auf ihnen auszubilden, wobei diese Kontakte aus Legierungen der metallischen Materialien bestehen. Darauf folgt ein Abspalten in der (011)- Ebene des Wafers, was zu einer herkömmlichen Halbleiter- Laseranordnung führt.
Die optische Feldverteilung der von der herkömmlichen
Halbleiter-Laseranordnung erzeugten Strahlen sowie das
hierdurch erhaltene Fernfeldmuster sind in den Fig. 6
bzw. 7 dargestellt, woraus hervorgeht, daß die optische
Phasenverschiebung zwischen benachbarten Wellenleitern
gleich 180° ist.
Der Grund dafür, daß die herkömmlichen Halbleiterlaser
mit mehreren Wellenleitern in der Mode mit einer Phasenverschiebung
von 180°C schwingen, liegt darin, daß das
Laserlicht in dem optischen Kopplungsbereich zwischen
benachbarten Wellenleitern absorbiert wird, was die
Schwellwertverstärkung der 180°-Phasenverschiebungsmode
signifikant klein macht.
Das oben beschriebene Phänomen, wonach herkömmliche
Halbleiter-Laseranordnungen in der Mode mit einer
Phasenverschiebung von 180° arbeiten, kann auch unter
Bezugnahme auf Fig. 8 erklärt werden. Diese Figur zeigt
die Abhängigkeit der Schwellwertverstärkung aller möglichen
Moden (ν = 1, 2 und 3) einer Anordnung mit dreifachem
Laserresonanzraum in Abhängigkeit von der Differenz
des Brechungsindex in Querrichtung. Diese Abhängigkeit
wurde durch eine rechnerische Analyse der Wellenleiter
erhalten. Aus Fig. 8 läßt sich erkennen, daß
die Halbleiter-Laseranordnung in der Mode mit der
Phasenverschiebung von 180° selektiv und stabil
schwingt. Wie oben erwähnt, erhält man in der 180°-
Phasenverschiebungsmode ein Fernfeldmuster mit zwei
Peaks, was Schwierigkeiten bei der Konzentration des
Laserlichtes mittels herkömmlicher optischer Linsen zu
einem (Licht)-Fleck mit begrenzter Diffraktion führt.
Darüber hinaus schwingen herkömmliche Halbleiterlaser
noch in weiteren Moden, also nicht nur der 0°- und der
180°-Phasenverschiebungsmode, wodurch Ausgangslicht
mit einer Vielzahl von Strahlen erzeugt wird. Zusätzlich
werden zwei oder mehrere Moden ohne Interferenzen
zwischen ihnen gemischt, wodurch Ausgangslicht mit
breiten Strahlen erzeugt wird.
Eine Halbleiter-Laseranordnung mit einer wirksamen
index-geführten Struktur, bei der die optischen Verluste
in der optischen Kopplungszone gleich Null sind,
wurde bereits vorgeschlagen. Sie ist in Fig. 9 dargestellt.
Die Herstellung dieser Laseranordnung geschieht
wie folgt: Auf der (001)-Ebene eines n-GaAs-Substrates 111
werden aufeinanderfolgend durch Kristallwachstumstechnik,
wie z. B. ein metall-organisch-chemisches Dampfabscheiden
(MOCVD), Molekularstrahl-Epitaxie (MBE),
Flüssigphasenepitaxie (LPE) oder ähnliches, folgende
Schichten aufgebracht: Eine n-Al x Ga1-x As-Abdeckschicht 12
mit einer Dicke von 0,8 µm, eine n- oder p-Al y Ga1-y As-
Aktivschicht 130 mit einer Dicke von 0,1 µm, eine
p-Al x Ga1-x As-Abdeckschicht 114 mit einer Dicke von
0,8 µm und eine p⁺-GaAs-Kontaktschicht 115 mit einer
Dicke von 01 µm. Darauf werden an beiden Seiten des
Wafers ohmsche Kontakte aufgebracht. Dann werden drei
Mesa-Streifen 116 parallel zueinander in dem Wafer aufgebildet
und zwar mittels Photolitographie und einer
reaktiven Ionenstrahl-Ätztechnik und zwar so, daß der
Abschnitt der p-Abdeckschicht 14, der der Außenseite
der Mesa-Streifen 116 entspricht, eine Dicke von 0,3 µm
hat. Jeder der Mesa-Streifen 116 hat eine Breite von
3 µm und eine Höhe von 1,5 µm. Der Mittenabstand benachbarter
Mesa-Streifen liegt bei 4 µm. Diese Mesa-
Streifen 116 sind in der (110)-Richtung des Substrates 111
angeordnet. Darauf wird ein Abspalten in der
(110)-Ebene des Wafers durchgeführt, womit eine Laseranordnung 117
mit einer Hohlraumlänge von ca. 250 µm
geschaffen wird.
Die durch diese index-geführte Laseranordnung erhaltene
transversale Schwingungsmode ist aus mehreren
Moden zusammengesetzt. Dieses Phänomen läßt sich wie
folgt erklären: Diese index-geführte Laseranordnung
oszilliert zu ein- und derselben Zeit in allen erlaubten
Moden, da keine Absorption von Licht in dem
optischen Kopplungsbereich auftritt und da alle erlaubten
Moden die gleiche Schwellwertverstärkung haben.
Im Gegensatz hierzu oszilliert die Laseranordnung der
Fig. 4 selektiv in der 180°-Phasenverschiebungsmode,
da das Laserlicht in der optischen Kopplungszone signifikant
absorbiert wird. Die Breite der Ausgangsstrahlen,
die von der derjenigen Laseranordnung erzeugt
wird, die gleichzeitig Laserlicht in mehreren Moden
erzeugt, ist ein Vielfaches des erlaubten Grenzwertes
der Diffraktion, was in der Praxis zu Schwierigkeiten
bei der Verwendung dieser Laseranordnung führt.
Aufgabe der Erfindung ist es daher, die Halbleiter-
Laseranordnung der eingangs genannten Art dahingehend
zu verbessern, daß sie bei hoher Ausgangsleistung Laserlicht
in einem schmalen, scharf gebündelten Strahl erzeugt.
Diese Aufgabe wird durch die im kennzeichnenden Teil
des Patentanspruches 1 angegebenen Merkmale gelöst.
Vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen der
Erfindung sind den Unteransprüchen zu entnehmen.
Die Halbleiter-Laseranordnung nach der Erfindung, die
obige Aufgabe löst sowie weitere vielfältige Nachteile
des Standes der Technik, enthält einen Oszillatinsbereich,
der mehrere, parallele erste index-geführte
Wellenleiter aufweist und einen Nicht-Oszillationsbereich,
der mehrere parallele zweite index-geführte
Wellenleiter aufweist, durch welche das in dem Oszillationsbereich
erzeugte Laserlicht durch die Wellenleiter
von dem Oszillationsbereich zu den Endfacetten der
zweiten index-geführten Wellenleiter des Nicht-Oszillationsbereiches
geleitet wird, wobei die zweiten index-
geführten Wellenleiter bezogen auf benachbarte Wellenleiter
verschiedene Längen haben und wobei die Endfacetten
der zweiten index-geführten Wellenleiter nicht
als Resonanzraum-Facetten des Lasers wirken sondern als
licht-emittierende Facetten der Anordnung.
Bei einem bevorzugten Ausführungsbeispiel der Erfindung
sind die ersten index-geführten Wellenleiter innerhalb
der Aktivschicht ausgebildet und zwar entsprechend mehreren
Kanälen in einer Strom- & Licht-Blockierungsschicht,
die nahe der Aktivschicht gelegen ist; die
zweiten index-geführten Wellenleiter bestehen aus mehreren
parallelen lichtdurchlässigen Rippen, deren Brechungsindex
größer als 1 ist, wobei diese Rippen in
Verlängerung der ersten index-geführten Wellenleiter
liegen.
In einem bevorzugten Ausführungsbeispiel ist der Teil
des von den lichtemittierenden Facetten der zweiten
index-geführten Wellenleiter reflektierten Lichtes
3% oder kleiner.
Kurz zusammengefaßt werden mit der Erfindung folgende
Ziele erreicht:
(1) Es wird eine Halbleiter-Laseranordnung geschaffen,
die mehrere Wellenleiter besitzt, wobei die Länge
benachbarter Wellenleiter um den Betrag λ/2(n eff -1)
verschieden ist und wobei das Ende jedes Wellenleiters
keine Resonanzraumfacette der Laseranordnung
bildet sondern eine lichtemittierende Facette
der Anordnung, so daß sie in einer Mode mit einer
Phasenverschiebung von 0° betrieben werden kann.
Damit wird Licht mit hoher Ausgangsleistung mit
einem einzigen schmalen Strahl in stabiler Weise
erzeugt;
(2) es wird eine Halbleiter-Laseranordnung geschaffen,
die als Lichtquelle für die Abtastung optischer
Scheiben, für Laserdrucker usw. sehr nützlich ist,
da solche Laser eine Oszillation in einer einzigen
Schwingungsmode und mit einem einzigen schmalen
Lichtstrahl fordern.
Im folgenden wird die Erfindung anhand von Ausführungsbeispielen
im Zusammenhang mit der Zeichnung ausführlicher
erläutert. Es zeigt:
Fig. 1 eine perspektivische Ansicht eines Halbleiterlasers
nach der Erfindung,
Fig. 2 ein Diagramm des Nahfeldmusters, das mit der
Halbleiter-Laseranordnung nach Fig. 1 erreicht
wird;
Fig. 3 ein Diagramm des Fernfeldmusters, das mit
der Laseranordnung nach Fig. 1 erreicht wird;
Fig. 4 und 5 eine Frontansicht bzw. eine perspektivische
Ansicht eines herkömmlichen Halbleiterlasers;
Fig. 6 ein Diagramm der optischen Feldverteilung der
herkömmlichen Halbleiter-Laseranordnung der
Fig. 4;
Fig. 7 ein Diagramm des Fernfeldmusters, das mit der
herkömmlichen Halbleiter-Laseranordnung nach
Fig. 4 erhalten wird;
Fig. 8 ein Diagramm der theoretischen Analyse der
Schwellwertverstärkung bei verschiedenen
Moden des herkömmlichen Halbleiterlasers der
Fig. 4; und
Fig. 9 eine perspektivische Ansicht eines weiteren
herkömmlichen Halbleiterlasers.
Fig. 1 zeigt eine Halbleiter-Laseranordnung nach der
Erfindung, die wie folgt aufgebaut ist: Auf der (001)-
Ebene eines n-GaAs-Substrates 1 sind aufeinanderfolgend
mittels einer Kristallwachstumstechnik, wie z. B. einem
organisch-chemischen Metalldampfabscheiden (MOCVD),
einer Molekularstrahl-Epitaxie (MBE), einer Flüssigphasenepitaxie
(LPE) oder ähnlichem, folgende Schichten
aufgebracht: eine n-Al x Ga1-x As-Abdeckschicht 2 mit
einer Dicke von 0,8 µm, eine optische Führungsschicht 3
aus n-Al z Ga1-z As mit einer Dicke von 0,3 µm, eine
Aktivschicht 4 aus n- oder p-Al y Ga1-y As mit einer
Dicke von 0,06 µm, eine erste Abdeckschicht 5 aus
p-Al x Ga1-x As mit einer Dicke von 0,2 µm und eine Strom-
& Licht-Blockierungsschicht 6 mit einer Dicke von
0,6 µm. Sodann werden drei Kanäle 7 mittels Photolitographie
und einer Ätztechnik parallel zueinander so in
der Strom- & Licht-Blockierungsschicht 6 erzeugt, daß
sie die p-Abdeckschicht 5 erreichen. Jeder der Kanäle 7
hat eine Breite von 3 µm und einen Abstand zum benachbarten
Kanal von 2 µm. Sodann werden mittels organisch-chemischem
Metalldampfabscheiden (MOCVD) aufeinanderfolgend
auf der Strom- & Licht-Blockierungsschicht 6
einschließlich der Kanäle 7 eine zweite Abdeckschicht 8
aus p-Al x Ga1-x As und eine Kontaktschicht 9
aus p⁺-GaAs aufgebracht. Die Kanäle 7 sind mit der
zweiten p-Abdeckschicht 8 ausgefüllt. Darauf werden
dann ohmsche Kontakte 10 und 11 über die volle Fläche
der Rückseite des Substrates 1 und die volle Fläche
der Oberseite der Kontaktschicht 9 aufgebracht.
Sodann wird unter rechtem Winkel zu den mittels
Kristallwachstum aufgebrachten Schichten in der Mitte
des Wafers mittels einer Photolitographie- und einer
Ätztechnik eine Facette 12 erzeugt und zwar so, daß
sie die n- oder p-Aktivschicht 4 erreicht, also durch
die Schichten 11, 9, 8, 6 und 5 hindurch oder daß sie
die Innenseite der optischen n-Führungsschicht 3 erreicht,
durch die Schichten 11, 9, 8, 6, 5 und 4 hindurch.
Eine Hälfte des Wafers bildet damit einen
Oszillationsbereich 13, in welchem alle mittels
Kristallwachstumstechnik aufgebrachten Schichten, die
über der Aktivschicht 4 oder der optischen Führungsschicht 3
liegen, ungeätzt bleiben. Die andere Hälfte
des Wafers bildet einen Nicht-Oszillationsbereich 14,
in welchem alle mittels Kristallwachstumstechnik oberhalb
der Aktivschicht 4 oder der optischen Führungsschicht 3
liegenden Schichten durch die Ätzbehandlung
entfernt sind.
Sodann wird auf dem bloßliegenden Teil der optischen
n-Führungsschicht 3 mittels eines Aufsprühverfahrens
oder ähnlichem eine lichtdurchlässige Schicht aufgebracht,
deren Brechungsindex (Ne) größer als 1 ist.
Sodann folgt eine Photolitographie- und eine Ätzbehandlung,
womit drei parallele Rippen bzw. Stege 15 entstehen,
die Wellenleiter bilden, die so angeordnet
sind, daß sie in Verlängerung der Kanäle 7 liegen.
Das Material für die Rippen bzw. Stege 15 ist beispielsweise
TiO2.
Sodann wird der Wafer einer photolitographischen Behandlung
und einer reaktiven Ionenstrahl-Ätzbehandlung
unterzogen, um die Facetten 16 und 17 des Nicht-Oszillationsbereiches 14
so zu formen, daß der mittlere
Wellenleiter 15 kürzer ist als die beiden äußeren
Wellenleiter 15 und zwar um λ/2(N eff -1). Dabei liegt
die Facette 16 unter einem rechten Winkel zu dem mittleren
Wellenleiter 15 und zwar an dessen Ende. Die
Facetten 17 liegen unter rechtem Winkel zu den äußeren
Wellenleitern 15 an deren Enden. Mit N eff wird der
wirksame Brechungsindex der Wellenleiter 15 des Nicht-
Oszillationsbereiches 14 bezeichnet; λ ist die Oszillationswellenlänge.
Damit liegt die Facette 16 des mittleren
Wellenleiters 15 näher an der Resonanzraumfacette 12
des Oszillationsbereiches 13 als die Facetten 17
der äußeren Wellenleiter 15 und zwar um den Betrag
λ/2(N eff -1).
Darauf wird eine andere Facette 18 des Oszillationsbereiches 13
durch Abspalten gebildet. An beiden Facetten 12
und 18 des Oszillationsbereiches 13 werden dann
reflektierende Filme mit einem hohen Reflektionsfaktor
aufgebracht. An den emittierenden Facetten 16 und 17
des Nicht-Oszillationsbereiches 14 werden reflektionsverhindernde
Filme mit einem Reflektionsfaktor von ca.
3% oder geringer ausgebildet. Damit erhält man dann
eine Halbleiter-Laseranordnung, bei der der Oszillationsbereich 13
in gleicher Weise arbeitet wie eine
herkömmliche Halbleiter-Laseranordnung entsprechend
Fig. 4 und bei der der Nicht-Oszillationsbereich 14
das Laserlicht leitet, das in dem Oszillationsbereich 13
erzeugt wurde; dieses Leiten des Lichtes erfolgt
in den Wellenleitern 15, wobei der Nicht-Oszillationsbereich
dann die Laserlichtstrahlen von den lichtemittierenden
Facetten 16 und 17 emittiert.
Der Oszillationsberiech 13 schwingt in einer Mode mit
einer Phasenverschiebung von 180°. Da jedoch die lichtemittierenden
Facetten (d. h. die Endflächen 16 und 17)
des Nicht-Oszillationsbereiches 14 um die Strecke
λ/2(N eff -1) gegenüber der Resonanzraumfacette 12 versetzt
sind, werden die Laserlichtstrahlen, die von dem
Oszillationsbereich 13 zu den Endfacetten 16 und 17
des Nicht-Oszillationsbereiches 14 durch die Wellenleiter 15
hindurch geleitet wurden, von der Mode mit
der Phasenverschiebung von 180° in eine Mode mit einer
Phasenverschiebung von 0° umgewandelt und dann von den
licht-emittierenden Facetten 16 und 17 in der Mode mit
der Phasenverschiebung von 0° emittiert. Das Verhältnis
der von den licht-emittierenden Facetten 16 und 17
reflektierten Lichtstrahlen liegt bei 3% oder weniger.
Die Fig. 2 und 3 zeigen das Nahfeldmuster bzw. das
Fernfeldmuster, das mit der Halbleiter-Laseranordnung
(gemäß Fig. 1) erzielt wird. Diese Figuren zeigen, daß
das Fernfeldmuster einen einzigen Peak aufweist. Damit
kann diese Halbleiter-Laseranordnung hohe Ausgangsleistung
bis zu 100 mW stabil erzeugen, wobei dieses
Licht einen einzigen diffraktionsbegrenzten Strahl aufweist,
was der Mode mit einer Phasenverschiebung von
0° entspricht.
Die vorliegende Erfindung ist nicht auf das oben beschriebene
Ausführungsbeispiel beschränkt. Selbstverständlich
ist sie auch auf Anordnungen anwendbar, die
andere Strukturen von Laserresonanzräumen haben, auf
Anordnungen, bei denen die Polarität von der des beschriebenen
Ausführungsbeispieles verschieden ist, auf
Anordnungen, bei denen andere Halbleitermaterialien
verwendet werden, auf Anordnungen, bei denen der
Oszillationsbereich und der Nicht-Oszillationsbereich
elektrisch voneinander isoliert sind. Auf Anordnungen,
bei denen die Materialien des Oszillationsbereiches
von denen des Nicht-Oszillationsbereiches verschieden
sind und auf Anordnungen, bei denen die Länge eines
der Wellenleiter des Nicht-Oszillationsbereiches gleich
Null ist.
Es sei darauf hingewiesen, daß verschiedene Modifikationen
von einem Fachmann durchgeführt werden können,
ohne daß der Schutzumfang und das Wesen der Erfindung
verlassen werden. Entsprechend sei darauf hingewiesen,
daß der Schutzumfang der Patentansprüche nicht durch
die obige Beschreibung eingeschränkt wird und daß die
Patentansprüche alle patentfähigen Merkmale der vorliegenden
Erfindung enthalten, einschließlich all diejenigen
Merkmale, die von dem Fachmann des vorliegenden
Gebietes als Äquivalente angesehen werden.
Claims (4)
1. Halbleiter-Laseranordnung mit einem Oszillationsbereich,
der mehrere parallel zueinander liegende,
erste index-geführte Wellenleiter besitzt, dadurch
gekennzeichnet,
daß ein Nicht-Oszillationsbereich (14) vorgesehen
ist, der mehrere zweite index-geführte Wellenleiter (15)
besitzt, durch die hindurch Laserlicht,
das in dem Oszillationsbereich (13) erzeugt wurde,
von diesem Oszillationsbereich zu Endfacetten (16,
17) des Nicht-Oszillationsbereiches (13) geführt
wird, wobei benachbarte Wellenleiter (15) des
Nicht-Oszillationsbereiches unterschiedliche Länge
haben und wobei die Endfacetten (16, 17) der
zweiten index-geführten Wellenleiter (15) nicht
als Resonanzraumfacetten des Lasers sondern als
lichtemittierende Facetten der Anordnung dienen.
2. Halbleiter-Laseranordnung nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß die ersten index-geführten
Wellenleiter (7) innerhalb einer Aktivschicht (4)
entsprechend mehreren parallelen Kanälen in einer
Strom- & Licht-Blockierungsschicht (6) nahe der
Aktivschicht angeordnet sind und daß die zweiten
index-geführten Wellenleiter aus mehreren parallelen
lichtdurchlässigen Rippen (15) bestehen,
deren Brechungsindex größer als 1 ist, wobei diese
Rippen (15) in Verlängerung der ersten index-geführten
Wellenleiter liegen.
3. Halbleiter-Laseranordnung nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß der Anteil des von den lichtemittierenden
Facetten (16, 17) der zweiten indexgeführten
Wellenleiter (15) reflektierten Lichtes
3% oder kleiner ist.
4. Halbleiter-Laseranordnung nach Anspruch 2 oder 3,
dadurch gekennzeichnet, daß benachbarte Wellenleiter (15)
des Nicht-Oszillationsbereiches (14)
um den Betrag von λ/2 (N eff -1) verschieden lang
sind, wobei λ die Wellenlänge des Lichtes und
N eff der wirksame Brechungsindex der Wellenleiter (15)
des Nicht-Oszillationsbereiches (14) ist.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60197937A JPS6257275A (ja) | 1985-09-06 | 1985-09-06 | 半導体レ−ザアレイ装置 |
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ID=16382773
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country Status (4)
Country | Link |
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