DE3615627C2 - Verfahren zum Beschichten optischer Bauelemente und optische Bauelemente - Google Patents
Verfahren zum Beschichten optischer Bauelemente und optische BauelementeInfo
- Publication number
- DE3615627C2 DE3615627C2 DE3615627A DE3615627A DE3615627C2 DE 3615627 C2 DE3615627 C2 DE 3615627C2 DE 3615627 A DE3615627 A DE 3615627A DE 3615627 A DE3615627 A DE 3615627A DE 3615627 C2 DE3615627 C2 DE 3615627C2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- amorphous
- layer
- hydrogenated
- deposited
- deposition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
- G02B1/10—Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements
- G02B1/11—Anti-reflection coatings
- G02B1/113—Anti-reflection coatings using inorganic layer materials only
- G02B1/115—Multilayers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/02—Pretreatment of the material to be coated
- C23C16/0272—Deposition of sub-layers, e.g. to promote the adhesion of the main coating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24942—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including components having same physical characteristic in differing degree
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/30—Self-sustaining carbon mass or layer with impregnant or other layer
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/31—Surface property or characteristic of web, sheet or block
- Y10T428/315—Surface modified glass [e.g., tempered, strengthened, etc.]
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
- Y10T428/31678—Of metal
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Beschichten von für infrarote
Strahlung durchlässigen optischen Bauelementen in einem Glimmentladungs
plasma, sowie damit beschichtete optische Bauelemente.
Es gibt bereits eine Anzahl Verfahren zum Beschichten optischer Bauelemente,
doch eignen sich die bisher bekannten Verfahren nicht zum Erzeugen von mehr
lagigen, sehr harten, verschleißfesten, für infrarote Strahlung überwiegend durch
lässige und reflexmindernde Beschichtungen. Die Schwierigkeiten, mit bekannten
Verfahren eine solche mehrlagige Beschichtung zu erzeugen, sind darin begrün
det, daß es bei mehrlagigen Beschichtungen sehr wesentlich darauf ankommt,
vorgegebene Dicken der einzelnen Lagen einzuhalten, wobei die bekannten Be
schichtungsverfahren Schichtdickenmessungen erfordern, die unverhältnismäßig
aufwendig und kompliziert sowie unzulänglich sind.
Aus der EP-A-0 106637 ist ein Glimmentladungsplasma verwendendes Verfah
ren bekannt, bei dem ein Abscheiden einer Verschleißschicht über die Zusam
mensetzung der Gasatmosphäre, also des Anteils der Komponenten des einge
leiteten Gases, erfolgt. Es ist bei diesem bekannten Verfahren in nachteiliger Art
und Weise nur möglich, im Vergleich zu optischen Schichten relativ dicke Ver
schleißschichten, deren Dicke in einer anderen Größenordnung liegt und nicht
die Einhaltung der bei optischen Schichten erforderlichen engen Toleranzen er
fordert, abzuscheiden. Die Entladung wird beendet, wenn die gewünschte Dicke
erreicht ist, wobei jedoch die o.g. europäische Offenlegungsschrift nicht offenbart,
wie festgestellt wird, wann diese Dicke erreicht ist.
In der US-PS 4444 805 ist ein Verfahren beschrieben, durch das eine einlagige
Beschichtung oder eine Lage eines mehrlagigen Schichtaufbaus abscheidbar ist.
Es ist dieser Druckschrift nicht zu entnehmen, auf welche Art und Weise die Dic
ke der durch das o.g. Verfahren herstellbaren einzigen Lage kontrollierbar ist.
Der vorliegenden Erfindung liegt deshalb die Aufgabe zugrunde, ein neues Ver
fahren anzugeben, mit dem solche mehrlagigen, sehr harten und verschleißfe
sten, für infrarote Strahlung durchlässige und reflexmindernde Beschichtungen
einfacher und genauer erzeugt werden können.
Diese Aufgabe wird gelöst durch ein Verfahren mit den im Anspruch 1 angegebe
ne Merkmalen. Vorteilhafte Weiterbildungen dieses Verfahrens sind Gegenstand
der Unteransprüche 2 bis 9.
Überraschenderweise hat es sich gezeigt, daß man zum Erzeugen einer mehrla
gigen optischen Beschichtung mit exakt vorgegebenen Dicken der einzelnen La
gen ohne Schichtdickenmeßgeräte auskommen kann, wenn man erfindungsge
mäß den Massendurchsatz der in die Vakuumkammer eingeleiteten Gasströme
steuert.
Die Gase, deren Massendurchsatz gesteuert wird, sind z. B. Germaniumwasser
stoffe (Germane), insbesondere Monogerman, und Kohlenwasserstoffgase, bei
spielsweise Butan. In gewissen Anwendungsfällen kann man die gasförmige Ger
maniumwasserstoffverbindung durch eine gasförmige Siliziumwasserstoffverbin
dung (Silan) ersetzen. Für die Verwendung im infraroten Spektralbereich besteht
das zu beschichtende optische Element beispielsweise aus Germanium oder
Silizium.
Ein optisches Bauelement mit einer besonders vorteilhaften, erfindungsgemäß
erzeugten Beschichtung ist Gegenstand des unabhängigen Anspruchs 10. Vor
teilhafte Ausgestaltungen dieses Bauelements sind Gegenstand der Unteran
sprüche 11 bis 15.
Die verschiedenen Lagen der Beschichtung werden vorzugsweise durch plas
maunterstützte chemische Dampfabscheidung (nämlich in einem Glimmentla
dungsplasma) aus in die Vakuum
kammer eingeleitetem German (GeH 4) und Kohlenwasser
stoffgasen (wie z. B. Butan (C₄H₁₀)) erzeugt.
Die Temperatur der zu beschichtenden Oberfläche des
optischen Bauelementes wird während der Dauer der
Abscheidung der Lagen aus amorphem, hydriertem Ger
maniumkarbid und der Lagen aus amorphem, hydriertem
Germanium auf einem ersten vorbestimmten Wert und
während der Abscheidung der Lage aus amorphem hydriertem
Kohlenstoff auf einem zweiten vorbestimmten Wert ge
halten, welcher deutlich niedriger als der erste
Temperaturwert liegt. Vorzugsweise ist der erste vor
gegebene Temperaturwert 350°C und der zweite vorgegebene
Temperaturwert 200°C.
Vorzugsweise wird an das zu beschichtende optische Bau
element während der Abscheidung eine elektrische Vor
spannung (Biasspannung) angelegt und während der Ab
scheidung der Lagen aus amorphem, hydriertem Germanium
karbid und Germanium auf einem ersten vorgegebenen
Wert und während der Abscheidung der Lage aus Kohlen
wasserstoff auf einem zweiten vorgegebenen Wert gehalten,
welcher deutlich größer ist als der erste vorgegebene
Spannungswert. Vorzugsweise beträgt der erste vorgegebene
Spannungswert 500 V und der zweite vorgegebene Spannungs
wert 1000 V.
Der Unterdruck in der Vakuumkammer wird während der Ab
scheidung der Lagen aus amorphem, hydriertem Germanium
karbid und Germanium auf einem ersten vorgegebenen Niveau
und während der Abscheidung der Lage aus amorphem hydriertem
Kohlenstoff auf einem zweiten vorgegebenen Niveau ge
halten, welches deutlich niedriger (das heißt weiter
vom Atmosphärendruck entfernt, liegt als das erste
Druckniveau. Vorzugsweise beträgt das erste Druckniveau
6,67 Pa, und das zweite Druckniveau 1 Pa.
Ausführungsbeispiele der Erfindung werden an Hand der
beigefügten Zeichnungen beschrieben.
Fig. 1 ist eine schematische Darstellung einer Apparatur
für das erfindungsgemäße Beschichten von op
tischen Bauelementen; in
Fig. 2 sind die Durchlässigkeiten und das Absorptions
vermögen eines dünnen Germaniumsubstrates dar
gestellt, welches beidseitig eine erfindungsge
mäße Beschichtung trägt; in
Fig. 3 sind die Durchlässigkeit und das Reflexions
vermögen dargestellt, welches auf seiner einen
Seite eine erfindungsgemäße Beschichtung und
auf seiner gegenüberliegenden Seite eine her
kömmliche Innenflächenbeschichtung (im englischen
Sprachgebrauch als internal surface coating be
zeichnet) trägt; und in
Fig. 4 ist die Durchlässigkeit eines dünnen Germanium
substrates dargestellt, welches auf seiner einen
Seite eine Beschichtung nach dem Stand der Technik
und auf seiner gegenüberliegenden Seite dieselbe
herkömmliche Innenflächenbeschichtung wie in
Fig. 3 trägt.
Die in Fig. 1 dargestellte Beschichtungsapparatur 20
für optische Bauelemente enthält eine Vakuumkammer 17
mit einer Kathode 18, welche als Träger für ein optisches
Bauelement 16 dient, welches auf seiner frei liegenden
Oberfläche 15 beschichtet werden soll. Die Kathode 18
wird mittels einer Heizeinheit 7 beheizt und seine
Temperatur mittels eines Temperaturreglers 12 geregelt,
so daß die Oberfläche 15 des optischen Bauelementes 16
auf der gewünschten Temperatur gehalten wird. Außerdem
wird der Kathode 18 über ein Impedanzanpaßgerät 5
von einem Netzgerät 6 elektrische Energie in Form eines
hochfrequenten Stromes zugeführt. Dabei dient das Impe
danzanpaßgerät dem Erreichen eines maximalen Wirkungs
grades. Den nötigen Unterdruck in der Vakuumkammer 17
stellt eine Hochvakuumpumpe 4 her, die gemeinsam mit
einem durch einen Motor M betätigten Drosselventil 3,
einem kapazitiven Manometer 1 und einem Vakuumregler 2
in einem geschlossenen Regelkreis liegt. Über drei Rohr
leitungen, in denen jeweils ein Massendurchflußregler
9, 10, 11 liegt, können Gasströme über ein den drei Rohr
leitungen gemeinsames Absperrventil 8 in die Vakuumkammer
eingeleitet werden; die Massendurchflußregler 9,10 und 11
liegen jeweils in einem geschlossenen Regelkreis.
Für ein Beispiel einer aus vier verschiedenen Lagen be
stehenden Beschichtung auf der Oberfläche 15 eines
optischen Bauelementes sind die wichtigsten Parameter
dieser Beschichtung und des erfindungsgemäßen Beschichtungs
verfahrens unter Verwendung der in Fig. 1 dargestellten
Apparatur 20 in Tabelle I. dargestellt. Die Lagen Nr. 1
und Nr. 3 bestehen aus amorphem, hydriertem Germaniumkarbid.
Die Lage Nr. 2 besteht aus amorphem, hydriertem Germanium.
Die Lage Nr. 4 besteht aus amorphem, hydriertem Kohlenstoff.
Die Oberfläche 15 des optischen Bauelementes 16 wird
vor dem Beschichten durch Sputtern mit Argon, welches
durch den Massendurchflußregler 9 eingeleitet wird, ge
reinigt. Die Lagen Nr. 1 und Nr. 3 werden erzeugt, während
durch den Massendurchflußregler 10 Butan (C₄H₁₀) und
durch den Massendurchflußregler 11 Monogerman (GeH₄)
eingeleitet wird. Die Lage Nr. 4 wird erzeugt, indem
ausschließlich Butan durch den Massendurchflußregler 10
in die Unterdruckkammer 17 eingeleitet wird. Die zuge
hörigen Massendurchsätze, der jeweilige Druck in der
Vakuumkammer, die Kathodenvorspannung, die Zeitspannen
für das Erzeugen der jeweiligen Lage und die Temperatur
der Oberfläche 15 des optischen Bauelementes sind in
Tabelle I gemeinsam mit der optischen Dicke einer jeden
erzeugten Lage und dem Brechungsindex für eine Wellen
länge von 10 µm angegeben.
Während des Beschichtens in der Apparatur 20 werden die
Massendurchsätze auf ± 10%, die Vorspannung auf ± 15%,
der Unterdruck in der Vakuumkammer 17 auf ± 25% und die
Temperatur der Oberfläche 15 auf ± 20°C genau geregelt;
hält man diese Grenzen ein, dann erhält man Beschich
tungen, die in ihren Maßen und Eigenschaften in den
drei besonders interessanten Bereichen des infraroten
Wellenlängenbandes, nämlich von 2,05 bis 2,2 µm, von
3 bis 5 µm und von 8 bis 11,5 µm um nicht mehr als ein
Prozent von den geplanten Maßen und Eigenschaften ab
weichen. Die Fig. 2 zeigt am Beispiel einer dünnen
Germaniumscheibe, die auf beiden Seiten dieselbe erfindungs
gemäße Beschichtung trägt, wie nahe beieinander die
geplanten und die tatsächlich erreichten Werte der
Durchlässigkeit und des Absorptionsvermögens liegen.
Die Beschichtung gemäß Tabelle I ist so ausgelegt,
daß sie unter Umgebungsbedingungen besonders dauerhaft
ist, das heißt, es handelt sich um eine Außenflächen
beschichtung (im englischen Sprachgebrauch als external
coating bezeichnet). Diese Beschichtung wurde einer
Prüfung, wie sie in der britischen Norm TS 18 88 nieder
gelegt ist, unterzogen; die Prüfergebnisse sind in
Tabelle II aufgeführt; weitere Prüfungen unter schärferen
Bedingungen und größeren Belastungen, als sie in TS 18 88
gefordert sind, zeigten die in Tabelle III aufgeführten
Ergebnisse. Die Prüfergebnisse zeigen die außerordentliche
Dauerhaftigkeit der Beschichtung.
In der Praxis wird man eine Beschichtung der in Tabelle I
aufgeführten Art nur auf einer Oberfläche eines optischen
Bauelementes vorsehen, während die andere Oberfläche
des optischen Bauteiles lediglich eine herkömmliche Innen
flächenbeschichtung trägt. Ein typisches Anwendungsbei
spiel ist das Herstellen eines Fensters, dessen eine
Seite nach außen gewandt ist und den Umwelteinflüssen
standhalten muß, während die andere Seite im Innern eines
optischen Gerätes oder Instrumentes liegt und deshalb
weniger beansprucht ist. Fig. 3 zeigt die Durchlässigkeit
und das Reflexionsvermögen eines solchen optischen Bau
elementes in Gestalt einer dünnen Germaniumscheibe, und
Fig. 4 zeigt zum Vergleich eine ähnliche Scheibe, welche
auf der einen Seite dieselbe Innenflächenbeschichtung
trägt wie die Scheibe gemäß Fig. 3, auf der gegenüber
liegenden Seite aber eine herkömmliche Außenflächenbe
schichtung anstelle einer erfindungsgemäßen Beschichtung
trägt. Der Vergleich zeigt, daß die erfindungsgemäße
Beschichtung (mit den in Tabelle I niedergelegten Eigen
schaften) wesentlich besser ist.
Wenn man die in Tabelle I niedergelegte vierlagige Be
schichtung zu einer aus 6 Lagen bestehenden Beschichtung
ergänzt, dann erhält man eine Beschichtung mit nochmals
verbesserten Eigenschaften, insbesondere mit einem um
3% verringerten Reflexionsvermögen im Wellenlängenband
von 8 bis 11,5 µm. Die Tabelle IV konnte recht knapp ge
halten werden, weil die Lagen Nr. 1, 3 und 5 in jeder
Hinsicht mit den Lagen Nr. 1 und 3 in Tabelle I überein
stimmen, während die Lagen Nr. 2 und 4 in jeder Hinsicht
mit der Lage Nr. 2 in Tabelle I und die Lage Nr. 6
in jeder Hinsicht mit der Lage Nr. 4 in Tabelle I überein
stimmen.
Claims (15)
1. Verfahren zum Beschichten von für infrarote Strahlung durchlässigen opti
schen Bauelementen, mit einer verschleißfesten mehrlagigen Beschichtung,
wobei jede Lage der Beschichtung von vorbestimmter Dicke und für infrarote
Strahlung i.w. durchlässig und reflexmindernd ist, bei dem man
ein zu beschichtendes Bauelement innerhalb einer Vakuumkammer, in der
ein Glimmentladungsplasma erzeugt wird, auf einer Kathode anordnet; und
zur Erzeugung der mehrlagigen Beschichtung nacheinander verschiedene
Gase der Vakuumkammer zugeführt werden, wobei die Dicke einer jeden La
ge ohne Entnahme aus der Vakuumkammer allein durch Steuerung des
Massendurchsatzes des Gases, des Unterdrucks in der Vakuumkammer, der
Kathodenvorspannung, der Temperatur und der Abscheidungszeit erzielt
wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß man für jede
Schicht den Massendurchsatz bei dem jeweils vorgegebenen Niveau auf
± 10%
den Unterdruck auf ± 25% des jeweiligen vorgegebenen Druckwertes,
die Kathodenvorspannung auf ± 15% des jeweils vorgegebenen Wertes und
die vorgegebenen Temperaturwerte auf ± 20°C konstant hält.
den Unterdruck auf ± 25% des jeweiligen vorgegebenen Druckwertes,
die Kathodenvorspannung auf ± 15% des jeweils vorgegebenen Wertes und
die vorgegebenen Temperaturwerte auf ± 20°C konstant hält.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Oberseite der
Beschichtung durch eine Lage aus amorphem, hydriertem Kohlenstoff, abgeschie
den aus einem Kohlenwasserstoffgas, gebildet wird.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß
mindestens eine Lage auf einem Substrat amorphes, hydriertes Germanium-
Karbid ist, welches aus einem Gasgemisch aus German und Kohlenwasser
stoff abgeschieden wird,
daß mindestens eine Lage aus amorphem, hydriertem Germanium besteht, welches aus gasförmigem German abgeschieden wird
und daß mindestens eine Lage aus amorphem, hydriertem Germanium-Karbid besteht, welches aus einem Gasgemisch aus German und Kohlenwasserstoff abgeschieden wird, wobei die vorgegebenen Niveaus des Unterdrucks, der Kathodenvorspannung und der Bauelementtemperatur während der Abschei dungszeit unverändert bleiben und die Dicke durch die Abscheidungszeit und den Massendurchsatz bestimmt wird.
daß mindestens eine Lage aus amorphem, hydriertem Germanium besteht, welches aus gasförmigem German abgeschieden wird
und daß mindestens eine Lage aus amorphem, hydriertem Germanium-Karbid besteht, welches aus einem Gasgemisch aus German und Kohlenwasserstoff abgeschieden wird, wobei die vorgegebenen Niveaus des Unterdrucks, der Kathodenvorspannung und der Bauelementtemperatur während der Abschei dungszeit unverändert bleiben und die Dicke durch die Abscheidungszeit und den Massendurchsatz bestimmt wird.
5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Lage auf
einem Substrat amorphes, hydriertes Germanium-Karbid ist, welches aus ei
nem Gasgemisch aus German und Kohlenwasserstoff abgeschieden wird,
daß die zweite Lage aus amorphem, hydriertem Germanium besteht, welches aus gasförmigem German abgeschieden wird,
und daß die dritte Lage aus amorphem, hydriertem Germanium-Karbid be steht, welches aus einem Gasgemisch aus German und Kohlenwasserstoff abgeschieden wird, wobei die vorgegebenen Niveaus des Unterdruckes, der Kathodenvorspannung und der Bauelementtemperatur während einer ersten, zweiten und dritten Abscheidungszeit unverändert bleiben und die Dicke durch die Abscheidungszeit und den Massendurchsatz bestimmt wird, und die Endschicht auf der dritten Schicht abgeschieden wird.
daß die zweite Lage aus amorphem, hydriertem Germanium besteht, welches aus gasförmigem German abgeschieden wird,
und daß die dritte Lage aus amorphem, hydriertem Germanium-Karbid be steht, welches aus einem Gasgemisch aus German und Kohlenwasserstoff abgeschieden wird, wobei die vorgegebenen Niveaus des Unterdruckes, der Kathodenvorspannung und der Bauelementtemperatur während einer ersten, zweiten und dritten Abscheidungszeit unverändert bleiben und die Dicke durch die Abscheidungszeit und den Massendurchsatz bestimmt wird, und die Endschicht auf der dritten Schicht abgeschieden wird.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß
die erste Lage auf dem Substrat aus amorphem, hydriertem Germanium-Kar
bid besteht, welches aus einem Gasgemisch aus German und Kohlenwasser
stoff abgeschieden wird, die zweite Schicht, welche auf dem Substrat abge
schieden wird, aus amorphem, hydriertem Germanium-Karbid besteht, wel
ches aus einem Gas, welches German enthält, abgeschieden wird,
daß die dritte auf dem Substrat abgeschiedene Schicht aus amorphem, hy driertem Germanium-Karbid besteht, welche aus einem Gasgemisch aus Ger man und Kohlenwasserstoff abgeschieden wird,
daß zwischen der dritten Lage und der die Oberseite der Beschichtung bil dende Lage wenigstens eine weitere Lage aus amorphem, hydriertem Germa nium-Karbid abgeschieden wird, welche aus einem Gasgemisch aus German und Kohlenwasserstoff abgeschieden wird,
und daß wenigstens eine weitere Schicht aus amorphem, hydriertem Germa nium abgeschieden wird, welche aus gasförmigem German abgeschieden wird,
und daß die Niveaus für den Unterdruck, die Kathodenvorspannung und die Temperatur während der betreffenden Zeitintervalle für die erste, zweite, drit te und jede weitere Lage unter der obersten Schicht gleich sind und sich von dem Unterdruck, der Kathodenvorspannung und der Temperatur während der Abscheidung der obersten Schicht unterscheiden.
daß die dritte auf dem Substrat abgeschiedene Schicht aus amorphem, hy driertem Germanium-Karbid besteht, welche aus einem Gasgemisch aus Ger man und Kohlenwasserstoff abgeschieden wird,
daß zwischen der dritten Lage und der die Oberseite der Beschichtung bil dende Lage wenigstens eine weitere Lage aus amorphem, hydriertem Germa nium-Karbid abgeschieden wird, welche aus einem Gasgemisch aus German und Kohlenwasserstoff abgeschieden wird,
und daß wenigstens eine weitere Schicht aus amorphem, hydriertem Germa nium abgeschieden wird, welche aus gasförmigem German abgeschieden wird,
und daß die Niveaus für den Unterdruck, die Kathodenvorspannung und die Temperatur während der betreffenden Zeitintervalle für die erste, zweite, drit te und jede weitere Lage unter der obersten Schicht gleich sind und sich von dem Unterdruck, der Kathodenvorspannung und der Temperatur während der Abscheidung der obersten Schicht unterscheiden.
7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß das Druckniveau
während der Abscheidung der Lagen aus amorphen, hydrierten Germanium-
Karbid und Germanium auf einem ersten vorgegebenen Druckniveau und
während der Abscheidung der Lage aus amorphen hydrierten Kohlenstoff auf
einem zweiten vorgegebenen Druckniveau gehalten wird, welches geringer ist
als das erste Druckniveau ist, daß die Kathodenvorspannung während der
Abscheidung der Lagen aus amorphen, hydrierten Germanium-Karbid und
Germanium auf einem ersten vorgegebenen Spannungsniveau und während
der Abscheidung der Lage aus Kohlenwasserstoff auf einem zweiten vorge
gebenen Spannungsniveau gehalten wird, welches größer als das erste
Spannungsniveau ist, und daß das Temperaturenniveau während der Ab
scheidung der Lagen aus amorphen, hydrierten Germanium-Karbid und der
Lagen aus amorphen, hydrierten Germanium auf einem ersten vorbestimmten
Temperaturwert und während der Abscheidung der Lagen aus amorphen, hy
drierten Kohlenstoff auf einem zweiten vorbestimmten Temperaturwert wel
cher deutlich geringer als der erste Temperaturwert ist, gehalten wird.
8. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß bei der Abschei
dung des amorphen, hydrierten Germanium-Karbids der ersten Lage der
Massendurchsatz des Kohlenwasserstoffs 5 cm³ pro Minute und derjenige
des Germans 10 cm³ pro Minute bei einem Druck von 6,67 Pa und einer
Vorspannung von 500 V und einer Temperatur von 350°C während einer Ab
scheidezeit von 6.1 Minuten beträgt,
daß zur Abscheidung des amorphen, hydrierten Germanium-Karbids der zweiten Schicht der Massendurchsatz des Germans 15 cm³ pro Minute bei einem Druck von 6,67 Pa und einer Vorspannung von 500 V bei einer Tem peratur von 350°C während einer Abscheidezeit von 3 Minuten beträgt,
daß zur Abscheidung des amorphen, hydrierten Germanium-Karbids der drit ten Schicht der Massendurchsatz des Kohlenwasserstoffs 5 cm³ pro Minute und der des Germans 10 cm³ pro Minute bei einem Druck von 6,67 Pa und einer Vorspannung von 500 V und einer Temperatur von 350°C während ei ner Abscheidungszeit von 32 Minuten beträgt.
daß zur Abscheidung des amorphen, hydrierten Germanium-Karbids der zweiten Schicht der Massendurchsatz des Germans 15 cm³ pro Minute bei einem Druck von 6,67 Pa und einer Vorspannung von 500 V bei einer Tem peratur von 350°C während einer Abscheidezeit von 3 Minuten beträgt,
daß zur Abscheidung des amorphen, hydrierten Germanium-Karbids der drit ten Schicht der Massendurchsatz des Kohlenwasserstoffs 5 cm³ pro Minute und der des Germans 10 cm³ pro Minute bei einem Druck von 6,67 Pa und einer Vorspannung von 500 V und einer Temperatur von 350°C während ei ner Abscheidungszeit von 32 Minuten beträgt.
9. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß zur Abscheidung
des amorphen, hydrierten Kohlenstoffs der Massendurchsatz des Kohlenwas
serstoffs 5 cm³ pro Minute bei einem Druck von 1 Pa und einer Vorspan
nung von 1000 V und einer Temperatur von 200°C während einer Abschei
dezeit von 22 Minuten beträgt.
10. Optisches Bauelement mit einer aus mehreren Lagen bestehenden Beschich
tung auf wenigstens einer seiner Oberflächen, dadurch gekennzeichnet, daß
wenigstens zwei Lagen aus amorphem, hydriertem Germanium-Karbid und
wenigstens eine Lage aus amorphem, hydriertem Germanium vorhanden
sind,
und daß jede Lage aus amorphem, hydriertem Germanium zwischen zwei La
gen aus amorphem, hydriertem Germanium-Karbid liegt.
11. Optisches Bauelement nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß eine
Lage aus amorphem, hydriertem Kohlenwasserstoff die Oberseite der Be
schichtung bildet und auf einer Lage aus amorphem, hydriertem Germanium-
Karbid liegt.
12. Optisches Bauelement nach Anspruch 10 oder 11, dadurch gekennzeichnet,
daß die Lagen aus amorphem, hydriertem Germanium-Karbid einen Bre
chungsindex von ungefähr 2,8, die Lagen aus amorphem, hydriertem Germa
nium einen Brechungsindex von ungefähr 4,1 und die Lage aus amor
phem, hydriertem Kohlenstoff einen Brechungsindex von ungefähr 2,0 bei der
für die Anwendung vorgesehenen Wellenlänge haben, wobei die Brechungs
indizes für eine Wellenlänge von 10 µm gelten.
13. Optisches Bauelement nach einem der Ansprüche 10 bis 12, dadurch ge
kennzeichnet, daß genau zwei Lagen aus amorphem, hydriertem Germanium-
Karbid und eine Lage aus amorphem, hydriertem Germanium vorgesehen
sind.
14. Optisches Bauelement nach einem der Ansprüche 10 bis 12, dadurch ge
kennzeichnet, daß genau drei Lagen aus amorphem, hydriertem Germanium-
Karbid und zwei Lagen aus amorphem, hydriertem Germanium vorgesehen
sind.
15. Optisches Bauelement nach einem der Ansprüche 10 bis 14, dadurch ge
kennzeichnet, daß es aus Germanium besteht.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GB8512005 | 1985-05-11 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3615627A1 DE3615627A1 (de) | 1986-11-13 |
DE3615627C2 true DE3615627C2 (de) | 1996-05-30 |
Family
ID=10579030
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE3615627A Expired - Fee Related DE3615627C2 (de) | 1985-05-11 | 1986-05-09 | Verfahren zum Beschichten optischer Bauelemente und optische Bauelemente |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US4740442A (de) |
DE (1) | DE3615627C2 (de) |
GB (2) | GB2175016B (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19909703A1 (de) * | 1999-03-05 | 2000-09-07 | Schlafhorst & Co W | Vorrichtung zur optischen Garnüberwachung |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2175016B (en) * | 1985-05-11 | 1990-01-24 | Barr & Stroud Ltd | Optical coating |
GB8713922D0 (en) * | 1987-06-15 | 1994-06-22 | Secr Defence | Infra red transparent windows |
GB2213835B (en) * | 1987-12-18 | 1992-07-08 | Gen Electric Co Plc | Deposition apparatus |
IT1227877B (it) * | 1988-11-25 | 1991-05-14 | Eniricerche S P A Agip S P A | Procedimento per la deposizione via plasma di strati multipli dimate riale amorfo a composizione variabile |
JP2888253B2 (ja) * | 1989-07-20 | 1999-05-10 | 富士通株式会社 | 化学気相成長法およびその実施のための装置 |
GB2252333B (en) * | 1991-01-29 | 1995-07-19 | Spectra Physics Scanning Syst | Improved scanner window |
US5882773A (en) * | 1993-10-13 | 1999-03-16 | The Regents Of The University Of California | Optical coatings of variable refractive index and high laser-resistance from physical-vapor-deposited perfluorinated amorphous polymer |
US6844070B2 (en) * | 2002-08-30 | 2005-01-18 | Lockheed Martin Corporation | Low-temperature plasma deposited hydrogenated amorphous germanium carbon abrasion-resistant coatings |
US7422966B2 (en) * | 2005-05-05 | 2008-09-09 | Micron Technology, Inc. | Technique for passivation of germanium |
JP6155400B2 (ja) * | 2014-09-30 | 2017-06-28 | 富士フイルム株式会社 | 反射防止膜及びカルコゲナイドガラスレンズ並びに撮像装置 |
CN106796309B (zh) | 2014-09-30 | 2018-11-06 | 富士胶片株式会社 | 防反射膜、硫属化合物玻璃透镜以及摄像装置 |
US10168459B2 (en) * | 2016-11-30 | 2019-01-01 | Viavi Solutions Inc. | Silicon-germanium based optical filter |
GB2559957A (en) | 2017-02-15 | 2018-08-29 | Univ Of The West Of Scotland | Infrared spectrophotometer |
GB201702478D0 (en) | 2017-02-15 | 2017-03-29 | Univ Of The West Of Scotland | Apparatus and methods for depositing variable interference filters |
GB2561865A (en) | 2017-04-25 | 2018-10-31 | Univ Of The West Of Scotland | Apparatus and methods for depositing durable optical coatings |
US10247865B2 (en) * | 2017-07-24 | 2019-04-02 | Viavi Solutions Inc. | Optical filter |
US11143803B2 (en) * | 2018-07-30 | 2021-10-12 | Viavi Solutions Inc. | Multispectral filter |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1104935A (en) * | 1964-05-08 | 1968-03-06 | Standard Telephones Cables Ltd | Improvements in or relating to a method of forming a layer of an inorganic compound |
GB1582231A (en) * | 1976-08-13 | 1981-01-07 | Nat Res Dev | Application of a layer of carbonaceous material to a surface |
EP0032788B2 (de) * | 1980-01-16 | 1989-12-06 | National Research Development Corporation | Verfahren zum Aufbringen einer Beschichtung mittels Glimmentladung |
US4444805A (en) * | 1980-07-17 | 1984-04-24 | Barr & Stroud Limited | Optical coating |
GB2083841B (en) * | 1980-08-21 | 1985-03-13 | Secr Defence | Glow discharge coating |
US4608272A (en) * | 1980-10-20 | 1986-08-26 | Northrop Corporation | Method of reducing optical coating absorptance |
GB2105371B (en) * | 1981-08-18 | 1985-10-02 | Secr Defence | Carbon deposited on fibre by glow discharge method |
JPS58192044A (ja) * | 1982-05-06 | 1983-11-09 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 感光体 |
US4615905A (en) * | 1982-09-24 | 1986-10-07 | Sovonics Solar Systems, Inc. | Method of depositing semiconductor films by free radical generation |
EP0106637B1 (de) * | 1982-10-12 | 1988-02-17 | National Research Development Corporation | Für Infrarotstrahlung transparente optische Komponenten |
US4592981A (en) * | 1983-09-13 | 1986-06-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoconductive member of amorphous germanium and silicon with carbon |
JPH07111957B2 (ja) * | 1984-03-28 | 1995-11-29 | 圭弘 浜川 | 半導体の製法 |
US4557950A (en) * | 1984-05-18 | 1985-12-10 | Thermco Systems, Inc. | Process for deposition of borophosphosilicate glass |
US4634605A (en) * | 1984-05-23 | 1987-01-06 | Wiesmann Harold J | Method for the indirect deposition of amorphous silicon and polycrystalline silicone and alloys thereof |
GB2175016B (en) * | 1985-05-11 | 1990-01-24 | Barr & Stroud Ltd | Optical coating |
US4659401A (en) * | 1985-06-10 | 1987-04-21 | Massachusetts Institute Of Technology | Growth of epitaxial films by plasma enchanced chemical vapor deposition (PE-CVD) |
-
1986
- 1986-05-08 GB GB8611245A patent/GB2175016B/en not_active Expired - Fee Related
- 1986-05-09 DE DE3615627A patent/DE3615627C2/de not_active Expired - Fee Related
- 1986-05-12 US US06/862,078 patent/US4740442A/en not_active Expired - Fee Related
-
1988
- 1988-01-13 US US07/143,481 patent/US4859536A/en not_active Expired - Fee Related
- 1988-03-16 GB GB8806345A patent/GB2201164B/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19909703A1 (de) * | 1999-03-05 | 2000-09-07 | Schlafhorst & Co W | Vorrichtung zur optischen Garnüberwachung |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB2201164B (en) | 1990-01-24 |
DE3615627A1 (de) | 1986-11-13 |
GB2175016B (en) | 1990-01-24 |
GB2175016A (en) | 1986-11-19 |
US4859536A (en) | 1989-08-22 |
GB8806345D0 (en) | 1988-04-13 |
US4740442A (en) | 1988-04-26 |
GB2201164A (en) | 1988-08-24 |
GB8611245D0 (en) | 1986-06-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE3615627C2 (de) | Verfahren zum Beschichten optischer Bauelemente und optische Bauelemente | |
DE3884697T2 (de) | Verfahren zur gesteigerten Abscheidung von Siliciumoxid durch Plasma. | |
DE3876120T2 (de) | Chemisches gasphasenabscheidungsverfahren zur herstellung einer kohlenstoffschicht. | |
DE3047888C2 (de) | ||
DE3317349C2 (de) | ||
DE19744837C2 (de) | Verfahren zur Bildung eines Isolationsfilms mit niedriger Dielektrizitätskonstante | |
DE69509564T2 (de) | Verfahren zur Herstellung und Polierung eines flaches Diamantfilmes | |
DE19752322B4 (de) | Verfahren und Vorrichtung für die hochautomatisierte Herstellung von Dünnfilmen | |
DE19513614C1 (de) | Verfahren zur Abscheidung von Kohlenstoffschichten, Kohlenstoffschichten auf Substraten und deren Verwendung | |
DE3421739A1 (de) | Verfahren zur herstellung von diamantartigen kohlenstoffschichten | |
EP0718418A1 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Gradientenschicht | |
DE3830249A1 (de) | Plasmaverfahren zum beschichten ebener substrate | |
DE4128547A1 (de) | Verfahren und vorrichtung fuer die herstellung einer entspiegelungsschicht auf linsen | |
DE19912737A1 (de) | Verfahren zur Herstellung von porösen SiO¶x¶-Schichten und poröse SiO¶x¶-Schichten | |
DE3941202A1 (de) | Verfahren zur erzeugung von schichten aus harten kohlenstoffmodifikationen und vorrichtung zur durchfuehrung des verfahrens | |
WO2006024386A2 (de) | Schichtverbund mit kubischen bornitrid | |
DE102013203080A1 (de) | Verfahren zum Herstellen einer korrosionsbeständigen und leitfähigen nanodicken Kohlenstoffbeschichtungsschicht und Bipolarplatte für eine Brennstoffzelle, bei welcher ein Edelstahlsubstrat verwendet wird | |
DE2951453C2 (de) | ||
EP1601813B1 (de) | Verfahren zur abscheidung von silizium | |
EP0625588A1 (de) | Plasmapolymer-Schichtenfolge als Hartstoffschicht mit definiert einstellbarem Adhäsionsverhalten | |
EP0757362A1 (de) | Röntgenstrahlendurchlässiges Schichtmaterial, Verfahren zu seiner Herstellung sowie deren Verwendung | |
EP1876257A2 (de) | Verfahren zur PVD-Beschichtung | |
DE19530864A1 (de) | Optisches Bauteil und Verfahren zum Beschichten eines solchen | |
DE2652449C2 (de) | Verfahren zum Ablagern von Siliziumnitrid auf einer Vielzahl von Substraten | |
DE4423891A1 (de) | Schichtaufbau mit einer organischen Schicht und einer die organische Schicht bedeckenden und gegenüber der organischen Schicht härteren, transparenten Deckschicht sowie Verfahren zur Herstellung des Schichtaufbaus |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |