DE3501138C2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- DE3501138C2 DE3501138C2 DE3501138A DE3501138A DE3501138C2 DE 3501138 C2 DE3501138 C2 DE 3501138C2 DE 3501138 A DE3501138 A DE 3501138A DE 3501138 A DE3501138 A DE 3501138A DE 3501138 C2 DE3501138 C2 DE 3501138C2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- signal
- light receiving
- electrical signal
- image
- receiving section
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 230000006798 recombination Effects 0.000 claims description 31
- 238000005215 recombination Methods 0.000 claims description 31
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 30
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 25
- 239000000969 carrier Substances 0.000 claims description 10
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 claims description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 description 12
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 10
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 10
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 10
- 238000013461 design Methods 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 230000005570 vertical transmission Effects 0.000 description 7
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 206010052128 Glare Diseases 0.000 description 4
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 4
- 230000004313 glare Effects 0.000 description 4
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 101100171060 Caenorhabditis elegans div-1 gene Proteins 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000000763 evoking effect Effects 0.000 description 2
- 230000005571 horizontal transmission Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 2
- HCUOEKSZWPGJIM-YBRHCDHNSA-N (e,2e)-2-hydroxyimino-6-methoxy-4-methyl-5-nitrohex-3-enamide Chemical compound COCC([N+]([O-])=O)\C(C)=C\C(=N/O)\C(N)=O HCUOEKSZWPGJIM-YBRHCDHNSA-N 0.000 description 1
- 101001109689 Homo sapiens Nuclear receptor subfamily 4 group A member 3 Proteins 0.000 description 1
- 101000598778 Homo sapiens Protein OSCP1 Proteins 0.000 description 1
- 101001067395 Mus musculus Phospholipid scramblase 1 Proteins 0.000 description 1
- 102100022673 Nuclear receptor subfamily 4 group A member 3 Human genes 0.000 description 1
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000005422 blasting Methods 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 210000003127 knee Anatomy 0.000 description 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000001960 triggered effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
- H01L27/14887—Blooming suppression
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/62—Detection or reduction of noise due to excess charges produced by the exposure, e.g. smear, blooming, ghost image, crosstalk or leakage between pixels
- H04N25/621—Detection or reduction of noise due to excess charges produced by the exposure, e.g. smear, blooming, ghost image, crosstalk or leakage between pixels for the control of blooming
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
- H04N25/72—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors using frame transfer [FT]
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
- H04N25/745—Circuitry for generating timing or clock signals
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Description
Die Erfindung bezieht sich auf eine Bildaufnahmevorrichtung
gemäß Oberbegriff des Patentanspruchs 1.
In der DE 34 05 808 A1, von der im Oberbegriff des Patentanspruchs
1 ausgegangen wird, ist eine derartige
Bildaufnahmevorrichtung beschrieben, deren Bildsensor ein
Lichtaufnahmeteil zum photoelektrischen Umsetzen des Bildlichts
in ein elektrisches Signal, sowie einen Speicherabschnitt
zum Zwischenspeichern des aus dem Lichtempfangsabschnitt
ausgelesenen elektrischen Signals aufweist. Diese
Bildaufnahmevorrichtung ist für Stehbild-Aufnahmetechnik
ausgelegt.
Demgegenüber liegt der Erfindung die Aufgabe zugrunde,
eine Bildaufnahmevorrichtung der im Oberbegriff des Patentanspruchs
1 angegebenen Art derart auszugestalten,
daß ihr Betriebsbereich ohne Gefahr von Überstrahlungseffekten
oder Störungen erweitert ist.
Diese Aufgabe wird mit den im Patentanspruch 1 aufgeführten
Maßnahmen gelöst.
Die erfindungsgemäße Bildaufnahmevorrichtung ermöglicht
nicht nur Stehbild-Betrieb, sondern ist auch auf Laufbild-
Betrieb umschaltbar, wobei im Laufbild-Betrieb die Steuereinrichtung
die Rekombinationsvorrichtung, die die Überstrahlungseffekte
beseitigt, mit taktförmig wechselnden
Potentialen ansteuert. Demgegenüber wird bei Stehbild-Betrieb
der Potentialzustand des Lichtempfangsabschnitts
während des Auslesens aus dem Speicherabschnitt auf einem
vorbestimmten konstanten Pegel gehalten. Durch diese Maßnahmen
können sowohl beim Laufbild- als auch beim Stehbild-
Betrieb Störungen der Aufzeichnung vermieden werden,
ohne daß die Qualität der Unterdrückung von
Überstrahlungseffekten leidet.
Weitere vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind in
den Unteransprüchen angegeben.
Weiterhin ist aus der der JP-OS 1 38 371/1981 entsprechenden
DE 31 04 489 A1 ein Verfahren bekannt, daß bei einem
Festkörper-Bildsensor, wie z. B. einer
Ladungskopplungsvorrichtung (CCD), in Betracht gezogen
wird, überschüssige Ladungsträger statt durch das Anbringen
von Überlaufablässen in der Lichtempfangsfläche durch
Oberflächen-Rekombination zu löschen, um ein Überstrahlen
zu verhindern.
Um dies zu erreichen, wird die Bildaufnahmeabschnitt-
Oberfläche während der Integrationsphase abwechselnd
zwischen Inversion und Anhäufung umgeschaltet, wobei
überschüssige Ladungsträger durch Oberflächenladungs-
Rekombination abgeleitet werden.
Fig. 1 bis 3 sind Darstellungen zur Erläuterung dieses Verfahrens
zum Verhindern des Überstrahlens durch Oberflächen-
Rekombination, wobei Fig. 1 eine Vorderansicht einer
gewöhnlichen Bildübertragungs-Ladungskopplungsvorrichtung
zeigt.
Nach Fig. 1 besteht ein Lichtempfangsteil 1 aus einer Vielzahl
von Vertikalübertragungs-Registern mit Fotoempfindlichkeit.
Ein Speicherteil 2 besteht aus einer Vielzahl von Vertikalübertragungs-
Registern, die gegenüber Licht abgeschirmt
sind.
Mit 3 ist ein Horizontalübertragungs-Register bezeichnet.
Die Informationen in den jeweiligen Vertikalübertragungs-
Registern des Speicherteils 2 können durch gleichzeitiges
Verschieben um jeweils ein Bit in dieses Horizontalübertragungs-Register
eingespeichert werden. Danach kann durch
die Horizontalübertragung in dem Register 3 aus einem Ausgangsverstärker
4 ein Videosignal abgegeben werden.
Im allgemeinen werden die in dem jeweiligen Vertikalübertragungs-
Register des Lichtempfangsteils 1 gebildeten Informationen
innerhalb einer Vertikalaustastlücke nach der
Fernsehnorm vertikal in den Speicherteil 2 übertragen und
innerhalb des nächsten Vertikalabtastintervalls zeilenweise
über das Horizontalübertragungs-Register 3 ausgelesen.
Es sei nun angenommen, daß der Lichtempfangsteil 1, der
Speicherteil 2 und das Horizontalübertragungs-Register 3
jeweils zweiphasig angesteuert werden und jeweilige Übertragungselektroden
Mit P₁, P₂, P₃, P₄, P₅ und P₆ bezeichnet
sind, während entsprechende Übertragungstaktsignale mit ΦP1
und ΦP2, ΦP3 und ΦP4 sowie ΦP5 und ΦP6 bezeichnet sind.
Fig. 2 zeigt eine Darstellung von Potentialprofilen unterhalb
dieser Übertragungselektroden P₁ bis P₆. Beispielsweise
werden unterhalb einer jeden Elektrode, die über einer Isolierschicht
5 auf einem P-Siliciumsubstrat 6 ausgebildet
ist, durch Ionenimplantation oder dergleichen in bezug auf
die Elektronen ein Bereich niedrigen Potentials und ein
Bereich hohen Potentials gebildet. Wenn hierbei an die Elektroden
P₂, P₄ und P₆ eine Spannung -V₁ niedrigen Pegels und
an die Elektroden P₁, P₃ und P₅ eine Spannung V₂ hohen Pegels
angelegt wird, werden die in dieser Fig. durch eine
ausgezogene Linie dargestellten Potentiale hervorgerufen.
Wenn andererseits an die Elektroden P₁, P₃ und P₅ die Spannung
-V₁ niedrigen Pegels und an die Elektroden P₂, P₄ und
P₆ die Spannung V₂ hohen Pegels angelegt wird, werden die
in der Fig. durch die gestrichelten Linie dargestellten
Potentiale gebildet.
Daher werden durch das Anlegen wechselnder Spannungen mit
jeweils entgegengesetzten Phasen an die Elektroden P₁, P₃
und P₅ bzw. an die Elektroden P₂, P₄ und P₆ die Träger bzw.
Ladungen aufeinanderfolgend in einer Richtung befördert
(nämlich nach rechts in der Fig.).
Andererseits sind in der Fig. 2 durch die strichpunktierte
Linie Potentiale in dem Fall dargestellt, daß an die Elektroden
eine hohe positive Spannung V₃ angelegt wird. Diese
Potentialmulden sind in einem Umkehrzustand, so daß über
eine vorbestimmte Menge überschüssiger Träger durch Rekombination
mit den Majoritätsträgern gelöscht worden sind.
Fig. 3 zeigt die Zusammenhänge zwischen den an die Elektroden
angelegten Spannungen und den vorstehend genannten
Formen des inneren Potentials in bezug auf die Richtung der
Dicke des Silicium- bzw. Halbleitersubstrats 6. Aus dieser
Fig. ist ersichtlich, daß bei der Elektrodenspannung V₃
die Potentialmulden niedrig sind, so daß die überschüssigen
Träger einen zweiten Zustand erreichen, bei dem sie an der
Grenzfläche zu der Isolierschicht mit den Majoritätsträgern
rekombiniert werden können.
Andererseits wird bei der Elektrodenspannung -V₁ als erster
Zustand der Sammelzustand hervorgerufen, so daß sich um die
Grenzfläche herum leicht die Majoritätsträger sammeln können,
die beispielsweise aus einem (nicht gezeigten) Kanalsperrbereich
zugeführt werden.
Daher werden beispielsweise durch das abwechselnde Anlegen
der Spannungen -V₁ und V₃ an die Elektrode P₁ bei dem Zustand,
bei dem durch das Anlegen der Spannung -V₁ an die
Elektrode P₂ eine Sperre gebildet ist, die unterhalb der
Elektrode P₁ gesammelten Minoritätsträger auf weniger als
eine vorbestimmte Menge begrenzt.
Diese in Fig. 2 gezeigte Gestaltung hat jedoch einen Nachteil
insofern, als der Wirkungsgrad bei dem Beseitigen der
überschüssigen Ladungen gering ist. Bei den Übertragungselektroden
wird nämlich im allgemeinen der Übertragungswirkungsgrad
dadurch verbessert, daß bei der Speicherung und
Übertragung der Ladungen die Oberfläche-Rekombination der
Ladungen verhindert wird. Zu diesem Zweck muß die Potentialmulde
unterhalb der Übertragungselektrode ausreichend tief
sein und die Fläche der Sohle der Mulde breit sein.
Andererseits sind für das wirkungsvolle Rekombinieren der
Ladungen die entgegengesetzten Bedingungen notwendig.
D. h., zum wirkungsvollen Überlaufen und Rekombinieren der
Ladungen ist es anzustreben, daß die Fläche der Sohle der
Potentialmulde unterhalb der Elektrode bis zu einem gewissen
Ausmaß schmal ist.
Infolgedessen tritt bei der herkömmlichen Technologie ein
Problem insofern auf, als eine Steigerung des Übertragungswirkungsgrads
ein Verschlechtern des Wirkungsgrads bei
der Rekombination hervorruft und im Gegensatz dazu eine
Steigerung des Rekombinations-Wirkungsgrads eine Verringerung
des Übertragungswirkungsgrads ergibt.
Ferner besteht bei einer solchen Ladungskopplungsvorrichtung
mit Ladungsrekombination ein Problem darin, daß das
Taktsignal für die Rekombination mit dem Ausgangssignal gemischt
wird und zu einem Störsignal mit einem festen Bildmuster
wird. Daher wird eine herkömmliche Vorrichtung derart
gestaltet, daß das Rekombinations-Taktsignal nur in der
Horizontalaustastlücke zugeführt wird.
Bei einer solchen Ladungskopplungsvorrichtung herkömmlicher
Art wird die Bildübertragung innerhalb der Vertikalaustastlücke
begonnen; daher tritt der Fall auf, daß die Erzeugung
des Rekombinations-Taktsignals während eines Intervalls von
beispielsweise ungefähr der Hälfte eines Horizontalintervalls
(H/2) unmittelbar vor dieser Lücke beendet wird. Daher
wird die Ladungsübertragung bei einem Zustand eingeleitet,
bei dem eine große Ladungsmenge gespeichert worden ist;
dies kann ein "Verwischen" oder "Überstrahlen" hervorrufen.
Daher wurde auch ein Verfahren in Betracht gezogen, bei dem
die Vorrichtung auch während der Vertikalaustastlücke angesteuert
wird. Dieses Verfahren ist jedoch wegen des hohen
elektrischen Leistungsverbrauchs und dergleichen ungünstig.
Die Erfindung wird nachstehend anhand von Ausführungsbeispielen
unter Bezugnahme auf die Zeichnung näher erläutert.
Es zeigt:
Fig. 1 eine schematische Ansicht eines herkömmlichen
Ladungskopplungs-Bildsensors,
Fig. 2 eine Darstellung zur Erläuterung eines Verfahrens
zum Ansteuern des in Fig. 1 gezeigten Bildsensors,
Fig. 3 eine Darstellung zur Erläuterung des Prinzips
der Oberflächenladungs-Rekombination,
Fig. 4 eine Darstellung, die ein Beispiel für die Gestaltung
der Bildaufnahmevorrichtung
zeigt,
Fig. 5 eine schematische Schnittansicht, die ein Beispiel
für den Aufbau eines Bildsensors zeigt, der
für die Verwendung in der Bildaufnahmevorrichtung
geeignet ist,
Fig. 6 eine Darstellung eines Beispiels für ein Elektrodenmusters
des in Fig. 5 gezeigten Bildsensors,
Fig. 7 ein Zeitdiagramm zur Erläuterung des Ansteuerungsverfahrens
für die Bildaufnahmevorrichtung gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel,
Fig. 8 eine Darstellung zur Erläuterung von Potentialzuständen
des in Fig. 5 gezeigten Bildsensors,
Fig. 9 ein Zeitdiagramm zur Erläuterung des Ansteuerungsverfahrens
für die Bildaufnahmevorrichtung
gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel,
Fig. 10(a) und (b) Darstellungen zur Erläuterung von
Potentialzuständen bei dem zweiten Ausführungsbeispiel,
Fig. 11 eine Darstellung zur Erläuterung eines Kanalverengungseffekts,
Fig. 12 ein Zeitdiagramm der Ansteuerung der
Bildaufnahmevorrichtung gemäß einem dritten
Ausführungsbeispiel,
Fig. 13 eine Darstellung eines Beispiels der Gestaltung
einer Takttreiberstufe.
Fig. 14 ein Zeitdiagramm der Wirkungsweise der Takttreiberstufe
nach Fig. 13,
Fig. 15 eine Darstellung eines Beispiels der Gestaltung
der Bildaufnahmevorrichtung gemäß einem vierten Ausführungsbeispiel,
Fig. 16 eine schematische Schnittansicht, die ein Beispiel
für den Aufbau eines Bildsensors zeigt, der
für die Verwendung bei dem vierten Ausführungsbeispiel
geeignet ist,
Fig. 17 ein Zeitdiagramm des Betriebsablaufs bei einer
Stehbild-Betriebsart und
Fig. 18 eine Darstellung eines Beispiels für die Gestaltung
einer Takttreiberstufe.
Fig. 4 zeigt ein Beispiel der Bildaufnahmevorrichtung,
bei dem ein Bildsensor verwendet wird.
Bei diesem Beispiel wird eine Bildübertragungs-Ladungskopplungsvorrichtung
(CCD) mit Einzelphasensteuerung beschrieben.
In der Fig. 4 sind gleichartige Teile und Komponenten wie
die in den Fig. 1 bis 3 gezeigten mit den gleichen Bezugszeichen
bezeichnet.
Bei diesem Ausführungsbeispiel wird an den Lichtempfangsteil
1 zusammen mit einem Übertragungstaktsignal ΦPI ein Taktsignal
ΦAB angelegt, mit dem überschüssige Ladungen dadurch
gelöscht werden können, daß sie mit Löchern
in Oberflächen-Rekombinationzentren rekombinieren.
Andererseits werden jeweils an den Speicherteil 2 und das
Horizontalübertragungsregister 3 Übertragungstaktsignale
ΦPS bzw. ΦS angelegt.
Eine Takttreiberstufe bzw. Steuereinrichtung CKD
dient dem Speisen des Bildsensors mit diesen Taktsignalen bzw.
Taktimpulsen ΦPI, ΦAB, ΦPS und ΦS. Ein Taktgenerator
erzeugt Zeitsteuersignale für das Bilden dieser Impulse.
Ein Verarbeitungsverstärker bzw. Entzerrer PAP dient als
Unterdrückungseinrichtung bzw. Entzerreinrichtung und enthält
eine Kniekennlinien-Schaltung oder Gamma-Umsetzschaltung
oder dergleichen, mit der auf nachfolgend erläuterte
Weise ein Signal oberhalb eines vorbestimmten Pegels abgeschnitten
oder auf nicht-lineare Weise komprimiert wird.
Ein Codierer ECD setzt ein über den Entzerrer PAP zugeführtes
Videosignal in ein Signal nach einem Fernsehnormsystem
wie beispielsweise in ein NTSC-Signal um.
Fig. 5 zeigt schematisch im Querschnitt Elektroden und
Potentiale in dem Grenzbereich zwischen dem Lichtempfangsteil
bzw. Lichtempfangsabschnitt 1 und dem Speicherteil bzw. Speicherabschnitt 2.
Fig. 5 zeigt Übertragungselektroen PPI für das Anlegen
des Übertragungstaktsignals ΦPI an den Lichtempfangsteil,
Rekombinationsvorrichtungen bzw.
Rekombinationselektroden PAB, die
dem Anlegen des Rekombinations-Taktsignals ΦAB
dienen, und Übertragungselektroden PPS für das Anlegen des
Übertragungstaktsignals ΦPS an den Speicherteil 2. In der
Fig. 5 ist durch ausgezogene Linien ein Potentialzustand
in dem Fall dargestellt, daß als Taktimpulse ΦPI und ΦPS
Spannungen niedrigen Pegels angelegt werden und als Taktimpuls
ΦAB eine Spannung hohen Pegels angelegt wird. Eine
gestrichelte Linie stellt einen Potentialzustand in dem
Fall dar, daß die Taktimpulse ΦPI und ΦPS den hohen Pegel
haben und der Taktimpuls ΦAB niedrigen Pegel hat.
Die in der Fig. 5 gezeigten Potentialstufen werden in einem
Halbleitersubstrat SS bzw. 6 durch Ionenimplantationen gebildet. Andererseits
wird unterhalb des nicht von den Elektroden PPI,
PPS und PAB abgedeckten Bereichs einer Isolierschicht 5,
nämlich in dem Grenzbereich zwischen der Isolierschicht
und dem Halbleitersubstrat 6 eine Inversionsschicht beispielsweise
mit P-Leitfähigkeit ausgebildet, die eine (nicht dargestellte)
virtuelle Elektrode bildet. Daher wird durch die
Vorspannung an einer jeweiligen Elektrode des Potential in
dem von den Elektroden nicht abgedeckten Halbleiterbereich
nicht verändert.
In Fig. 5 ist ein erster Bereich mit X bezeichnet, während
ein zweiter Bereich mit Y bezeichnet ist. Gemäß der
Darstellung ist als zweiter Bereich derjenige Bereich bezeichnet,
der die Elektrode PAB enthält. Diese Definition
des ersten und zweiten Bereichs gilt ohne Einschränkung auf
die Einzelphasenansteuerung auch für eine Bildaufnahmevorrichtung
mit mehrphasiger Ansteuerung.
Fig. 6 zeigt ein Beispiel für ein Elektrodenmuster in
den in Fig. 5 gezeigten Bereichen. Eine Horizontalbewegung
von Ladungen wird durch Kanalsperren CS verhindert.
Bei dem in Fig. 4 bis 6 gezeigten Ausführungsbeispiel
kann die Breite der Elektrode PAB für die Ladungsrekombination
ausreichend geringer als die Breite der Übertragungselektrode
PPI gewählt werden, so daß das Abführen
überschüssiger Ladung mit hohem Wirkungsgrad erfolgt.
Bei dem Ladungskopplungs-Bildsensor mit Einzelphasenansteuerung
kann der Vorgang des Rekombinierens der Ladungen unabhängig
von dem Übertragungsvorgang ausgeführt werden.
Ferner kann ein Aufbau zur Steuerung der Rekombination in
dem Bildsensor gemäß dem Ausführungsbeispiel durch einen
Schritt zum Bilden von Gate-Elektroden aus polykristallinem Silizium
bzw. Polysilizium als Elektroden gebildet werden, der bei
dem gleichen Prozeß wie bei der Herstellung der Kanalsperren
ausgeführt werden kann, während die Stufen der inneren
Potentiale durch einen Ionenimplantationsschritt gebildet
werden können.
Fig. 7 ist eine Darstellung von Kurvenformen der von
der Takttreiberstufe CKD zur Ansteuerung des in Fig. 4 gezeigten
Bildsensors abgegebenen Taktimpulse ΦAB, ΦPI, ΦPS
und ΦS sowie eines Ausgangssignals VOUT des Verstärkers 4.
Nach Fig. 7 wird bei jedem Fernsehteilbild ein Vertikalsynchronisiersignal
VD erhalten. Synchron mit dem Signal
VD werden in Zeitintervallen von t₁ bis t₂ und t₃ bis t₄
die Taktimpulse ΦPI und ΦPS in einer Anzahl zugeführt, die
gleich der Anzahl von Bildelementen des Lichtempfangsteils
1 und des Speicherteils 2 in der Vertikalrichtung ist, wobei
beispielsweise diese Taktsignale gleichphasig zugeführt
werden.
Dadurch werden die Ladungen aus den jeweiligen Bildelementezellen
in dem Lichtempfangsteil 1 übertragen und in entsprechende
Speicherzellen in dem Speicherteil 2 eingespeichert.
Während dieser Zeit wird bei der Bildaufnahmevorrichtung
das an die Elektroden PAB angelegte Taktsignal
ΦAB auf einen Spannungspegel V₄ festgelegt, um zu
vermeiden, daß das Potential unterhalb der Rekombinations-
Elektroden PAB die Ladungsübertragung behindert. Dieser
Spannungspegel V₄ ist beispielsweise gemäß Fig. 8 ein Spannungspegel,
der unterhalb der Elektroden PAB einen Potentialpegel
hervorruft, welcher zwischen einer oberen und einer
unteren Grenze des Potentialpegels im Bereich der virtuellen
Elektroden liegt. Am günstigsten wird der Spannungspegel V₄
so gewählt, daß sich ein Potentialpegel ergibt, der zwischen
der oberen und der unteren Grenze der Potentiale in dem Bereich
außerhalb des Bereichs unter den Elektroden PAB im
zweiten Bereich Y liegt.
Das Zeitintervall t₁ bis t₂ entspricht dem Vertikalaustastintervall
bzw. der Vertikalaustastlücke des Fernsehnormsignals.
In dem Intervall von t₂ bis t₃ werden unter beliebiger Zeitsteuerung
mehrere Taktimpulse ΦAB zugeführt. Die Taktimpulse
ΦAB können periodisch und fortgesetzt oder nur während
des Horizontalaustastintervalls zugeführt werden.
Mit einer Steigerung der Anzahl zugeführter Taktimpuls ΦAB
wird die Fähigkeit zum Beseitigen der überschüssigen Ladungen
gesteigert.
Die Ladungen im Speicherteil werden in dem Intervall von
t₂ bis t₃ durch die Taktsignale ΦPS und ΦS synchron mit der
Horizontalperiode zeilenweise ausgelesen und als Horizontalzeilensignale
ausgegeben. Dieses Intervall von t₂ bis t₃
entspricht dem Vertikalabtastintervall des Fernsehnormsignals.
Als nächstes wird als zweites Ausführungsbeispiel die Ansteuerung
in einem Fall beschrieben, bei dem eine Videokamera
unter Verwendung eines solchen Bildsensors aufgebaut
ist, welcher gemäß den vorstehenen Ausführungen mit
einer Einrichtung zum Verhindern der Verteilung bzw. Zerstreuung
überschüssiger Ladungen versehen ist.
Fig. 9 zeigt ein Zeitdiagramm von Ausgangsimpulsen der
Takttreiberstufe CKD bei diesem zweiten Ausführungsbeispiel.
Gemäß Fig. 9 unterscheiden sich dieses Ausführungsbeispiel
und das in Fig. 7 dargestellte Ausführungsbeispiel in folgenden
Punkten: Während der Speicherintervalle bis zum Zeitpunkt
t₁, zwischen dem Zeitpunkt t₂ und einem Zeitpunkt ta
und nach dem Zeitpunkt t₄ wird das Taktsignal ΦPI auf einen
Pegel V₅ festgelegt, der zumindest annähernd der mittlere
Pegel zwischen den Pegeln der Spannungen -V₁ und V₂ ist.
Das Ansteigen und Abfallen der Taktimpulse ΦPI werden bei
jedem Halbbild bei dem Ende der Speicherintervalle geschaltet.
Diese Punkte werden nun erläutert. Durch das Einstellen des
Taktsignals ΦPI auf den Pegel V₅ während der Speicherintervalle
werden gemäß Fig. 10(a) in dem Substrat unterhalb der
Übertragungselektroden PPI und in dem Substrat unterhalb
der virtuellen Elektroden jeweils Potentialmulden A bzw. C
gebildet, in denen die Ladungen gespeichert werden.
Gemäß Fig. 9 werden während dieser Intervalle mehrere Taktimpulse
ΦAB zugeführt, so daß gemäß Fig. 10(a) die Potentiale
unterhalb der Elektroden PAB zunehmen und abnehmen.
Von den Ladungen in Mulden B, die bei dem Abnehmen dieser
Potentiale gebildet werden, werden jedoch bei dem Zunehmen
der Potentiale die nahe der Isolierschicht 5 gesammelten
überschüssige Ladungen mit den Löchern
rekombiniert, somit werden diese überschüssigen Ladungen gelöscht
und fließen nicht in die Mulden A ab.
Es sei nun angenommen, daß gemäß Fig. 10(a) die während des
Speicherintervalls bei dem ersten Halbbild bis zu dem Zeitpunkt
t₁ nach Fig. 9 in die Mulden A und C (oder B) einfließenden
Ladungsmengen jeweils AINT und CINT (oder BINT)
sind. Danach werden gemäß Fig. 10(b) durch die Vertikalübertragung,
die vom Zeitpunkt t₁ nach Fig. 9 an beginnt,
durch das Anheben des Taktsignals ΦPI von dem mittleren Pegel
V₅ auf den Pegel der Spannung V₂ zu Beginn der Übertragung
die in Bereichen ′ und , ′ und . . . gespeicherten
Ladungen addiert und in den Speicherteil übertragen.
Andererseits werden bei dem zweiten Halbbild durch
das Absenken des Taktsignals ΦPI von dem mittleren Pegel V₅
auf den Pegel der Spannung -V₁ zu Beginn der Übertragung
(zum Zeitpunkt ta) die in Bereichen und ′, und
′, und ′, . . . addiert. Auf diese Weise kann der
Zeilensprung bzw. die Zeilenverschachtelung dadurch ausgeführt
werden, daß für ein jedes Halbbild die Kombination
addierter Ladungen verändert wird.
Mit dieser Gestaltung kann der Zeilensprung-Effekt bzw. die
Zeilenverschachtelung unter Benutzung einiger weniger Bildelemente
erreicht werden, während sich zugleich keine Änderung
des Dunkelstrompegels bei einem jeden Halbbild ergibt
und kaum ein Flimmern auftritt.
Ferner besteht bei diesem Ausführungsbeispiel das Merkmal,
daß die Beziehung AINT < DINT erfüllt ist, wenn eine Sättigungsladungsmenge
der Mulde A gleich AF ist, eine Sättigungsladungsmenge
der Bereiche aus den Mulden B und C außerhalb
der Mulde A gleich DF ist und die Menge verbliebener
Ladungen, die nicht in den Mulden der Bereiche außerhalb
der Mulde A rekombinierbar sind, gleich DINT ist.
Dies wird nachstehend erläutert.
Falls bei diesem Ausführungsbeispiel nicht die Bedingung
AINT+DINT ≦ min [AF, DF] = QSAT
erfüllt wird, übersteigt die Summenmenge AINT+DINT die
Menge übertragbarer Ladungen; infolgedessen würde eine bestimmte
Menge an Ladungen zurückbleiben, ohne übertragen zu
werden. Es muß also die Summenmenge AINT+DINT geringer als
die kleinere Menge der Sättigungsladungsmengen AF und DF
sein.
Daher wird bei diesem Ausführungsbeispiel die Summenmenge
AINT+DINT beispielsweise auf die kleinste Menge der Mengen
AF und DF, nämlich auf ungefähr 70% von QSAT eingestellt.
Wenn man annimmt, daß dieser Wert eine maximale Speicher-
Ladungsmenge Qmax ist und zum Erreichen der Ladungsmenge
Qmax eine Lichtmenge Lmax erforderlich ist, können die Mengen
AINT und DINT einander gleich, nämlich zu AINT = DINT
gewählt werden, um die Zeilenverschachtelung ausführen zu
können, bis die Lichtmenge von "0" ausgehend die Lichtmenge
Lmax erreicht.
Obwohl zwar nach diesem Verfahren die Zeilenverschachtelung
ausgeführt werden kann, wird dabei kein ausreichendes Beseitigen
der überschüssigen Ladungen erzielt.
Um nämlich zu gewährleisten, daß Elemente in einer Anzahl
gebildet werden, die für eine Formalgröße des Schirms von beispielsweise
17 mm (2/3 Zoll) erforderlich sind, ist es praktisch
notwendig, eine Breite W der Elektroden PAB auf einen Wert
nahe der kleinsten Linienbreite, nämlich auf einen Wert
von 3 bis 4 µm festzulegen.
Zur Steigerung der Rekombinationsfähigkeit des Sensors unter
diesen Bedingungen ist ein Verfahren in Erwägung zu
ziehen, bei dem die Anzahl der Stellen für die Rekombination
gesteigert wird; in diesem Fall entsteht jedoch der Nachteil,
daß die Herstellungsausbeute geringer wird.
Andererseits ist auch zu erwägen, die Fläche der Elektrode
PAB für die Rekombination zu vergrößern.
In der Praxis beträgt gemäß Fig. 11 dann, wenn die Breite
W der Elektrode zu 3 µm gewählt wird, infolge des Kanalverengungseffekts
bzw. Schmalkanaleffekts die wirksame Breite
der unterhalb der Elektrode gebildeten und zur Rekombination
beitragenden Mulde ungefähr 0,5 µm. Wenn andererseits die
Breite W der Elektrode zu 4 µm gewählt wird, beträgt die
wirksame Breite der zur Rekombination beitragenden Mulde
ungefähr 1,5 µm. Daher wird dann, wenn in dieser Mulde eine
ausreichende Ladungsmenge gesammelt werden kann, die Menge
an Ladungen, die bei einem jeden Taktimpuls ΦAB beseitigt
werden können, auf ungefähr das Dreifache gesteigert.
Die Rekombinationsfähigkeit gemäß der vorstehenden Beschreibung
ist jedoch nicht erreichbar, wenn die
Menge der Ladungen, die in der Mulde B unterhalb der Elektrode
PAB gesammelt werden können, nicht
ausreichend ist.
Andererseits nimmt die maximale Ladungsmenge Qmax einen bestimmten
konstanten Wert an, wenn die Anzahl der Bildelemente
und die Fläche der Ladungskopplungsvorrichtung bzw.
des Bildsensors festgelegt sind. Daher ist es erforderlich,
die Menge AINT um die Menge einer Zunahme von DINT zu verringern.
Daher wird bei diesem Ausführungsbeispiel durch die Takttreiberstufe
eine Steuerung in der Weise ausgeführt, daß
zwischen der Ladungsmenge AINT in der Mulde unterhalb der
Elektrode PPI als erster Bereich und der Menge DINT verbliebener
Ladungen, die nicht in den Mulden unterhalb der
virtuellen Elektrode und der Rekombinationselektrode als
zweiter Bereich rekombiniert werden, der Zusammenhang
0 < AINT < DINT
besteht. Auf diese Weise wird die Zeilenverschachtelung erreicht
und zugleich eine hohe Leistungsfähigkeit bei der Rekombination
erzielt.
Wenn in diesem Fall beispielsweise die Breite W der Elektrode
PAB zu 4 µm gewählt wird, die Menge DINT zu 50% der Menge
QSAT gewählt wird und die Menge AINT zu ungefähr 20% der
Menge QSAT gewählt wird, wird der Zeilensprung bzw. die
Zeilenverschachtelung bis zu ungefähr 57% der Lichtmenge
Lmax möglich. D. h., es ist zwar für eine Lichtmenge über
diesem Wert von 57% keine Zeilenverschachtelung erzielbar,
die Leistungsfähigkeit hinsichtlich des Verhinderns des
Überstrahlens aber auf ungefähr das Dreifache der herkömmlichen
Leistungsfähigkeit verbessert. Die Videokamera gemäß
diesem Ausführungsbeispiel wird gemäß Fig. 4 mit einer
Unterdrückungs- bzw. Entzerreinrichtung ausgestattet, mit
der unter Berücksichtigung des größten Teils der Bildfläche
die Zeilenverschachtelung auf einen Wert von weniger
als 20% der Lichtmenge Lmax eingestellt wird und eine Signalkomponente,
die einer Lichtmenge über diesem Wert entspricht,
durch Komprimieren oder dergleichen unterdrückt
wird; dadurch wird das Verschlechtern der Zeilenverschachtelung
bei hoher Lichtstärke unmerkbar.
Fig. 12 ist eine Darstellung von Ansteuerungszeiten bei
einem dritten Ausführungsbeispiel der
Bildaufnahmevorrichtung. Dieses Ausführungsbeispiel hat einen
Lichtempfangsteil 1 für das Umsetzen eines optischen Bilds
in ein Ladungssignal, eine Rekombinationsvorrichtung PAB, mit
der ein Teil von Ladungen im Lichtempfangsteil 1 mit Majoritätsträgern
rekombiniert werden kann, und eine Steuereinrichtung
CKD für das Erzeugen eines Signals, das die Übertragung
des Ladungssignals im Lichtempfangsteil 1 herbeiführt, und für
das Ausführen der Rekombination durch die Rekombinationsvorrichtung
PAB über eine vorbestimmte Zeitdauer unmittelbar vor
der Übertragung des Ladungssignals. Dadurch ist es möglich,
durch das Zuführen eines Impulses für die Ladungsrekombination
unmittelbar vor der Bildübertragung die bis zu dem
Beginn der Bildübertragung gespeicherten überschüssigen
Ladungen auf einen geeigneten Wert zu verringern, wodurch
es möglicht wird, ein Überstrahlen oder Verwischen zu verhindern,
das dadurch hervorgerufen wird, daß solche überschüssigen
Ladungen bei der Bildübertragung nicht übertragen
werden können.
Fig. 12 zeigt Kurvenformen von Taktimpulsen und dergleichen,
die von der in Fig. 4 gezeigten Takttreiberstufe
CKD zur Ansteuerung des Bildsensors, von der über Zeitintervalle
t₁₁ bis t₁₃ und t₁₄ bis t₁₆ synchron mit dem bei
einem jeden Fernsehhalbbild erhaltenen Vertikalsynchronisiersignal
VD ein Vertikalaustastsignal VBLK abgegeben wird.
Mit HBLK ist ein Horizontalaustastsignal bezeichnet.
D. h., der Zeitraum t₁₁ bis t₁₃ entspricht dem Zeitraum t₁
bis t₂ in den Fig. 7 und 9, der Zeitraum t₁₃ bis t₁₄ entspricht
dem Zeitraum t₂ bis t₃ und der Zeitraum t₁₄ bis t₁₆
entspricht dem Zeitraum t₃ bis t₄. Durch das Zuführen mehrerer
Taktimpulse ΦAB in den Zeitintervallen von t₁₁ bis
t₁₂ und von t₁₄ bis t₁₅ werden unmittelbar vor der Vertikalübertragung
die überschüssigen Ladungen beseitigt. Ferner
werden in den Zeitintervallen von t₁₂ bis t₁₃ und von t₁₅
bis t₁₆ die Taktimpulse ΦPI und ΦPS in einer Anzahl, die
gleich der Anzahl der Bildelemente des Lichtempfangsteils
1 und des Speicherteils 2 in der Vertikalrichtung ist, im
wesentlichen gleichphasig zugeführt, wodurch die Ladungen
aus den jeweiligen Bildelementzellen im Lichtempfangsteil
1 übertragen und in den entsprechenden Speicherzellen des
Speicherteils 2 eingespeichert werden. Diese Vorgänge sind
gleichartig denjenigen bei den in den Fig. 7 und 9 gezeigten
Ausführungsbeispielen.
Fig. 13 zeigt ein Beispiel für die Gestaltung der Takttreiberstufe
CKD. Die Fig. 14 ist ein Zeitdiagramm der Betriebsvorgänge
der Takttreiberstufe CKD. In Fig. 13 und
14 sind mit ΦD Impulse bezeichnet, die in jedem einzelnen
Horizontalintervall zweimal erzeugt werden, während mit TRG
ein Bildübertragungs-Triggerimpuls bezeichnet ist, mit dem
die Bildübertragung ausgelöst wird. Dieser Triggerimpuls
TRG wird für die Dauer des Vertikalaustastintervalls oder
zu einem hierauf bezogenen Zeitpunkt erzeugt.
Der Triggerimpuls TRG kann beispielsweise gemäß der Beschreibung
in der JP-OS 1 85 475/1984
zu einem beliebigen Zeitpunkt abgegeben werden, der von
dem Vertikalaustastintervall verschieden ist. In diesem
Fall kann durch die Zeitsteuerung dieses Triggerimpulses
TRG auch die Bildspeicherungszeit gesteuert werden.
Ein D-Flip-Flop D₁ nimmt den Impuls TRG als Taktimpuls auf
und erhält an seinem Eingang D ständig hohen Pegel, so daß
ein Ausgangssignal T₁ durch das Auslösen mit dem Impuls TRG
(zu einem Zeitpunkt t₁₇) den hohen Pegel annimmt. Dadurch
wird durch D-Flip-Flops D₂ und D₃ nach einer Verzögerungszeit
um nur zwei Taktimpulse ΦD (zu einem Zeitpunkt t₁₈)
ein Ausgangssignal T₂ erzeugt, wobei das Flip-Flop D₁ gelöscht
bzw. rückgesetzt wird und das Ausgangssignal T₁ den
niedrigen Pegel annimmt. Die Dauer dieses Verzögerungsintervalls
kann durch Erhöhen oder Verringern der Anzahl der
D-Flip-Flops verlängert oder verkürzt werden. Bei diesem
Ausführungsbeispiel ist als Intervall von t₁₇ bis t₁₈ ein
einzelnes Horizontalintervall (H) gewählt; durch das Weglassen
des Flip-Flops D₂ wird jedoch das Intervall zu H/2.
Nachdem das Ausgangssignal T₂ den hohen Pegel angenommen
hat, nimmt zu einem Zeitpunkt t₁₉ ein Ausgangssignal T₃ eines
D-Flip-Flops D₄ den hohen Pegel an, wonach nach vorbestimmten
Taktimpulsen durch ein Ausgangssignal CARRY eines
Zählers CNT die Flip-Flops D₃ und D₄ (zu einem Zeitpunkt t₂₀)
gelöscht bzw. rückgesetzt werden. Dadurch nehmen die Ausgangssignale
T₂ und T₃ den niedrigen Pegel an, wodurch die
Bildübertragung beendet wird.
Die Taktsignale ΦPI, ΦPS und dergleichen können von einem
Impulsgenerator SG auf die in Fig. 12 gezeigte Weise erzeugt
werden; daher werden sie hier nicht im einzelnen dargestellt.
Während des hohen Pegels des Ausgangssignals T₂ wird mittels
eines UND-Glieds A₂ das Horizontalaustastsignal HBLK auf den
niedrigen Pegel geschaltet. Das Ausgangssignal des UND-Glieds
A₂ wird einem ODER-Glied OR₁ zugeführt, welches durch die
ODER-Verknüpfung des Ausgangssignals T₁ und des Ausgangssignals
des UND-Glieds A₂ ein Ausgangssignal T₁′ erzeugt.
Auf diese Weise wird das Ausgangssignal T₁′ zu einem Zeitsteuersignal
für das Einschalten der Taktimpulse ΦAB. D. h.,
das Ausgangssignal T₁′ nimmt den hohen Pegel entweder während
des Horizontalaustastintervalls unter Ausschluß des
Vertikalaustastintervalls von t₁₈ bis t₂₀ oder während des
einem Bereich unmittelbar vor dem Ausgangssignal T₂ entsprechenden
Intervalls von t₁₇ bis t₁₈ an, bei dem das Ausgangssignal
T₁ den hohen Pegel hat.
Durch ein UND-Glied A₁ wird eine logische Multiplikation
eines Taktsignals CLK mit dem Ausgangssignal T₁′ zum Erzielen
eines UND-Signals ausgeführt, durch das ein Schalter
SW₁ zum Umschalten des Taktsignals ΦAB auf den Spannungspegel
V₃ allein in dem Zeitintervall eingeschaltet wird,
in welchem sowohl das Taktsignal CLK als auch das Ausgangssignal
T₁′ den hohen Pegel haben. Während des hohen Pegels
des Ausgangssignals T₂ wird ein Schalter SW₂ eingeschaltet,
wodurch das Taktsignal ΦAB auf den mittleren Spannungspegel
V₄ geschaltet wird. Andernfalls wird durch ein Ausgangssignal
eines NOR-Glieds N₁ ein Schalter SW₃ eingeschaltet, so
daß das Taktsignals ΦAB auf den Spannungspegel -V₁ geschaltet
wird.
Gemäß der vorstehenden Beschreibung werden bei dem dritten
Ausführungsbeispiel der Bildaufnahmevorrichtung
durch das Zuführen des Impulses für die Rekombination
der Ladungen unmittelbar vor der Bildübertragung die
bis zu dem Beginn der Bildübertragung gespeicherten überschüssigen
Ladungen auf einen geeigneten Wert herabgesetzt,
wodurch es möglich wird, ein Überstrahlen oder Verwischen
zu vermeiden, das verursacht werden würde, da bei der Bildübertragung
nicht alle überschüssigen Ladungen übertragen
werden könnten.
Andererseits wird auch während des Betriebs in dem Vertikalaustastintervall
kein hoher elektrischer Leistungsverbrauch
hervorgerufen; daher ist die Gestaltung
auch dann wirkungsvoll, wenn für eine Ausnahmeverwendung
wie beispielsweise zum Erreichen einer Speicherzeit,
die kürzer als die Halbbilderperiode ist, die Bildübertragung
innerhalb anderer Zeitintervalle als dem Vertikalaustastintervall
vorgenommen wird.
Fig. 15 ist ein Blockschaltbild eines vierten Ausführungsbeispiels
der Bildaufnahmevorrichtung,
bei dem gleichartige Teile und Komponenten wie in den
Fig. 1 bis 14 mit den gleichen Bezugszeichen bezeichnet sind.
Mit OFD ist ein Überlaufablaß für das Ableiten der überschüssigen
Ladungen bezeichnet. Dieser Überlaufablaß OFD
ist an der dem Speicherteil 2 gegenüberliegenden Seite des
Lichtempfangsteils 1 angeordnet und wird mittels einer konstanten
positiven Spannung VOD vorgespannt.
Mit MS ist eine Wählvorrichtung bzw. Betriebsart-Wählschaltung bezeichnet, mit
der die Ausgangszustände der verschiedenartigen, von der
Takttreiberstufe CKD abgegebenen Impulse geschaltet werden
können und die Frequenz der Taktimpulse ΦAB für die Rekombination
verändert werden kann. Die Wählvorrichtung MS steuert
auch das Ein- und Ausschalten eines Analogschaltglieds AG.
Mit RCC ist eine Aufzeichnungseinrichtung bezeichnet. Mit SW₁ ist
ein Schalter für das Aufzeichnen eines Stehbildsignals bezeichnet.
Wenn dieser Schalter eingeschaltet wird, wird
automatisch auf die nachfolgend beschriebene Weise die Wähleinrichtung
MS auf eine Stehbild-Betriebsart geschaltet und dabei
die Takttreiberstufe CKD gesteuert, während zugleich
unter einer vorbestimmten Zeitsteuerung das Analogschaltglied
AG für ein Halbbild bzw. über ein einzelnes Bildintervall
durchgeschaltet wird.
Fig. 16 zeigt schematisch im Querschnitt die Elektroden
und Potentiale im Grenzbereich zwischen dem Lichtempfangsteil
1 und dem Speicherteil 2 bei dem vierten Ausführungsbeispiel.
Mit 6E ist ein n+-Bereich bezeichnet, der den Überlaufablaß
bildet.
Wenn der Schalter SW₁ ausgeschaltet ist, nämlich die Laufbild-
Aufnahmebetriebsart gewählt ist, werden zur Ansteuerung
des in Fig. 15 gezeigten Bildsensors von der Takttreiberstufe
CKD die in Fig. 12 gezeigten Taktimpulse erzeugt,
wobei von dem Verstärker 4 usw. das Ausgangssignal
VOUT abgegeben wird.
Fig. 17 zeigt ein Zeitdiagramm für den Fall, daß der
Schalter SW₁ eingeschaltet ist, um einen Aufnahmevorgang
in der Stehbild-Betriebsart auszuführen. Wenn zu einem beliebigen
Zeitpunkt t₀ der Schalter SW₁ eingeschaltet wird,
wird von der Wähleinrichtung MS synchron mit der Abfallflanke
des nächsten Vertikalaustastimpulses VBLK zu einem Zeitpunkt
t₁₃ ein nachfolgend erläutertes Signal MODE 0 erzeugt.
Dieses Signal MODE 0 wird bis zu der Vorderflanke des nächsten
Vertikalaustastimpulses VBLK zu einem Zeitpunkt t₁₄
aufrechterhalten.
Andererseits wird für die Zeitdauer der Ausgabe des Signals
MODE 0 das Taktsignal ΦAB auf das Potential V₃ festgelegt,
während das Taktsignal ΦPI auf das Potential V₂ festgelegt
wird. Synchron mit dem Vertikalsynchronisiersignal VD, das
unmittelbar nach dem Einschalten des Schalters SW₁ auftritt,
wird das Analogschaltglied AG für die Dauer eines Halbbildintervalls
durchgeschaltet (t₁₁ bis t₁₄).
Die anderen Impulse sind den in Fig. 12 gezeigten gleichartig.
Daher führt während der Zeitdauer des Auslesens des Signals
für ein Halbbild mittels der Impulse ΦPS und ΦS synchron mit
dem Vertikalsynchronisiersignal VD nach dem Einschalten des
Schalters SW₁ das Analogschaltglied AG dieses Signal der
Aufzeichnungseinrichtung RCC zu, so daß das Signal für das einzelne
Halbbild aufgezeichnet wird.
Während dieser Zeitdauer hat für die Zeitdauer von t₁₃ bis
t₁₄ das Taktsignal ΦAB einen konstanten Pegel; daher wird
während des Auslesens des Signals VOUT kein Störsignal eingemischt,
wobei auch elektrische Leistung gespart werden
kann.
Andererseits ist über den größten Teil der Zeitdauer t₁₃ bis
t₁₄ die Potentialbarriere in dem Lichtempfangsteil 1 niedriger
als die Barriere in dem Speicherteil 2. D. h., nach Fig. 16
nimmt das Potential in dem Bereich X den durch die gestrichelte
Linie dargestellten Zustand an und das Potential
in dem Bereich Y den durch die ausgezogene Linie dargestellten
Zustand an, so daß selbst bei dem unwirksamen Zustand
des Taktsignals ΦAB die überlaufenden Ladungen nicht
wesentlich in den Speicherteil abfließen.
Da ferner an der dem Speicherteil 2 gegenüberliegenden Seite
des Lichtempfangsteils 1 der Überlaufablaß 6E angebracht
ist, werden die zu dieser Zeit im Bildempfangsteil 1 überlaufenden
Ladungen zu der Spannungsquelle der Vorspannung
VOD abgeleitet.
Obwohl durch die Impulse ΦPS das Potential in dem Bereich
X des Speicherteils nur während des Horizontalaustastintervalls
verringert wird, wird bei jeder Verringerung das (bis
zu dem Zeitpunkt t₁₁ erzeugte) nutzbare Bildsignal in den
Speicherteil 2 nach unten nach Fig. 15 bewegt. Daher ist
es möglich, Ladungen außer Acht zu lassen, die aus dem
Lichtempfangsteil 1 in den Speicherteil 2 abfließen, während
das Signal ΦPS den hohen Pegel hat.
Fig. 18 zeigt ein Beispiel für die Gestaltung der Takttreiberstufe
CKD, wobei gleichartige Teile und Komponenten
wie die in Fig. 13 gezeigten mit den gleichen Bezugszeichen
bezeichnet sind.
Fig. 18 zeigt die D-Flip-Flops D₁ bis D₄, ODER-Glieder
OR₁ bis OR₄, den Zähler CNT, den Impulsgenerator SG zur Erzeugung
der Impulse ΦPI und ΦPS, Analogschalter SW₁ bis SW₄,
1 : 2-Frequenzteiler DIV₁ und DIV₂, UND-Glieder A₂ bis A₇ und
ein NOR-Glied NOR₁.
Den UND-Gliedern A₃ bis A₆ werden das Taktsignal CLK, die
hinsichtlich der Frequenz geteilten Signale aus den Frequenzteilern
DIV₁ und DIV₂ sowie die Ausgangssignale der
Betriebsart-Wählschaltung MS zugeführt, wobei folgende Zusammenhänge
herbeigeführt werden:
Wenn Ausgangssignale SEL 1 und SEL 0 der Betriebsart-Wählschaltung
MS den hohen Pegel H haben (was nachfolgend als
Signal MODE 3 bezeichnet wird), wird als Ausgangssignal T₅
des ODER-Glieds OR₃ das Taktsignal CLK ausgegeben. Wenn das
Signal SEL 1 den hohen Pegel H hat und das Signal SEL 0 den
niedrigen Pegel L hat (was nachfolgend als Signal MODE 2 bezeichnet
wird), wird das Ausgangssignal T₅ zu dem hinsichtlich
der Frequenz halbierten Taktsignal CLK.
Wenn andererseits das Signal SEL 1 den niedrigen Pegel L hat
und das Signal SEL 0 den hohen Pegel H hat (was nachstehend
als Signal MODE 1 bezeichnet wird), wird das Ausgangssignal
T₅ zu dem hinsichtlich der Frequenz geviertelten Taktsignal
CLK. Wenn die Signale SEL 1 und SEL 0 beide den niedrigen Pegel
L haben, wodurch das Signal MODE 0 gebildet ist, erhält
das Ausgangssignal T₅ ständig den hohen Pegel H.
Mit T₁ sind Zeitsteuerimpulse bezeichnet, durch die unmittelbar
vor der Vertikalübertragung die Impulse ΦAB zugeführt
werden. Wenn der Impuls T₁ den hohen Pegel hat, wird
der Impuls ΦAB zugeführt.
Mit T₃ sind die Zeitsteuerimpulse für die Vertikalübertragung
bezeichnet. Wenn ein solcher Impuls T₃ den hohen Pegel
hat, wird die Vertikalübertragung mittels der Impulse ΦPI
und ΦPS ausgeführt.
Wenn der in Fig. 15 gezeigte Schalter SW₁ ausgeschaltet ist,
wird die Periode der Impulse ΦAB entsprechend den von der
Betriebsart-Wählschaltung 11S bestimmten Betriebsart-Signalen
MODE 1 bis MODE 3 festgelegt, wobei die Impulse ΦAB unter der
in Fig. 12 dargestellten Zeitsteuerung zugeführt werden.
Die Impulse ΦPI und ΦPS werden von dem Impulsgenerator SG
unter der in Fig. 12 gezeigten Zeitsteuerung erzeugt.
Wenn der Schalter SW₁ nach Fig. 15 einmal eingeschaltet
wird, ergibt die Betriebsart-Wählschaltung MS sofort danach
das Betriebsart-Signal MODE 0, so daß die Signale SEL 1 und
SEL 0 den niedrigen Pegel L annehmen und ein Ausgangssignal
T₆ des ODER-Glieds OR₄ nach Fig. 18 den hohen Pegel annimmt,
wodurch das Taktsignal ΦAB auf das Potential bzw. die Spannung
V₃ geschaltet wird. Andererseits wird während dieses
Zeitraums der Analogschalter SW₄ auf einen Kontakt b geschaltet,
so daß das Taktsignal ΦPI auf das Potential bzw.
die Spannung +V₂ festgelegt wird.
Gemäß der vorstehenden Beschreibung werden bei diesem Ausführungsbeispiel
die Impulse ΦAB über eine vorbestimmte
Zeitdauer unmittelbar vor dem Bildübertragungsintervall zugeführt,
wodurch die überschüssigen Ladungen unmittelbar
vor der Übertragung beseitigt werden, so daß kein Verwischen
oder Überstrahlen hervorgerufen wird.
Ferner wird bei der Aufzeichnung des Videoausgangssignals
des Bildsensors für nur ein einzelnes Halbbild oder ein
einzelnes Vollbild das Signal ΦAB auf ein konstantes Potential
festgelegt, so daß elektrische Leistung gespart werden
kann und keine Störsignale eingemischt werden.
Andererseits wird für den größten Teil der Zeit die Potentialbarriere
in dem Lichtempfangsteil niedriger als die
Potentialbarriere in dem Speicherteil eingestellt; daher
wird das Auslesesignal während des
Auslesens des Signals nicht durch das Überstrahlen beeinflußt.
Da ferner an der dem Speicherteil gegenüberliegenden Seite
des Lichtempfangsteils der Überlaufablaß angebracht ist,
können die während dieses Zeitraums überlaufenden Ladungen
schnell abgeführt werden.
Vorstehend wurde zwar ein Beispiel einer Bildübertragungs-
Ladungskopplungsvorrichtung mit Einzelphasensteuerung beschrieben,
jedoch ist es ersichtlich, daß die
Ausgestaltung auf gleichartige Weise auch bei einem Ladungskopplungs-
Bildsensor mit mehrphasiger Ansteuerung anwendbar
ist. Es ist ferner offensichtlich, daß die
Ausgestaltung nicht nur bei einem Ladungskopplungs-
Bildsensor, sondern auch bei allen Bildsensoren angewandt
werden kann, welche ein Bildsignal in ein Ladungssignal umsetzen
und dieses speichern.
Bei dem Ausführungsbeispiel werden bei dem Betriebsart-Signal
MODE 0 das Taktsignal ΦPI auf die Spannung V₂ und das Taktsignal
ΦAB auf die Spannung V₃ festgelegt; eine gleichartige
Wirkung wird jedoch auch dann erzielt, wenn das Taktsignal
ΦPI auf die Spannung V₅ und das Taktsignal ΦAB auf die Spannung
V₄ festgelegt wird, da hierbei die Potentialbarriere
in dem Lichtempfangsteil 1 niedriger als die Barriere in dem
Speicherteil 2 ist. Ferner können bei dem Ausführungsbeispiel
die Potentialpegel für die Signale ΦPI sowie ΦAB auch durch
die Signale SEL 1 und SEL 0 aus der Betriebsart-Wählschaltung MS
gesteuert werden, wodurch die Anzahl von Eingangsanschlüssen
der Takttreiberstufe verringert werden kann.
Bei dem vierten Ausführungsbeispiel der
Bildaufnahmevorrichtung werden die Signale ΦAB und ΦPI für
die Aufzeichnung in der Stehbild-Betriebsart auf die konstanten
Potentiale eingestellt, so daß elektrische Leistung
gespart werden kann und keine Störsignale eingemischt werden.
Ferner werden hierbei diese Potentiale so gewählt, daß sie
in bezug auf die Elektronen niedriger als das Potential in
dem Speicherteil 2 sind, so daß selbst beim Auftreten eines
Überstrahlens in dem Lichtempfangsteil 1 keine Einmischung
in den Speicherteil 2 erfolgt.
Claims (6)
1. Bildaufnahmevorrichtung mit einem Lichtempfangsabschnitt
zum Umsetzen eines optischen Bilds in
ein elektrisches Signal, einer Rekombinationsvorrichtung
zum Zusammenfassen eines Teils des durch den
Lichtempfangsabschnitt umgesetzten elektrischen Signals
mit einem Signal, dessen Polarität der des elektrischen
Signals entgegengesetzt ist, einem Speicherabschnitt
zum Speichern des im Lichtempfangsabschnitt umgesetzten
Ladungssignals, einer Aufzeichnungseinrichtung zum Aufzeichnen
des aus dem Speicherabschnitt ausgelesenen
elektrischen Signals und einer Steuereinrichtung zum
Steuern des Lichtempfangsabschnitts und der Rekombinationsvorrichtung,
dadurch gekennzeichnet, daß eine
Wählvorrichtung (MS) zum Wählen einer Stehbild-Betriebsart,
bei der das elektrische Signal eines Einzelbilds
durch die Aufzeichnungseinrichtung (RCC) aufgezeichnet
wird, und einer Laufbild-Betriebsart, in der
das elektrische Signal für eine Vielzahl aufeinanderfolgender
Bilder aufgezeichnet wird, vorgesehen ist,
und daß die Steuereinrichtung (CKD) den Lichtempfangsabschnitt
(1) und die Rekombinationsvorrichtung (PAB)
bei der Stehbild-Betriebsart während des Auslesens des
elektrischen Signals aus dem Speicherabschnitt und der
Aufzeichnung des elektrischen Signals derart steuert,
daß der Potentialzustand im Lichtempfangsabschnitt (1)
einen vorbestimmten konstanten Wert besitzt, während
die Steuereinrichtung (CKD) in der Laufbild-Betriebsart
die Rekombinationsvorrichtung (PAB) während des Auslesens
des elektrischen Signals aus dem Speicherabschnitt
(2) und der Aufzeichnung des elektrischen Signals mit
taktförmig wechselnden Potentialen ansteuert.
2. Bildaufnahmevorrichtung nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß der Lichtempfangsabschnitt (1) einen ersten
und einen zweiten Bereich (X bzw. Y) enthält.
3. Bildaufnahmevorrichtung nach Anspruch 2, dadurch
gekennzeichnet, daß der zweite Bereich (Y) einen virtuellen
Elektrodenbereich enthält.
4. Bildaufnahmevorrichtung nach Anspruch 2 oder 3, dadurch
gekennzeichnet, daß der erste und der zweite Bereich
(X, Y) Ladungsübertragungs-Struktur besitzen.
5. Bildaufnahmevorrichtung nach einem der Ansprüche 2
bis 4, gekennzeichnet durch eine Sperrvorrichtung (PAP) zum
Unterdrücken eines Teils addierter Informationen, die aus
den Ladungen in dem ersten und zweiten Bereich (X, Y) gewonnen sind.
6. Bildaufnahmevorrichtung nach einem der Ansprüche
2 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Rekombinationsvorrichtung
(PAB) einen Teil der Ladungen in dem
zweiten Bereich (Y) mit Majoritätsträgern zusammenfaßt.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE3546841A DE3546841C2 (de) | 1984-01-18 | 1985-01-15 | Bildaufnahmevorrichtung |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59007772A JPS60152181A (ja) | 1984-01-18 | 1984-01-18 | 撮像装置 |
JP59008778A JPS60153273A (ja) | 1984-01-20 | 1984-01-20 | 撮像装置 |
JP59010509A JPS60154786A (ja) | 1984-01-23 | 1984-01-23 | 撮像装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3501138A1 DE3501138A1 (de) | 1985-07-18 |
DE3501138C2 true DE3501138C2 (de) | 1992-05-21 |
Family
ID=27277747
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19853501138 Granted DE3501138A1 (de) | 1984-01-18 | 1985-01-15 | Bildaufnahmevorrichtung |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US4774585A (de) |
DE (1) | DE3501138A1 (de) |
Families Citing this family (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0815322B2 (ja) * | 1986-05-21 | 1996-02-14 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置 |
US4963980A (en) * | 1987-02-06 | 1990-10-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Image sensing device |
EP0372514B1 (de) * | 1988-12-06 | 1997-03-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Bildaufnahmesystem |
US5008758A (en) * | 1989-05-24 | 1991-04-16 | Massachusetts Institute Of Technology | Suppressing dark current in charge-coupled devices |
US5258846A (en) * | 1990-02-05 | 1993-11-02 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | CCD imager including serially connected inverter circuits connected in parallel to charge transfer elements |
JP3227808B2 (ja) * | 1992-07-21 | 2001-11-12 | ソニー株式会社 | Fit型固体撮像装置 |
JP3847811B2 (ja) * | 1995-06-30 | 2006-11-22 | キヤノン株式会社 | 撮像装置 |
US6100552A (en) * | 1998-01-14 | 2000-08-08 | Dalsa, Inc. | Multi-tapped bi-directional CCD readout register |
JP2000224493A (ja) * | 1999-02-01 | 2000-08-11 | Sanyo Electric Co Ltd | 固体撮像装置 |
JP3615414B2 (ja) * | 1999-03-10 | 2005-02-02 | 三洋電機株式会社 | 固体撮像素子の駆動方法 |
US6995794B2 (en) * | 1999-06-30 | 2006-02-07 | Logitech Europe S.A. | Video camera with major functions implemented in host software |
JP4916101B2 (ja) * | 2004-09-01 | 2012-04-11 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置、固体撮像装置及び固体撮像システム |
JP4971586B2 (ja) * | 2004-09-01 | 2012-07-11 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置 |
JP2006073736A (ja) * | 2004-09-01 | 2006-03-16 | Canon Inc | 光電変換装置、固体撮像装置及び固体撮像システム |
JP5089017B2 (ja) * | 2004-09-01 | 2012-12-05 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及び固体撮像システム |
JP5142696B2 (ja) | 2007-12-20 | 2013-02-13 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置、及び光電変換装置を用いた撮像システム |
JP5173493B2 (ja) * | 2008-02-29 | 2013-04-03 | キヤノン株式会社 | 撮像装置及び撮像システム |
JP5529613B2 (ja) | 2009-04-17 | 2014-06-25 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置及び撮像システム |
US8582003B2 (en) | 2010-05-21 | 2013-11-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid-state imaging apparatus |
US9093351B2 (en) | 2012-03-21 | 2015-07-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid-state imaging apparatus |
JP6482186B2 (ja) | 2014-05-23 | 2019-03-13 | キヤノン株式会社 | 撮像装置及びその駆動方法 |
JP6480768B2 (ja) | 2015-03-17 | 2019-03-13 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及びその駆動方法 |
US10319765B2 (en) | 2016-07-01 | 2019-06-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Imaging device having an effective pixel region, an optical black region and a dummy region each with pixels including a photoelectric converter |
JP7102161B2 (ja) | 2018-02-15 | 2022-07-19 | キヤノン株式会社 | 撮像装置、撮像システム、及び、移動体 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3996600A (en) * | 1975-07-10 | 1976-12-07 | International Business Machines Corporation | Charge coupled optical scanner with blooming control |
JPS5839386B2 (ja) * | 1978-02-22 | 1983-08-30 | 株式会社東芝 | 電荷転送形イメ−ジセンサ |
US4229752A (en) * | 1978-05-16 | 1980-10-21 | Texas Instruments Incorporated | Virtual phase charge transfer device |
JPS5518064A (en) * | 1978-07-26 | 1980-02-07 | Sony Corp | Charge trsnsfer device |
NL8000998A (nl) * | 1980-02-19 | 1981-09-16 | Philips Nv | Vaste stof opneemcamera met een halfgeleidende photogevoelige trefplaat. |
JPS585086A (ja) * | 1981-07-01 | 1983-01-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置 |
US4622596A (en) * | 1983-02-21 | 1986-11-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Image pickup apparatus |
JPS59201586A (ja) * | 1983-04-28 | 1984-11-15 | Canon Inc | 撮像装置 |
US4663669A (en) * | 1984-02-01 | 1987-05-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Image sensing apparatus |
JPS61113367A (ja) * | 1984-11-07 | 1986-05-31 | Canon Inc | 撮像装置 |
-
1985
- 1985-01-15 DE DE19853501138 patent/DE3501138A1/de active Granted
-
1987
- 1987-11-25 US US07/129,946 patent/US4774585A/en not_active Expired - Lifetime
-
1988
- 1988-05-17 US US07/196,853 patent/US4821105A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4774585A (en) | 1988-09-27 |
US4821105A (en) | 1989-04-11 |
DE3501138A1 (de) | 1985-07-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE3501138C2 (de) | ||
DE3752305T2 (de) | Elektronischer Verschluss für elektronische Kamera | |
DE3416058C2 (de) | ||
DE2622828C3 (de) | Verfahren zum Betreiben von BiIdfühlern | |
DE3877034T2 (de) | Festkoerper-bildabtaster mit hochgeschwindigkeitsverschluss und verfahren zur erzielung einer hohen verschlussgeschwindigkeit in einem festkoerper-bildabtaster. | |
DE3446374C2 (de) | ||
DE2600962C3 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Steuerung der Überstrahlung bei Halbleiterbildwandlern | |
DE3320661C2 (de) | ||
DE68915930T2 (de) | CCD-Bildsensor mit vertikaler Überlauf-Senke. | |
DE3337484C2 (de) | ||
DE3223809C2 (de) | Bildsensor | |
DE3751102T2 (de) | Steuerverfahren für einen Festkörperbildgeber. | |
DE3405808C2 (de) | ||
DE3120458A1 (de) | Festkoerper-bildsensoranordnung | |
DE3437561C2 (de) | ||
DE69025651T2 (de) | Ansteuerverfahren eines Festkörper-Bildaufnehmers | |
DE3408344C2 (de) | Verfahren zur Vorspannung der Gateelektroden eines Ladungsübertragungselementes und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens | |
DE3039264A1 (de) | Festkoerper-bildabtastvorrichtung und deren ladungsuebertragungsverfahren | |
DE69508345T2 (de) | Ansteuerverfahren einer CCD Festkörper-Bildaufnahmevorrichtung und Videokamera nach dem Verfahren | |
DE69118279T2 (de) | CCD mit einem Paar von horizontalen Registern | |
DE3320706C2 (de) | ||
DE69228734T2 (de) | Festkörperbildaufnahmeeinrichtung und Kamera mit einer derartigen Bildaufnahmeeinrichtung | |
DE3874775T2 (de) | Halbleiterbildsensor. | |
DE3332446A1 (de) | Festkoerper-bildsensor | |
DE69910838T2 (de) | Reduzierung von streifenförmigen Störungen in CMOS Bildsensoren |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
8172 | Supplementary division/partition in: |
Ref country code: DE Ref document number: 3546841 Format of ref document f/p: P |
|
Q171 | Divided out to: |
Ref country code: DE Ref document number: 3546841 |
|
AH | Division in |
Ref country code: DE Ref document number: 3546841 Format of ref document f/p: P |
|
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
AH | Division in |
Ref country code: DE Ref document number: 3546841 Format of ref document f/p: P |