DE3435177C2

DE3435177C2 -

Info

Publication number: DE3435177C2
Application number: DE3435177A
Authority: DE
Inventors: Hideo Kato; Hirohumi Yokohama Kanagawa Jp Shibata; Keiko Tokio/Tokio Jp Matsushita; Osamu Yokohama Kanagawa Jp Takamatsu
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1983-09-26
Filing date: 1984-09-25
Publication date: 1988-03-03
Also published as: DE3435177A1; GB2148539A; US4956249A; GB8424300D0; GB2148539B

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Struktur nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1.

Heutzutage findet ein Verfahren zur Herstellung von verschiedenartigen Produkten durch eine teilweise Oberflächenmodifikation von Werkstücken unter Ver wendung von lithographischen Techniken breite An wendung in der Industrie, insbesondere in der elek tronischen Industrie. Dieses Verfahren gestattet eine Massenproduktion von Gegenständen, die das gleiche Modifikationsmuster auf der Oberfläche aufweisen. Die Oberflächenmodifikation der Werkstücke kann durch Bestrahlen mit verschiedenen Arten von Energie erfolgen, wobei Masken verwendet werden, die örtlich ein Strah lungsenergie auffangendes Material vorsehen, um Muster herzustellen. Wenn als Strahlungsenergie sichtbares Licht verwendet wird, waren die bisher verwendeten Masken so ausgebildet, daß sie ein transparentes Substrat aus Glas, Quarz o. ä. umfaßten, das mit einem Muster aus schwarzer Farbe beschichtet oder mit einem Muster aus einer Metallfolie o. ä., die gegenüber sicht barem Licht opak war, laminiert war.

In neuerer Zeit sind Röntgenstrahlen und anderer Korpus kularstrahlen, beispielsweise Ionenstrahlen, als Strah lungsquellen eingesetzt worden, da ein Bedarf nach feineren Mustern und einer kürzeren lithographischen Behandlungszeit bestand. Die Energie dieser Strah len wird zum größten Teil durch die Glas- oder Quarz platte absorbiert, die bei der vorstehend erwähnten Maske zum Abschirmen des sichtbaren Lichtes Verwendung findet. Wenn derartige Arten von Strahlungsenergie ver wendet werden, ist es daher nicht wünschenswert, eine Glas- oder Quarzplatte für die Maske zu verwenden. Die für solche lithographischen Verfahren, bei denen Rönt genstrahlen oder Korpuskularstrahlen als Strahlungs quellen eingesetzt werden, verwendeten Masken umfassen daher:

1. Einen gegenüber diesen Strahlen transparenten Film, der einen anorganischen Film, beispielsweise Siliziumnitrid-, Bornitrid- und Siliziumoxidfilme, einen organischen Film, beispielsweise Polyimid-, Polyamid- und Polyesterfilme, oder einen zusammengesetzten Film aus diesen Materialien umfaßt, und
2. ein überlagern des Muster aus Metall, beispielsweise Gold, Platin, Nickel, Palladium, Rhodium und Indium, das gegenüber diesen Strah len opak ist. Diese Art von Maske besitzt jedoch selbst kein Formhaltevermögen und wird daher von einer geeigne ten Basis gestützt.

Eine Struktur mit den Merkmalen des Oberbegriffs des Patentanspruchs 1 ist aus der US-PS 41 70 512 bekannt. Diese Struktur wird so hergestellt, daß der Umfangsab schnitt eines Maskenmaterialhaltefilms, der auf einer Seite gegenüber Strahlungsenergie durchlässig ist, mit einem Kleber an einer ringförmigen Basisplatte befestigt wird, wobei der Haltefilm auf seiner Oberfläche mit einem geeigneten Muster eines Maskenmaterials, das Strahlungs energie absorbieren kann, versehen ist. Die Fig. 1 und 2 geben diesen Stand der Technik wieder, wobei mit 1 das Maskenmaterial, mit 2 der Maskenmaterialhaltefilm, mit 3 die ringförmige Basisplatte und mit 4 der Kleber bezeichnet ist.

Bei der vorstehend beschriebenen Struktur nach dem Stand der Technik treten jedoch Schwierigkeiten beim Ebenhalten des Filmes auf, da je nach der Art der Aufbringung des Klebers die folgenden Fehlerquellen existieren können:
Die Dicke der Kleberschicht kann uneben sein, der Kleber kann von der Umfangsseite des Films her herausfließen oder Umfangsteile des Filmes können beim Zurichten des Umfangs abblättern. Dadurch werden Ungenauigkeiten bei der Lithografie verursacht.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Struktur der angegebenen Art zu schaffen, bei der der Film eine besonders gute Ebenheit aufweist.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch eine Struktur der angegebenen Art mit den kennzeichnenden Merkmalen des Patentanspruchs 1 gelöst.

Weiterbildungen des Erfindungsgegenstandes gehen aus den Unteransprüchen hervor.

Bei der erfindungsgemäß ausgebildeten Struktur kann eine zufriedenstellende Ebenheit der Maskenmaterialhaltefläche sichergestellt werden, ohne durch die Aufbringung des Klebers bzw. das Abschneiden von Umfangsbereichen des Filmes nachteilig beeinflußt zu werden, da der Film und die Basisplatte an einer anderen Fläche als der Ebene, die die Maskenmaterialhaltefläche des Filmes enthält, miteinander verbunden werden. Darüber hinaus wird bei einer speziellen Ausführungsform der Film mit der Basisplatte an einem äußeren Ringbereich derselben verbunden, der glatt in den ebenen Oberflächenabschnitt der Basisplatte übergeht und abwärtsgekrümmt ist. Daher werden äußere Kräfte gleichmäßig auf die Maskenmaterialhalteebene des Filmes verteilt, wodurch die Ebenheit dieser Fläche wei ter verbessert wird.

Die Erfindung wird nachfolgend anhand von Ausführungs beispielen in Verbindung mit der Zeichnung im einzel nen erläutert. Es zeigt

Fig. 1 einen Schnitt durch eine Struktur zur Stützung einer Maske nach dem Stand der Technik;

Fig. 2 eine Draufsicht auf die Basisplatte der Struktur; die

Fig. 3, 5 und 7 Schnitte durch Ausführungsformen von Strukturen nach der Erfindung; und die

Fig. 4 und 6 Draufsichten auf die Basisplatten der in den Fig. 3 und 5 gezeigten Ausführungsformen.

Fig. 3 zeigt einen Schnitt durch eine erste Ausfüh rungsform einer erfindungsgemäß ausgebildeten Struktur zur Stützung einer Maske. Ein Maskenmaterial 1 mit einem gewünschten Muster befindet sich auf einer Oberfläche eines Maskenmaterialhaltefilmes 2. Das Maskenmaterial 1 besteht aus einem dünnen Film mit einer Dicke von etwa 0,7 µm aus beispielsweise Gold, Platin, Nickel, Palladium, Rhodium oder Indium. Der Film 2 ist aus einem anorganischen Material, beispielsweise Siliziumnitrid, Bornitrid, oder Silizium oxid, oder aus einem organischen Material, beispiels weise Polyimid, Polyamid oder Polyester, hergestellt und besitzt eine Dicke von etwa 2-12 µm. Der Film 2 ist über einen Kleber 4 am Umfangsabschnitt seiner Fläche mit einer ringförmigen Basisplatte 3 verbunden. Fig. 4 zeigt eine Draufsicht auf die Basisplatte 3. Der Kleber 4 ist nicht auf den ebenen Oberflächenabschnitt 3 a der Basisplatte 3 sondern nur auf die äußere gekrümmte ringförmige Befestigungsfläche 3 b, die an die Fläche 3 a stößt, aufgebracht. Die Basisplatte 3 be steht beispielsweise aus Silizium, Glas, Quarz, Phosphor bronze, Messing, Nickel oder rostfreiem Stahl. Als Kleber 4 kann jeder geeignete Typ verwendet werden, bei spielsweise ein Lösungsmittelkleber, ein hitzehärtbarer Kleber oder ein lichthärtbarer Kleber, der aus der Epoxidreihe, Kautschukreihe oder einer anderen geeigne ten Art ausgewählt ist.

Fig. 5 zeigt einen Schnitt durch eine zweite Ausfüh rungsform einer Struktur zur Stützung einer Maske. In Fig. 5 finden die gleichen Bezugszeichen wie in den Fig. 3 und 4 Verwendung.

Auch bei dieser Struktur befindet sich ein Maskenmaterial 1 mit einem gewünschten Muster auf einer Oberfläche eines Haltefilms 2, der am Umfangsabschnitt seiner Oberfläche über einen Kleber 4 mit einer ring förmigen Basisplatte 3 verbunden ist. Fig. 6 zeigt eine Draufsicht der Basisplatte 3. Der Kleber 4 ist nicht auf den ebenen Oberflächenabschnitt 3 a der Basisplatte 3 sondern auf die äußere abgeschrägte ringförmige Befestigungsfläche 3 b, die mit der Fläche 3 a einen Winkel R bildet, auf gebracht. Der Winkel R ist nicht begrenzt, muß jedoch größer als 0° sein und liegt gewöhnlich zwischen 15 und 30°.

Fig. 7 zeigt einen Schnitt durch eine dritte Ausführungs form einer Struktur zur Stützung einer Maske. Diese Ausführungsform entspricht einer solchen, bei der der Winkel R 90° beträgt. Ferner stellt ein dritter Bereich 3 c die Befestigungsfläche dar, auf die der Kleber 4 aufge bracht wird.

Bei den vorstehend beschriebenen Ausführungsformen können Grenzbereiche des Haltefilmes 2, die über den Umfang der Basisplatte hinaus vorstehen, je nach ihrer Ausbildung vorher abgeschnitten werden.

Claims

1. Struktur zur Stützung einer Maske für lithografische Zwecke mit einer ringförmigen Basisplatte, die einen ebenen Oberflächenabschnitt aufweist, und mit einem Mas kenmaterialhaltefilm, der sich über den ebenen Oberflä chenabschnitt und die Mittelöffnung der ringförmigen Ba sisplatte erstreckt und über eine ringförmige Befestigungs fläche an der Basisplatte angebracht ist, dadurch gekenn zeichnet, daß die ringförmige Befestigungsfläche (3 b; 3 c) auf einem niedrigeren Höhenniveau als der ebene Ober flächenabschnitt (3 a) der Basisplatte (3) angeordnet ist.

2. Struktur nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die ringförmige Befestigungsfläche eine konvexe Fläche (3 b) ist, die glatt in den ebenen Oberflächenabschnitt (3 a) der Basisplatte (3) übergeht.

3. Struktur nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die ringförmige Befestigungsfläche eine ebene Fläche ist, die unter einem Winkel (R) zu dem ebenen Oberflächenab schnitt (3 a) der Basisplatte (3) verläuft.

4. Struktur nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die ringförmige Befestigungsfläche eine ebene Fläche (3 c) ist, die parallel zu dem ebenen Oberflächenabschnitt (3 a) der Basisplatte (3) verläuft.