DE3429282A1 - Optoelektronisches modul - Google Patents

Optoelektronisches modul

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DE3429282A1 DE19843429282 DE3429282A DE3429282A1 DE 3429282 A1 DE3429282 A1 DE 3429282A1 DE 19843429282 DE19843429282 DE 19843429282 DE 3429282 A DE3429282 A DE 3429282A DE 3429282 A1 DE3429282 A1 DE 3429282A1
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Hans-Georg Dipl.-Ing.(FH) 8021 Hohenschäftlarn Rosen
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Description

  • OBtoelektronisches Modul
  • Die Erfindung betrifft eine Verbesserung des speziellen optdelektronischen Moduls, das im Oberbegriff des Patentanspruches 1 angegeben ist und das für sich dem Fachmann bestens vertraut ist.
  • Die Erfindung stellt insbesondere eine Verbesserung der in den nicht vorveröffentlichten Patentanmeldungen P 34 06 424.9 (VPA 84 P 1141 DE) und P 34 09 146.7 (VPA 84 P 1204 DE) dar. Die Erfindung steht außerdem in engen Zusammenhang mit den prioritätsgleichen Anmeldungen .... (84 P Die Befestigigung des Bauelements im Modul wird durch die im Patentanspruch 1 angegebenen Maßnahmen verbessert. Die Erfindung und ihre Weiterbildungen werden anhand der in den Figuren gezeigten verschiedenen Ausführungsbeispiele bzw. Ansichten im Detail näher erläutert, wobei die Figur 1 einen Schnitt durch ein Gehäusebeispiel, Figur 2 einen Schnitt durch die Platte mit Bauelement, Figur 3 ein insbesondere zur Figur 2 gehörendes Schaltungsschema, Figur 4 eine Ansicht derJenigen Seite der in Figur 2 gezeigten Platte, welche der Linse abgewandt ist, Figur 5 eine Ansicht derjenigen Seite der in Figur 2 gezeigten Platte, welche der Linse zugewandt ist, Figur 6 eine Darstellung, wie eine Befestigung durch Schweißen, z.B. Punktschweißen, am Justierring möglich ist, Figur 7 vergrößerte Ansichten der Schweißstellen, Figur 8 einen Querschnitt durch ein anderes Ausführungsbeispiel des Gehäuses insbesondere für einen Lichtsender und Figur 9 eine Darstellung, wie durch Punktschweißen eine besonders gut Wärme leitende Befestigung am Justierring möglich ist.
  • Das Bauelement und der Chip-Träger/Platte sind bei dem in Figur 1 gezeigten Beispiel nicht auf der Bodenplatte direkt befestigt, sondern mit Abstand zur Bodenplatte. Dadurch ist eine elektrische Trennung des Potentials der Bodenplatte vom Potential des Bauelements/ Chip-Trägers möglich.
  • Das Bauelement, vergl. PIN-Fotodiodelist rückseitenbeleuchtet, vgl. Figur 1 und 2, insbesondere damit die Eingangskapazität der Vorverstärkerstufe VVI, vgl.
  • Figur 4, minimal bleibt - bei dem in Figur 4 gezeigten Ausführungsbeispiel ist dieser Vorverstärker vvl neben der Diode angebracht, also nicht wie in der Anmeldung P 34 09 146.7; der Vorverstärker VVI zusammen mit dem Bauelement PIN-Pd (PIN-Fotodiode) kann jedoch auch im Prinzip wie in der Anmeldung P 34 09 146.7 eine einzige Baueinheit bilden. Durch die Verringerung der Eingangskapazität der Vorverstärkerstufe VVI und durch die bei der Erfindung besonders kurz machbaren Hochfrequenzleitungen zum Bauelement kann die Bitrate (MBit/sec) besonders hoch gemacht werden. Günstig ist, die Pin-Fotodiode SO anzubringen und so aufzubauen, daß die Eingangskapazität, welche am Vorverstärker wirkt, möglichst kleiner als ca. 0,5 pF ist. Die Xin-Fotodiode hat selbst eine Kapazität zwischen ihrem p-n-Ubergang und Kontakt-Pad von ca. 0,3 pF, wenn keine weiteren potentialbehafteten Flächen auf der Anodenseite sind. Durch solche Dimensionierungen lassen sich Bitraten von deutlich über 50 MBit/sec erreichen.
  • Die Pin-Fotodiode sitzt auf der ~Rückseite" einer Bohrung im Chip-Träger bei den in den Figuren 1, 2, 4 und 5 gezeigten Beispielen, besonders um Abschattungseffekte zu vermeiden; - statt der dort gezeigten gestaf9elten/gestuften Bohrung kann auch eine konische Bohrung dort angebracht sein. Wie in Figur 2 gezeigt ist, kann der Strahlungskegel z.B. einen Winkel von ca. 30 Grad bei Linsen mit üblicher Brechzahl (ca. 1,5) aufweisen. Zur Erzeugung derartiger Bohrungen kann man im Prinzip auch Laserstrahlen, Ultraschall oder Diamantbohrer verwenden, wobei insbesondere auf mdglichst gut definierte Konuswinkel geachtet werden soll und schiefe Bohrungsachsen sowie scharfe Kanten am Übergang zur Plattenoberfläche möglichst vermieden werden sollen. Die Bohrung soll also möglichst so gestaltet sein, daß sie erlaubt, die optische Kopplung zwischen der Glasfaser und dem Fenster der Pin-Fotodiode zu optimieren , insbesondere entsprechend zu justieren.
  • Der Chip-Träger wird bevorzugt aus ~grüner Keramik" gefertigt, z.B. gestanzt, bedruckt mit Dickschichtpasten, zusammengesetzt aus zwei Schichten ß z.B.
  • 200#>icke, sowie im Durchlaufverfahren gesintert.
  • Ein solches Verfahren erlaubt, ebenso wie mittels Preßtechnik Jeweils definierte konische oder abgestufte Bohrungen zu erzielen. Hierzu braucht das Laserstrahlbohren, Ultraschallbohren oder Diamantbohren demnach nicht unbedingt angewandt zu werden, was hinsichtlich Preis bzw. Aufwand günstig ist.
  • Der Chip-Träger kann jedoch im Prinzip auch durch Preßtechniken gefertigt werden, was besonders bei sehr hohen Stückzahlen wirtschaftlich ist.
  • Die Trennebene zwischen beiden Schichten des Chip-Trägers, vergl. Fig. 2 und 1, kann zusätzlich eine elektrische Abschirmung/Metallebene enthalten, sogar als Elektrode eines Kondensators ausgebildet sein. Dies kann vorteilhafterweise genutzt werden, um mindestens einen noch weiteren Kondensator oder mehrere noch weitere Kondensatoren neben den in den Figuren 2, 4 und 5 gezeigten beiden Kondensatoren Chip-C mit deren#Gehäuse 805 oder 504 (kleinere Ausführung) und mit deren Anschlüssen CB, CK (Figur 4) anbringen zu können. Auf der Vorderseite und auf der Rückseite des Chip-Trägers ist nämlich kaum noch Platz für weitere Eondensatoren. Bei einigen 2 der metallisierten Fläche im Abstand uDn 0,2 mm ergibt sich eine Kapazität von ca. 2-3 pF, welche hochfrequenztechnisch nützlich sein kann.
  • Sowohl die Vorderseite als auch die Rückseite des Chip-Trägers können also zusätzliche elektronische Bauelemente und Leiterstrukturen tragen, vergl.
  • die genannten Kondensatoren, was insbesondere bei der Verwendung der ~grünen Keramik" leicht möglich ist.
  • Auf der Rückseite des Chip-Trägers sind außerdem die Befestigungspunkte der in der Bodenplatte eingeglasten Pins als Sacklöcher ausgebildet, vgl.
  • Figur 1, 2 und 4, um gute Kontaktierungen mit Lot oder Silberleitkleber sowie eine ausreichende mechanische Festigkeit sicherzustellen. Ein einfaches Aufsetzen des Chip-Trägers auf die Stirnflächen der Pins ergäbe zwar bereits sichere Kontakte, aber oft zu. geringe mechanische Festigkeiten der Verbindungen (Schwingungsprüfung, mechanische Schockprüfungen bis 1000g). Durch die Anwendung von Sacklöchern wird auch die Ebenheit der Stirnfläche/ Oberseite und die Lagegenauigkeit der Stirnflächen mit einfachen Mitteln mit ausreichender Toleranz erreicht, wobei sowohl an der Stirnfläche als auch an der Mantelfläche der Pins kontaktiert und gehalten werden kann.
  • Auf dem Chip-Träger kann auch zusätzlich z.B. ein FET angebracht werden, abweichend vom Stromlaufbeispiel gemäß Figur 3. Die IC-Technik und das Konzept des Vorverstärkers W1 kann also dem jewelligen Bedarf angepaßt werden.
  • Die Pin-Fotodiode ist nach erfolgter Montage des Chip-Trägers auf die Pins der Bodenplatte mechanisch nicht mehr zugänglich und damit gut geschützt, wenn man von der gestuften/konischen Bohrung absieht. Die Pin-Fotodiode ist also gegen mechanische und umweltchemische Einflüsse gut geschützt.
  • Die Pin-Fotodiode ist jedoch elektrisch, z.B.
  • zu Prüfzwecken oder für Schadensanalysen (zumindest über einen Pol direkt) zugänglich, vergl. auch Figur 3. Dies ist wichtig für "burn-in", für Halterungsprüfungen und für Qualifikationen, wobei die Prüfung jeweils auch unabhängig von der Funktion des Vorverstärkers durchgeführt werden kann.
  • Bei der Montage des Gehäuses kann zum Fixieren auch das Laserpunktschweißen angewandt werden.
  • Die so verbundenen Teile sind, falls diese selbst leitend sind, dann galvanisch miteinander sicher verbunden, wodurch die Abschirmwirkung gegen Hochfrequenzstörungen verbessert bzw. sichergestellt ist, vergl. insbesondere FIG 1 mit FIG 6, 7, 8 und 9, welche das Punktschweißen zwischen dem Justierring und der Bodenplatte im Detail erläutern; -der Justierring und die Bodenplatte ist für sich beispielhaft sehr detailliert in der bereits genannten Anmeldung P 34 06 424.9 (84 P 1141) erläutert.
  • Das Fixieren/Befestigen alleine z.B. durch Kleben würde die Abschirmwirkung nicht ausreichend garantieren. Die Abschirmwirkung ist jedoch im allgemeinen erforderlich sowohl gegen die äußere Umgebung außerhalb des Modulgehäuses (der Eingang des Vorverstärkers W1 mit sehr hohem Eingangswiderstand würde eine gute Empfangsantenne und Sendeantenne für Störimpulse aus der Umwelt/in die Umwelt des Moduls darstellen), als auch gegen die au den Vorverstärker vorgeschalteten/nachgeschalteten Stufen/Bauelemente innerhalb desselben Gehäuses (vgl. die prioritätsgleiche Anmeldung P...
  • und die An#n.P34 06 424.9), wobei solche zusätzlichen Bauteile im allgemeinen rein digital mit extrem steilen Stromimpulsflanken arbeiten. Das Punktschweißen bzw. Laserschweißen kann daher den zusätzlichen Aufwand von Schirmblechen zwischen den einzelnen Stufen innerhalb desselben Gehäuses ersparen, Speziell dann, wenn das Bauelement keine Empfangs-Fotodiode sondern eine Lichtsendediode, z.B. IRED ist, dann sind oft besonders hohe Verlustwärmemengen nach außen an Kühlmedien abzuführen (vgl. z.B. die prioritätsgleiche Anmeldung P....../84P P 8 onacz.B.
  • 200 mW Verlustleistung mittels besonders geringer Wärmewiderstände zwischen Bauelement und Gehäuses oberfläche abzuleiten sind). Die Lebensdauer insbesondere{Bechtsendedioden (IRED) ist um so kürzer, je höher ihre Sperrschichttemperatur :n Betrieb ist, so daß eine gute Kühlung die Lebensdauer verlängert.
  • Das Schweißen, insbesondere Punktschweißen, mittels Laser kann berührungslos z.B. gemäß FIG 6 durchgeführt werden. Dabei kann das gegenseitige Justieren der zu verschweißenden Teile vorher erfolgen -die anschließende berührungslose Verschweißung mit Laser beeinflußt dann nachträglich die Justierung nur noch wenig.
  • Die Anzahl der auf dem Umfang verteilten Schweißpunkte kann nahezu beliebig gewählt werden. Aus Bild 9 ist erkennbar, daß z.B. 12, 16 oder 20 Schweißpunkte rundum gewählt werden können, wobei ein gewisses Optimum der Wärmeableitung dann erreicht ist, wenn sich die Schweißpunkte gegenseitig überlappen (z.B. 20 Schweißpunkte).
  • Je höher die Anzahl der Schweißpunkte ist, um so geringer ist der Wärmewiderstand am verschweißten Übergang. Die Schweißnaht, insbesondere die Punktschweiß-Punkte, werden dabei bevorzugt zwischen den Glasisolierungen der Pins angebracht, vgl.
  • FIG 9. Zur Schonung der Glasisolierungen werden also in der Nähe der Glasisolierungen keine Verschweißungen mehr durchgeführt, vgl. FIG 9; - im übrigen sind die Glasisolierungen für sich stark wärmeisolierend, nicht nur galvanisch isolierend, wodurch der Wärmefluß nicht über die Glasperlen fließt, sondern zwischen den Glasperlen hindurch weiter über die Verschweißungen zum Justierring hin. Dieser Wärmefluß ist weitgehend beeinflußt durch den Werkstoff und durch die Dicke der Bodenplatte.
  • Bei dem in Bild 6 gezeigten Beispiel ist der Justierarm für die z-Achse gleichzeitig zur #uführung von Potentialen zum Bauelement ausnutzbar, so daß während der Justierung (auch noch während der anschließenden Laser-Verschweißung) dem opto-elektronischen Bauelement seine Betriebsspannungen zugeführt werden können, wodurch die Justierung (und Fixierung) unter optima- ler optischer Kopplung zwischen Bauelement und Glasfaser unter Betriebsbedingungen eingestellt werden kann. Der Justierarm für die z-Achse kann hierbei Bestandteil eines Handhabungsgerätes/Auto maten sein, so daß die Justierung/Fixierung einschließlich der Optimierung der optischen Kopplung auch vollautomatisch durchgeführt werden kann.
  • 2 Patentansprüche 9 Figuren

Claims (2)

  1. Patentansprüche Gl Optoelektronisches Modul mit einem optoelektronischen Bauelement innerhalb eines Gehäuses, dadurch gekennzeichnet daß das Bauelement an einer innerhalb des Gehäuses justierbaren Platte/Chip-Träger befestigt ist.
  2. 2. Verfahren zur Herstellung des Moduls, dadurch gekennzeichnet, daß zumindest einige der aneinander zu befestigenden Teile, welche innerhalb des Gehäuses angebracht werden, in gut wärmeleitender Weise durch Schweißen, z.B. Punktschweißen, miteinander verbunden werden.
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DE19843429282 DE3429282A1 (de) 1984-08-08 1984-08-08 Optoelektronisches modul
EP19850101906 EP0155528B1 (de) 1984-02-22 1985-02-21 Optoelektronisches Modulgehäuse
DE8585101906T DE3568087D1 (en) 1984-02-22 1985-02-21 Optoelectronic housing module
AT85101906T ATE40605T1 (de) 1984-02-22 1985-02-21 Optoelektronisches modulgehaeuse.
US06/704,332 US4707067A (en) 1984-02-22 1985-02-22 Opto-electronic module housing
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DE19843429282 DE3429282A1 (de) 1984-08-08 1984-08-08 Optoelektronisches modul

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Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4656352A (en) * 1984-09-24 1987-04-07 Siemens Aktiengesellschaft Optoelectronic transducer
EP0279932A1 (de) * 1987-01-29 1988-08-31 International Business Machines Corporation Signalquelle für optische Nachrichtentechnik
EP0345874A1 (de) * 1988-06-06 1989-12-13 Koninklijke Philips Electronics N.V. Optisch-elektrische Anordnung mit einer Kopplung zwischen einer optischen Übertragungsfaser und einer Halbleiterlaserdiode
US4917453A (en) * 1987-01-29 1990-04-17 International Business Machines Corporation Optical communication signal source
EP0365180A2 (de) * 1988-10-17 1990-04-25 AT&T Corp. Schweissmethode für relativ kleine Teile
EP0455939A2 (de) * 1990-05-07 1991-11-13 Corning Incorporated Methode und Modul zum Koppeln von einer lichtemittierenden Diode
EP0620460A1 (de) * 1993-04-16 1994-10-19 Sumitomo Electric Industries, Limited Halbleitermodulbauteil
DE4330364C1 (de) * 1993-09-08 1995-03-02 Leuze Electronic Gmbh & Co Aus einem Hohlprofilrohrstück bestehendes Gehäuse für lichtelektrische Einrichtungen
EP0887865A1 (de) * 1997-06-24 1998-12-30 Micro Optics Company Ltd. Optischer Modul mit einem optoelektrischen Halbleiterbauelement
DE10032796A1 (de) * 2000-06-28 2002-01-17 Infineon Technologies Ag Optomodul

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4656352A (en) * 1984-09-24 1987-04-07 Siemens Aktiengesellschaft Optoelectronic transducer
EP0279932A1 (de) * 1987-01-29 1988-08-31 International Business Machines Corporation Signalquelle für optische Nachrichtentechnik
US4917453A (en) * 1987-01-29 1990-04-17 International Business Machines Corporation Optical communication signal source
EP0345874A1 (de) * 1988-06-06 1989-12-13 Koninklijke Philips Electronics N.V. Optisch-elektrische Anordnung mit einer Kopplung zwischen einer optischen Übertragungsfaser und einer Halbleiterlaserdiode
EP0365180A2 (de) * 1988-10-17 1990-04-25 AT&T Corp. Schweissmethode für relativ kleine Teile
EP0365180A3 (de) * 1988-10-17 1991-09-11 AT&T Corp. Schweissmethode für relativ kleine Teile
EP0455939A2 (de) * 1990-05-07 1991-11-13 Corning Incorporated Methode und Modul zum Koppeln von einer lichtemittierenden Diode
EP0455939A3 (en) * 1990-05-07 1992-05-13 Corning Incorporated Method and module for coupling from a light emitting diode
EP0620460A1 (de) * 1993-04-16 1994-10-19 Sumitomo Electric Industries, Limited Halbleitermodulbauteil
US5452389A (en) * 1993-04-16 1995-09-19 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Semiconductor element module
DE4330364C1 (de) * 1993-09-08 1995-03-02 Leuze Electronic Gmbh & Co Aus einem Hohlprofilrohrstück bestehendes Gehäuse für lichtelektrische Einrichtungen
EP0887865A1 (de) * 1997-06-24 1998-12-30 Micro Optics Company Ltd. Optischer Modul mit einem optoelektrischen Halbleiterbauelement
US5973862A (en) * 1997-06-24 1999-10-26 Nippon Sheet Glass Company Ltd. Optical module
DE10032796A1 (de) * 2000-06-28 2002-01-17 Infineon Technologies Ag Optomodul
US6483960B2 (en) 2000-06-28 2002-11-19 Infineon Technologies Ag Optomodule and connection configuration

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