DE3334295T1 - Permanente Schwebe-Gate-Speicherzelle - Google Patents

Permanente Schwebe-Gate-Speicherzelle

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DE3334295T1
DE3334295T1 DE19833334295 DE3334295T DE3334295T1 DE 3334295 T1 DE3334295 T1 DE 3334295T1 DE 19833334295 DE19833334295 DE 19833334295 DE 3334295 T DE3334295 T DE 3334295T DE 3334295 T1 DE3334295 T1 DE 3334295T1
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DE
Germany
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zone
cell
floating gate
semiconductor body
memory
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Withdrawn
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DE19833334295
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English (en)
Inventor
Alfred Charles Princeton N.J. Ipri
Roger Green Neshanic Station N.J. Stewart
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RCA Corp
Original Assignee
RCA Corp
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Publication date
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Publication of DE3334295T1 publication Critical patent/DE3334295T1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

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    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/04—Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS
    • G11C16/0408—Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS comprising cells containing floating gate transistors
    • G11C16/0416—Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS comprising cells containing floating gate transistors comprising cells containing a single floating gate transistor and no select transistor, e.g. UV EPROM
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/788—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate with floating gate
    • H01L29/7881—Programmable transistors with only two possible levels of programmation
    • H01L29/7883—Programmable transistors with only two possible levels of programmation charging by tunnelling of carriers, e.g. Fowler-Nordheim tunnelling

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  • Read Only Memory (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)
  • Cold Air Circulating Systems And Constructional Details In Refrigerators (AREA)
  • Power-Operated Mechanisms For Wings (AREA)
  • Refrigerator Housings (AREA)

Description

-J0I- Leerseite

Claims (9)

  1. -"λ
    ι Ii Permanente Schwebe-Gate-Speicherzelle mit in einem den einen Leitungstyp (p) aufweisenden Halbleiterkörper (12) mit gegenseitigem Abstand gebildeten, den anderen Leitungstyp (n) aufweisenden, ersten und zweiten dotierten Zonen (14, 16) sowie einer in deren Zwischenraum liegenden Kanalzone (18), ferner mit einem gegenüber dem Halbleiterkörper (12) isolierten, leitenden, ein über der Kanalzone (18) angeordnetes Ende (28.1) aufweisenden Schwebe-Gate (28.0), welches mit dem Halbleiterkörper (12) eine erste Kapazität (C ) bildet, und mit einer einen isoliert über dem Schwebe-Gate (28.0) angeordneten Abschnitt besitzenden Leiterschicht (30), welche mit dem Schwebe-Gate (28.0) eine zweite Kapazität (Cp) bildet, dadurch gekennzeichnet, daß im Halbleiterkörper (12) eine den zweiten Leitungstyp (n) aufweisende dritte Zone (20) isoliert mit Abstand sowohl von der ersten als auch von der zweiten Zone (14, 16) vorgesehen ist, daß an das andere Ende des Schwebe-Gates (28.0) ein das Schwebe-Gate mit der dritten Zone (20) kapazitiv koppelndes Verlängerungsteil (28.2) zum Bilden einer dritten Kapazität (CQ) zwischen dem anderen Schwebe-Gate-Ende und der dritten Zone (20) derart angesetzt ist, daß die erste und dritte Kapazität (C1, C)
    333Λ295
    beim Anlegen eines ersten Potentials an die erste Zone (14), die zweite Zone (16) und den Halbleiterkörper (12) sowie eines zweiten Potentials an die dritte Zone (20) und die Leiterschicht (30) effektiv parallel zueinander liegen.
  2. 2. Speicherzelle nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch ein an das Schwebe-Gate (28.0) zwischen diesem und dem Halbleiterkörper (12) befestigtes sowie gegenüber dem Halbleiterkörper (12) durch eine Isolierschicht (32.1) aus Siliziumdioxid isoliertes Ladefenster bzw. Schreib/ Lösch-Fenster (28.1) und durch eine als Wortleitung dienende, gegenüber dem Schwebe-Gate (28.0) durch eine Siliziumdioxidschicht (34) isolierte Leiterschicht (30).
  3. 3. Speicherzelle nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die dritte Zone (20) eine Bit-Leitung bildet und daß die erste und zweite Zone (14, 16) Source- bzw. Drainleitungen darstellen.
  4. 4. Schwebe-Gate-Speicherfeld, bestehend aus einer Vielzahl von Speicherzellen nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Einzelzellen in Reihen (W1, W) und Spalten (S1-D1, S D ) im Halbleiterkörper (12) angeordnet sind und daß jede Zelle einer gegebenen Spalte (S -D ) eine gemein-
    X X
    same Sourcezone (S ) und eine gemeinsame Drainzone (D ) miteinander teilen und daß jede Zelle einer gegebe-
    nen Reihe (W ) zu einer gemeinsamen Wortleitung (30)
    gehört.
  5. 5. Speicherfeld nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß das Schwebe-Gate (28.0) sich von seinem einen Ende aus über die Kanalzone (18) und die Sourcezone (14) hinweg zur nächstbenachbarten Speicherzelle erstreckt; daß die als Bit-Leitung für jede Zelle der ersten Spalte (S -D) wirkende dritte Zone (20) eine dotierte Leitung benachbart zu aber isoliert von der als erste Spal-
    333429S
    tenleitung wirkenden Sourcezone (14) bildet und daß die dritte Zone bzw. Bit-Leitung (20) für jede Speicherzelle der verbleibenden Spalten (S0-D5, S -D ) die Drainleitung (16) der nächstbenachbarten Zelle bildet.
  6. 6. Speicherfeld nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkörper (12) aus einer in einem Substrat (10) des ersten Leitungstyps (p) gebildeten Wanne (12) des zweiten Leitungstyps (n) besteht.
  7. 7. Speicherfeld nach einem oder mehreren der Ansprüche 4 bis 6, gekennzeichnet durch eine Vielzahl von in Reihen (W1, W ) und Spalten (S1-D1, S-D) in der Wanne (12)
    X λ XXXX
    angeordneten Speicherzellen, wobei jede Speicherzelle einer gegebenen Spalte (S -D ) eine Sourcezone (S ) und eine Drainzone (D ) gemeinsam hat und jede Zelle einer gegebenen Reihe (W ) eine gemeinsame Wortleitung (30) besitzt bzw. bildet.
  8. 8. Speicherfeld nach einem oder mehreren der Ansprüche 4 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß das Schwebe-Gate (28.0) jeder Speicherzelle sich von seinem einen Ende aus über die Kanalzone (18) und über seine Sourcezone (14) zur nächstbenachbarten Speicherzelle erstreckt; daß die dritte Zone bzw. Bit-Leitung (20) jedes Bauelements der ersten Spalte (S1-D1) eine dotierte Leitung angrenzend und isoliert von der ersten Sourceleitungsspalte besitzt und daß die dritte Bit-Leitungszone (20) für jede Zelle der verbleibenden Spalten (S0-D , S -D )
    die Drainleitung (16) der nächstbenachbarten Zelle darstellt.
  9. 9. Speicherfeld nach einem oder mehreren der Ansprüche 4 bis 7 mit einer Vielzahl von Wannenzonen (12), gekennzeichnet durch eine Vielzahl von in jeder Wannenzone (12) und dort in Reihen (W1, W ) und Spalten (S1-D1,
    J- Λ. J- J-
    S-D) angeordneten Zellen, wobei jede Zelle einer ge-
    XX
    gebenen Reihe (W ) eine gemeinsame Wortleitung (30) mit allen Wannenzonen (12) teilt und jede Zelle einer gegebenen Spalte (S -D ) aus einer ebenfalls gegebenen
    XX
    Wannenzone (12) eine gemeinsame Sourcezone (S ) und eine gemeinsame Drainzone (D ) miteinander teilt.
DE19833334295 1982-03-09 1983-03-07 Permanente Schwebe-Gate-Speicherzelle Withdrawn DE3334295T1 (de)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
GB8206906 1982-03-09

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DE3334295T1 true DE3334295T1 (de) 1984-03-22

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ID=10528892

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DE19833334295 Withdrawn DE3334295T1 (de) 1982-03-09 1983-03-07 Permanente Schwebe-Gate-Speicherzelle

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US (1) US4442447A (de)
JP (1) JPS59500342A (de)
DE (1) DE3334295T1 (de)
GB (1) GB2126787B (de)
IT (1) IT1171655B (de)
SE (1) SE8306017L (de)
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GB8328185D0 (en) 1983-11-23
IT8319952A0 (it) 1983-03-08
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SE8306017D0 (sv) 1983-11-02
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