DE3240958A1 - Referenzspannungserzeuger - Google Patents
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Description
VBE | kT | vgo | (1 - | + VBEO * | T |
1C | |||||
Insbesondere gilt
und
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g0 VBEO R2 ' q -<n J2 **·
V V Jp η
Claims (5)
- fH3 Γ""1 LZJ p= ^BPATENTANWALT DIPL.-PHYS..LUTZ H. PRÜFER · D-8OOO MÜNCHEN 9O*FO 14-2582 P/K/huMitsubishi Denki Kabushiki Kaisha, Tokyo/JapanReferenzspannungserzeugerPATENTANSPRÜCHEι IJ Referenzspannungserzeuger zum Erzeugen einer von Änderungen der Umgebung unabhängigen Konstantspannung, mit einem ersten Transistor (Ql) und. einem Paar eines zweiten und dritten Transistors (Q2, Q3), deren Basis miteinander verbunden ist, gekennzeichnet durch eine erste Wandlereinrichtung (30) zum Wandeln einer ersten Spannung, die eine Basis-Emitter-Spannung des ersten Transistors (Ql) darstellt, in einen ersten Strom, eine zweite Wandlereinrichtung (20) zum Wandeln einer zweiten Spannung, die eine Differenzspannung zwischen einer Basis-Emitterr-Spannung des zweiten Transistors (Q2) und einer Basis-Emitter-Spannung des dritten Transistors (Q3) darstellt, in einen zweiten Strom, wobei ein Verhältnis von erstem und zweitem Strom gleich dem Verhältnis der ersten Spannung und einer Spannung gemacht wird, zu der die erste Spannung von einer'Extrapolationsspannung eines Energiebandabstandes eines Halbleitermateriales des ersten, zweiten und dritten Tran-PATENTANWALT DIPL.-PHYS. LUTZ H.PRÜFER · D-βΟΟΟ MÜNCHEN_©O · W.ILLROIDERSTR. 8 · TEL. (0B9) S4O64Osistors (Ql, Q2 und Q3) abgezogen wird und wobei eine Stromdichte des zweiten Transistors (Q2) gleich einer Stromdichte des dritten Transistors (Q3) gemacht wird, durch eine Einrichtung zum Zusammensetzen des ersten und zweiten Stromes zum Erzeugen eines dritten Stromes und eine dritte Wandlereinrichtung zum Umwandeln des dritten Stromes in eine Referenzspannung.
- 2. Referenzspannungserzeuger nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Referenzspannungserzeuger in einer integrierten Halbleiterschaltung ausgebildet ist.
- 3. Referenzspannungserzeuger nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Wandlereinrichtung (30) einen ersten Widerstand (Rl) aufweist, der mit der Basis des ersten Transistors (Ql) verbunden ist, so daß der erste Strom fließt, daß die zweite Wandlere.inrichtung (20) einen zweiten Widerstand (R2) aufweist, der mit einem Emitter von einem der zweiten und dritten Transistoren (Q2 und Q3) verbunden ist, der eine geringere Stromdichte als die des anderen aufweist, so daß der zweite Strom fließt, daß die dritte Wandlereinrichtung einen dritten Widerstand (R3) aufweist, an.den der dritte Strom angelegt wird, so daß· eine Referenzspannung von beiden Enden des dritten Widerstandes (R3) abgegriffen wird, und daß Temperaturkoeffizienten des ersten, zweiten und dritten Widerstandos (Rl, R? und R3) einander gleich groß sind.
- 4. Referenzspannungserzeuger'nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Wandlereinrichtung (30) einen vierten Transistor (Q4) und einen· ersten Stromspiegel aufweist, der fünfte bis siebte Transistoren (Q5, 06 und Q7) enthält, von denen der sechste Transistor (Q6) mit einer Diodenwirkung als Referenz verwendet wird, wobei eine Spannung einer Spannungsversorgung an die Emitter des fünften bis siebten Tran-BAD ORIGINALsistors (Q5, Q6 und Q7) angelegt, ein.Kollektor des sechsten Transistors (Q6) mit einem Kollektor des vierten Transistors (Q4) verbunden, eine Basis des vierten Transistors (04) mit einem Kollektor des ersten Transistors (Ql) verbunden, eine Basis des ersten Transistors (Ql) mit einem Kollektor des fünften Transistors (Q5) und einem Ende des ersten Widerstandes (Rl) verbunden und das andere Ende des ersten Widerstandes (Hl), ein Emitter des vierten Transistors (Q4) und ein Emitter des ersten Transistors (Ql) mit der Erde verbunden sind, daß die zweite Wandlereinrichtung/einen achten Transistor XQ8) und einen zweiten Stromspiegel mit. neunten bis dreizehnten Transistoren (Q9, QlO, QIl, Q12 und Ql 3)" aufweist, von. denen der elfte Transistor (QIl) mit einer Diodenwirkung als Referenz verwendet wird, wobei eine Spannung einer Spannüngsversorgung an die Emitter des neunten bis dreizehnten Transistors (Q9, QlO, QIl, Q12 und Q13) angelegt, ein Kollektor des elften Transistors (QIl) mit einem Kollektor des achten Transistors (Q8) verbunden, eine Basis des achten Transistors (Q8) mit einer Verbindung eines Kollektors des neunten Transistors (Q9) und eines Kollektors des dritten Transistors (Q3) verbunden, ein Kollektor des zehnten Transistors (QlO) mit einem Kollektor des zweiten Transistors (Q2) verbunden, der Emitter des zweiten Transistors (Q2) über den zweiten Widerstand (R2) mit der Erde verbunden, der Emitter des achten Transistors (Q8) und der Emitter des dritten Transistors (Q3) mit der Erde verbunden, ein Kollektor des zwölften Transistors (Q12) mit einer Verbindung eines Kollektors des ersten Transistors (Ql) und einer Basis des vierten Transistors (Q4) verbunden ist, die Vorrichtung zum Erzeugen des dritten Stromes die Kollektorströme des siebten und des dreizehnten Transistors (Q7 und Q13) durch Verbinden des Kollektors des siebten Transistors (Q7) mit dem Kollektor des dreizehnten Transistors (Q13) addiert und wobei ein Ende des dritten Widerstandes (R3) mit einer Verbindung des Kollek--tors des siebten Transistors (Q7) und-des Kollektors des dreizehnten Transistors (Q13) verbunden und dessen anderes Ende geerdet ist.
- 5. Referenzspannungserzeuger nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Wandlereinrichtung (30) einen vierten Transistor (04) und einen ersten Stromspiegel mit fünften bis siebten Transistoren (Q5,§Q6 und Q7) aufweist, von denen der sechste Transistor (Q6) mit einer Diodenwirkung als Referenz verwendet wird, wobei eine Spannung einer Spannungs-Versorgung an die Emitter des fünften bis siebten Transistors (Q5, Q6 und Q7) angelegt, ein Kollektor des sechsten Transistors (Q6) mit einem Kollektor des vierten Transistors (Q4), eine Basis des vierten Transistors (04) mit einem Kollektor des ersten Transistors (Ql), eine Basis des ersten Transistors (Ql) mit einem Kollektor des fünften Transistors (Q5) und einem Ende des ersten Widerstandes (Rl) verbunden ist und das andere Ende des ersten Widerstandes (Rl), ein Emitter des vierten Transistors (Q4) und ein Emitter des ersten Transistors (Ql) geerdet ist, daß die zweite Wandlereinrichtung (20) einen achten Transistor (Q8) und einen zweiten Stromspiegel mit neunten bis dreizehnten Transistoren (Q9, QlO, QIl, Q12 und 013) aufweist, von denen der elfte Transistor (QIl) mit einer Diodenwirkung als Referenz verwendet wird, wobei eine Spannung einer Spannungsversorgung an die Emitter des neunten bis dreizehnten Transistors (Q9, QlO, QIl, Q12 und Q13) angelegt, ein Kollektor des elften Transistors (QIl) mit einem Kollektor des achten Transistors (08), eine Basis des achten Transistors (08) mit einer Verbindung des Kollektors des neunten Transistors (09) mit einem Kollektor des dritten Transistors (03), ein Kollektor des zehnten Transistors (QlO) mit einem Kollektor des zweiten Transistors (Q?) verbunden, der Emitter des achten Transistors (Q8) und der Emitter des zweiten Transistors (Q2) geerdet,BAD ORIGINALder Emitter des dritten Transistors (03) über den zweiten
Widerstand (R2) geerdet und ein Kollektor des zwölften Transistors (Q12) mit einer Verbindung eines Kollektors des ersten Transistors (Ql) mit einer Basis des vierten Transistors
(Q4) verbunden ist, daß die Einrichtung zum Erzeugen desdritten Stromes die Kollektorströme des siebten und des dreizehnten Transistors (07 und Q13) durch Verbindung des Kollektors des siebten Transistors (Q7) mit dem Kollektor des dreizehnten Transistors (Q13) summiert und daß ein Ende des dritten Widerstandes (R3) mit einer Verbindung des Kollektors des siebten Transistors (07) mit dem Kollektor des dreizehnten
Transistors (Q13) verbunden und das andere Ende geerdet ist.
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