DE3229437C2 - - Google Patents
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- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
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Description
Die Erfindung betrifft eine Brückenendstufe gemäß
Oberbegriff des Patentanspruchs 1. Diese ist
in Fernsprechteilnehmergeräten sowie elektro
medizischen Geräten für Hörgeschädigte verwendbar,
um einen elektroakustischen Wandler zu steuern.
Die Endstufe eines Empfangsverstärkers für ein
Fernsprechteilnehmergerät muß bei einer Veränderung
des Signals eine exakt konstante Stromaufnahme haben.
Die Anschlüsse einer Telefon-Zweidrahtleitung, mit
denen das Gerät verbunden ist, sind gleichzeitig die
Versorgungsanschlüsse für dieses Gerät und die Aus
gangsanschlüsse für das Signal, das das Gerät übertragen
muß, so daß Veränderungen in der Stromaufnahme des
Empfangsverstärkers irrtümlich als Signaländerungen
erfaßt würden.
Die Endstufe eines Empfangsverstärkers, der an eine
Telefon-Zweidrahtleitung mit niedriger Speisespannung
angeschlossen ist, muß außerdem eine niedrige Strom
aufnahme sowie einen niedrigen "Spannungsverlust"
haben, welcher bei normalen Betriebsbedingungen als
Differenz zwischen der an den Anschlüssen der Leitung
anliegenden Spannung und der resultierenden Spannung
an den Anschlüssen der Endstufe, an die der elektro
akustischen Wandler angeschlossen wird, definiert ist.
Einem geringeren Spannungsverlust der Endstufe ent
spricht eine kleinere Begrenzung der dynamischen Aus
lenkung des verstärkten Signals.
In der Fernsprechtechnik ist es jedoch wichtig, die
Stromaufnahme möglichst zu minimieren, auch wenn da
bei der Spannungsverlust leicht vergrößert wird.
Bei gleicher Stromaufnahme sind die Endstufen für
Tonfrequenz-Empfangsverstärker, die die beste dyna
mische Auslenkung des Signals bieten, die Endstufen
mit einer Brückenschaltung.
Eine Brückenendstufe des Standes der Technik für
Tonfrequenz-Empfangsverstärker, die monolithisch
integriert werden kann und beispielsweise für den
Fernsprechverkehr verwendbar ist, weist, wie Fig. 1
zeigt, eine Brückenschaltung auf, die aus einem Paar
Konstantstromquellen A 1 und A 3 und aus einem
Paar bipolarer npn-Transistoren T 2 und T 4 besteht.
Der Kollektor von T 2 und der Kollektor von T 4, mit
denen im Punkt A der erste Anschluß bzw. im Punkt B
der zweite Anschluß eines elektroakustischen Wandlers
TR verbunden ist, sind über die Konstantstromquelle A 1 bzw. die Konstantstrom
quelle A 3 an den positiven Pol +VCC einer Speise
spannungsquelle angeschlossen.
Die Emitter von T 2 und T 4 sind an den negativen Pol
-VCC der Speisespannungsquelle angeschlossen.
Die Basen von T 2 und T 4 sind mit den Emittern von zwei
bipolaren npn-Transistoren T 12 bzw. T 14 verbunden, die
T 2 und T 4 steuern; außerden sind sie mit dem negativen
Pol von -VCC der Speisespannungsquelle über einen Wider
stand R 2 bzw. R 4 verbunden.
Die Kollektoren von T 12 und T 14 sind an +VCC angeschlossen,
während die Basen von T 12 und T 14 mit einer nicht gezeigten
Signalquelle verbunden sind, welche diese Transistoren in
Gegenphase steuert.
Die Stromaufnahme einer derartigen Brückenendstufe ist
konstant und auch bei fehlendem Signal gleich der Summe
der von den Konstantstromquellen A 1 und A 3 aufgeprägten
Ströme.
Üblicherweise bestehen die Konstantstromquellen A 1 und A 3
aus bipolaren pnp-Transistoren, die im aktiven Bereich
arbeiten und deren Emitter an +VCC und deren Kollektoren
an den Kollektor von T 2 bzw. von T 4 angeschlossen sind, so
daß der Gesamtspannungsverlust dieser bekannten Endstufe
gleich der Summe der Kollektor-Emitter-Spannung eines npn-
Transistors T 2 oder T 4 im Sättigungszustand (V CE sat ) und
der Kollektor-Emitter-Spannung eines pnp-Transistors A 1 oder
A 3 im Sättigungszustand (V CE sat ) an der Grenze des aktiven
Bereichs ist.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine monolithisch
integrierbare Brückenendstufe mit signalunabhängigem kon
stantem Stromverbrauch für einen Tonfrequenz-Empfangsverstär
ker für niedrige Versorgungsspannung zu schaffen, die eine
geringere Stromaufnahme als die bekannten Brücken
endstufen und einen im wesentlichen gleichen Spannungs
verlust hat.
Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe durch das Kenn
zeichen des Anspruchs 1 gelöst.
Vorteilhafte Weiterbildungen ergeben sich aus den
Unteransprüchen.
Brückenendstufen mit einer zu treibenden Last in einer
Brückendiagonalen, bei denen die Schaltungselemente in
allen vier Brückenzweigen gesteuert werden, sind an sich
bekannt.
In der US-PS 33 32 029 ist eine Brückenschaltung beschrie
ben, bei welcher jeder Brückenseite ein Treibertransistor
zugeordnet ist, wobei jeder Treibertransistor einen auf der
Masseseite der Brücke liegenden Brückentransistor und, über
einen Steuertransistor, den anderen auf der selben Brücken
seite befindlichen Brückentransistor steuert. Die Basis
anschlüsse der beiden Treibertransistoren bilden die Ein
gänge der Brückenschaltung und werden von einer Signalquelle
gegenphasig angesteuert. Befinden sich beide Signalanschlüsse
der Brückenschaltung auf Massepotential, sind sämtliche
Transistoren nichtleitend. Eine konstante Stromaufnahme un
abhängig von dem Eingangssignal wird somit bei dieser bekannten
Brückenschaltung nicht erreicht.
Aus der DE-OS 11 89 589 ist eine Brückenendstufe für eine
in die Brückendiagonale geschaltete Last bekannt, bei der die
beiden Brückenseiten je durch eine Gegentakt-Endstufe ge
bildet sind, die im B-Betrieb arbeiten. Bei einem Eingangs
signal Null sind alle Brückentransistoren gesperrt, so daß
kein Strom fließt. Die Bedeutung, daß die Stromaufnahme vom
Eingangssignal unabhängig ist und auch bei fehlendem Signal
konstant bleibt, ist durch diese bekannte Brückenendstufe
somit ebenfalls nicht erfüllt.
Aus der DE-AS 24 24 813 ist eine Brücken-Gegentaktschaltung
bekannt, bei der die Brückentransistoren je durch einen Ver
bundtransistor gebildet sind und die einzelnen Verbund
transistoren der Brückenschaltung von einem Phasenteilerver
stärker gegenphasig angesteuert werden.
Die Verbundtransistoren dieser Brückenschaltung arbeiten
ebenfalls im B-Betrieb. Um zu verhindern, daß Ausgangs
spannungsschwankungen, die auf Symmetrierungsvorgängen in
der Schaltung beruhen, auf die zu treibende Last gelangen,
sind zwei Differenzverstärker-Gegenkopplungsschaltungen
vorgesehen, deren Eingänge beidseits der in die Brücken
diagonale eingeschalteten Last angeschlossen sind und von
denen auf einer auf den Phasenteilerverstärker und der andere
auf die vor dem Phasenteilerverstärker befindliche Eingangs
verstärkerstufe einwirkt.
Die Erfindung ist nachstehend an einem Ausführungs
beispiel erläutert, das in der Zeichnung dargestellt
ist.
Es zeigt
Fig. 1 das bereits erläuterte Schaltschema einer
bekannten Brückenendstufe für einen Ton
frequenz-Empfangsverstärker und
Fig. 2 eine Brückenendstufe gemäß der Erfindung.
In den beiden Figuren werden für einander entsprechende
Bauteile dieselben Bezugszeichen verwendet.
Die Schaltung der in Fig. 2 gezeigten Brückenend
stufe gemäß der Erfindung für einen Tonfrequenz-Empfangs
verstärker hat ein Paar bipolarer pnp-Transistoren
T 1 und T 3 sowie ein Paar bipolarer npn-Transistoren
T 2 und T 4.
Die Kollektoren von T 1 und T 3 sind mit den Kol
lektoren von T 2 und T 4 verbunden, wodurch ein An
schlußpaar A und B entsteht, mit dessen Anschlüssen
der erste bzw. der zweite Anschluß eines elektro
akustischen Wandlers TR verbunden ist.
Die Emitter von T 1 ist mit dem Emitter von T 3 ver
bunden, und der dadurch entstehende Verbindungspunkt
ist über einen Widerstand RE mit dem positiven Pol
+VCC einer Speisespannungsquelle und außerdem
mit dem Emitter eines bipolaren pnp-Transistors T 7
verbunden, dessen Basis mit dessen Kollektor kurz
geschlossen ist, welcher seinerseits über eine
Konstantstromquelle A 2 an den negativen Pol -VCC
der Speisespannungsquelle angeschlossen ist.
Die Emitter von T 2 und T 4 sind direkt an den negativen
Pol -VCC angeschlossen.
Die Basis von T 2 ist mit dem Emitter eines bipolaren
npn-Transistors T 12 sowie über einen Widerstand R 2
mit -VCC verbunden.
Die Basis von T 4 ist mit dem Emitter eines bipolaren
npn-Transistors T 14 sowie über einen Widerstand R 4
mit -VCC verbunden.
Die Kollektoren von T 12 und T 14 sind an +VCC ange
schlossen.
Die Basen von T 12 und T 14 sind an eine nicht ge
zeigte Signalquelle angeschlossen, die diese Tran
sistoren in Gegenphase steuert.
Die in Fig. 2 gezeigte Schaltung hat auch ein Paar
bipolarer npn-Transistoren T 5 und T 6, deren Basen
ebenfalls an die Signalquelle angeschlossen sind,
welche diese Transistoren in Gegenphase zueinander
und phasengleich mit T 12 und T 14 steuert.
Die Emitter von T 5 und T 6 sind beide über dieselbe
Konstantstromquelle A 1 mit -VCC verbunden.
Der Kollektor von T 5 ist am Verbindungspunkt E mit
der Basis von T 3 verbunden, während der Kollektor
von T 6 am Verbindungspunkt F mit der Basis von T 1
verbunden ist. Die Verbindungspunkte E und F sind
über einen Widerstand R 3 bzw. über einen Widerstand
R 1 mit dem Kollektor eines bipolaren pnp-Transistors
T 8 verbunden, dessen Emitter über einen Widerstand
R 8 an +VCC angeschlossen ist.
Die Basis von T 8 ist direkt mit dem Kollektor
von T 7 verbunden.
Nachfolgend wird die Wirkungsweise der in Fig. 2
gezeigten Schaltung erläutert.
Der Kollektorstrom des Transistors T 8, der abzüglich
der Basisströme von T 1 und T 3 durch die Transistoren
T 5 und T 6 fließt, wird durch die Konstantstrom
quelle A 1 aufgeprägt und ist konstant.
Damit ist auch der Emitterstrom von T 8 konstant,
der damit am Widerstand R 8 einen konstanten Span
nungsabfall V R 8 bestimmt.
Es gilt
Wenn mit bekannten Mitteln (beispielsweise dadurch,
daß die Konsantstromquellen A 1 und A 2 gleich
ausgelegt sind) gleiche Basis-Emitter-Spannungen
V BE T₇ an T₇ und V BE T₈ an T 8, d. h.
V
BE T₇ = V BE T₈ ,
angelegt werden, ist die am Widerstand RE anliegende
Spannung V RE dem Spannungsabfall am Widerstand R 8 gleich,
nämlich V RE = V R 8.
Die Spannung V RE ist damit konstant, so daß der Wert
für den Strom , der durch den Widerstand R E fließt,
bestimmt und konstant ist.
Der Widerstand R E , an dessen Anschlüssen die Span
nunge V RE anliegt, kann als Konstantstromquelle
betrachtet werden.
Ein konstanter Teil I A 2 des Stromes I RE , der durch
die Konstantstromquelle A 2 aufgeprägt wird, fließt
durch den Transistor T 7, während der Rest von I RE in
die Transistoren T 1, T 2, T 3 und T 4 der Brücke und über
die beiden Anschlüssen A und B in den Wandler TR fließt.
Die Verteilung des konstanten Stromes I RE -I A 2 in den
Elementen der Brücke und der daraus folgende Netto
stromfluß im Wandler sind durch das Signal bestimmt;
wenn kein Signal vorhanden ist, ist der Strom in T 1
und T 2 gleich dem Strom in T 3 und T 4, und der Netto
stromfluß in TR ist gleich Null.
In der Endstufe gemäß der Erfindung wird in Abhängig
keit von dem zu verstärkenden und zu wandelnden Sig
nal nicht nur der Strom in T 2 und T 4 geregelt, sondern
über die Transistoren T 5 und T 6 auch der Strom in T 1
und T 3; wenn das Signal einen vorgegebenen Pegel über
schreitet, fließt der gesamte Strom I RE -I A 2 nur in
einem der beiden Transistoren T 1 und T 3, wodurch im
Vergleich mit der Endstufe des in Fig. 1 gezeigten Standes der Technik
bei gleichbleibender Leistung am Wandler eine prak
tisch auf die Hälfte verringerte Stromaufnahme er
reicht wird.
Es soll beispielsweise angenommen werden, daß das
zu wandelnde Signal einen Anstieg des Kollektorstroms
von T 4 und eine Abnahme des Kollektorstroms von T 2
mit einem daraus folgenden Stromfluß von dem An
schluß A zum Anschluß B über TR bestimmt. Gleich
zeitig steigt der Kollektorstrom von T 6 an und ver
ringert sich der Kollektorstrom von T 5, wodurch ein
größerer Spannungsabfall an R 1 und ein geringerer
Spannungsabfall an R 3 verursacht werden. Außerdem
vergrößern sich die Basis-Emitter-Spannung und der
Basisstrom von T 1, während sich die Basis-Emitter-
Spannung und der Basisstrom von T 3 verringern, so
daß der Kollektorstrom von T 1 größer und der Kollektor
strom von T 3 kleiner werden; damit ist die Stromauf
nahme der Schaltung bei gleichbleibendem Stromfluß
durch TR kleiner als bei einer Schaltung nach dem
Stand der Technik.
Die Brückenendstufe gemäß der Erfindung hat bezüglich
der oben beschriebenen Funktion eine analoge und sym
metrische Funktionsweise, wenn das Signal einen Anstieg
des Kollektorstroms von T 2 und einen Abfall des Kol
lektorstroms von T 4 bestimmt.
Der Spannungsabfall ist gleich der Summe der Kol
lektor-Emitter-Sättigungsspannung eines npn-Tran
sistors, der Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
eines pnp-Transistors und des Spannungsabfalls am
Widerstand R E .
Der Widerstand R 8 wird so ausgelegt, daß V R 8 und da
mit auch V RE sehr klein werden (typisch 0,06 V oder
weniger): die Summe der Kollektor-Emitter-Sättigungs
spannung eines pnp-Transistors und des Spannungsab
falls im Widerstand R E ist damit praktisch gleich der
Sättigungsspannung des pnp-Transistors.
Damit ist der Spannungsverlust einer Brückenend
stufe gemäß der Erfindung praktisch gleich dem
Spannungsverlust einer Brückenendstufe nach dem in Fig. 1 gezeigten
Stand der Technik.
Eine Brückenendstufe gemäß der Erfindung für einen
Tonfrequenz-Empfangsverstärker ist insbesondere da
zu geeignet, mit bekannten Integrierungstechniken
in einem monolithischen Halbleiterblock integriert
zu werden.
Im Rahmen der Erfindung sind
zahlreiche Abänderungen möglich.
So können beispielsweise die Widerstände R 3 und R 1
durch Dioden ersetzt werden.
Die Basen von T 5 und T 6 können mit den Emittern von
T 12 bzw. T 14 verbunden werden, anstatt diese direkt
an die Signalquelle anzuschließen.
Die durch T 5 und T 6 gebildete Differenzstruktur kann
durch eine komplexere Differenzstruktur ersetzt werden,
und die Transistoren T 1 und T 3 können beide durch eine
Darlington-Schaltung ersetzt werden.
Die in der Schaltung enthaltenen bipolaren Transistoren
können bei geeigneten Schaltungsänderungen, die dem Fach
mann geläufig sind, ganz oder teilweise durch Feldeffekt
transistoren ersetzt werden.
Claims (12)
1. Monolithisch integrierbare Brückenendstufe für einen
mit niedriger Speisespannung betreibbaren Tonfrequenz-
Empfangsverstärker zur Steuerung eines zwei Anschlüsse auf
weisenden elektroakustischen Wandlers (TR),
mit vier Halbleiterschaltungselementen (T 1; T 2, T 12; T 3; T 4, T 14), die je eine emittierende Elektrode, eine Sammelelektrode und einen Steueranschluß aufweisen, wobei das erste (T 1) und das dritte (T 3) Halbleiterschaltungselement von einem ersten und das zweite (T 2,T 12) und das vierte (T 4, T 14) Halbleiter schaltungselement von einem dazu entgegengesetzten zweiten Leitfähigkeitstyp sind, und wobei
die emittierenden Elektroden von erstem (T 1) und drittem (T 3) Halbleiterschaltungselement über eine erste Konstant stromquelle (RE) mit einem ersten Pol (+V CC ) und die emittie renden Anschlüsse von zweitem (T 2, T 12) und viertem (T 4, T 14) Halbleiterschaltungselement mit einem zweiten Pol (-V CC ) der Speisespannungsquelle verbunden sind,
die Sammelelektroden von erstem (T 1) und zweitem (T 2, T 12) Halbleiterschaltungselement in einem ersten Anschlußpunkt (A) für den elektroakustischen Wandler (TR) und die Sammelelektro den von drittem (T 3) und viertem (T 4, T 14) Halbleiterschaltungs element in einem zweiten Anschlußpunkt (B) für den elektro akustischen Wandler (TR) miteinander verbunden sind, und
und die Steueranschlüsse von zweitem (T 2 , T 12) und viertem (T 4, T 14) Halbleiterschaltungselement an eine Signalquelle angeschlossen sind, die diese Halbleiterschaltungselemente in Gegenphase zueinander steuert,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Brückenendstufe ein fünftes (T 5) und ein sechstes (T 6) Halbleiterschaltungselement vom zweiten Leitfähigkeits typ und mit einer emittierenden Elektrode, einer Sammelelektro de und einem Steueranschluß aufweist, deren emittierende Elektrode über eine gemeinsame zweite Konstantstromquelle (A 1) mit dem zweiten Pol (-V CC ) der Speisespannungsquelle verbunden sind,
daß deren Steueranschlüsse derart mit der Signalquelle ver bunden sind, daß diese das fünfte (T 5) und das sechste (T 6) Halbleiterschaltungselement in Gegenphase zueinander und phasengleich mit dem zweiten (T 2, T 12) bzw. dem vierten (T 4, T 14) Halbleiterschaltungselement steuert,
daß die Sammelelektrode des fünften Halbleiterschaltungsele mentes (T 5) sowohl mit dem Steueranschluß des dritten Halb leiterschaltungselementes (T 3) als auch, über ein erstes Widerstandselement (R 3), mit einer Bezugsspannungseinrichtung (T 8) verbunden ist, und
daß die Sammelelektrode des sechsten Halbleiterschaltungs elementes (T 6) sowohl mit dem Steueranschluß des ersten Halb leiterschaltungselementes (T 1) als auch, über ein zweites Widerstandelement (R 1), mit der Bezugsspannungseinrichtung (T 8) verbunden ist.
mit vier Halbleiterschaltungselementen (T 1; T 2, T 12; T 3; T 4, T 14), die je eine emittierende Elektrode, eine Sammelelektrode und einen Steueranschluß aufweisen, wobei das erste (T 1) und das dritte (T 3) Halbleiterschaltungselement von einem ersten und das zweite (T 2,T 12) und das vierte (T 4, T 14) Halbleiter schaltungselement von einem dazu entgegengesetzten zweiten Leitfähigkeitstyp sind, und wobei
die emittierenden Elektroden von erstem (T 1) und drittem (T 3) Halbleiterschaltungselement über eine erste Konstant stromquelle (RE) mit einem ersten Pol (+V CC ) und die emittie renden Anschlüsse von zweitem (T 2, T 12) und viertem (T 4, T 14) Halbleiterschaltungselement mit einem zweiten Pol (-V CC ) der Speisespannungsquelle verbunden sind,
die Sammelelektroden von erstem (T 1) und zweitem (T 2, T 12) Halbleiterschaltungselement in einem ersten Anschlußpunkt (A) für den elektroakustischen Wandler (TR) und die Sammelelektro den von drittem (T 3) und viertem (T 4, T 14) Halbleiterschaltungs element in einem zweiten Anschlußpunkt (B) für den elektro akustischen Wandler (TR) miteinander verbunden sind, und
und die Steueranschlüsse von zweitem (T 2 , T 12) und viertem (T 4, T 14) Halbleiterschaltungselement an eine Signalquelle angeschlossen sind, die diese Halbleiterschaltungselemente in Gegenphase zueinander steuert,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Brückenendstufe ein fünftes (T 5) und ein sechstes (T 6) Halbleiterschaltungselement vom zweiten Leitfähigkeits typ und mit einer emittierenden Elektrode, einer Sammelelektro de und einem Steueranschluß aufweist, deren emittierende Elektrode über eine gemeinsame zweite Konstantstromquelle (A 1) mit dem zweiten Pol (-V CC ) der Speisespannungsquelle verbunden sind,
daß deren Steueranschlüsse derart mit der Signalquelle ver bunden sind, daß diese das fünfte (T 5) und das sechste (T 6) Halbleiterschaltungselement in Gegenphase zueinander und phasengleich mit dem zweiten (T 2, T 12) bzw. dem vierten (T 4, T 14) Halbleiterschaltungselement steuert,
daß die Sammelelektrode des fünften Halbleiterschaltungsele mentes (T 5) sowohl mit dem Steueranschluß des dritten Halb leiterschaltungselementes (T 3) als auch, über ein erstes Widerstandselement (R 3), mit einer Bezugsspannungseinrichtung (T 8) verbunden ist, und
daß die Sammelelektrode des sechsten Halbleiterschaltungs elementes (T 6) sowohl mit dem Steueranschluß des ersten Halb leiterschaltungselementes (T 1) als auch, über ein zweites Widerstandelement (R 1), mit der Bezugsspannungseinrichtung (T 8) verbunden ist.
2. Brückenendstufe nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß die Steueranschlüsse von fünftem (T 5) und sechstem (T 6)
Halbleiterschaltungselement über das zweite (T 2, T 12) bzw.
das vierte (T 4, T 14) Halbleiterschaltungselement mit der
Signalquelle verbunden sind.
3. Brückenendstufe nach Anspruch 1 oder 2, dadurch ge
kennzeichnet, daß das erste Widerstandselement (R 3) und
das zweite Widerstandselement (R 1) durch ohmsche Wider
stände gebildet sind.
4. Brückenendstufe nach Anspruch 1 oder 2, dadurch ge
kennzeichnet, daß das erste Widerstandselement und das
zweite Widerstandselement durch Dioden gebildet sind.
5. Brückenendstufe nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß die erste Konstantstromquelle
ein drittes Widerstandselement (RE) und ein siebtes Halb
leiterschaltungselement (T 7) aufweist, das vom ersten Leit
fähigkeitstyp ist und wenigstens ein emittierende Elektrode,
eine Sammelelektrode und einen Steueranschluß besitzt, von
denen die Sammelelektrode einerseits über eine dritte
Konstantstromquelle (A 2) mit dem zweiten Pol (-V CC ) der
Speisespannungsquelle und andererseits mit dem Steueran
schluß des siebten Halbleiterschaltungselementes (T 7) ver
bunden ist, und von denen die emittierende Elektrode mit dem
Verbindungspunkt zwischen den emittierenden Elektroden von
erstem (T 1) und drittem (T 3) Halbleiterschaltungselement
und außerdem über das dritte Widerstandselement (RE) mit dem
ersten Pol (+V CC ) der Speisespannungsquelle verbunden ist,
und daß die Bezugsspannungseinrichtung ein achtes Halbleiter
schaltungselement (T 8) aufweist, das vom ersten Leitfähig
keitstyp ist und eine emittierende Elektrode, eine Sammel
elektrode und einen Steueranschluß besitzt, von denen die
emittierende Elektrode über ein viertes Widerstandselement (R 8)
mit dem ersten Pol (+V CC ) der Speisespannungsquelle, der
Steueranschluß mit der Sammelelektrode des siebten Halb
leiterschaltungselementes (T 7) und die Sammelelektrode
über das erste Widerstandselement (R 3) und das zweite
Widerstandselement (R 1) mit der Sammelelektrode des fünften
(T 5) bzw. des sechsten (T 6) Halbleiterschaltungselementes
verbunden ist.
6. Brückenendstufe nach Anspruch 5, dadurch gekennzeich
net, daß das vierte Widerstandselement (R 8) durch einen
ohmschen Widerstand gebildet ist.
7. Brückenendstufe nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens eines der Halbleiter
schaltungselemente ein Transistor ist.
8. Brückenendstufe nach einem der Ansprüche 3 bis 7 in
Verbindung mit Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das
zweite (T 2, T 12) und das vierte (T 4, T 14) Halbleiterschal
tungselement je einen ersten Transistor (T 2 bzw. T 4)
und einen zweiten Transistor (T 12 bzw. T 14) aufweisen, die
beide vom gleichen Leitfähigkeitstyp sind und jeder eine
emittierende Elektrode, eine Sammelelektrode und einen
Steueranschluß aufweisen, wobei die emittierende Elektrode,
die Sammelelektrode und der Steueranschluß eines jeden dieser
Halbleiterschaltungselemente durch die emittierende Elektrode
bzw. die Sammelelektrode des jeweiligen ersten Transistors
(T 2 bzw. T 4) bzw. durch den Steueranschluß des jeweiligen
zweiten Transistors (T 12 bzw. T 14) gebildet werden, und wo
bei die Sammelelektrode des jeweiligen zweiten Transistors
(T 12 bzw. T 14) an den ersten Pol (+V CC ) der Speisespannungs
quelle und dessen emittierende Elektrode an den Steueran
schluß des jeweiligen ersten Transistors (T 2 bzw. T 4) und
über einen Widerstand (R 2 bzw. R 4) an den zweiten Pol
(-V CC ) der Speisespannungsquelle angeschlossen ist.
9. Brückenendstufe nach einem der Ansprüche 3 bis 7
in Verbindung mit Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß das
zweite (T 2, T 12) und das vierte (T 4 , T 14) Halbleiterschal
tungselement je einen ersten Transistor (T 2 bzw. T 4)
und einen zweiten Transistor (T 12 bzw. T 14) aufweisen, die
beide vom gleichen Leitfähigkeitstyp sind und jeder eine
emittierende Elektrode, eine Sammelelektrode und einen
Steueranschluß aufweisen, wobei die emittierende Elektrode,
die Sammelelektrode und der Steueranschluß eines jeden dieser
Halbleiterschaltungselemente durch die emittierende Elektrode
bzw. die Sammelelektrode des jeweiligen ersten Transistors
(T 2 bzw. T 4) bzw. durch den Steueranschluß des jeweiligen
zweiten Transistor (T 12 bzw. T 14) gebildet werden, wo
bei die Sammelelektrode des jeweiligen zweiten Transistors
(T 12 bzw. T 14) an den ersten Pol (+V CC ) der Speisespannungs
quelle und dessen emittierende Elektrode an den Steueran
schluß des jeweiligen ersten Transistors (T 2 bzw. T 4) und
über einen Widerstand (R 2 bzw. R 4) an den zweiten Pol
(-V CC ) der Speisespannungsquelle angeschlossen ist, und
wobei der Steueranschluß des zweiten Transistors
(T 12) des zweiten Halbleiterschaltungselementes (T 2, T 12)
mit dem Steueranschluß des fünften Halbleiterschaltungs
elementes (T 5) und der Steueranschluß des zweiten
Transistors (14) des vierten Halbleiterschaltungselementes
(T 4, T 14) mit dem Steueranschluß des sechsten Halbleiter
schaltungselementes (T 6) verbunden ist.
10. Brückenendstufe nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß das erste Halbleiterschaltungs
element und das dritte Halbleiterschaltungselement einen
dritten und einen vierten Transistor aufweisen, die beide
vom gleichen Leitfähigkeitstyp sind und eine emittierende
Elektrode, eine Sammelelektrode und einen Steueranschluß
aufweisen, wobei bei jedem dieser Halbleiterschaltungs
elemente die emittierende Elektrode durch die emittierende
Elektrode des dritten Transistors, die Sammelelektrode
durch die Sammelelektrode des dritten Transistors und der
Steueranschluß durch den Steueranschluß des vierten Tran
sistors gebildet ist und die emittierende Elektrode des
vierten Transistors mit dem Steueranschluß des dritten
Transistors und die Sammelelektrode des vierten Transistors
mit dem zweiten Pol (-V CC ) der Speisespannungsquelle ver
bunden ist.
11. Brückenendstufe nach einem der Ansprüche 7 bis 10,
dadurch gekennzeichnet, daß deren Transistoren bipolare
Transistoren sind, deren Emitter die emittierenden Elektro
den, deren Kollektoren die Sammelelektroden und deren Basis
anschlüsse die Steueranschlüsse bilden.
12. Brückenendstufe nach einem der Ansprüche 7 bis 10,
dadurch gekennzeichnet, daß deren Transistoren Feldeffekt
transistoren sind, deren Source-Elektroden die emittierenden
Elektroden, deren Drain-Elektroden die Sammelelektroden und
deren Gate-Elektroden die Steueranschlüsse bilden.
Applications Claiming Priority (1)
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---|---|---|---|
IT23646/81A IT1168164B (it) | 1981-08-26 | 1981-08-26 | Stadio finale a ponte per un aplificatore audio di ricezione |
Publications (2)
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DE3229437A1 DE3229437A1 (de) | 1983-03-10 |
DE3229437C2 true DE3229437C2 (de) | 1987-09-24 |
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Family Applications (1)
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