DE3138946A1 - Verfahren zum betrieb einer mit einem vorschalt-tiefpass versehenen ladungsverschiebeanordnung - Google Patents

Verfahren zum betrieb einer mit einem vorschalt-tiefpass versehenen ladungsverschiebeanordnung

Info

Publication number
DE3138946A1
DE3138946A1 DE19813138946 DE3138946A DE3138946A1 DE 3138946 A1 DE3138946 A1 DE 3138946A1 DE 19813138946 DE19813138946 DE 19813138946 DE 3138946 A DE3138946 A DE 3138946A DE 3138946 A1 DE3138946 A1 DE 3138946A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
charge
clock
electrode
semiconductor
area
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
DE19813138946
Other languages
English (en)
Inventor
Karl Dr.-Ing. 8011 Kirchseeon Knauer
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Priority to DE19813138946 priority Critical patent/DE3138946A1/de
Publication of DE3138946A1 publication Critical patent/DE3138946A1/de
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H15/00Transversal filters
    • H03H15/02Transversal filters using analogue shift registers
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C27/00Electric analogue stores, e.g. for storing instantaneous values
    • G11C27/04Shift registers

Landscapes

  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)

Description

  • Verfahren zum Betrieb einer mit einem Vorschalt-Tiefpaß
  • versehenen Ladangsverschiebeanordnung.
  • Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Betrieb einer mit einem Vorschalt-Tiefpaß versehenen Ladungsverschiebeanordnung nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1.
  • Ein Vorschalt-Tiefpaß, der einer Ladungsverschiebeanordnung (CTD) zugeordnet ist, hat die Aufgabe, das Frequenzspektrum am CTD-Eingang so weit zu begrenzen, daß eingangsseitig anliegende Störsignale, deren Frequenz sich etwa um den Wert der Taktfrequenz des CTD oder eines Vielfachen davon von dem Frequenzbereich des zu übertragenden Nutzsignals unterscheidet, am Ausgang des C2D möglichst wenig in Erscheinung treten. Das Herunterspiegeln solcher Störsignale in das Frequenzband des Nutzsignals wird im englischen Sprachgebrauch auch als ftaliasingff bezeichnet.
  • Die Vorschalt-Tiefpässe sind Jedoch#in integrierter Form nurmit einem großen Flächenbedarf zu realisieren.
  • Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zum Betrieb einer Ladungsverschiebeanordnung anzugeben, das es ermöglicht, die zur Durchführung desselben dienende Tiefpaß-OT1>-Schaltung auf einer möglichst kleinen Halbleiterfläche zu realisieren. Das wird erfindungsgemäß durch eine Ausgestaltung des Verfahrens nach dem kennzeichnenden Teil des Anspruchs 1 erreicht, Der mit dem Verfahren nach der Erfindung erzielbare Vorteil liegt insbesondere darin, daß durch die alleinige Anhebung der Taktfrequenz der Eingangs stufe bei einer Beibehaltung der CTL-Taktfrequenz im Bereich des CED- Ubertragungskanals und der Ausgangs stufe die Wirksamkeit des Vorschalt-Tiefpasses stark erhöht wird, wobei sich der Flächen- und der Beistungs-Bedarf der Ladungsverschiebeanordnung nur geringfügig erhöhen.
  • Die Ansprüche 2 bis 6 sind auf eine Ladungsverschiebeanordnung zur Durchführung des Verfahrens nach Anspruch 1 und auf bevorzugte Weiterbildungen derselben gerichtet.
  • Die Erfindung wird nachfolgend anhand der Zeichnung näher erläutert. Dabei zeigt: Fig. 1 eine schematische Darstellung der Eingangs stufe einer zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens geeigneten Ladungsverschiebeanordnung, Figo 2 den örtlichen Verlauf des Oberflächenpotentials der Eingangs stufe in Richtung der Elektrodenreihe zu einem Zeitpunkt ti, Bigo 3 den auf die gleichen Orte der Oberfläche der Eingangstufe bezogenen Verlauf des Oberflächenpotentials zu einem späteren Zeitpunkt t2, Fig. 4 ein Taktprogramm zum Betrieb der Eingangs stufe nach Fig. 1, Fig. 5 eine Weiterbildung der Eingangsstufe nach Fig. 1, Fig. 6 einen zeitlich der Fig. 2 entsprechenden Verlauf des Oberflächenpotentials für die Eingangs stufe nach Fig. 5 und Fig. 7 einen zeitlich der Fig. 3 entsprechenden Verlauf des Oberflächenpotentials für die Eingangsetufe nach Fig. 5.
  • In Fig. 1 ist ein Halbleiterkörper 1 eines vorgegebenen Leitungstyps dargestellt, der z. 3. aus p-dotiertem Silizium besteht. Seine Grenzfläche la ist mit einer dünnen, elektrisch isolierenden Schicht 2, z. B. aus SiO2, bedeckt. An der Grenzfläche 1a befindet sich ein n-leitendes Gebiet 3, das durch einen Diffusions- oder Implanta- tions-Vorgang erzeugt wird. Der neben diesem Gebiet liegende Bereich des Halbleiterkörpers 1 wird von einer ersten, zweiten und dritten Elektrode 4, 5 und 6 überdeckt, die jeweils auf der isolierenden Schicht 2 angeordnet sind. Dem Gebiet 3 wird über seinen dargestellten Anschluß eine Taktspannung ##:D zugeführt, während die Elektrode 4 über ihren Anschluß mit einer konstanten Spannung UR beschaltet ist. Der Elektrode 5 wird über ihren Anschluß ein Eingangssignal u5 zugeführt, während die sogenannte Torelektrode 6 mit dem Anschluß des Gebiets 3 verbunden ist0 Die Schaltungsteile 3 bis 6 gehören zu der Eingangsstufe EST einer auf dem Halbleiterkörper 1 integrierten Ladungsverschiebeanordnung (CTD). An die Eingangs stufe schließen sich eine Reihe von erschiebeelektroden an, die ebenfalls auf der isolierenden Schicht 2 angeordnet sind. Jeweils vier aufeinanderfolgende Verschiebeelektroden, z. B. 7 bis 10, sind über ihre Anschlüsse jeweils mit einer von vier gegeneinander phasenverschobenen Takt spannungen #1 bis P14 beschaltet. Die Elektroden 7 bis 10 gehören zum ersten der Eingangsstufe EST folgenden OTD-Element. Es schließen sich weitere CTD-Elemente an. Der Bereich an der Grenzfläche des Halbleiterkörpers 1 unterhalb der Elektroden 7 bis 10 usw. stellt den CTD-t#ertragungskanal dar.
  • Die Wirkungsweise der Schaltung nach Fig. 1 wird nachfolgend anhand der in den Figuren 2 und 3 dargestellten Oberflächenpotentialverläufe und #s2 und der Spannungs-Zelt-Diagramme nach Fig. 4 näher beschrieben. Fig. 4 zeigt dabei den zeitlichen Verlauf der Takt spannung ~ED und die Zeitfunktionen der Takt spannungen #1 bis ~4.
  • Zum Zeitpunkt t1, also zwischen zwei Taktimpulsen ~ED, weist das Oberflächenpotential #s1 im Bereich von EST und der Elektrode 7 gemäß Fig. 2 ohne Berucksichtigung der eingeflossenen Ladung einen Verlauf P1 bis P5 auf. P1 ist dabei ein sehr kleiner Potentialwert, P2 das durch die Referenzspannung UR definierte Potential, P3 der durch das Eingangs signal u5 hervorgerufene, signalabhängige Potentialwert, P4 ein wegen der Verbindung zwischen der Torelektrode 6 und dem Gebiet 3 minimaler Potentialwert, der wegen der isolierenden Schicht 2 den Potentialwert Pl noch unterschreitet, und P5 der beim Auftreten eines Takt-.
  • impulses #1 unterhalb der Elektrode 7 vorhandene Wert von ~s1 Auf den horizontalen Achsen der Figuren 2 und 3 bedeutet der Betrag x jeweils den Abstand eines koordinatenmäßig erfaßten Punktes von dem linken Rand des Gebiets 3 gemessen in einer geraden Linie unterhalb der Elektroden 4 bis 7. Der kleine Wert P1 des Oberflächenpotentials #s1 im Bereich von 3 bedeutet, daß die oberflächenseitigen Halbleiterbereiche unterhalb der Elektroden 4 und 5 mit aus 3 austretenden Elektronen überschwemmt werden. Das noch kleinere Potential P4 bedeutet jedoch andererseits eine Potentialschwelle, die die ausgetretenen Elektronen nicht überwinden können.
  • Zum Zeitpunkt t2 weist das Gebiet 3 einen Potentialwert von P12 an der Grenzfläche 1a auf, so daß die in Fig. 2 durch die schraffierte Fläche oberhalb von P2 dargestellten Ladungsträger wieder in das Gebiet 3 zurückfließen0 Gleichzeitig verändert sich auch das Oberflächenpotential unterhalb der Torelektrode 6 auf einen Wert P42, wobei die signalabhängige Ladungsmenge, die in Fig. 2 durch die doppelt schraffierte Fläche B7 unterhalb von 5 und zwischen den horizontalen Linien P2 und P3 veranschaulicht wird, nach Wegfall der Potentialschwelle P4 in die unterhalb von 7 gebildete Potentialsenke P5 gelangt, was durch den Pfeil 11 angedeutet wird. Während jedes Taktimpulses ~1 gelangen also so viele Ladungspakete F1 in die Potentialsenke P5, wie Taktimpulse #ED innerhalb der Impulsdauer DA vorhanden sind, im dargestellten Beispiel also vier. Die Anzahl der Taktimpulse ~ED innerhalb von DA ergibt dabei den Grad der Überabtastung des an der Elektrode 5 liegenden Eingangs- signals us. Obwohl die den Verschiebeelektroden zugeführten Takt spannungen ~1 bis #4 und die mit diesen gleichfrequenten Takt spannungen, die zum Betrieb der in herkömmlicher Weise ausgebildeten Ausgangsstufe des CTD verwendet werden, eine wesentlich kleinere Taktfrequenz aufweisen, ergibt sich praktisch eine solche Störbefreiung, als ob die gesamte Ladungsverschiebeanordnung mit der hohen Taktfrequenz von ~ED betrieben werden würde. Die in P5 gesammelten Ladungspakete werden dabei in herkömmlicher Weise über den CTD-Übertragungskanal zur Ausgangsstufe übertragen und in dieser im allgemeine31 in Ausgangsspannungsimpulse umgesetzt0 Nach einer Schaltungsvariante ist es auch möglich, die Torelektrode 6 und das Gebiet 3 mit getrennten Taktspannungen anzusteuern.
  • Die bisher beschriebene Singangsstafe EST hat die Sigenschaft, daß bei einer n-fachen Überabtastung des Eingangssignals auch die mit jeder signalabhängigen Ladung in die Potentialsenke P5 eingebrachte Grundladungsmenge in P5 nmal vorhanden ist. Diese n-fache Grundladung, die zur Verbesserung der Linearität bei der eingangsseitigen Signalabtastung benötigt wird, ist jedoch vielfach in den weiteren Teilen des CTD nicht mehr erwünscht, da für ihre obertragung zusätzlich Fläche benötigt wird. Mit einer Weiterbildung der Eingangsstufe gemäß Fig. 5 gelingt es, diese Grundladung unmittelbar nach der Abtastung des Eingnngssignals Us wieder abzuziehen, so daß sie in den nachfolgenden CTD-Stufen nicht mehr auftritt. Zu diesem Zweck ist die Torelektrode 6 in zwei Teilelektroden 61 und 62 aufgeteilt, von denen die Teilelektrode 61 auf einer dünneren isolierenden Schicht 21 aufgebracht ist als die Teilelektrode 62, die auf einer Schicht 22 liegt0 Zweckmäßigerweise wird die Teilelektrode 61 zusammen mit den ELektroden 4, 7 und 9 aus unterschiedlichen Teilen einer ersten elektrisch leitenden Belegung, z. B. aus polykristallinem, hochdotierten Silizium, gebildet, während die Teilelektrode 6-2 zusammen mit den Elektroden 5, 8 und 10 aus unterschiedlichen Teilen einer zweiten, oberhalb der ersten liegenden und gegen diese isolierten, elektrisch leitenden Belegung, z. B. aus polykristallinem, hochdotierten Silizium, erzeugt wird. Dies ist jedoch in Fig. 5 aus Gründen einer übersichtlichen Darstellung nicht gezeigt.
  • 2 6, in der der Verlauf des Oberflächenpotentials # s11 sum Zeitpunkt t1 ohne Berücksichtigung der eingeflossenen Ladung verdeutlicht ist, läßt zum Unterschied von ige 2 erkennen, daß ein Teil FIG der doppelt schraffierten Fläche F1, der mit einer dichteren Doppelschraffur versehen ist, eine Grundladung darstellt. Dabei wird davon ausgegangen, daß das Eingangs signal u5 lediglich eine Schwankung des Pegels P3 innerhalb des Pegelbereiches PS verursacht. Zum Zeitpunkt t2 ergibt sich dann nach Fig. 7 ein Verlauf #s2' des Oberflächenpotentials, der im Gegensatz zu Fig. 3 eine Potentialschwelle P422 gegenüber dem Potential P421 unterhalb von 61 erkennen läßt. Die Fläche der Teilelektrode 61 läßt sich nun so dimensionieren, daß gemäß Fig. 7 gerade der auf die Grundladung entfallende Teil FIG der Fläche F1 durch die Schwelle P422 zurückgehalten wird, während der signalabhängige Teil F1-F1G in den Übertragungskanal des CTD gelangt. Der gleiche Effekt läßt sich erreichen, wenn die Elektrodenteile 61 und 62 auf einer isolierenden Schicht gleicher Dicke angeordnet sind, jedoch unterhalb von 61 ein schwächer dotierter Bereich 1c des Halbleiterkörpers 1 vorgesehen ist, Für die Erfindung besteht eine bevorzugte Anwendungsmöglichkeit im Bereich der integrierten CTD-Filter, insbesondere der Transversalfilter. Bei diesen erfordert nämlich ein wirkungsvoller Vorschalt-Tiefpaß ohne die erfindungsgemäße Anhebung der Taktfrequenz für die Eingangsstufe der Ladungsverschiebeanordnung, die in diesem Fall ein Bestandteil des Transversalfilters ist, vielfach eine größe- re Halbleiterfläche als das Transversalfilter selbst.
  • 6 Patentansprüche 7 Figuren L e e r s e i t e

Claims (6)

  1. Patentansprüche 1. Verfahren zum Betrieb einer mit einem Vorschalt-Tiefpaß versehenen Ladungsverschiebeanordnung, bei dem aufeinanderfolgende Amplitudenwerte eines Eingangssignals in einer Eingangs stufe abgetastet und in Form von signalabhängigem Ladungsmengen dem Übertragungskanal und sodann der Ausgangs stufe der Ladungsverschiebeanordnung zuge-Bu~krt werden, d a d u r c h g e k e n n z e i c h -n na e t , daß die zum Betrieb der Eingangsetufe vorgesehenen Takt spannungen eine höhere Taktfrequenz aufweisen als die Takt spannungen, die dem iibertragungskanal zageordneten Verschiebeelektroden und der Ausgangs stufe zugeführt werden, 20 Ladungsverschiebeanordnung zur Durchführung des Verfahrens nach Anspruch 1, d a d u r c h g e k e n n -3 e i c h n e t , daß ein Halbleiterkörper (1) eines ersten Leitungstyps vorgesehen ist, in den ein sich bis zu einer Grenzfläche (la) des Halbleiterkörpers (1) erstreckendes Halbleitergebiet (3) eines zweiten Leitungstyps eingefügt ist, das mit einer ersten Taktspannung (~ED) beschaltet ist, daß eine die Grenzfläche (ia) des Halbleiterkörpers (1) abdeckende, dünne, elektrisch isolierende Schicht (2) vorgesehen ist, daß auf dieser eine mit einer festen Vorspannung (UR) beschaltete Elektrode (4) angeordnet ist, die den Halbleiterbereich neben dem Halbleitergebiet (3) überdeckt, daß sich an diese Elektrode (4) in weiterer Folge eine mit dem Eingangssignal (us) beschaltete Elektrode (5) und eine Torelektrode (6) anschließen, die ebenfalls auf der isolierenden Schicht (2) angeordnet sind, wobei die Torelektrode (6) mit dem Halbleitergebiet (3) leitend verbunden oder in gleicher Weise wie dieses angesteuert ist, und daß sich an das von der Torelektrode (6) überdeckte Halbleitergebiet ein Übertragungskanal der Ladungsverschiebeanordnung und eine Ausgangsstufe anschließen, die mit Takt spannungen be- schaltet sind, deren Taktperiode ein Vielfaches der Taktperiode der dem Halbleitergebiet (3) zugeführten Taktspannung (#ED) beträgt.
  2. 3. Ladungsverschiebeanordnung nach Anspruch 2, d a -d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß die orelektrode aus zwei nebeneinanderliegenden Teilelektroden (61, 62) besteht, von denen die erste (61), dem Halbleitergebiet (3) nähere durch einevdiinnere Isolierschicht (21) von der Grenzfläche (1a) getrennt ist als die zweite (62), und daß die Fläche der ersten Teilelektrode (61) so groß gewählt ist, daß während des Auftretens eines dem Halbleitergebiet (3) zugeführten Taktimpulses (~ED) unter der zweiten Teilelektrode (62) gegenüber der ersten (61) eine Potentialschwelle entsteht, die die bei jeder Abtastung des Eingangssignals (us) entstehende Grundladung (FIG) zurückhält.
  3. 4. Ladungsverschiebeanordnung nach Anspruch 2, d a -d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß die orelektrode aus zwei nebeneinanderliegenden Teil elektroden (61, 62) besteht, wobei unter der ersten (61), dem walbleitergebiet (3) näheren ein schwächer dotierter Bereich (Ic) des Halbleiterkörpers (1) angeordnet ist, und daß die Fläche der ersten Teilelektrode (61) so groß gewählt ist, daß während des Auftretens eines dem Halbleitergebiet (3) zugeführten Taktimpulses (#EI)) unter der zweiten Teilelektrode (62) gegenüber der ersten (61) eine Potentialschwelle entsteht, die die bei weder Abtastung des Eingangssignals (u8) entstehende Grundladung (F1G) zurückhält,
  4. 5. Ladungsverschiebeanordnung nach Anspruch 3, d a -d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß die zweite Teilelektrode (62) in einer zweiten und die erste Teilelektrode (61) in einer ersten Polysiliziumebene angeordnet sind,
  5. 6. Ladungsverschiebeanordnung nach einem der Ansprüche 2 bis 5, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß sie einen Bestandteil eines Transversalfilters darstellt.
DE19813138946 1981-09-30 1981-09-30 Verfahren zum betrieb einer mit einem vorschalt-tiefpass versehenen ladungsverschiebeanordnung Ceased DE3138946A1 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19813138946 DE3138946A1 (de) 1981-09-30 1981-09-30 Verfahren zum betrieb einer mit einem vorschalt-tiefpass versehenen ladungsverschiebeanordnung

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19813138946 DE3138946A1 (de) 1981-09-30 1981-09-30 Verfahren zum betrieb einer mit einem vorschalt-tiefpass versehenen ladungsverschiebeanordnung

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE3138946A1 true DE3138946A1 (de) 1983-04-14

Family

ID=6143077

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19813138946 Ceased DE3138946A1 (de) 1981-09-30 1981-09-30 Verfahren zum betrieb einer mit einem vorschalt-tiefpass versehenen ladungsverschiebeanordnung

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE3138946A1 (de)

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4100513A (en) * 1975-09-18 1978-07-11 Reticon Corporation Semiconductor filtering apparatus
DE2800893A1 (de) * 1977-01-10 1978-07-13 Rca Corp Verfahren und einrichtung zur eingabe von signalen in eine ladungsgekoppelte anordnung
DE2833884A1 (de) * 1977-08-02 1979-02-15 Rca Corp Ladungsgekoppelte schaltungsanordnung mit steuerbarer verstaerkung
EP0006053A1 (de) * 1978-05-26 1979-12-12 Thomson-Csf Differenzbildungsvorrichtung mit Ladungskopplung; Filter und Verzögerungsleitung mit einer solchen Vorrichtung
DE2836473A1 (de) * 1978-08-21 1980-03-06 Siemens Ag Ccd-eingangsschaltung nach dem fill and spill-prinzip
US4195273A (en) * 1976-10-29 1980-03-25 Hughes Aircraft Company CTD charge subtraction transversal filter
EP0017541A1 (de) * 1979-04-06 1980-10-15 Thomson-Csf Transversal-Filter mit elektrischer Ladungsverschiebung
US4232279A (en) * 1975-07-21 1980-11-04 Hughes Aircraft Company Low noise charge coupled device transversal filter

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4232279A (en) * 1975-07-21 1980-11-04 Hughes Aircraft Company Low noise charge coupled device transversal filter
US4100513A (en) * 1975-09-18 1978-07-11 Reticon Corporation Semiconductor filtering apparatus
US4195273A (en) * 1976-10-29 1980-03-25 Hughes Aircraft Company CTD charge subtraction transversal filter
DE2800893A1 (de) * 1977-01-10 1978-07-13 Rca Corp Verfahren und einrichtung zur eingabe von signalen in eine ladungsgekoppelte anordnung
DE2833884A1 (de) * 1977-08-02 1979-02-15 Rca Corp Ladungsgekoppelte schaltungsanordnung mit steuerbarer verstaerkung
EP0006053A1 (de) * 1978-05-26 1979-12-12 Thomson-Csf Differenzbildungsvorrichtung mit Ladungskopplung; Filter und Verzögerungsleitung mit einer solchen Vorrichtung
DE2836473A1 (de) * 1978-08-21 1980-03-06 Siemens Ag Ccd-eingangsschaltung nach dem fill and spill-prinzip
EP0017541A1 (de) * 1979-04-06 1980-10-15 Thomson-Csf Transversal-Filter mit elektrischer Ladungsverschiebung

Non-Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
DE-Z: "Elektronik", Band 29, Heft 2, 24. Januar 1980, S. 61 bis 68 *
DE-Z: "Wissenschaftliche Berichte AEG-Telefunken", Band 52, Nr. 1-2, 1979, S. 131 bis 138 *
JP-A2 Abstract 83 323-70 *
US-Z: "IEEE Journal of Solid-State Circuits", Vol. SC-12, No. 6, Dezember 1977, S. 60 bis 616 *
US-Z: "IEEE Journal of Solid-State Circuits", Vol. SC-16, No. 3, Juni 1981, S. 125 bis 129 *
US-Z: "IEEE Transactions on Electron Devices" Vol. ED-27, No. 9, September 1980, S. 1733 bis 1743 *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2939490C2 (de)
DE2936703C2 (de)
DE2658524A1 (de) Transversalfilter mit mindestens einem analogen schieberegister und ein verfahren zu dessen betrieb
DE2620187B2 (de) Monostabile Multivibratorschaltung
DE2718093A1 (de) Eingangsstufe fuer ein ladungsverschiebetiefpassfilter
DE2939518A1 (de) Monolithisch integrierte schaltung zur zeilenweisen bildabtastung
DE2248423B2 (de) Ladungsübertragungssy stern
DE2734942C2 (de) Digital-Analogumsetzer
DE2740142A1 (de) Halbleiter-signalfilteranordnung
DE2847992A1 (de) Festkoerper-bildaufnahmevorrichtung
EP0027545A1 (de) Monolithisch integrierte Schaltung zur zeilenweisen Bildabtastung und Verfahren zu deren Betrieb
DE2753358C3 (de) Ausgangsschaltung für Ladungsübertragungs-Halbleiterbauelemente
DE3015806C2 (de) Schaltungsanordnung zur Abnahme von Signalen von Halbleiter-Bild- oder -Zeilensensoren
DE2820837C2 (de) Ladungsgekoppelte Halbleiteranordung und ladungsgekoppelter Filter mit einer derartigen Halbleiteranordnung
DE3138946A1 (de) Verfahren zum betrieb einer mit einem vorschalt-tiefpass versehenen ladungsverschiebeanordnung
DE2936704A1 (de) Monolithisch integrierte schaltung mit einem zweidimensionalen bildsensor
EP0004870B1 (de) Transversalfilter mit Paralleleingängen.
EP0057751B1 (de) CTD-Transversalfilter
DE2936731C2 (de)
DE2643446A1 (de) Festkoerper-bildabtastvorrichtung
DE2658525C2 (de) Transversalfilter
DE2838037A1 (de) Monolithisch integrierte ladungsverschiebeanordnung
DE3613593A1 (de) Festkoerper-bildsensor
DE3214965A1 (de) Ladungsverschiebungsanordnung mit ausgleich des effekts erster ordnung von transportverlust
DE2813971C2 (de) Transversalfilter mit Paralleleingängen

Legal Events

Date Code Title Description
OM8 Search report available as to paragraph 43 lit. 1 sentence 1 patent law
8110 Request for examination paragraph 44
8125 Change of the main classification

Ipc: H03H 15/02

8131 Rejection