JPH07120953A - 電子写真感光体およびそれを用いた画像形成方法 - Google Patents
電子写真感光体およびそれを用いた画像形成方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 コロナ帯電を行うことなく露光と現像とをほ
ぼ同時に実施する電子写真方式に用いるための電子写真
感光体およびそれを用いた画像形成方法を提供する。 【構成】 本発明の電子写真感光体は、透光性支持体上
に、透光性導電層、真空蒸着法によって形成されたバン
ドギャップが２．４ｅＶ以上の半導体または半導体性の
絶縁物からなる薄膜中間層、およびアモルファスシリコ
ン系光導電層を順次積層してなるものであって、透光性
支持体側に設けた露光手段によって像露光すると共に、
電子写真感光体上に設けた現像手段にバイアス電圧を印
加しながら現像する工程および形成されたトナー像を転
写体に転写する工程を有する画像形成方法に使用され
る。 【効果】 高い画像濃度を有し、背景かぶりのない優れ
た解像度の画像を得ることができる。
ぼ同時に実施する電子写真方式に用いるための電子写真
感光体およびそれを用いた画像形成方法を提供する。 【構成】 本発明の電子写真感光体は、透光性支持体上
に、透光性導電層、真空蒸着法によって形成されたバン
ドギャップが２．４ｅＶ以上の半導体または半導体性の
絶縁物からなる薄膜中間層、およびアモルファスシリコ
ン系光導電層を順次積層してなるものであって、透光性
支持体側に設けた露光手段によって像露光すると共に、
電子写真感光体上に設けた現像手段にバイアス電圧を印
加しながら現像する工程および形成されたトナー像を転
写体に転写する工程を有する画像形成方法に使用され
る。 【効果】 高い画像濃度を有し、背景かぶりのない優れ
た解像度の画像を得ることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、コロナ帯電を行うこと
なく露光と現像とをほぼ同時に実施する電子写真方式に
用いるための電子写真感光体およびそれを用いた画像形
成方法に関する。
なく露光と現像とをほぼ同時に実施する電子写真方式に
用いるための電子写真感光体およびそれを用いた画像形
成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近時、コロナ放電により帯電を行うカー
ルソン方式に対して、コロナ放電を不要とする電子写真
方式が提案されている（特開昭５８−４４４５号、特開
昭５８−１５３９５７号公報、特開昭６１−４６９６１
号公報、特開昭６２−２８０７２号公報等）。これら提
案された電子写真方式は、透光性支持体上に透光性導電
層と光導電層とを順次積層したドラム状またはベルト状
の感光体に対して、透光性支持体側より露光すると共
に、バイアス電圧を印加した導電性磁性トナーを用いた
磁気ブラシによって感光体表面を摺擦させるものであっ
て、この電子写真方式によれば帯電と露光と現像とをほ
ぼ同時に行うことができる。そして、このような電子写
真方式において、上記光導電層として、アモルファスシ
リコン層を用いることが提案されている（特開昭６２−
２４０５５３号公報、特開平２−１０６７６１号公
報）。
ルソン方式に対して、コロナ放電を不要とする電子写真
方式が提案されている（特開昭５８−４４４５号、特開
昭５８−１５３９５７号公報、特開昭６１−４６９６１
号公報、特開昭６２−２８０７２号公報等）。これら提
案された電子写真方式は、透光性支持体上に透光性導電
層と光導電層とを順次積層したドラム状またはベルト状
の感光体に対して、透光性支持体側より露光すると共
に、バイアス電圧を印加した導電性磁性トナーを用いた
磁気ブラシによって感光体表面を摺擦させるものであっ
て、この電子写真方式によれば帯電と露光と現像とをほ
ぼ同時に行うことができる。そして、このような電子写
真方式において、上記光導電層として、アモルファスシ
リコン層を用いることが提案されている（特開昭６２−
２４０５５３号公報、特開平２−１０６７６１号公
報）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、本発明
者等の実験によれば、上記の電子写真方式において、透
光性導電層上に直接プラズマＣＶＤ法によりアモルファ
スシリコン電荷注入阻止層および光導電体層を形成させ
た感光体を用いた場合、膜の剥離や膜に欠陥が生じて、
感光体特性の再現性が悪くなり、また抵抗率が低くな
り、その明暗比も小さくなるという問題があることが判
明した。本発明は、従来の技術における上記課題を解決
することを目的としてなされたものである。すなわち、
本発明の目的は、コロナ帯電を行うことなく露光と現像
とをほぼ同時に実施する電子写真方式に用いた場合、膜
の剥離や膜に欠陥が生じることがなく、感光体特性の再
現性が劣化しない電子写真感光体を提供することにあ
る。本発明の他の目的は、コロナ帯電を行うことなく露
光と現像とをほぼ同時に実施する電子写真方式による画
像形成方法を提供することにある。
者等の実験によれば、上記の電子写真方式において、透
光性導電層上に直接プラズマＣＶＤ法によりアモルファ
スシリコン電荷注入阻止層および光導電体層を形成させ
た感光体を用いた場合、膜の剥離や膜に欠陥が生じて、
感光体特性の再現性が悪くなり、また抵抗率が低くな
り、その明暗比も小さくなるという問題があることが判
明した。本発明は、従来の技術における上記課題を解決
することを目的としてなされたものである。すなわち、
本発明の目的は、コロナ帯電を行うことなく露光と現像
とをほぼ同時に実施する電子写真方式に用いた場合、膜
の剥離や膜に欠陥が生じることがなく、感光体特性の再
現性が劣化しない電子写真感光体を提供することにあ
る。本発明の他の目的は、コロナ帯電を行うことなく露
光と現像とをほぼ同時に実施する電子写真方式による画
像形成方法を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、透光性支持体
を有する電子写真感光体の該透光性支持体側から像露光
し、電子写真感光体上に設けた現像手段によってバイア
ス電圧を印加しながら現像する電子写真方式に使用する
ための電子写真感光体に関するものであって、本発明の
電子写真感光体は、透光性支持体上に、透光性導電層、
真空蒸着法によって形成されたバンドギャップが２．４
ｅＶ以上の半導体または半導電性絶縁物からなる薄膜中
間層、およびアモルファスシリコン系光導電層を順次積
層してなることを特徴とする。本発明の画像形成方法
は、上記の電子写真感光体を用い、透光性支持体側に設
けた露光手段によって像露光すると共に、電子写真感光
体上に設けた現像手段によってバイアス電圧を印加しな
がら現像する工程および形成されたトナー像を転写体に
転写する工程を有することを特徴とする。
を有する電子写真感光体の該透光性支持体側から像露光
し、電子写真感光体上に設けた現像手段によってバイア
ス電圧を印加しながら現像する電子写真方式に使用する
ための電子写真感光体に関するものであって、本発明の
電子写真感光体は、透光性支持体上に、透光性導電層、
真空蒸着法によって形成されたバンドギャップが２．４
ｅＶ以上の半導体または半導電性絶縁物からなる薄膜中
間層、およびアモルファスシリコン系光導電層を順次積
層してなることを特徴とする。本発明の画像形成方法
は、上記の電子写真感光体を用い、透光性支持体側に設
けた露光手段によって像露光すると共に、電子写真感光
体上に設けた現像手段によってバイアス電圧を印加しな
がら現像する工程および形成されたトナー像を転写体に
転写する工程を有することを特徴とする。
【０００５】以下、本発明を詳細に説明する。図１およ
び図２は、本発明の電子写真感光体の模式的断面図であ
る。図１においては、透光性支持体１１上に、透光性導
電層１２、薄膜中間層１３、およびアモルファスシリコ
ン系光導電層１４が順次積層されており、図２において
は、さらに表面層１５が設けられている。
び図２は、本発明の電子写真感光体の模式的断面図であ
る。図１においては、透光性支持体１１上に、透光性導
電層１２、薄膜中間層１３、およびアモルファスシリコ
ン系光導電層１４が順次積層されており、図２において
は、さらに表面層１５が設けられている。
【０００６】本発明の電子写真感光体において、透光性
支持体としては、板状、ドラム状、シート状、ベルト状
等の種々の形状のものが使用でき、そしてその構成材料
としては、ガラス、石英、サファイア等の透明な無機材
料、および、弗素樹脂、ポリエステル、ポリカーボネー
ト、ポリエチレンテレフタレート、アクリル樹脂、ポリ
オレフィン、エポキシ樹脂、ポリアミド、ポリイミド、
ポリビニルアルコール等の透明な有機樹脂が使用でき
る。さらにまた、オプチカルファイバー、セルフォック
光学プレート等を使用することもできる。
支持体としては、板状、ドラム状、シート状、ベルト状
等の種々の形状のものが使用でき、そしてその構成材料
としては、ガラス、石英、サファイア等の透明な無機材
料、および、弗素樹脂、ポリエステル、ポリカーボネー
ト、ポリエチレンテレフタレート、アクリル樹脂、ポリ
オレフィン、エポキシ樹脂、ポリアミド、ポリイミド、
ポリビニルアルコール等の透明な有機樹脂が使用でき
る。さらにまた、オプチカルファイバー、セルフォック
光学プレート等を使用することもできる。
【０００７】透光性支持体の上に設ける透光性導電層と
しては、ＩＴＯ、酸化錫、酸化亜鉛、酸化鉛、酸化イン
ジウム、ヨウ化銅等の透明導電性材料を用いて形成され
たもの、またはＡｌ，Ｎｉ，Ａｕ等の金属を、蒸着やス
パッタリングにより半透明になる程度に薄く形成したも
の等が使用できる。透光性導電層の上には、真空蒸着法
で薄膜中間層が形成される。薄膜中間層としては、バン
ドギャップが２．４ｅＶ以上の半導体または半導体性絶
縁物からなるものであって、具体的には、半導体として
は、ＣａＳ，ＭｇＳ等のＩ族元素とVII 族元素の化合物
半導体、ＨｇＩ2 等のII族元素とVI族元素の化合物半導
体、ＡｌＡｓ，ＧａＮ等のIII 族元素とＶ族元素の化合
物半導体、ＴｉＯ2 ，ＳｎＯ2 等のIV族元素とVI族元素
の化合物半導体、Ａｓ2 Ｏ3 ，Ｂｉ2 Ｏ3 等のＶ族元素
とVI族元素の化合物半導体等があげられる。また、半導
体性絶縁物、すなわち、通常は絶縁体であるが、組成が
化学量論的量からずれているために、半導体的な性質を
もつものを用いることもでき、具体的には、例えば、Ｔ
ａＯx 、ＳｉＯx （ｘは、Ｘ＞１）、ＳｉＡｌＯＮ等の
酸化物、窒化物等をあげることができる。本発明におい
て、薄膜中間層に用いる半導体または半導体性絶縁物
は、バンドギャップが２．４ｅＶ以上であることが必要
であり、３〜７ｅＶの範囲が好ましい。バンドギャップ
が２．４ｅＶよりも低くなると、感度が低下するという
問題が生じる。
しては、ＩＴＯ、酸化錫、酸化亜鉛、酸化鉛、酸化イン
ジウム、ヨウ化銅等の透明導電性材料を用いて形成され
たもの、またはＡｌ，Ｎｉ，Ａｕ等の金属を、蒸着やス
パッタリングにより半透明になる程度に薄く形成したも
の等が使用できる。透光性導電層の上には、真空蒸着法
で薄膜中間層が形成される。薄膜中間層としては、バン
ドギャップが２．４ｅＶ以上の半導体または半導体性絶
縁物からなるものであって、具体的には、半導体として
は、ＣａＳ，ＭｇＳ等のＩ族元素とVII 族元素の化合物
半導体、ＨｇＩ2 等のII族元素とVI族元素の化合物半導
体、ＡｌＡｓ，ＧａＮ等のIII 族元素とＶ族元素の化合
物半導体、ＴｉＯ2 ，ＳｎＯ2 等のIV族元素とVI族元素
の化合物半導体、Ａｓ2 Ｏ3 ，Ｂｉ2 Ｏ3 等のＶ族元素
とVI族元素の化合物半導体等があげられる。また、半導
体性絶縁物、すなわち、通常は絶縁体であるが、組成が
化学量論的量からずれているために、半導体的な性質を
もつものを用いることもでき、具体的には、例えば、Ｔ
ａＯx 、ＳｉＯx （ｘは、Ｘ＞１）、ＳｉＡｌＯＮ等の
酸化物、窒化物等をあげることができる。本発明におい
て、薄膜中間層に用いる半導体または半導体性絶縁物
は、バンドギャップが２．４ｅＶ以上であることが必要
であり、３〜７ｅＶの範囲が好ましい。バンドギャップ
が２．４ｅＶよりも低くなると、感度が低下するという
問題が生じる。
【０００８】本発明においては、これらの半導体または
半導体性絶縁物からなる薄膜中間層は、真空蒸着法によ
って形成する必要がある。薄膜中間層をスパッタリング
法やイオンプレーティング法等によって形成すると、下
層の透光性導電層との間で剥離が生じたり、膜欠陥を生
じ、また、上層のアモルファスシリコン系光導電層との
接着性も不十分になる。本発明における薄膜中間層の膜
厚は、１０〜５００ｎｍの範囲が好ましい。
半導体性絶縁物からなる薄膜中間層は、真空蒸着法によ
って形成する必要がある。薄膜中間層をスパッタリング
法やイオンプレーティング法等によって形成すると、下
層の透光性導電層との間で剥離が生じたり、膜欠陥を生
じ、また、上層のアモルファスシリコン系光導電層との
接着性も不十分になる。本発明における薄膜中間層の膜
厚は、１０〜５００ｎｍの範囲が好ましい。
【０００９】上記薄膜中間層の上にはアモルファスシリ
コン系光導電層が積層される。アモルファスシリコン系
光導電層は、そのシリコン元素の１部を、炭素、酸素、
窒素、ゲルマニウム、スズ、硫黄等の元素で置換して、
導電率やバンドギャップ、表面硬度等の物性を変化させ
てもよい。光源としてＬＥＤヘッドを用いる場合には、
アモルファスシリコン系光導電層により有効に受光され
るが、ＥＬヘッドを用いる場合には、その発光波長が短
波長側にシフトしているので、ａ−Ｓｉ層にカーボン、
酸素、窒素等の元素を含有させてバンドギャップを広げ
るのが好ましい。また、半導体レーザを用いる場合に
は、その発光波長が長波長側にシフトしているので、ａ
−Ｓｉ層にゲルマニウム、スズ等の元素を含有させてバ
ンドギャップを狭くすればよい。更にまたアモルファス
シリコン系光導電層には、周期律表III ａ族元素やＶａ
族元素を添加して電気特性を調整することもできる。ア
モルファスシリコン系光導電層は、グロー放電法、スパ
ッタリング法、ＥＣＲ法、蒸着法等により形成すること
ができ、その形成に当ってダングリングボンド終端用の
元素、例えば、水素原子やハロゲン原子を含有させるの
が好ましい。アモルファスシリコン系光導電層の膜厚
は、１〜５μｍの範囲に設定するのが好ましい。
コン系光導電層が積層される。アモルファスシリコン系
光導電層は、そのシリコン元素の１部を、炭素、酸素、
窒素、ゲルマニウム、スズ、硫黄等の元素で置換して、
導電率やバンドギャップ、表面硬度等の物性を変化させ
てもよい。光源としてＬＥＤヘッドを用いる場合には、
アモルファスシリコン系光導電層により有効に受光され
るが、ＥＬヘッドを用いる場合には、その発光波長が短
波長側にシフトしているので、ａ−Ｓｉ層にカーボン、
酸素、窒素等の元素を含有させてバンドギャップを広げ
るのが好ましい。また、半導体レーザを用いる場合に
は、その発光波長が長波長側にシフトしているので、ａ
−Ｓｉ層にゲルマニウム、スズ等の元素を含有させてバ
ンドギャップを狭くすればよい。更にまたアモルファス
シリコン系光導電層には、周期律表III ａ族元素やＶａ
族元素を添加して電気特性を調整することもできる。ア
モルファスシリコン系光導電層は、グロー放電法、スパ
ッタリング法、ＥＣＲ法、蒸着法等により形成すること
ができ、その形成に当ってダングリングボンド終端用の
元素、例えば、水素原子やハロゲン原子を含有させるの
が好ましい。アモルファスシリコン系光導電層の膜厚
は、１〜５μｍの範囲に設定するのが好ましい。
【００１０】本発明の電子写真感光体においては、アモ
ルファスシリコン系光導電層の表面には、表面層とし
て、有機材料もしくは無機材料からなる絶縁層または高
抵抗層を設けてもよい。絶縁層に用いられる有機材料と
しては、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネー
ト、ポリエステル、ポリパラキシレン等があげられ、そ
れを塗布あるいは蒸着等の方法によって製膜し、絶縁層
を形成すればよい。また、絶縁層または高抵抗層に用い
られる無機材料としては、シリコンカーバイドがあげら
れ、そのほかに、シリコンナイトライド、シリコンオキ
サイド、シリコンオキシカーバイド、シリコンオキシナ
イトライド等をあげることができる。それらをプラズマ
ＣＶＤ法または蒸着法により製膜して、例えばａ−Ｓｉ
Ｃ層、ａ−ＳｉＮ層等の表面層を形成する。表面層の膜
厚は、０．０１〜１μｍの範囲に設定するのが好まし
い。
ルファスシリコン系光導電層の表面には、表面層とし
て、有機材料もしくは無機材料からなる絶縁層または高
抵抗層を設けてもよい。絶縁層に用いられる有機材料と
しては、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネー
ト、ポリエステル、ポリパラキシレン等があげられ、そ
れを塗布あるいは蒸着等の方法によって製膜し、絶縁層
を形成すればよい。また、絶縁層または高抵抗層に用い
られる無機材料としては、シリコンカーバイドがあげら
れ、そのほかに、シリコンナイトライド、シリコンオキ
サイド、シリコンオキシカーバイド、シリコンオキシナ
イトライド等をあげることができる。それらをプラズマ
ＣＶＤ法または蒸着法により製膜して、例えばａ−Ｓｉ
Ｃ層、ａ−ＳｉＮ層等の表面層を形成する。表面層の膜
厚は、０．０１〜１μｍの範囲に設定するのが好まし
い。
【００１１】本発明の上記電子写真感光体は、その透光
性支持体側から像露光し、電子写真感光体上に設けた現
像手段によってバイアス電圧を印加しながら現像する電
子写真方式に使用するためのものであって、次に、この
電子写真感光体を用いた本発明の画像形成方法につい
て、図面を参照して説明する。図３は、本発明の画像形
成方法に使用する画像形成装置の概略構成図であって、
図において、透光性支持体１１を有する電子写真感光体
１の透光性支持体側に、像露光のための光源、例えばＬ
ＥＤヘッド２が設けられており、また、電子写真感光体
１の表面側には、ＬＥＤヘッドが設けられた位置にほぼ
対向する位置に現像器３が設けられている。現像器は、
円柱状の磁極ローラとその外周に配置されたスリーブと
からなり、更にトナー受けに貯蔵された現像剤としての
一成分磁性導電性トナーがスリーブの外周へ配置され、
磁気ブラシを形成するようになっている。また、スリー
ブと透光性支持体上の透光性導電層１２との間には、バ
イアス電源４が設けられ、その両者の間に電子写真感光
体の電位特性に応じて、正または負の１０〜３００Ｖの
電圧が印加されるようになっている。また、電子写真感
光体の下部には転写ロール５が設けられている。
性支持体側から像露光し、電子写真感光体上に設けた現
像手段によってバイアス電圧を印加しながら現像する電
子写真方式に使用するためのものであって、次に、この
電子写真感光体を用いた本発明の画像形成方法につい
て、図面を参照して説明する。図３は、本発明の画像形
成方法に使用する画像形成装置の概略構成図であって、
図において、透光性支持体１１を有する電子写真感光体
１の透光性支持体側に、像露光のための光源、例えばＬ
ＥＤヘッド２が設けられており、また、電子写真感光体
１の表面側には、ＬＥＤヘッドが設けられた位置にほぼ
対向する位置に現像器３が設けられている。現像器は、
円柱状の磁極ローラとその外周に配置されたスリーブと
からなり、更にトナー受けに貯蔵された現像剤としての
一成分磁性導電性トナーがスリーブの外周へ配置され、
磁気ブラシを形成するようになっている。また、スリー
ブと透光性支持体上の透光性導電層１２との間には、バ
イアス電源４が設けられ、その両者の間に電子写真感光
体の電位特性に応じて、正または負の１０〜３００Ｖの
電圧が印加されるようになっている。また、電子写真感
光体の下部には転写ロール５が設けられている。
【００１２】この画像形成装置によって画像を形成する
場合、回転する電子写真感光体１の透光性支持体１１に
ＬＥＤヘッド２より画像露光の光を照射し、アモルファ
スシリコン系光導電層の内部に正孔と電子を発生させる
と、現像器３に、例えば正のバイアス電圧が印加されて
いれば、そのバイアス電圧によって電子はアモルファス
シリコン系光導電層の表面側へ移動し、磁気ブラシの末
端の正電荷と打ち消しあい、または引き合い、電子写真
感光体の表面に導電性トナーが付着する。そして、その
導電性トナーにより形成されたトナー像は、転写ロール
５によって記録紙６上に転写され、次いで定着される。
なお、上記の場合、光源としてＬＥＤヘッドを使用する
場合について図示したが、光源としては、その他、Ｅ
Ｌ、レーザー光等を使用することができる。また、現像
剤としては、熱可塑性樹脂中に顔料や磁性粉を分散させ
た導電性トナーや、さらに導電粉を添加してなる導電性
トナーを用いることができる。特に導電粉を添加してな
る導電性トナーを用いるのが好ましい。
場合、回転する電子写真感光体１の透光性支持体１１に
ＬＥＤヘッド２より画像露光の光を照射し、アモルファ
スシリコン系光導電層の内部に正孔と電子を発生させる
と、現像器３に、例えば正のバイアス電圧が印加されて
いれば、そのバイアス電圧によって電子はアモルファス
シリコン系光導電層の表面側へ移動し、磁気ブラシの末
端の正電荷と打ち消しあい、または引き合い、電子写真
感光体の表面に導電性トナーが付着する。そして、その
導電性トナーにより形成されたトナー像は、転写ロール
５によって記録紙６上に転写され、次いで定着される。
なお、上記の場合、光源としてＬＥＤヘッドを使用する
場合について図示したが、光源としては、その他、Ｅ
Ｌ、レーザー光等を使用することができる。また、現像
剤としては、熱可塑性樹脂中に顔料や磁性粉を分散させ
た導電性トナーや、さらに導電粉を添加してなる導電性
トナーを用いることができる。特に導電粉を添加してな
る導電性トナーを用いるのが好ましい。
【００１３】
【実施例】以下、本発明を実施例により説明する。 実施例１ 透明な円筒ガラス基板の周囲に、透光性導電層としてＩ
ＴＯ層をイオンプレーティング法により１００ｎｍの厚
みで形成し、次いでその上に、真空蒸着法により、薄膜
中間層として、５０ｎｍの厚みのＴａＯx 層（ｘ＝１．
８）を形成した。この層のバンドギャップは５．０ｅＶ
であった。次に形成されたＴａＯx 層の上に、容量型グ
ロー放電分解装置を用いて表１に記載の製膜条件によ
り、ａ−Ｓｉ層およびａ−ＳｉＮ表面層を順次積層し
た。
ＴＯ層をイオンプレーティング法により１００ｎｍの厚
みで形成し、次いでその上に、真空蒸着法により、薄膜
中間層として、５０ｎｍの厚みのＴａＯx 層（ｘ＝１．
８）を形成した。この層のバンドギャップは５．０ｅＶ
であった。次に形成されたＴａＯx 層の上に、容量型グ
ロー放電分解装置を用いて表１に記載の製膜条件によ
り、ａ−Ｓｉ層およびａ−ＳｉＮ表面層を順次積層し
た。
【表１】
【００１４】得られた電子写真感光体について、５０μ
Ｗ／ｃｍ2 の光強度に対する光導電率σp 、および暗導
電率σd を測定したところ、σp は１０-8（１／Ωｃ
ｍ）であり、σd は１０-12 （１／Ωｃｍ）であった。
上記のようにして作製された電子写真感光体において
は、ＴａＯx 層とａ−Ｓｉ層との密着性が優れており、
膜の剥離が生じなかった。また、Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ
Ｉｏｎ Ｍａｓｓ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ（ＳＩＭ
Ｓ）による測定により、ＩＴＯからのＩｎの拡散も防が
れていることが確認され、この電子写真感光体は、高い
明暗導電率比を有するものであった。
Ｗ／ｃｍ2 の光強度に対する光導電率σp 、および暗導
電率σd を測定したところ、σp は１０-8（１／Ωｃ
ｍ）であり、σd は１０-12 （１／Ωｃｍ）であった。
上記のようにして作製された電子写真感光体において
は、ＴａＯx 層とａ−Ｓｉ層との密着性が優れており、
膜の剥離が生じなかった。また、Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ
Ｉｏｎ Ｍａｓｓ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ（ＳＩＭ
Ｓ）による測定により、ＩＴＯからのＩｎの拡散も防が
れていることが確認され、この電子写真感光体は、高い
明暗導電率比を有するものであった。
【００１５】上記の電子写真感光体を、図３に示す画像
形成装置に装着し、そしてスリーブと透光性基板との間
に＋１００Ｖの電圧を印加しながら、波長６６０ｎｍ、
露光量０．４μＪ／ｃｍ2 の条件で画像露光を行い、電
子写真感光体上にトナー像を形成し、そのトナー像を記
録紙に転写し、熱定着を行った。なお、この場合現像剤
としては、スチレン−アクリル系樹脂１００重量部、磁
性粉１００重量部を溶融混練後、粉砕分級して平均粒子
径１２μｍのトナー粒子を得た。さらにこのトナー粒子
に平均粒子径２０ｎｍのカーボンブラックを０．８％混
合して、導電性トナーとしたものを用いた。得られた画
像を評価したところ、光学濃度が１．２の画像濃度を有
し、背景かぶりのない解像度の良好な画像であることが
分かった。
形成装置に装着し、そしてスリーブと透光性基板との間
に＋１００Ｖの電圧を印加しながら、波長６６０ｎｍ、
露光量０．４μＪ／ｃｍ2 の条件で画像露光を行い、電
子写真感光体上にトナー像を形成し、そのトナー像を記
録紙に転写し、熱定着を行った。なお、この場合現像剤
としては、スチレン−アクリル系樹脂１００重量部、磁
性粉１００重量部を溶融混練後、粉砕分級して平均粒子
径１２μｍのトナー粒子を得た。さらにこのトナー粒子
に平均粒子径２０ｎｍのカーボンブラックを０．８％混
合して、導電性トナーとしたものを用いた。得られた画
像を評価したところ、光学濃度が１．２の画像濃度を有
し、背景かぶりのない解像度の良好な画像であることが
分かった。
【００１６】比較例 比較のために薄膜中間層を設けない場合の例を示す。透
明な円筒ガラス基板の周囲に、透光性導電層としてＩＴ
Ｏ層をイオンプレーティング法により、１００ｎｍの厚
みで形成し、次いでその上に、容量型グロー放電分解装
置を用いて表２に示す製膜条件により、ａ−Ｓｉ層、ａ
−ＳｉＮ表面層を順次積層した。
明な円筒ガラス基板の周囲に、透光性導電層としてＩＴ
Ｏ層をイオンプレーティング法により、１００ｎｍの厚
みで形成し、次いでその上に、容量型グロー放電分解装
置を用いて表２に示す製膜条件により、ａ−Ｓｉ層、ａ
−ＳｉＮ表面層を順次積層した。
【表２】
【００１７】得られた電子写真感光体について、５０μ
Ｗ／ｃｍ2 の光強度に対する光導電率σｐ、ならびに暗
導電率σｄを測定したところ、σp は１０-5（１／Ωｃ
ｍ）であり、σd は１０-7（１／Ωｃｍ）であった。こ
の電子写真感光体を実施例１と同じ装置に装着し、同様
な条件で画像露光と現像を行ったところ、電子写真感光
体上にトナー像が形成されなかった。また，ＳＩＭＳに
よる分析で、ＩＴＯ中のＩｎがａ−Ｓｉ中に微量、拡散
していることが確認された。トナー像が形成されなかっ
た理由は、この拡散したＩｎがａ−Ｓｉ中の深いレベル
にドナーとして取り込まれ、抵抗率を低下したためと考
えられる。
Ｗ／ｃｍ2 の光強度に対する光導電率σｐ、ならびに暗
導電率σｄを測定したところ、σp は１０-5（１／Ωｃ
ｍ）であり、σd は１０-7（１／Ωｃｍ）であった。こ
の電子写真感光体を実施例１と同じ装置に装着し、同様
な条件で画像露光と現像を行ったところ、電子写真感光
体上にトナー像が形成されなかった。また，ＳＩＭＳに
よる分析で、ＩＴＯ中のＩｎがａ−Ｓｉ中に微量、拡散
していることが確認された。トナー像が形成されなかっ
た理由は、この拡散したＩｎがａ−Ｓｉ中の深いレベル
にドナーとして取り込まれ、抵抗率を低下したためと考
えられる。
【００１８】実施例２ 実施例１における電子写真感光体の作製において、表１
に示す製膜条件に代えて表３に示す製膜条件を採用し、
ａ−Ｓｉ層、ａ−ＳｉＣ表面層を順次積層し、電子写真
感光体を得た。
に示す製膜条件に代えて表３に示す製膜条件を採用し、
ａ−Ｓｉ層、ａ−ＳｉＣ表面層を順次積層し、電子写真
感光体を得た。
【表３】
【００１９】得られた電子写真感光体について、５０μ
Ｗ／ｃｍ2 の光強度に対する光導電率σｐ、ならびに暗
導電率σｄを測定したところ、σp は１０-8（１／Ωｃ
ｍ）であり、σd は１０-13 （１／Ωｃｍ）であった。
上記のようにして得られた電子写真感光体においては、
ＴａＯx 層とａ−Ｓｉ層との密着性が優れており、膜の
剥離が生じなかった。また、ＳＩＭＳによる測定によ
り、ＩＴＯからのＩｎの拡散も防止されていることが確
認され、明暗導電率比の高い膜を得ることができた。
Ｗ／ｃｍ2 の光強度に対する光導電率σｐ、ならびに暗
導電率σｄを測定したところ、σp は１０-8（１／Ωｃ
ｍ）であり、σd は１０-13 （１／Ωｃｍ）であった。
上記のようにして得られた電子写真感光体においては、
ＴａＯx 層とａ−Ｓｉ層との密着性が優れており、膜の
剥離が生じなかった。また、ＳＩＭＳによる測定によ
り、ＩＴＯからのＩｎの拡散も防止されていることが確
認され、明暗導電率比の高い膜を得ることができた。
【００２０】この電子写真感光体を、図３に示す画像形
成装置に装着し、そしてスリーブと透光性基板との間に
＋１００Ｖの電圧を印加しながら、波長６６０ｎｍ、露
光量０．４μＪ／ｃｍ2 の条件で画像露光を行い、感光
体上にトナー像を形成し、そのトナー像を記録紙に転写
し、熱定着を行った。得られた画像について評価したと
ころ、光学濃度が１．４の画像濃度を有し、背景かぶり
のない解像度の良好な画像であることが分かった。ま
た、この電子写真感光体は、高い耐電圧と高い光感度を
合わせ持つことが確認された。
成装置に装着し、そしてスリーブと透光性基板との間に
＋１００Ｖの電圧を印加しながら、波長６６０ｎｍ、露
光量０．４μＪ／ｃｍ2 の条件で画像露光を行い、感光
体上にトナー像を形成し、そのトナー像を記録紙に転写
し、熱定着を行った。得られた画像について評価したと
ころ、光学濃度が１．４の画像濃度を有し、背景かぶり
のない解像度の良好な画像であることが分かった。ま
た、この電子写真感光体は、高い耐電圧と高い光感度を
合わせ持つことが確認された。
【００２１】
【発明の効果】本発明の電子写真感光体は、上記のよう
に、真空蒸着法で作製されたバンドギャップが２．４ｅ
Ｖ以上の半導体または半導体性の絶縁物からなる薄膜中
間層を設けたから、透光性導電層へのアモルファスシリ
コン系光導電層の接着性が向上し、また、透光性導電層
からの微量の金属のアモルファスシリコン系光導電層へ
の拡散による電気的特性の劣化が防止され、かつ光導電
層の膜厚を増加させることなく感光体の明暗導電率比を
制御することができ、高い光感度を得ることができる。
したがって、本発明の電子写真感光体を使用して、透光
性支持体側から像露光すると共に、電子写真感光体上に
設けた現像手段にバイアス電圧を印加しながら現像する
ことによって、高い画像濃度を有し、背景かぶりのない
優れた解像度の画像を得ることができる。
に、真空蒸着法で作製されたバンドギャップが２．４ｅ
Ｖ以上の半導体または半導体性の絶縁物からなる薄膜中
間層を設けたから、透光性導電層へのアモルファスシリ
コン系光導電層の接着性が向上し、また、透光性導電層
からの微量の金属のアモルファスシリコン系光導電層へ
の拡散による電気的特性の劣化が防止され、かつ光導電
層の膜厚を増加させることなく感光体の明暗導電率比を
制御することができ、高い光感度を得ることができる。
したがって、本発明の電子写真感光体を使用して、透光
性支持体側から像露光すると共に、電子写真感光体上に
設けた現像手段にバイアス電圧を印加しながら現像する
ことによって、高い画像濃度を有し、背景かぶりのない
優れた解像度の画像を得ることができる。
【図１】 本発明の電子写真感光体の一例の模式的断面
図である。
図である。
【図２】 本発明の電子写真感光体の他の一例の模式的
断面図である。
断面図である。
【図３】 本発明の画像形成方法に使用する画像形成装
置の概略構成図である。
置の概略構成図である。
１…電子写真感光体、１１…透光性支持体、１２…透光
性導電層、１３…薄膜中間層、１４…アモルファスシリ
コン系光導電層、１５…表面層、２…ＬＥＤヘッド、３
…現像器、４…バイアス電源、５…転写ロール、６…記
録紙。
性導電層、１３…薄膜中間層、１４…アモルファスシリ
コン系光導電層、１５…表面層、２…ＬＥＤヘッド、３
…現像器、４…バイアス電源、５…転写ロール、６…記
録紙。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０３Ｇ 15/24
Claims (3)
- 【請求項１】 透光性支持体上に、透光性導電層、真空
蒸着法によって形成されたバンドギャップが２．４ｅＶ
以上の半導体または半導体性の絶縁物からなる薄膜中間
層、およびアモルファスシリコン系光導電層を順次積層
してなることを特徴とする電子写真感光体。 - 【請求項２】 表面に表面層を設けてなる請求項１記載
の電子写真感光体。 - 【請求項３】 透光性支持体上に、透光性導電層、真空
蒸着法によって形成されたバンドギャップが２．４ｅＶ
以上の半導体または半導体性絶縁物からなる薄膜中間
層、およびアモルファスシリコン系光導電層を順次積層
してなる電子写真感光体を用い、該透光性支持体側に設
けた露光手段により像露光すると共に、電子写真感光体
上に設けた現像手段にバイアス電圧を印加しながら現像
する工程および形成されたトナー像を転写体に転写する
工程を有することを特徴とする画像形成方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5287338A JPH07120953A (ja) | 1993-10-25 | 1993-10-25 | 電子写真感光体およびそれを用いた画像形成方法 |
| US08/630,253 US5737671A (en) | 1993-10-25 | 1996-04-10 | Electrophotographic photoreceptor and an image forming method using the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5287338A JPH07120953A (ja) | 1993-10-25 | 1993-10-25 | 電子写真感光体およびそれを用いた画像形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07120953A true JPH07120953A (ja) | 1995-05-12 |
Family
ID=17716083
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5287338A Pending JPH07120953A (ja) | 1993-10-25 | 1993-10-25 | 電子写真感光体およびそれを用いた画像形成方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5737671A (ja) |
| JP (1) | JPH07120953A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0838729A1 (en) * | 1996-10-23 | 1998-04-29 | Mitsubishi Chemical Corporation | Electrophotographic copying method and electrophotographic copying machine used in the method |
| JP2007017927A (ja) * | 2005-06-07 | 2007-01-25 | Fuji Xerox Co Ltd | 画像形成装置および画像形成方法 |
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|---|---|---|---|---|
| JP2933040B2 (ja) * | 1996-12-16 | 1999-08-09 | 日本電気株式会社 | 画像形成装置 |
| US6310385B1 (en) * | 1997-01-16 | 2001-10-30 | International Rectifier Corp. | High band gap layer to isolate wells in high voltage power integrated circuits |
| US6298211B1 (en) | 2000-05-25 | 2001-10-02 | Aetas Technology Corporation | Jump monocomponent development arrangement |
| US6556228B1 (en) * | 2000-11-07 | 2003-04-29 | Hewlett-Packard Company | Solar powered electronic display devices and methods |
| US20070059616A1 (en) * | 2005-09-12 | 2007-03-15 | Xerox Corporation | Coated substrate for photoreceptor |
| JP4932545B2 (ja) * | 2007-03-06 | 2012-05-16 | 株式会社リコー | 電子写真感光体およびそれを用いた画像形成方法、画像形成装置並びに画像形成用プロセスカートリッジ |
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| JPS55127561A (en) * | 1979-03-26 | 1980-10-02 | Canon Inc | Image forming member for electrophotography |
| DE3040972A1 (de) * | 1979-10-30 | 1981-05-14 | Fuji Photo Film Co. Ltd., Minami-Ashigara, Kanagawa | Elektrophotographisches lichtempfindliches material und verfahren zu dessen herstellung |
| JPS56146142A (en) * | 1980-04-16 | 1981-11-13 | Hitachi Ltd | Electrophotographic sensitive film |
| JPS575325A (en) * | 1980-06-12 | 1982-01-12 | Junichi Nishizawa | Semicondoctor p-n junction device and manufacture thereof |
| JPS584445A (ja) * | 1981-06-30 | 1983-01-11 | Fujitsu Ltd | 動作中ジョブに対するプログラム修正反映方式 |
| JPS58153957A (ja) * | 1982-03-10 | 1983-09-13 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 画像記録方法および装置 |
| JPS6146961A (ja) * | 1984-08-10 | 1986-03-07 | Fujitsu Ltd | 画像形成方法 |
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| JPS62240553A (ja) * | 1986-04-11 | 1987-10-21 | Canon Inc | 記録装置 |
| US4898798A (en) * | 1986-09-26 | 1990-02-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Photosensitive member having a light receiving layer comprising a carbonic film for use in electrophotography |
| JP2524742B2 (ja) * | 1987-03-31 | 1996-08-14 | 株式会社東芝 | 電子写真記録装置 |
| JPS6428654A (en) * | 1987-07-24 | 1989-01-31 | Hitachi Ltd | Electrophotographic sensitive body |
| JPS6451943U (ja) * | 1987-09-29 | 1989-03-30 | ||
| US5053821A (en) * | 1987-10-06 | 1991-10-01 | Seiko Epson Corporation, A Corporation Of Japan | Electrophotographic image forming apparatus using photoconductive toner |
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| US5159389A (en) * | 1988-08-30 | 1992-10-27 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Electrostatic latent image apparatus |
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-
1993
- 1993-10-25 JP JP5287338A patent/JPH07120953A/ja active Pending
-
1996
- 1996-04-10 US US08/630,253 patent/US5737671A/en not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5737671A (en) | 1998-04-07 |
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