DE3110287C2 - - Google Patents

Description

Die Erfindung bezieht sich auf ein Projektionsbelichtungs­ gerät gemäß dem Oberbegriff von Patentanspruch 1.

Ein solches Projektionsbelichtungsgerät dient dazu, auf einem Substrat, bei dem es sich üblicherweise um einen Wafer handelt, ein Bild der Maske zu erzeugen. Im Hinblick auf das Maskenbild auf dem Substrat wird selbstverständlich gefordert, daß dieses scharf ist, d. h. daß die Maske und das Substrat bezüglich des Abbildungsobjektivs genau kojugiert zueinander angeordnet sind. Es kann jedoch durch Änderungen in der Raumtemperatur und dadurch verursachte mechanische Längenänderungen zwischen Maske und Substrat zu einer Änderung des Abstandes zwischen beiden kommen, was eine Unschärfe des Maskenbildes auf dem Substrat zur Folge hat. Aus diesem Grunde ist es bereits praktiziert worden, den Abstand zwischen der Maske und dem Substrat mittels eines Luftsensors zu messen und entweder die Maske oder das Substrat in Richtung der optischen Achse auf der Gundlage des gemessenen Wertes zu bewegen, um hierdurch den Abstand derart zu korrigieren, daß das Maskenbild auf dem Substrat scharf ist.

Eine Unschärfe des Maskenbildes auf dem Substrat rührt jedoch nicht nur von irgendwelchen Änderungen des Abstandes zwischen der Maske und dem Substrat her, sondern kann auch verursacht sein durch Änderungen der optischen Eigenschaften des Abbildungsobjektivs, die wiederum auf einer Ausdehnung oder einem Zusammenziehen der Fassung des Abbildungsobjektivs beruhen können, die ihrerseits temperaturbedingt sein können. Derartige Änderungen des Abbildungszustandes können nicht mit Hilfe eines Luftsensors korrigiert werden. Um auch einer durch Änderung der optischen Eigenschaften des Abbil­ dungsobjektivs verursachten Unschärfe vorzubeugen, ist es bekannt, die Maske und das Maskenbild auf dem Substrat gleichzeitig mittels eines Mikroskops zu beobachten und aufgrund dieser Beobachtung eine Korrektur durchzuführen. Dieses Vorgehen eignet sich jedoch nicht für eine automatische Scharfeinstellung.

Ein Projektionsbelichtungsgerät mit dem Merkmalen des Oberbegriffs von Patentanspruch 1, das eine automatische Scharfeinstellung ermöglicht, ist bekannt (US-PS 41 27 777). Bei diesem bekannten Projektionsbelichtungsgerät ist im Strahlengang zwischen der Maske und dem Substrat bzw. Wafer eine Blende angeordnet. Auf das Substrat wird unter einem von der optischen Achse abweichenden Winkel ein Meßlicht­ strahl gerichtet, der eine Marke der Maske, die Blende und das Abbildungsobjektiv durchläuft, von einer Marke auf der Maske rückreflektiert wird und dann erneut das Abbildungs­ objektiv, die Blende und die Maske durchläuft. Hinter der Maske fällt der rückreflektierte Meßlichtstrahl auf eine Detektorvorrichtung, die die Lichtintensität des rückreflek­ tierten Meßlichtstrahls erfaßt. Dabei sind die geometrischen Beziehungen derart, daß die rückreflektierte Lichtintensität dann einen Extremwert hat, wenn die Maske und der Wafer konjugiert zueinander angeordnet sind, d. h. der Scharfein­ stellzustand vorliegt. Das Erfassen des Extremwertes erfordert jedoch mehrere Messungen bei unterschiedlichen Abständen zwischen Wafer und Maske, so daß das Scharfeinstellen mittels des Scharfeinstellsystems des bekannten Projektions­ belichtungsgerätes verhältnismäßig zeitaufwendig und kompli­ ziert ist.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, das gattungsgemäße Projektionsbelichtungsgerät dahingehend weiterzubilden, daß der Fokussierzustand schnell und auf einfache Weise ermittel­ bar ist.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch das Projektions­ belichtungsgerät gemäß Patentanspruch 1 gelöst, d. h. im wesentlichen dadurch, daß der rückreflektierte Meßlicht­ strahl auf einen positionsempfindlichen Sensor gerichtet wird und mittels dieses Sensors der Auftreffpunkt bzw. die Lage des rückreflektierten Meßlichtstrahls festgestellt wird. Aus der Abweichung dieses Auftreffpunktes von einer Sollage bzw. aus den Koordinaten des Auftreffpunktes in der Einfallsebene des positionsempfindlichen Sensors kann unmittel­ bar eine Aussage über den Fokussierzustand, nämlich die erforderliche axiale Abstandskorrektur zwischen Maske und Substrat gewonnen werden.

Durch die nachveröffentlichte EP 00 17 044-A2 gehört ein Projektionsbelichtungsgerät mit den Merkmalen des Ober­ begriffs von Patentanspruch 1 zum Stand der Technik, bei dem die Lichtintensität eines rückreflektierten Meßlichtstrahls mittels eines entsprechenden Sensors erfaßt wird. Dabei hängt die Lichtintensität auf dem Sensor davon ab, in welchem Abstand vom Sensor der rückreflektierte Meßlicht­ strahl fokussiert wird, was wiederum vom Fokussierzustand auf dem Wafer abhängt. Die geometrische Lage des rück­ reflektierten Meßlichtstrahls auf dem Sensor wird dabei nicht erfaßt oder ausgewertet.

Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen gekennzeichnet.

Die Erfindung wird im folgenden anhand von Ausführungs­ beispielen unter Bezugnahme auf die Zeichnungen näher erläutert. Es zeigt

Fig. 1 und 2 das Prinzip des Scharfeinstellsystems des Projektionsbelichtungsgerätes;

Fig. 3 ein erstes Ausführungsbeispiel des Projektionsbelich­ tungsgerätes;

Fig. 4A und 4B Meßlichtgeneratoren des Projektionsbelich­ tungsgerätes gemäß Fig. 3;

Fig. 5 eine Draufsicht auf die Oberseite eines Wafers; und

Fig. 6 ein zweites Ausführungsbeispiel des Projektions­ belichtungsgerätes.

Die Fig. 1 und 2 erläutern das Prinzip des Scharfeinstell­ systems des hier beschriebenen Projektionsbelichtungs­ gerätes, das im folgenden kurz nur als "Gerät" bezeichnet wird. In den Figuren bezeichnet das Bezugszeichen 1 ein Abbildungsobjektiv. Licht von einem Objektpunkt auf der optischen Achse des Objektivs 1 wird auf den Schnittpunkt A zwischen einer Bildebene P und der optischen Achse abgebildet. Der durch den Abbildungslichtstrahl am Punkt A gebildete Winkel ist +R₁, wenn die numerische Apertur NA des Objektivs 1 sinR₁ ist. Prinzip des Scharfeinstellsystems ist, den Abbildungslichtstrahl mit einer "Breite" 2R₁ in mehrere Teillichtstrahlen aufzuteilen und die Scharfein­ stellposition mittels der Verwendung eines oder mehrerer der Teillichtstrahlen zu messen. Die folgende Beschreibung erfolgt exemplarisch unter Verwendung von zwei Teillicht­ strahlen, von denen jeder, wie in Fig. 1 gezeigt, eine "Breite" dR hat. Wie in Fig. 1 gezeigt ist, ist der Winkel, der durch die Mitte dieser schlanken Lichtstrahlen mit der Breite dR mit der optischen Achse gebildet wird, R₂. Diese zwei Lichtstrahlen bilden sich überlagernde Bildpunkte am Schnittpunkt zwischen der Bildebene und der optischen Achse. Die Stellen, an denen die beiden Lichtstrahlen eine Ebene Q, die einen Abstand d von der Bildebene P hat, schneiden, sind dagegen unterschiedliche Stellen, die symmetrisch zu der optischen Achse liegen. Folglich ist es durch Messung, ob die beiden Lichtstrahlen miteinander koinzident oder ob sie nicht koinzident sind, möglich, den Abbildungszustand der Lichtstrahlen festzustellen. Der Abbildungszustand kann auch dadurch festgestellt werden, daß lediglich ein Lichtstrahl verwendet und entschieden wird, ob die Stelle, an der der Lichtstrahl die betrachtete Ebene schneidet, auf der optischen Achse liegt oder ob dies nicht der Fall ist.

Ferner ist der Abstand zwischen der Stelle, an der der Lichtstrahl die Ebene schneidet und der optischen Achse gegeben durch

ℓ=d · t anR₂.

Durch Messen dieses Abstandes ℓ kann der Abstand d zwischen den Ebenen Q und P erhalten werden. Somit ist es möglich, die Ebene Q mittels des erhaltenen Abstandes derart zu korrigieren, daß die Ebene Q mit der Ebene P zusammenfällt, in der die Abbildung scharf ist.

Fig. 2 zeigt die Anwendung dieses Prinzips auf die Messung des optischen Abstandes zwischen einer Maske 2 und einem Substrat, das durch einen Wafer 3 gebildet ist.

Zwei im folgenden als Meßlichtstrahlen 4 und 5 bezeichnete Teillichtstrahlen von dem Schnittpunkt O zwischen der optischen Achse des optischen Abbildungssystems 1 und der Maske 2 überlappen einander an dem Schnittpunkt A zwischen der Bild- bzw. Scharfeinstellebene P und der optischen Achse. Die beiden überlappten Meßlichtstrahlen werden regulär durch das als Wafer 3 ausgebildete Substrat reflektiert und der reflektierte Meßlichtstrahl 4 bewegt sich längs des Weges des Meßlichtstrahls 5 zurück, während der Meßlichtstrahl 5 sich längs des Weges des Meßlicht­ strahls 4 zurückbewegt. Die beiden Meßlichtstrahlen überlappen einander am Punkt 0. Im folgenden wird angenommen, daß das Wafer 3 in einer Ebene Q angeordnet ist, die einen Abstand d von der Scharfeinstellebene P hat, wobei die Orte der Maske 2 und des Objektivs 1 unverändert bleiben. Der Meßlichtstrahl 4 wird durch das Wafer auf der Ebene Q, wie angezeigt, zu 4′ reflektiert. In gleicher Weise wird der Meßlichtstrahl 5 wie angezeigt zu 5′ reflektiert. Die rückreflektierten Meßlichtstrahlen 4′ und 5′ breiten sich in Richtung auf das Objektiv 1 aus, als wenn sie von einer Ebene P′ kommen würden, die einen Abstand 2d von der Ebene P hat, und schneiden einander an einem Punkt 0′′ auf der optischen Achse, der einen Abstand 2β²d von dem Punkt 0 hat. Die beiden reflektierten Meßlichtstrahlen 4′ und 5′ schneiden dann die Maske an Stellen, die jeweils einen Abstand L von der optischen Achse haben. Die Messung des Überlage­ rungszustandes der beiden Meßlichtstrahlen kann durchgeführt werden, nachdem die Meßlichtstrahlen mittels eines zwischen dem Wafer 3 und dem Abbildungsobjektiv 1 angeordneten halbdurchlässigen Spiegels abgelenkt worden sind oder nachdem die Meßlichtstrahlen mittels eines zwischen der Maske 2 und dem Abbildungsobjektiv 1 angeordneten halbdurch­ lässigen Spiegels abgelenkt worden sind oder indem die Meßlichtstrahlen auf der Maske 2 beobachtet werden. Die letztgenannte Möglichkeit ist unter dem Gesichtspunkt der Lichtmenge die am meisten zu bevorzugende. Im Falle eines Gerätes, das das Abbildungsobjektiv 1 zur Bildung eines verkleinerten Maskenbildes verwendet, sind die zweit- und drittgenannte Möglichkeit vorzuziehen, da die Größe des Abstandes bzw. der Abweichung zwischen den beiden Meßlicht­ strahlen durch die Vergrößerung des Abbildungsobjektivs 1 vergrößert wird. Nimmt man an, daß schlanke Teilstrahlen­ bündel als Meßlichtstrahlen verwendet werden, deren einge­ schlossener Winkel 2R₂ auf der Waferseite ist, wie dies in Fig. 1 gezeigt ist, so wird die Abweichung L auf der Maskenoberfläche ausgedrückt als

Die Größe L ist die zu messende Größe. Wenn beispielsweise

tanR₂=1/4,

β=10 und d=1 µm ist, dann erhält man eine Größe von

L=5 µm,

die meßbare Größe ist 2L; damit kann eine Abweichung von 10 µm auf der Maskenoberfläche gemessen werden. Dies ist eine Größe, die leicht mittels eines positionsempfindlichen Sensors gemessen werden kann.

Im Falle der Fig. 1 und 2 sind die beiden Meßlichtstrahlen so ausgebildet, daß sie auf die Waferoberfläche aus symmetrischen Richtungen in bezug auf die optische Achse auftreffen und die Meßebene in der Nähe des Schnittpunktes zwischen der optischen Achse und der Maske liegt, wobei die Meßebene von dieser Position beabstandet sein kann. Da das von der Waferoberfläche regulär reflektierte Licht auf das Objektiv 1 einfallen muß, sind der Einfallswinkel der Meßlichtstrahlen und die Position der Meßebene beschränkt. Um diese Beschränkungen in einem gewissen Ausmaß zu beseitigen, sollten wünschenswerterweise ein telezentrisches Objektiv als Abbildungsobjektiv verwendet werden. In diesem Fall muß das telezentrische Objektiv nicht immer ein beidseitig telezentrisches Objektiv sein, sondern es kann auch ein einseitig telezentrisches Objektiv sein.

Fig. 3 zeigt als Beispiel ein Gerät, bei dem ein beidseitig telezentrisches Verkleinerungs-Abbildungsobjektiv verwendet wird und dessen Scharfeinstellsystem mit Hilfe von zwei Meßlichtstrahlen die Größe der Abweichung in der Maskenebene erfaßt.

Mit 1 ist das beidseitig telezentrische verkleinernde Objektiv bezeichnet. Mit 2 ist die Maske bezeichnet, die von einem festen Maskenträger 6 getragen wird. Mit 7 ist ein Waferträger bezeichnet, der in Richtungen x, y und z mittels eines Antriebsmotors 8 bewegbar ist. Mit 7′ ist ein Meßlichtgenerator bezeichnet, der zwei Meßlichtstrahlen 4 und 5 erzeugt, die einen symmetrischen Winkel miteinander in bezug auf die optischen Achsen von zwei Linsen 8 und 9 bilden.

Beispiele für den Generator 7′ sind in den Fig. 4A und 4B gezeigt. In Fig. 4A bezeichnet das Bezugszeichen 10 eine Lichtquelle, 11 ein Objektiv zur Bildung des Bildes der Lichtquelle auf der Oberfläche einer Zweiöffnungsblende 12, 13 eine planparallele Platte, die in Pfeilrichtung drehbar ist, damit das gebildete Bild der Lichtquelle hin- und herwandert, und das Bezugszeichen 14 eine Linse zur erneuten Abbildung des punktförmigen Bildes der Lichtquelle auf der Oberfläche einer Blende 15 mit einer Öffnung. Durch Drehen der planparallelen Platte wird das Bild der Lichtquelle alternierend in den Öffnungen der Zweiöffnungsblende 12 gebildet. Das Punktlichtquellenbild wird durch die Linse 14 erneut abgebildet, wodurch die beiden bezüglich der optischen Achse geneigten Meßlichtstrahlen 4 und 5 erhalten werden. Fig. 4B zeigt ein Beispiel, das eine Faser mit zwei Austrittsflächen verwendet. Die Lichtquelle 10 wird auf die Eintrittsfläche der Faser 16 durch die Linse 11 abgebildet. Das Licht tritt aus den zwei Austrittsflächen der Faser 16 aus. Diese Lichtstrahlen werden auf eine Blende 15 mit einer Öffnung durch die Linse 14 gerichtet. Die Blende 15 ist in der Brennebene der Linse 14 angeordnet. Folglich kreuzen die Lichtstrahlen, die aus den entsprechenden Öffnungen ausge­ treten sind, einander in der Öffnung der Blende 15. Somit werden zwei Meßlichtstrahlen erhalten. Wenn Meßlichtstrahlen, die zeitlich aufeinanderfolgend erzeugt werden, wie dies mittels des in Fig. 4A gezeigten Generators geschieht, mittels des Generators gemäß Fig. 4B erhalten werden sollen, kann eine Lichtunterbrechungsplatte 17, die in Pfeilrichtung bewegbar ist, auf den Austrittsoberflächen der Faser 16 angeordnet werden.

Die folgende Beschreibung soll wieder in Verbindung mit Fig. 3 erfolgen. B ist ein Punkt, an dem die Meßlichtstrahlen 4 und 5 von dem Meßlichtgenerator 7 einander auf der optischen Achse schneiden und entspricht somit dem Ort der Blende 15 in den Fig. 4A und 4B. Dieser Punkt ist konjugiert zu dem Punkt 0 auf der Maske 1 in bezug auf die Linsen 8, 9. Folglich erscheinen die Meßlichtstrahlen 4 und 5 so, als wenn sie von dem Punkt 0 auf der Maske austreten würden. Somit schafft der Punkt 0 einen Referenzpunkt zur Messung des optischen Abstandes zwischen der Maske 2 und dem Wafer 3.

Die Meßlichtstrahlen 4 und 5, die aus dem Punkt 0 ausgetreten sind, treten in das Abbildungsobjektiv 1 ein und bewegen sich dann in Richtung auf das Wafer 3. In Fig. 5 ist die Positionsbeziehung zwischen dem Wafer 3 und diesen Meßlichtstrahlen in Draufsicht gezeigt. Wie aus Fig. 5 offensichtlich ist, werden die Meßlichtstrahlen zu Abschnitten 19 ohne Schaltung außerhalb eines Abschnittes 18 gerichtet, in dem das Schaltungsmuster der Maske 2 abgebildet ist. Somit kann Licht derselben Wellenlänge wie das Belichtungslicht als Meßlicht verwendet werden, wodurch das Problem der chromatischen Aberration des Objektivs 1 beseitigt ist.

Die Meßlichtstrahlen 4 und 5, die auf das Wafer 3 aufgetroffen sind, bewegen sich wieder zu der Maske 2, wie bereits in Verbindung mit Fig. 2 beschrieben worden ist. Wenn das Gerät scharfeingestellt ist, sind die Meßlicht­ strahlen 4 und 5 miteinander koinzident auf der Maskenober­ fläche; wenn das Gerät nicht scharfeingestellt ist, sind die Meßlichtstrahlen nicht miteinander koinzident.

Diese Koinzidenz bzw. Nichtkoinzidenz kann mittels eines optischen Beobachtungssystems beobachtet und mittels eines optischen Abweichmeß- und Lesesystems gemessen werden, das auf der Maskenseite angeordnet ist.

Im folgenden wird zunächst das optische Beobachtungssystem beschrieben.

Die Meßlichtstrahlen von der Maske werden durch die Linse 9, einen halbdurchlässigen Spiegel 20, eine Linse 21 und einen halbdurchlässigen Spiegel 22 hin zu dem Beobachtungssystem gerichtet. Eine Feldlinse 23 ist in einer mit der Maske 2 in bezug auf die Linsen 9 und 21 konjugierten Ebene angeordnet. Die Zustandsbilder der Meßlichtstrahlen 4 und 5, die auf dieser Feldlinse abgebildet werden, können mittels eines Mikroskops 24 beobachtet werden.

Das optische Abweichungsmeß- und Lesesystem weist eine Anordnung mit einem Sensor 25, beispielsweise einem CCD, auf, der in der Maskenbildebene der Linsen 9 und 21 angeordnet ist. Die Größe der Abweichung L, die in Fig. 2 gezeigt ist, wird mittels dieses Sensors 25 gelesen. Durch Verwendung der gelesenen Größe der Abweichung L und der vorstehend erläuterten Gleichung wird der "Unschärfe"- Abstand d erhalten und dann der Waferträger 7 automatisch in Richtung der optischen Achse bewegt. Ob der Abstand d die Richtung auf das Objektiv 1 hin oder die entgegengesetzte Richtung hat, kann durch Messen der Phasenlage entschieden werden.

Bei dem Gerät gemäß Fig. 3 sind die Ebenen der Blende 15 bzw. der Platte 17 des Meßlichtgenerators und die Pupillen­ ebene 30 des Objektivs 1 konjugiert zueinander. Dies dient zur Verhinderung der Gegenwirkung des Meßlichts durch das Objektiv 1.

Fig. 6 zeigt ein zweites Ausführungsbeispiel in Form einer Ausrichteinheit. In Fig. 6 ist mit 50 ein optisches Abbildungsobjektiv zur Bildung des Bildes einer Maske 51 auf einem nicht gezeigten Wafer bezeichnet. Das Bezugszeichen 52 bezeichnet eine Linse und 53 eine Relaislinse. Durch Kombination dieser beiden Linsen wird das Bild der Maske nahe einem Gesichtsfeld-Aufteilprisma 55 gebildet. Da in der linken und rechten Beobachtungsfläche nahe dem Gesichts­ feld-Aufteilprisma 55 Bilder gebildet werden, wird eine Beobachtung in dem aufgeteilten Feld möglich. Mit 56 ist eine Feldlinse, mit 57 ein Rektor und mit 58 ein Okular bezeichnet. Eine Linse 59 und eine Faser 60 bilden eine Lichtquelle für Belichtungslicht. Mit den Bezugszeichen 61 bis 65 ist der Meßlichtgenerator bezeichnet. An der Stelle 62 ist eine Blende konjugiert zu der Maske in bezug auf die Linsen 52 und 61 angeordnet. Das Licht wird von der Lichtquelle aus durch die Faser 65 geleitet, deren Endfläche konjugiert zu der Pupillenebene des optischen Abbildungs­ objektivs 50 in bezug auf das System aus den Linsen 63 bis 52 konjugiert ist. Bei dem vorliegenden Ausführungsbeispiel ist eine planparallele Platte 64 zwischen der Faser 65 und der Linse 63 angeordnet; diese führt eine Hin- und Herbewegung um eine bestimmte Achse ähnlich der Vibrator­ platte eines photoelektrischen Mikroskops aus, um hierdurch die scheinbare Position der Faser zu verschieben. Die Lage des Meßlichtstrahls wird durch die Bewegung dieser plan­ parallelen Platte variiert. Wenn die Verlagerung des Bildes mittels des vorstehend erläuterten Prinzips erfaßt wird, kann der Scharfeinstellzustand des Gerätes erkannt werden. Die Meßlichtstrahlen werden mittels eines Strahlleiters 54 auf einen Bildsensor 67 des Scharfeinstellsystems gerichtet. Wenn das Abbildungsobjektiv 50 keine chromatische Aberration hat wie beispielsweise ein Spiegel, können unterschiedliche Wellenlängenbereiche für die Meßlichtstrahlen aus der Faser 65 und das Belichtungslicht aus der Faser 60 verwendet werden. Wenn das Abbildungsobjektiv eine Linsenanordnung aufweist und chromatische Aberration hat, ist es vorteil­ haft, dieselbe Wellenlänge für das Belichtungslicht und die Meßlichtstrahlen zu verwenden. Dies ist jedoch kein unbe­ dingtes Erfordernis, denn wenn die Lage der Blende 62 vorsätzlich von der zu der Maske konjugierten Lage abweicht, wobei die chromatische Aberration des Abbildungsobjektivs in Rechnung gestellt ist, können unterschiedliche Wellenlängen für das Belichtungslicht und die Meßlichtstrahlen verwendet werden.

Claims (13)

1. Projektionsbelichtungsgerät, mit einer Maskenbühne, einem Abbildungsobjektiv, einer Substratbühne und einem automatischen Scharfeinstellsystem, das die Rückreflexion zumindest eines durch das Abbildungsobjektiv auf das Substrat unter einem von der optischen Achse abweichenden Winkel auffallenden Meßlichtstrahls ausnutzt, dadurch gekennzeichnet, daß der Fokussierungszustand durch die geome­ trische Lage des rückreflektierten Meßlichtstrahls (4, 5) auf einem positionsempfindlichen Sensor (25, 67) festge­ stellt wird.

2. Projektionsbelichtungsgerät nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der rückreflektierte Meßlichtstrahl wiederum durch das Abbildungsobjektiv (1, 50) tritt.

3. Projektionsbelichtungsgerät nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der rückreflektierte Meßlichtstrahl (4, 5) durch die Maske (2, 51) tritt.

4. Projektionsbelichtungsgerät nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß das Abbildungsobjektiv (1, 50) ein verkleinertes Bild erzeugt.

5. Projektionsbelichtungsgerät nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß das Abbildungsobjektiv (1, 50) zumindest substratseitig telezentrisch ist.

6. Projektionsbelichtungsgerät nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß ein erster Meßlichtstrahl (4) und ein zweiter Meßlichtstrahl (5) durch voneinander verschiedene Bereiche der Pupillenebene (30) des Abbildungs­ objektivs (1, 50) hindurch auf das Substrat (3) gerichtet werden und daß mittels des Sensors (25, 67) der Fokussierungszustand durch die Relativpositionen der beiden rückreflektierten Meßlichtstrahlen (4, 5) auf dem Sensor (25, 67) festgestellt wird.

7. Projektionsbelichtungsgerät nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die beiden Meßlichtstrahlen (4, 5) durch die Maske (2, 51) hindurch in das Abbildungsobjektiv (1, 50) einfallen.

8. Projektionsbelichtungsgerät nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die beiden Meßlichtstrahlen (4, 5) im wesentlichen die gleiche Wellenlänge wie das zur Projek­ tionsbelichtung dienende Belichtungslicht aufweisen und daß sich die beiden Meßlichtstrahlen (4, 5) in der Nähe der Maske (2, 51) schneiden.

9. Projektionsbelichtungsgerät nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die beiden Meßlichtstrahlen (4, 5) eine andere Wellenlänge als das zur Projektionsbelichtung dienende Belichtungslicht aufweisen und daß sich die beiden Meßlichtstrahlen (4, 5) entfernt von der Maske (2, 51) schneiden.

10. Projektionsbelichtungsgerät nach Anspruch 8 oder 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Lichtempfangsfläche des positionsempfindlichen Sensors (25, 67) konjugiert zu der Stelle angeordnet ist, an der sich die beiden Meß­ lichtstrahlen (4, 5) schneiden.

11. Projektionsbelichtungsgerät nach einem der Ansprüche 6 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß die beiden Meßlicht­ strahlen (4, 5) von einem Meßlichtgenerator (7′) an einer Stelle erzeugt werden, die konjugiert zur Pupillenebene (30) des Abbildungsobjektivs (1, 50) ist.

12. Projektionsbelichtungsgerät nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß der Meßlichtgenerator (7′) die beiden Meßlichtstrahlen (4, 5) zeitlich aufeinanderfolgend erzeugt.

13. Projektionsbelichtungsgerät nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß der Meßlichtgenerator (7′) die beiden Meßlichtstrahlen (4, 5) gleichzeitig erzeugt.