DE3035200C2 - Mask for the ion beam shadow projection - Google Patents

Description

a) innerhalb der Grenzen der Flächen der ionenundurchlässigen Bereiche auf der Strahlungseinfallsseite jeweils mit einer Schicht (2) aus einem die Ionen im wesentlichen nur in von der Einfallsrichtung abweichenden Richtungen streuenden Material versehen ist, unda) within the boundaries of the surfaces of the ion-impermeable areas on the radiation incidence side each with a layer (2) made of one, the ions essentially only in directions deviating from the direction of incidence scattering material is provided, and

b) bezüglich ihrer Dicke für eine vorgegebene Energie der einfallenden Ionen (1) so bemessen ist, daß die gestreuten Ionen in der Membran (4) absorbiert werden.b) so dimensioned with regard to their thickness for a given energy of the incident ions (1) is that the scattered ions are absorbed in the membrane (4).

2. Maske nach Anspruchs dadurch gekennzeichnet, daß die streuenden Schichten (2) von auf der Membran (4) abgeschiedenen Schwermetallschichten (2a) wie z. B. Gold- oder Chromschichten gebildet sind.2. Mask according to claim, characterized in that the scattering layers (2) of on the membrane (4) deposited heavy metal layers (2a) such. B. gold or chrome layers are formed.

3. Maske nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die streuenden Schichten (2) aus in der Membran (4) gebildeten strahlengeschädigten Kristallgitterbereichen (2tybestehen.3. Mask according to claim 1, characterized in that the scattering layers (2) from in the Membrane (4) formed radiation-damaged crystal lattice areas (2ty exist.

4. Maske nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß bei Verwendung einer Membran aus Silizium die Dicke der Membran (4) zwischen 2 und 15 Mikrometern liegt.4. Mask according to one of the preceding claims, characterized in that when used a membrane made of silicon, the thickness of the membrane (4) is between 2 and 15 micrometers.

5. Maske nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke der streuenden Schichten (2) zwischen 0,01 und 0,2 Mikrometern liegt.5. Mask according to one of the preceding claims, characterized in that the thickness of the scattering layers (2) is between 0.01 and 0.2 micrometers.

Die Erfindung bezieht sich auf eine Maske der im Oberbegriff des Anspruchs 1 genannten Art.The invention relates to a mask of the type mentioned in the preamble of claim 1.

Das herkömmliche photolithographische Verfahren zur Reproduktion eines Musters in einer Resistschicht durch Belichtung der Resistschicht über eine entsprechend dem zu reproduzierenden Muster ausgebildete Maske, die nicht in Kontakt mit der Resistschicht sieht, ist für die Erzeugung von Strukturen mit Dimensionen im Mikrometerbereich, wie sie bei der Herstellung höchstintegrierter elektronischer Bauelemente realisiert werden müssen, nicht brauchbar, weil die beugungsbedingten Unscharfen der projizierten Strukturen bei Verwendung von Licht als Projektionsstrahlung in der Größenordnung dieser Dimensionen liegen.The conventional photolithographic process for reproducing a pattern in a resist layer by exposing the resist layer over a pattern corresponding to the pattern to be reproduced Mask, which does not see in contact with the resist layer, is for the creation of structures with dimensions in the micrometer range, as implemented in the manufacture of highly integrated electronic components have to be, not usable because of the diffraction-related blurring of the projected structures when using light as projection radiation are of the order of magnitude of these dimensions.

Weiterhin bekannte, auf der Verwendung ablenkbarer fein fokussierter Elektronen- oder lonenstrahlen basierende direktschreibende Reproduktionsmethoden ermöglichen zwar die Realisierung der genannten Dimensionen, erfordern aber gegenüber den bekannten Maskenverfahren einen hohen zeitlichen und apparativen Aufwand.Also known, on the use of deflectable, finely focused electron or ion beams based direct writing reproduction methods allow the realization of the mentioned Dimensions, however, require a high level of time and equipment compared to the known mask processes Expenditure.

Es sind daher Versuche unternommen worden, die Masken-Projektionstechnik durch Übergang zu kurzwelligeren Projektionsstrahlungen an die Erfordernisse der Höchstintegration anzupassen. Als dieser Zielsetzung förderlich haben sich insbesondere lonenstrahlen erwiesen, da sie mit herkömmlichen Mitteln unter geringem Aufwand erzeugt und kollomiert werdenAttempts have therefore been made to use the mask projection technique by transitioning to shorter wavelengths Adapt projection radiation to the requirements of maximum integration. As this objective In particular, ion beams have proven to be beneficial, since they can be reduced by conventional means can be generated and collated with little effort

können und bereits in geringen Dosen zu einer ausreichenden Sensibilisierung handelsüblicher Resistmalsrialien führen.can and even in small doses to a sufficient sensitization of commercially available resist material to lead.

Schwierigkeiten bereitet dagegen der Bau geeigneter Masken für die lonenstrahl-Lithographie. Die bisherIn contrast, the construction of suitable masks for ion beam lithography presents difficulties. So far

ίο bekannten Konzepte basieren, soweit sie die Reproduktion isolierter Strukturen zulassen, auf der Anordnung hochabsorbierender, entsprechend dem zu reproduzierenden Muster geformter opaker Schichten auf oder in einer für die Ionen möglichst transparenten Trägermembran. Um eine ausreichende Transparenz der Membran zu erzielen, wird in erster Linie deren Stärke so gering wie möglich gehalten. Darüberhinaus ist es aus der US-Zeitschrift J. Vac. Sei. Technol. 16(6) NovVDec. 1979 S. 1897-1900 sowie aus der US-PS 41 58 141, in denen Masken der eingangs genannten Art beschrieben sind, bereits bekannt, daß die Transparenz der Membran verbessert und die Winkelstreuung der Ionen verringert werden kann, wenn diese aus einer einkristallinen Folie besteht, die zur Strahlungsrichtung parallele materiefreie Kriitallgitterkanäle aufweist (Channeling-Effekt). Da die die Kristallgitterkanäle passierenden Ionen eine kleinere Ablenkung erfahren als Ionen, die in anderen Kristallrichtungen einfallen, kann eine derartige Maske auch bei größeren Foliendicken im Abstand zurίο known concepts are based as far as they are reproduction allow isolated structures, on the arrangement of highly absorbent, according to the to be reproduced Pattern of shaped opaque layers on or in a carrier membrane that is as transparent as possible for the ions. In order to achieve sufficient transparency of the membrane, its strength is primarily used kept as low as possible. In addition, it is from the US magazine J. Vac. May be. Technol. 16 (6) NovVDec. 1979 p. 1897-1900 and from US-PS 41 58 141, in which masks of the type mentioned above are described are already known to improve the transparency of the membrane and reduce the angular scattering of the ions can be if this consists of a single-crystalline film that is free of matter and parallel to the direction of radiation Has crystal lattice channels (channeling effect). Since the ions passing through the crystal lattice channels have a Such a mask can experience less deflection than ions which fall in other crystal directions even with larger film thicknesses at a distance from

jo Resisnchicht. angeordnet werden (sog. berührungslose Bestrahlung), wodurch eine Kontaminierung und Beschädigung der Maske vermieden wird.jo Resisnchicht. be arranged (so-called contactless Radiation), which prevents contamination and damage to the mask.

Die opaken Bereiche besitzen jedoch auch in diesem den Channeling-Effekt ausnutzenden Spezialfall, selbst wenn sie — wie in der zitierten US-PS angedeutet — nicht durch Abscheidung von Schwermetallschichten sondern durch Erzeugung strahlengeschädigter Bezirke in der Membran gebildet sind, eine rein absorbierende Funktion. Dieses der Membran eine reine Trägerfunktion zuweisende Konzept führt aber zu einer die Herstellung und Handhabung der Maske in der Praxis erschwerenden Dimensionierung. Wie den zitierten Druckschriften zu entnehmen ist, werden dort Membrandicken von unter 2 μηι gefordert, während die Dicke der absorbierenden Schichten zwischen 0,5 um und 1 μίτι liegen soll.However, even in this special case that exploits the channeling effect, the opaque areas themselves if - as indicated in the cited US patent - not by the deposition of heavy metal layers but by generating radiation-damaged areas in the membrane, a purely absorbent one Function. However, this concept, which assigns a pure support function to the membrane, leads to a die Manufacturing and handling of the mask in practice complicates dimensioning. Like the one quoted It can be seen in publications, membrane thicknesses of less than 2 μm are required there, while the Thickness of the absorbent layers should be between 0.5 μm and 1 μm.

Solche Absorberdicken mit scharfen Schichtkanten sind jedoch technologisch umso schwerer herzustellen, je kleiner die abzubildenden Strukturin sind. Darüber-Such absorber thicknesses with sharp layer edges are, however, all the more difficult to produce technologically, the smaller the structures to be mapped are. About that-

hinaus werden dünne Membranen durch Metallbeschichtungen in der genannten Stärke i. a. verzogen; d.h. es können beim Stand der Technik bei der Beschichtung Durchbiegungen in der Membran entstehen, was bereits in dem oben zitierten Zeitschriftenartikel untersucht wurde. Ein weiterer Nachteil der in der zitierten US-PS (Fig. 2) dargestellten Anordnung besteht darin, daß die Realisierung einer gestörten Kristallschicht, die in Dicke und Konzentration an Gitterschäden zur Absorption ausreichend ist, nicht ohne erhebliche laterale Strukturverzeichnung möglich ist, ganz abgesehen davon, daß nicht erkennbar ist, wie Strahlungsgeschädigte Bezirke der genannten Dicke technisch realisiert werden sollen. Es ist in letzterem Fall zudem zu erwarten, daß die große Zahl der Gitterschäden und die große erforderliche Dicke der geschädigten Bereiche einen nicht unerheblichen Maßverzug einer Membran in der erforderlichen Dicke zur Folge hat.In addition, thin membranes are covered by metal coatings in the thickness mentioned i. a. warped; i.e. with the prior art during the coating, deflections can occur in the membrane, which has already been examined in the journal article cited above. Another disadvantage of the in the Cited US-PS (Fig. 2) shown arrangement is that the implementation of a disturbed Crystal layer that is sufficient in thickness and concentration of lattice damage for absorption, not is possible without significant lateral structural distortion, quite apart from the fact that it cannot be seen how Radiation-damaged areas of the thickness mentioned are to be technically implemented. It is in the latter Case can also be expected that the large number of lattice damage and the large required thickness of the damaged areas a not insignificant dimensional distortion of a membrane in the required thickness has the consequence.

Aufgabe der Erfindung ist es, eine für die lonenstrahl-Schattenprojektion geeignete Maske der eingangs genannten Art zu schaffen, die technisch einfach zu realisierende und zu einer mechanisch stabilen Konfiguration führende Dicken der Membran und der ionenundurchlässigen Bereiche aufweist, so daß eine laterale Verzeichnung der zu projizierenden Struktur vermieden wird.The object of the invention is to provide one for the ion beam shadow projection to create a suitable mask of the type mentioned, which is technically easy to do realizing and leading to a mechanically stable configuration thicknesses of the membrane and the Has ion-impermeable areas, so that a lateral distortion of the structure to be projected is avoided.

Diese Aufgabe wird bei einer Maske der im Oberbegriff des Anspruchs 1 genannten Art erfindungsgemäß durch die im Kennzeichen dieses Anspnchs angegebenen Maßnahmen gelöst.This object is achieved according to the invention with a mask of the type mentioned in the preamble of claim 1 solved by the measures specified in the label of this claim.

Weiterbildungen der Erfindung sind Gegenstand der Unteransprüche.Further developments of the invention are the subject of the subclaims.

Die Erfindung basiert auf der Erkenntnis, daßThe invention is based on the knowledge that

1. Ionen, deren Bahn von der Kanalrichtung abweicht, eine stärkere Absorption in der Membran erfahren als Ionen, die die Membran in Kanalrichtung durchsetzen, und1.ions whose path deviates from the direction of the channel, a stronger absorption in the membrane experience than ions that the membrane in the direction of the channel enforce, and

2. eine von der Kanalrichtung abweichende Flugbahn bereits mit einer im Vergleich zu den bekannten Absorberschichten wesentlich dünneren Schicht erreicht werden kann, die in erster Linie nur eine Streuung der Ionen bewirkt.2. a trajectory deviating from the channel direction already with a significantly thinner layer compared to the known absorber layers can be achieved, which primarily only causes a scattering of the ions.

Die für die Absorption der beliebig gestreuten Ionen erforderliche Dicke der Membran führt innerhalb der denkbaren Energiebereiche der Ionenstrahlen zu technisch praktikablen und mechanisch stabilen Lösungen. Die vergleichsweise zur Streuschichtdicke große Membrandicke bringt darüberhinaus den Vorteil mit sich, daß ein Verzug oder eine Verspannung der Membran vernachlässigbar klein gehalten werden kann.The thickness of the membrane required for the absorption of the randomly scattered ions leads within the conceivable energy ranges of the ion beams to technically practicable and mechanically stable solutions. The membrane thickness, which is large compared to the thickness of the scattering layer, also has the advantage that any distortion or tension in the membrane can be kept negligibly small.

Ausführungsbeispiele der Erfindung werden im folgenden anhand der Figuren näher erläutert. Es zeigtEmbodiments of the invention are explained in more detail below with reference to the figures. It shows

F i g. 1 eine Anordnung zur Reproduktion eines Maskenmusters durch lonenstrahllithographie,F i g. 1 shows an arrangement for reproducing a mask pattern by ion beam lithography,

F i g. 2 ein erstes Ausführungsbeispiel der erfindungsgemäßen Maske,F i g. 2 a first embodiment of the mask according to the invention,

Fig. 3 ein zweites Ausführungsbeispiel der erfindungsgemäßen Maske.3 shows a second exemplary embodiment of the mask according to the invention.

Gemäß Fig. 1 fällt ein kollimierter Ionenstrahl 1 durch eine Maske 3 auf eine ionenempfindliche Resistschicht 6, die in bekannter Weise, z. B. mittels einer Schleudertechnik, in einer in der Halbleitertechnik üblichen Dicke auf einem Halbleitersubstrat 7 aufgebracht ist. Der Ionenstrahl 1 kann z. B. in einem nicht gezeigten von de Graaff-Beschleuniger erzeugt werden und aus Heliumionen oder Protonen bestehen, die eine Energie zwischen 300 und 2000 keV aufweisen. Die Maske ist kontaktlos in einem sog. Proximity-Abstand von etwa 10 bis 50 μπι zur Resistschicht zusammen mit der diese Schicht tragenden Halbleiterscheibe auf einem ebenfalls nicht dargestellten Justiertisch befestigt. Dabei befinden sich Maske 3 und Scheibe 7 im Vakuum.According to FIG. 1, a collimated ion beam 1 falls through a mask 3 onto an ion-sensitive one Resist layer 6, which in a known manner, for. B. by means of a centrifugal technique, in one in semiconductor technology usual thickness on a semiconductor substrate 7 is applied. The ion beam 1 can, for. B. not in one shown by de Graaff accelerators and consist of helium ions or protons, which are a Have energy between 300 and 2000 keV. The mask is contactless in a so-called proximity distance from about 10 to 50 μπι to the resist layer together with the semiconductor wafer carrying this layer is attached to an adjusting table, also not shown. Included mask 3 and disk 7 are in a vacuum.

Die Maske 3 umfaßt eine Membran 4 aus einkristall!- nem Material wie z. B. eine einkristalline Siliziumfolie. Die Folienebene ist bezüglich der Kristallstruktur so gewählt, daß materiefreie Kristallgitterkanäle parallel zur Richtung des kollimierten Ionenstrahls 1 verlaufen. Eine geeignete Anordnung ergibt sich beispielsweise, wenn eine Siliziumkristallfolie so orientiert ist, daß die < 110>-Richtung mit der Richtung der die Folie senkrecht beaufschlagenden Ionenstrahlung zusammenfällt. Andere Orientierungen, die zu einem Kanalisierungseffekt führen, sind selbstverständlich ebenfalls möglich.The mask 3 comprises a membrane 4 made of single crystal! - nem material such as. B. a single crystal silicon film. With regard to the crystal structure, the film plane is chosen so that crystal lattice channels free of matter are parallel run to the direction of the collimated ion beam 1. A suitable arrangement results, for example, when a silicon crystal sheet is oriented so that the <110> direction coincides with the direction of the sheet perpendicularly acting ion radiation coincides. Other orientations that result in a channeling effect lead are of course also possible.

Die Maske 3 weist weiterhin auf der Strahlungseinfallsseite angeordnete Material-Schichten 2 auf, deren Stärke so bemessen ist, daß sie im wesentlichen nur eine Streufunktion für die Ionen besitzen, während ihre Form dem in der Resistschicht 6 zu reproduzierenden Muster entspricht Ionen, die im Bereich der Streuschichten 2 auf die Maske 3 auftreffen, werden unter diesen Umständen in erster Linie nach statistischen Gesetzen in von der Einfallslichtung abweichende Richtungen 5 abgelenkt und nur einen geringen, für die Funktion der Maske unwesentlichen EnergieverlustThe mask 3 also has material layers 2 arranged on the radiation incidence side, whose Strength is so dimensioned that they have essentially only a scattering function for the ions, while their The shape of the pattern to be reproduced in the resist layer 6 corresponds to ions in the area of the scattering layers 2 impinge on mask 3 are primarily based on statistical data under these circumstances Laws deflected in directions 5 deviating from the incidence clearing and only a slight one for the Function of the mask insignificant loss of energy

ίο durch diese Schichten erleiden. Im Unterschied zu den außerhalb der Streuschichten 2 auf die Membran auftreffenden Ionen, die sich innerhalb der Kristall-Gitterkanäle im wesentlichen ungehindert fortbewegen können und keine ins Gewicht fallende Änderung ihrer Bahn erfahren, werden die zufallsgestreuten in die Membran eindringenden Ionen, deren Flugrichtung von der Channeling-Richtung abweicht, aufgrund von Korlosionen mit den gitterbausteinen der Membran abgebremst. Wird die Dicke der Membran 4 geeignet gewählt, so läßt sich das Verhältnis zwischen den die Membran 4 allein und den die Membran 4 plus die Streuschichten 2 durchsetzenden Ionen so einstellen, daß sich ein betriedigender Bestrahlungskontrast in der Resistschicht 6 ergib«. Welche Membrandicke im Einzelfall für eine ausreichende Absorption der gestreuten Ionen zu wählen ist, hängt u. a. auch von «1er eingestellten Energie der einfallenden Ionen ab; beide Werte (Membrandicke und Energie der einfallenden Ionen) müssen der für die Belichtung des Resistsίο suffer through these layers. In contrast to the ions impinging on the membrane outside the scattering layers 2, which are located within the crystal lattice channels can move essentially unhindered and no significant change in their Learned orbit, the randomly scattered ions penetrating the membrane, whose direction of flight is from the channeling direction deviates due to corrosion with the lattice blocks of the membrane braked. If the thickness of the membrane 4 is selected appropriately, the ratio between the Adjust membrane 4 alone and the ions penetrating membrane 4 plus scattering layers 2 so that that there is a relevant irradiation contrast in the resist layer 6 «. Which membrane thickness in the To be selected on a case-by-case basis for sufficient absorption of the scattered ions depends, among other things, on the also from «1er set energy of the incident ions from; both values (membrane thickness and energy of the incident Ions) must be used for the exposure of the resist

J₀ erforderlichen Ionenenergie Rechnung tragen. Für einen ⁴He-lonenstrahl von 1,47 MeV haben sich z. B. brauchbare Resultate mit einer in < 110>-Richtung beaufschlagten, etwa 5,8 μηι dicken Si-Folie ergeben, die mit einem Muster aus etwa 0,1 μιτι dicken GoldschichtenJ _{0 take} into account the required ion energy. For a ⁴ He ion beam of 1.47 MeV, z. B. useful results with an applied in the <110> direction, about 5.8 μm thick Si foil with a pattern of about 0.1 μm thick gold layers

J5 bedeckt war. Prinzipiell können unter Gewährleistung eines ausreichenden Bestrahlungskontrastes noch Membranstärken über 10 μηι und Streuschichtdicken bis herunter zu 10 nm zugelassen werden, was sowohl die Fertigung als auch die Handhabung der Folien im Vergleich zu den bisher gestellten Anforderungen wesentlich vereinfacht. Die angegebenen vorteilhaften Dimensionen lassen sich — wie schon erwähnt — nur deshalb vorgeben, weil die Membran in den erforderlichen Absorptionsvorgang einbezogen wird. Die gegenüber dem Stand der Technik vorgenommenen Modifikationen (Verstärkung der Channeling-Membran einerseits — Verringerung der Beschichtungsstärke andererseits) ergänzen sich also in kombinatorischer Weise.
Zur Durchführung einer GanzscheibenbestrahlungJ5 was covered. In principle, membrane thicknesses over 10 μm and scattering layer thicknesses down to 10 nm can be permitted while ensuring sufficient radiation contrast, which significantly simplifies both the production and the handling of the films compared to the requirements previously made. As already mentioned, the specified advantageous dimensions can only be specified because the membrane is included in the required absorption process. The modifications made compared to the prior art (reinforcement of the channeling membrane on the one hand - reduction of the coating thickness on the other hand) thus complement each other in a combinatorial manner.
To carry out a full-pane irradiation

so kann entweder der Durchmesser des Ionenstrahl an den der Halbleiterscheibe 7 angepaßt oder ein Ionenstrahl mit vergleichsweise geringem Durchmesser einer Abtastbewegung relativ zur Maske 3 und Scheibe 7 unterworfen werden.so either the diameter of the ion beam can be used adapted to that of the semiconductor wafer 7 or an ion beam with a comparatively small diameter a scanning movement relative to the mask 3 and disk 7 are subjected.

Die Herstellung und der Aufbau spezieller Ausführungsbeispiele der erfindungsgemäßen Maske wird im folgenden eingehender unter Bezugnahme auf Fig. 2 und 3 beschrieben.The manufacture and construction of special exemplary embodiments of the mask according to the invention is illustrated in FIG will be described in more detail below with reference to FIGS.

Ausgangsbasis für die Maske ist eine einkristalline Halbleiterscheibe, die durch geeignete Ätzverfahren auf die erforderliche Dicke gebracht wird. Auf die Kristalloberfläche wird anschließend auf bekanntem Wege eine Schwermetallschicht (z. B. aus Gold und Chrom) aufgebracht, die in herkömmlicher Weise z. B.The starting point for the mask is a monocrystalline semiconductor wafer, which by means of suitable etching processes the required thickness is brought. Then on the crystal surface is known Ways a heavy metal layer (z. B. made of gold and chromium) applied in a conventional manner z. B.

b5 mittels der sog. Abhebetechnik entsprechend dem /u projizierenden Muster struktuie, ι wird. Alternativ kann das Streuschichtmuster durch Beschüß von bestimmten, dem zu projizierenden Muster entsprechenden Berei-b5 by means of the so-called withdrawal technique according to the / u projecting pattern struktuie, ι will. Alternatively, the scattering layer pattern can be achieved by bombarding certain, corresponding to the pattern to be projected

chen der Krislallschicht mil Strahlcnschädcn hervorrufenden Teilchen erzeugt werden. Die notwendige Dicke derart erzeugter Streiischichien liegt ebenfalls in der Größenordnung von 0.1 μηι. Schließlich wird die Halbleiterscheibe mittels eines anisotropen selektiven Ätzmittels bis auf einen stützrahmen entfernt.surface of the crystal layer with radiation damage Particles are generated. The necessary thickness of such produced streakchichia is also in the Order of magnitude of 0.1 μm. Eventually the Semiconductor wafer removed by means of an anisotropic selective etchant except for a support frame.

Fig. 2 zeigt die fertige Maske im Falle der Ausbildung der Streuschichten 2 als Schwermetallschichten 2a, F i g. 3 im Falle der Ausbildung der Streuschichten 2 als strahlengeschädigte Schichten 2b. Die Membran 4 wird in beiden Fällen von der von dem Ätzmittel nicht angegriffenen Kristallschicht gebildet, während der Stützrahmen bei 8 gezeigt ist.Fig. 2 shows the finished mask in the case of the formation of the scattering layers 2 as heavy metal layers 2a, F i g. 3 in the case of the formation of the scattering layers 2 as radiation-damaged layers 2b. The membrane 4 is formed in both cases by the crystal layer not attacked by the etchant, while the support frame is shown at 8.

Die Membran kann auch aus einkristallinen Folien aus einem Material wie z. B. Beryll bestehen, das einen sog. »superchanneling«-Effekt aufweist, der zu einer noch günstigeren Anordnung führt.The membrane can also consist of monocrystalline films made of a material such as. B. Beryl, the one so-called "superchanneling" effect, which leads to a even more favorable arrangement leads.

Die Verwendung der erfindungsgemäßen Maske ist z. B. auch bei der direkten Dotierung von Halbleitermaterialien durch lonenimplantationstechniken möglich (vgl. z. B. DE-PS 24 54 183).The use of the mask according to the invention is z. B. also with the direct doping of semiconductor materials possible through ion implantation techniques (see, for example, DE-PS 24 54 183).

Hierzu 2 Blatt ZeichnungenFor this purpose 2 sheets of drawings

Claims (1)

Patentansprüche:Patent claims: 1. Maske für die lonenstrahl-Schattenprojektion mit einer einkristallinen Trägermembran, die in Richtung der einfallenden lonenstrahlung verlaufende inateriefreie Kristallgitierkanäle aufweist und auf der Strahlungseinfallsseite mit ionenundurchlässigen Bereichen in der Form einer zu projizierenden Struktur versehen ist, dadurch gekennzeichnet, daß die Membran (4) zur Bildung der ionenundurchlässigen Bereiche1. Mask for the ion beam shadow projection with a monocrystalline carrier membrane, which is shown in In the direction of the incident ion radiation, there is material-free crystal gelling channels and on the radiation incidence side with ion-impermeable Areas is provided in the form of a structure to be projected, characterized in that that the membrane (4) to form the ion-impermeable areas