DE3035200A1 - Mask for ion beam shadow projection - is made from mono-crystalline semiconductor slice with heavy metal deposited on it - Google Patents

Abstract

The starting point for mfg. the mask is a mono-crystalline semi-conductor sheet, brought to the correct thickness by an etching process. A heavy metal layer, e.g. gold or chromium, is deposited on the crystal surface, and is structured by a removal technique to correspond to the pattern to be projected. Alternatively, the scatter layer pattern is produced by bombarding defined areas of the crystal layer with particles. The required thickness of the scatter pattern layers lies in the region of 0.1 micro m. Finally, the semi-conducting sheet is removed, apart from a supporting frame, by means of an anisotropic selective etch.

Description

Bezeichnung: Maske für die Ionenstrahl-SchattenprojektionName: Mask for ion beam shadow projection

Die Erfindung bezieht sich auf eine Maske der im Oberbegriff des Anspruchs 1 genannten Art.The invention relates to a mask as set out in the preamble of the claim 1 mentioned Art.

Das herkömmliche photolithographische Verfahren zur Reproduktiön eines Musters in einer Resistschicht durch Belichtung der Resistschicht über eine entsprechend dem zu reproduzierenden Muster ausgebildete Maske, die nicht in Kontakt mit der Resistschicht steht, ist für die Erzeugung von Strukturen mit Dimensionen im Mikrometerbereich, wie sie bei der He#rstellung höchstintegrierter elektronischer Bauelemente realisiert werden müssen, nicht brauchbar, weil die beugungsbedingten Unschärfen der projizierten Strukturen bei Verwendung von Licht als Projektionsstrahlung in der Größenordnung dieser Dimensionen liegen.The conventional photolithographic process for reproducing a Pattern in a resist layer by exposing the resist layer via a corresponding the pattern to be reproduced formed mask that is not in contact with the Resist layer is used to create structures with dimensions in the micrometer range, as implemented in the manufacture of highly integrated electronic components have to be, not usable because the diffraction-related blurring of the projected Structures when using light as projection radiation in the order of magnitude these dimensions lie.

Weiterhin bekannte, auf der Verwendung ablenkbarer fein fokus= sierter Elektronen- oder Ionenstrahlen basierende direktschreibende Reproduktionsmethoden ermöglichen zwar die Realisierung der genannten Dimensioneng erfordern aber gegenüber den bekannten Maskenverfahren einen hohen zeitlichen und apparativen Aufwand.Also known, finely focussed on the use of deflectable Direct writing reproduction methods based on electron or ion beams allow the realization of the dimensions mentioned but require opposite the known mask method a high expenditure of time and equipment.

Es sind daher Versuche unternommen worden, die Masken-Projektionstechnik durch Übergang zu kurzwelligeren Projektionsstrahlungen an die Erfordernisse der Höchstintegration anzupassen. Als dieser Zielsetzung förderlich haben sich insbesondere Ionenstrahlen erwiesen, da sie mit herkömmlichen Mitteln unter geringem Aufwand erzeugt und kollimiert werden kön-.Attempts have therefore been made to use the mask projection technique by transition to shorter-wave projection radiation to meet the requirements of Adapt to maximum integration. In particular, have proven to be conducive to this objective Ion beams have been shown to be effective with conventional means with little effort can be generated and collimated.

nen und bereits in geringen Dosen zu einer ausreichenden Sensibilisierung handelsüblicher Resistmaterialien führen.and even in small doses to sufficient sensitization commercially available resist materials.

Schwierigkeiten bereitet dagegen der Bau geeigneter Masken für die Ionenstrahl-Lithographie. Die bisher bekannten Konzepte basieren, soweit sie die Reproduktion isolierter Strukturen zulassen, auf der Anordnung hochabsorbierender, entsprechend dem zu reproduzierenden Muster geformter opaker Schichten auf oder in einer für die Ionen möglichst transparenten Trägermembran. Um eine ausreichende Transparenz der Membran zu erzielen, wird in erster Linie deren Stärke so gering wie möglich gehalten. Darüberhinaus ist es aus der US-Zeitschrift J. Vac. Sci. Technol. 16(6) Nov./Dec. 1979 S 1897 - 1900 sowie aus der US-PS 4,158,141 bereits bekannt, daß die Transparenz der Membran verbessert und die Winkelstreuung der Ionen verringert werden kann, wenn diese aus einer einkristallinen Folie besteht, die zur Strahlungsrichtung parallele materiefreie Kristallgitterkanäle aufweist (Channeling-Effekt). Da die die Kristallgitterkanäle passierenden Ionen eine kleinere Ablenkung erfahren als Ionen, die in anderen Kristallrichtungen einfallen, kann eine derartige Maske auch bei größeren Foliendicken im Abstand zur Resistschicht angeordnet werden (sog. berührungslose Bestrahlung) ,~~ wodurch eine Kontaminierung und Beschädigung der Maske vermieden wird.On the other hand, there are difficulties in building suitable masks for them Ion beam lithography. The previously known concepts are based on the Allow reproduction of isolated structures, on the arrangement of highly absorbent, opaque layers shaped according to the pattern to be reproduced on or in a carrier membrane that is as transparent as possible for the ions. To be adequate In order to achieve transparency of the membrane, its thickness becomes so small in the first place kept as possible. In addition, it is from the US magazine J. Vac. Sci. Technol. 16 (6) Nov./Dec. 1979 S 1897 - 1900 as well as from US-PS 4,158,141 already known, that improves the transparency of the membrane and reduces the angular spread of the ions can be, if this consists of a monocrystalline film facing the direction of radiation has parallel material-free crystal lattice channels (channeling effect). Since the ions passing through the crystal lattice channels experience a smaller deflection than Ions that fall in other crystal directions can also be used in such a mask with larger film thicknesses are arranged at a distance from the resist layer (so-called contactless Irradiation), ~~ which avoids contamination and damage to the mask will.

Die opaken Bereiche besitzen jedoch auch in diesem den Channeling-Effekt ausnutzenden Spezialfall, selbst wenn sie - wie in der zitierten US-PS angedeutet - nicht durch Abscheidung von Schwermetallschichten sondern durch Erzeugung strahlengeschädigter Bezirke in der Memran gebildet sind, eine rein absorbierencie Funktion. Dies ergibt sich ua. auch aus ihrer Anordnung auf der der einfallenden Strahlung abgewandten Seite. Dieses der Membran eine reine Trägerfunktion zuweisende Konzept führt aber zu einer die Herstellung und Handhabung der Maske in der Praxis erschwerenden, wenn nicht gar unmöglich machenden Dimensionierung.However, the opaque areas also have the channeling effect in this one exploiting special case, even if - as indicated in the quoted US PS - not through the deposition of heavy metal layers but through the generation of radiation-damaged Districts in which the membrane is formed have a purely absorbing function. This gives themselves among others. also from their arrangement on that facing away from the incident radiation Page. However, this concept, which assigns a pure support function to the membrane, is effective to a the manufacture and handling of the mask in practice complicating, if not impossible, dimensioning.

Wie den zitierten Druckschriften zu entnehmen ist, werden dort Membrandicken von unter 2 bbm gefordert, während die Dicke der absorbierenden Schichten zwischen 0,5 Am und 1 ßm liegen soll.As can be seen from the cited publications, there are membrane thicknesses of less than 2 bbm, while the thickness of the absorbent layers is between 0.5 am and 1 ßm.

Solche Absorberdicken mit scharfen Schichtkanten sind jedoch technologisch umso schwerer herzustellen, je kleiner die abzubildenden Strukturen'sind. Darüberhinaus werden dünne Membranen durch Metallbeschichtungen in der genannten Stärke i.a. verzogen; d.h. es können beim Stand der Technik bei der Beschichtung Durchbiegungen in der Membran entstehen.However, such absorber thicknesses with sharp layer edges are technological The smaller the structures to be imaged, the more difficult it is to manufacture. Furthermore thin membranes are generally replaced by metal coatings of the thickness mentioned. warped; i.e. in the prior art during the coating there can be deflections in the Membrane arise.

Hin weiterer Nachteil der in der zitierten US-PS (Fig. 2) dargestellten Anordnung besteht darin, daß die Realisierung einer gestörten Kristallschicht, die in Dicke und Konzentration an Gitterschäden zur Absorption ausreichend ist, nicht ohne erhebliche laterale Strukturverzeichnung möglich ist, ganz abgesehen davon, daß nicht erkennbar ist, wie strahlungsgeschädigte Bezirke der genannten Dicke technisch realisiert werden sollen. Es ist in letzterem Fall zudem zu erwarten, daß die -große Zahl der Gitterschäden und die große erforderliche# Dicke der geschädigten Bereiche einen nicht unerheblichen Maßverzug einer Membran in der erforderlichen Dicke zur Folge hat.Another disadvantage of the cited US-PS (Fig. 2) shown Arrangement is that the realization of a disturbed crystal layer that is sufficient in thickness and concentration of lattice damage for absorption, not is possible without significant lateral structural distortion, quite apart from the fact that that it is not clear how radiation-damaged areas of the thickness mentioned are technically should be realized. In the latter case it is also to be expected that the -size The number of lattice damage and the required # large thickness of the damaged areas a not insignificant dimensional distortion of a membrane in the required thickness Consequence.

Ziel der Erfindung ist es, eine für die Ionenstrahl-Schattenprojektion geeignete Maske zu schaffen, die technisch einfach zu realisierende und zu einer mechanisch stabilen Konfiguration führende Abmessungen aufweist, so daß die oben genannten Nachteile der bekannten Konstruktionen vermieden werden.The aim of the invention is to provide one for the ion beam shadow projection to create a suitable mask that is technically easy to implement and a mechanically stable configuration leading dimensions, so that the above mentioned disadvantages of the known constructions can be avoided.

Diese Aufgabe wird bei einer Maske der im Oberbegriff des Anspruchs 1 genannten Art erfindungsgemäß durch die im Kennzeichen dieses Anspruchs angegebenen Maßnahmen gelöst.In the case of a mask, this task is described in the preamble of the claim 1 mentioned type according to the invention by the specified in the characterizing part of this claim Measures resolved.

Weiterbildungen der Erfindung sind Gegenstand der Unteransprüche.Further developments of the invention are the subject of the subclaims.

Die Erfindung basiert auf der Erkenntnis, daß 1. Ionen, deren Bahn von der Kanalrichtung abweicht, eine stärkere Absorption.in der Membran erfahren als Ionen, die die Membran in Kanalrichtung durchsetzen, und 2. eine von der Kan#alrichtung abweichende Flugbahn bereits mit einer im Vergleich zu den bekannten Absorberschichten wesentlich dünneren, auf der Vorderseite der Membr#an befindlichen Schicht erreicht werden kann, die in erster Linie nur eine Streuung der Ionen bewirkt.The invention is based on the knowledge that 1. Ions, their path deviates from the direction of the canal, a stronger absorption experience in the membrane as ions that penetrate the membrane in the channel direction, and 2. one of the channel direction different trajectory already with one compared to the known absorber layers much thinner layer located on the front of the membrane is achieved which primarily only causes a scattering of the ions.

Die für die Absorption der beliebig gestreuten Ionen erforderliche Dicke der Membran führt innerhalb der denkbaren Energiebereiche der Ionenstrahlen zu technisch praktikablen und mechanisch stabilen Lösungen. Die vergleichsweise zur Streuschichtdicke große Membrandicke bringt darüberhinaus den Vorteil mit sich, daß ein Verzug oder eine Verspannung der Membran vernachlässigbar klein gehalten werden kann.The necessary for the absorption of the randomly scattered ions Thickness of the membrane leads within the conceivable energy ranges of the ion beams to technically practicable and mechanically stable solutions. The comparatively A membrane thickness that is large compared to the scattering layer also has the advantage of that a distortion or tension of the membrane is kept negligibly small can be.

Die Erfindung wird im folgenden#anhand der Figuren näher erläutert. Es zeigen:.The invention is explained in more detail below with reference to the figures. Show it:.

Fig. 1 eine Anordnung zur Reproduktion eines Maskenmusters durch Ionenstrahllithographie, Fig. 2 eine erste Ausführungsform der erfindungsgemäßen Maske, Fig. 3 eine zweite Ausführungsform der erfindungsgemäßen Maske.1 shows an arrangement for reproducing a mask pattern by ion beam lithography, FIG. 2 shows a first embodiment of the mask according to the invention, FIG. 3 shows a second Embodiment of the mask according to the invention.

Gemäß Fig. 1 fällt ein kollimierter Ionenstrahl 1 durch eine Maske 3 auf eine ionenempfindliche Resistschicht 6, die in bekannter Weise, z.B. mittels einer Schleudertechnik, in einer in der Halbleitertechnik üblichen Dicke auf einem Halbleitersubstrat 7 aufgebracht ist. Der Ionenstrahl 1 kann z.B. in einem nicht gezeigten van de Graaff-Beschleuniger erzeugt werden und aus Heliumionen oder Protonen bestehen, die eine Energie zwischen 300 und 2000 keV aufweisen. Die Maske ist kontaktlos in einem sog. Proximity-Abstand von etwa 10 bis 50 m zur Resistschicht zusammen mit der-diese Schicht tragenden Halbleiterscheibe auf einem ebenfalls nicht dargestellten Justietisch befestigt. Dabei befinden sich Maske 3 und Scheibe 7 im Vakuum.According to FIG. 1, a collimated ion beam 1 falls through a mask 3 on an ion-sensitive resist layer 6, which is applied in a known manner, for example by means of a centrifugal technique, in a thickness customary in semiconductor technology on one Semiconductor substrate 7 is applied. The ion beam 1 can e.g. are generated in a van de Graaff accelerator, not shown, and from helium ions or protons exist, which have an energy between 300 and 2000 keV. the The mask is contactless at a so-called proximity distance of about 10 to 50 m to the resist layer together with the semiconductor wafer carrying this layer on one likewise not Adjusting table shown attached. Mask 3 and disk 7 are in the Vacuum.

Die Maske 3 umfaßt eine Membran 4 aus einkristallinem Material wie z.B. eine einkristalline Siliziumfolie. Die Folienebene ist bezüglich der Kristallstruktur so gewählt, daß materiefreie Kristallgitterkanäle parallel zur Richtung des kollimierten Ionenstrahls 1 verlaufen. Eine geeignete Anordnung ergibt sich beispielsweise, wenn eine Siliziumkristallfolie so orientiert ist, daß die #110>-Richtung mit der Richtung der die Folie senkrecht beaufschlagenden Ionenstrahlung zusammenfällt. Andere Orientierungen, die zu einem Kanalisierungseffekt führen, sind selbstverständlich ebenfalls möglich.The mask 3 comprises a membrane 4 made of monocrystalline material such as e.g. a single crystal silicon film. The foil plane is related to the crystal structure chosen so that material-free crystal lattice channels parallel to the direction of the collimated Ion beam 1 run. A suitable arrangement is obtained, for example, when a silicon crystal sheet is oriented so that the # 110> direction is aligned with the The direction of the ion radiation acting vertically on the film coincides. Other orientations that lead to a channeling effect are self-evident also possible.

Die Maske 3 weist weiterhin auf der Strahiungseinfallsseite angeordnete Material-Schichten 2 auf, deren Stärke so bemessen ist, daß sie im wesentlichen nur eine Streufunktion für die Ionen besitzen, während ihre Form dem in der Resistschicht 6 zu reproduzierenden Muster entspricht. Ionen, die im Bereich der Streuschichten 2 auf die Maske 3 auftreffen, werden unter diesen Umständen in erster Linie nach statistischen Gesetzen in von der Einfallsrichtung abweichende Richtungen 5 abgelenkt und nur einen geringen, für die Funktion der Erfindung unwesentlichen Energieverlust durch diese Schichten erleiden. Im Unterschied zu den außerhalb der Streuschichten 2 auf die Membran auftreffenden Ionen, die sich innerhalb der Kristall-Gitterkanäle im wesentlichen ungehindert fortbewegen können und keine ins Gewicht, fallend Änderung ihrer Bahn erfahren, werden die zufallsgestreuten in die Membran eindringenden Ionen, deren Flugrichtung von der Channeling-Richtung abweicht, aufgrund von Kollisionen mit den Gitterbausteinen der Membran abgebremst. Wird die Dicke der Membran.4 geeignet gewählt, so läßt sich das Verhältnis zwischen den die Membran 4 allein und den die Membran 4 plus die Streuschichten 2 durchsetzenden Ionen so einstellen, daß sich ein befriedigender Bestrahlungskontrast in der Resistschicht 6 ergibt. Welche Membrandicke im Einzelfall für eine ausreichende Absorption der gestreuten Ionen zu wählen ist, hängt u.a. auch von der einqestellten Energie der einfallenden Ionen ab; beide Werte (mehr brandicke und Energie der einfallenden Ionen) müssen der für die Belichtung des Resists erforderlichen Ionenenergie 4 Rechnung tragen. Für einen He-Ionenstrahl von 1,47 MeV haben sich z.B. brauchbare Resultate mit einer in <110>-Richtung beaufschlagten, etwa 5,8 ijm dicken.Si-Folie ergeben, die mit einem Muster-aus etwa 0,1 Fm dicken Goldschichten bedeckt war. Prinzipiell können unter Gewährleistung eines ausreichenden Bestrahlungskontrastes noch Membransta"r--ken über 10 ßm und Streuschichtdicken bis herunter zu 100 2 zugelassen werden, was sowohl die Fertigung als auch die IIandhabung der Folien im Vergleich zu den bisher gestellten Anforderungen wesentlich vereinfacht. Die angegebenen vorteilhaften Dimensionen lassen sich - wie schon erwähnt - nur deshalb vorgeben, weil die Membran in den erforderlichen Absorptionsvorgang einbezogen wird. Die gegenüber dem Stand der Technik vorgenommenen Modifikationen (Verstärkung der Channeling-Membran einerseits - Verringerung der Beschichtungsstärke andererseits) ergänzen sich also, in kombinatorischer Weise.The mask 3 also has those arranged on the radiation incidence side Material layers 2, the thickness of which is such that they are essentially only have a scattering function for the ions, while their shape corresponds to that in the resist layer 6 corresponds to the pattern to be reproduced. Ions in the area of the scattering layers 2 impinge on the mask 3, under these circumstances are primarily after statistical laws deflected in directions 5 deviating from the direction of incidence and only a small energy loss, which is insignificant for the function of the invention suffer through these layers. In contrast to those outside the scattered layers 2 ions impinging on the membrane, which are located within the crystal lattice channels can move essentially unhindered and no significant change Find out their path, the randomly scattered into the membrane penetrating ions, the flight direction of which deviates from the channeling direction, due to decelerated by collisions with the lattice blocks of the membrane. Will the thickness der Membran.4 is suitably selected, the ratio between the membrane 4 alone and the ions penetrating the membrane 4 plus the scattering layers 2 as shown adjust that there is a satisfactory radiation contrast in the resist layer 6 results. Which membrane thickness in the individual case for sufficient absorption of the scattered ions is to be selected depends, among other things, on the set energy of the incident ions from; both values (more brandicke and energy of the incident Ions) have to take into account the ion energy 4 required for the exposure of the resist wear. For a He ion beam of 1.47 MeV, for example, useful results have been found with a Si-foil applied in the <110> -direction, about 5.8 ijm thick, which was covered with a pattern of about 0.1 μm thick layers of gold. In principle can still strengthen the membrane while ensuring a sufficient radiation contrast over 10 µm and scattering layer thicknesses down to 100 2 are permitted, which is both the production as well as the handling of the foils in comparison to the previously provided Requirements significantly simplified. The specified advantageous dimensions can - as already mentioned - only be specified because the membrane is in the required absorption process is included. The compared to the prior art modifications made (reinforcement of the channeling membrane on the one hand - reduction the coating thickness on the other hand) complement each other in a combinatorial way.

Zur Durchführung einer Ganzscheibenbestrahlung kann entweder der Durchmesser des Ionenstrahls an den der Halbleiterscheibe 7 angepaßt oder ein Ionenstrahl mit vergleichsweise geringem Durchmesser einer Abtastbewegung relativ zur Maske 3 und Scheibe 7 unterworfen werden. Either the Diameter of the ion beam adapted to that of the semiconductor wafer 7 or an ion beam with a comparatively small diameter of a scanning movement relative to the mask 3 and disc 7 are subjected.

Die Herstellung und der Aufbau spezieller Ausführungsformen der erfindungsgemäßen Maske wird im folgenden eingehender unter Bezugnahme auf Fig. 2 und 3 beschrieben.The manufacture and construction of special embodiments of the invention The mask is described in more detail below with reference to Figs.

Ausgangsbasis für die Maske ist eine einkristalline Halbleiterscheibe, die durch geeignete Atzverfahren auf die erforderlice Dicke gebracht wird. Auf die Kristalloberfläche wird anschließend auf bekanntem Wege eine Schwermetallschicht (z.B. aus Gold und Chrom) aufgebracht, die in herkömmlicher Weise z.B. mittels der sog. Abhebetechnik entsprechend dem zu projizierenden Muster strukturiert wird. Alternativ kann das Streuschichtsuster durch Beschuß von bestimmten, dem zu projizierenden Muster entsprechenden Bereichen der Kristallschicht mit Strahlenschäden hervorrufenden Teilchen erzeugt werden. Die notwendige Dicke derart erzeugter Streuschichten liegt. ebenfalls in der Größenordnung von 0,1 Am.The starting point for the mask is a monocrystalline semiconductor wafer, which is brought to the required thickness by suitable etching processes. On the The crystal surface then becomes a heavy metal layer in a known way (e.g. made of gold and chrome) applied in a conventional manner e.g. by means of the so-called lifting technique is structured according to the pattern to be projected. Alternatively, the scattering pattern can be determined by bombarding certain of the projected Pattern corresponding areas of the crystal layer with radiation damage Particles are generated. The necessary thickness of scattered layers produced in this way is. also on the order of 0.1 am.

Schließlich wird die Halbleiterscheibe mittels einer anisotropen selektiven Ätze bis auf einen Stützrahmen entfernt.Finally, the semiconductor wafer is selective by means of an anisotropic Etch removed except for a support frame.

Fig. 2 zeigt die fertige Maske im Falle der Ausbildung der Streuschichten 2 als Schwermetallschichten 2 a, Fig. 3 im Falle der Ausbildung der Streuschichten 2 als strahlengeschädigte Schichten 2 b. Die Membran 4 wird in beiden Fällen von der von der Atze nicht angegriffenen Kristallschicht gebildet, während der Stützrahmen bei 8 gezeigt ist.Fig. 2 shows the finished mask in the case of the formation of the scattering layers 2 as heavy metal layers 2a, FIG. 3 in the case of the formation of the scattering layers 2 as radiation-damaged layers 2 b. The membrane 4 is in both cases of of the crystal layer not attacked by the etch, while the support frame shown at 8.

Das der Erfindung zugrunde liegende Prinzip-läBt sich. mit Vorteil auch bei einkristallinen Folien aus einem Material wie z.B. Beryll anwenden, das einen sog. superchanneling1.1-Effekt aufweist, der zu einer noch günstigeren Anordnung führt.The principle on which the invention is based can be used. with advantage also apply to monocrystalline foils made of a material such as beryl, which has a so-called superchanneling1.1 effect, which leads to an even more favorable arrangement leads.

Die erfindungsgemäße Maske ist ferner nicht auf die beschriebene Anwendung in der Ionenstrahllithographie beschränkt. Ihre Verwendung z.B. bei der direkten Dotierung von Halbleitern durch Ionenimplantationstechniken ist ebenfalls möglich (vgl.The mask according to the invention is also not suitable for the application described limited in ion beam lithography. Their use e.g. in direct Doping of semiconductors by ion implantation techniques is also possible (see.

z.B. DE-PS 24 54 183).e.g. DE-PS 24 54 183).

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Claims (5)

Patentansprüche Maske für die Ionenstrahl-Schattenpröjektion mit einer einkristallinen Trägermembran, die in Richtung der einfallenden Ionenstrahlung verlaufende materiefreie Kristallgitterkanäle aufweist und mit ionenundurchlässigen Bereichen in der Form einer zu projizierenden Struktur versehen ist, dadurch gekennzeichnet, daß die Membran (4) zur Bildung der ionenundurchlässigen Bereiche a) innerhalb der Grenzen der Bereichs flächen auf der Strahlungseinfallsseite jeweils mit einer Schicht (2) aus einem die Ionen im wesentlichen nur in von der Einfallsrichtung abweichenden Richtungen streuenden Material versehen ist, und b) bezüglich ihrer.Dicke für eine vorgegebene Energie der einfallenden Ionen (1) so bemessen ist, daß die gestreuten Ionen in der Membran (4) absorbiert werden. Claims mask for the ion beam shadow projection with a monocrystalline support membrane that points in the direction of the incident ion radiation Has running material-free crystal lattice channels and with ion-impermeable Areas is provided in the form of a structure to be projected, characterized in that that the membrane (4) to form the ion-impermeable areas a) within the Boundaries of the area areas on the radiation incidence side each with a layer (2) from one the ions essentially only deviate in the direction of incidence Directions scattering material is provided, and b) with regard to their. Thickness for a predetermined energy of the incident ions (1) is dimensioned so that the scattered Ions are absorbed in the membrane (4). 2. Maske nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die streuenden Schichten (2) von auf der Membran (4) abgeschiedenen Schwermetallschichten (2 a) wie z.B. Gold-oder Chromschichten gebildet wird.2. Mask according to claim 1, characterized in that the scattering Layers (2) of heavy metal layers (2a) deposited on the membrane (4) such as gold or chrome layers are formed. 3. Maske nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die streuenden Schichten (2) aus in der Membran (4) gebildeten strahlengeschädigten Xristallgitterbereichen (2 b) bestehen.3. Mask according to claim 1, characterized in that the scattering Layers (2) of radiation-damaged crystal lattice areas formed in the membrane (4) (2 b) exist. 4. Maske nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß bei Verwendung einer Membran aus Silizium die Dicke der Membran (4) zwischen 2 und 15 Mikrometern liegt.4. Mask according to one of the preceding claims, characterized in that that when using a membrane made of silicon, the thickness of the membrane (4) between 2 and 15 micrometers. 5. Maske nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke der streuenden Schichten (2) zwischen 0.01 und 0,2 Mikrometern liegt.5. Mask according to one of the preceding claims, characterized in that that the thickness of the scattering layers (2) is between 0.01 and 0.2 micrometers.