DE3019851C2 - - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Lithographiemaske, wie im Oberbegriff des Anspruchs 1 angegeben. Das Verfahren eignet sich insbesondere zur Herstellung einer Maske, die für die Röntgenstrahlenlithographie verwandt werden kann.

Ein Verfahren der eingangs erwähnten Art ist bereits aus der DE-OS 19 06 755 bekannt. Bei diesem Verfahren hat sich jedoch ergeben, daß sich nach wie vor ausgefranste Längskanten an der endgültigen Maske ergeben, oder daß sogar Teile des strahlungsundurchlässigen Materials in der endgültigen Maske hängengeblieben sind, die an sich mit dem darunterliegenden weggeätzten Material hätten abgehoben sein müssen.

Bei der Fertigung von integrierten Halbleiterschaltungen werden verschiedene Ausführungsformen der Lithographie eingesetzt, um einen Photolack zu belichten, der auf ein Halbleiterscheibchen aufgebracht worden ist. Mit der zunehmenden Miniaturisierung, d. h., dem Bestreben, mehr Halbleiterbauelemente bzw. Schaltungen auf einen bestimmten Chip unterzubringen, hat sich die Lithographie zu kürzeren Wellenlängen hin weiterentwickelt. Kürzere Wellenlängen werden benötigt, um eine gute Auflösung und geringe Größen zu erreichen. Dadurch bedingt gab es eine Weiterentwicklung von der optischen Lithographie, die den Bereich des sichtbaren Lichtes des Spektrums der elektromagnetischen Wellen benutzt, über die Ultraviolett(UV-)Lithographie hin zur Röntgenstrahlenlithographie, wie sie in letzter Zeit zunehmend eingesetzt wird; Röntgenstrahlen haben eine besonders kurze Wellenlänge, so daß besonders feine Linien definiert werden können; dazu können insbesondere Röntgenstrahlen im Bereich von 4 bis 50 Å und insbesondere im Bereich von 4 bis 13 Å eingesetzt werden. Bei dieser Lithographie wird eine Maske mit dem gewünschten Muster zwischen einer Strahlungsquelle, beispielsweise einer Quelle für UV- oder Röntgenstrahlen, und einem Halbleiterschichtträger angeordnet, der mit einem strahlungsempfindlichen Gemisch beschichtet ist, auf dem das Muster belichtet bzw. freigelegt werden soll. Die Maske muß zu einer guten Definition der zu belichteten Linien führen, wobei die maskierte Fläche undurchlässig für die verwendete Strahlung ist, während der Maskenbildträger transparent bzw. durchlässig für diese Strahlung ist. Wegen der geringen Linienbreiten, die bei der Röntgenstrahlenlithographie erreicht werden sollen, wird die Herstellung einer Maske, die zu einer guten Auflösung führt, zu einem Problem.

In der Röntgenstrahlenlithographie wird als typisches Absorptionsmaterial auf der Maske Gold eingesetzt. Obwohl andere Elemente eine stärkere Absorption weicher Röntgenstrahlen zeigen, wird Gold bevorzugt verwendet, da es sich einfacher handhaben und verarbeiten läßt.

Die Dicke der als Absorptionsmittel dienenden Goldschicht wird durch die Kontrastanforderungen der für Röntgenstrahlen-strahlungsempfindlichen Schicht bestimmt. Für geringe Empfindlichkeiten reichen bei einem strahlungsempfindlichen Gemisch mit hohem Kontrast, wie beispielsweise PMMA, Dicken von 0,2 bis 0,3 Mikron aus. Für ein strahlungsempfindliches Gemisch mit hoher Empfindlichkeit und geringem Kontrast, wie er für kurze Belichtungszeiten erforderlich ist, wird jedoch eine Dicke der Goldschicht im Bereich von 0,5 bis 0,8 Mikron benötigt. Wenn außerdem Details bzw. Linien bzw. Merkmale abgebildet werden sollen, die kleiner als µm sind, muß das Muster der als Absorptionsmittel dienenden Goldschicht ein viereckiges, insbesondere quadratisches Kantenprofil haben. Mit anderen Worten sind quadratische Kanten wesentlich, wenn kleine Details nahe beieinander gepackt werden. Da die Dämpfung sich exponentiell mit der Dicke ändert, führt ein geneigtes Kantenprofil zu einem Verlust an Kantenschärfe bei der Belichtung durch die Röntgenstrahlen, so daß Schwierigkeiten bei der Einstellung der Zeilenbreite und Änderungen der Dicke der strahlenempfindlichen Schicht auftreten können, wenn eine negative strahlungsempfindliche Schicht verwendet wird.

Die üblicherweise eingesetzte Photolithographie und Ätztechniken verwenden chemische Ätzmittel, um die Muster der als Absorptionsmittel dienenden Goldschicht aufzuzeichnen. Diese Verfahren führen zu einer Unterschneidung des Photolacks an den Kanten des Musters, so daß im allemeinen geneigte Kantenprofile erhalten werden. Zwei andere herkömmliche Verfahren sind im allgemeinen besser geeignet für die Herstellung der gewünschten, quadratischen Kantenprofile; bei einem Verfahren handelt es sich um eine physikalische Ätztechnik, die auch als "Abheb"-Verfahren bezeichnet wird; das andere Verfahren wird als Zerstäubungsätzen bezeichnet.

Bei der Abhebtechnik wird eine strahlungsempfindliche Schicht auf einem Schichtträger abgelagert, die durchlässig für die Röntgenstrahlen ist. Die strahlungsempfindliche Schicht wird mit dem gewünschten Muster belichtet und anschließend entwickelt, so daß der Schichtträger in den Flächen freigelegt wird, wo das Gold abgelagert werden soll. Diese Belichtung führt zu einem Unterschneiden der strahlungsempfindlichen Schicht. Anschließend wird eine dünne Haftschicht aus Chrom abgelagert, der die Ablagerung einer Goldschicht folgt. Damit diese Technik erfolgreich eingesetzt werden kann, muß das unterschnittene Schichtprofil verhindern, daß ein kontinuierlicher Goldfilm die Stufen in der strahlungsempfindlichen Schicht bedeckt. Als Folge hiervon ist die Dicke der Goldschicht auf ungefähr 2/3 der Dicke der strahlungsempfindlichen Schicht beschränkt; näherungsweise 1 Mikron strahlungsempfindliche Schicht wird benötigt, um die Dicke des als Absorptionsmittel dienenden Goldes zu definieren (0,6 Mikron). Die Verwendung einer dicken strahlungsempfindlichen Schicht begrenzt die Auflösung und die minimale Zeilenbreite, die hergestellt werden könnte.

Bei dem Abhebverfahren werden normalerweise Muster der strahlungsempfindlichen Schicht verwendet, die durch Elektronenstrahlbelichtung definiert werden, um das unterschnittene Profil zu erzeugen. Obwohl das Abheben mit viereckigen, insbesondere quadratischen Profilen erreicht werden kann, die durch ultraviolette Belichtung des positiven strahlungsempfindlichen Gemischs erzeugt werden können, besteht die Neigung, daß das Gold an den Kanten von Detailzeichnungen bzw. Merkmalen reißt, wodurch ein zackiges, schachtiges Kantenprofil entsteht. Außerdem kann dieses Verfahren nicht dazu verwendet werden, isolierte Zeichnungen zu definieren. Eine Insel der strahlungsempfindlichen Schicht kann nicht zuverlässig abgehoben werden, weil das Lösungsmittel keinen Zugang zu dem strahlungsempfindlichen Gemisch hat.

Das andere herkömmliche Verfahren, d. h. die Zerstäubungsätzung, gibt einen relativ steilen Winkel von ungefähr 70°, also eine Verbesserung gegenüber dem anderen Verfahren, jedoch eine nicht zu überwindende Beschränkung, die unter dem angestrebten Winkel von 90° liegt. Außerdem ist die Zerstäubungsätzung sehr viel komplexer als die oben erläuterte Abhebtechnik.

Zusätzliche Informationen über die hier interessierenden Verfahren und die bisher gemachten Vorschläge können den folgenden Literaturstellen entnommen werden:

• 1) W.D. Buckley, "Factors which Determine the Exposure Time in an X-Ray Lithography Exposure System", ("Faktoren, welche die Belichtungszeit in einem Röntgenstrahlen-Lithographie-Belichtungssystem bestimmen") in Proceedings of the Symposium on Electron and Ion Beam Science and Technology, 7th International Conference, Washington, 1976, S. 454-463;
• 2) D. Maydan, G.A. Coquin, J.R. Maldonado, S. Somekh, D.Y. Lou und G.N. Taylor, "High Speed Replication of Submicron Features on Large Area, by X-Ray Lithography" ("Hochgeschwindigkeits-Abbildung von Details im Submikronbereich auf großen Flächen durch die Röntgenstrahlenlithographie") in IEEE Trans. on Electron Devices, ED-22, 429, (1975);
• 3) E. Bassous, R. Feder, E. Spiller, J. Topalian "High Transmission Y-Ray Masks for Lithographic Applications" ("Hochdurchlässige Röntgenstrahlenmasken für lithographische Anwendungen") in Solid State Technology, September 1976, S. 5558; und
• 4) B.L. Henke, R.L. Elgin, R.E. Lent, R.B. Hedingham, "X-Ray Absorption in the 2 to 200 Å Region" ("Röntgenstrahlenabsorption in dem Bereich von 2 bis 200 Å") in Norelco Report 14, 112-131, 1967.

Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren der eingangs erwähnten Art anzugeben, mit dem exaktere Lithographiemasken herstellbar sind.

Diese Aufgabe wird, ausgehend von dem eingangs erwähnten Verfahren, erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß die erste Schicht eine UV-Strahlen reflektierende Schicht ist, daß das strahlungsempfindliche Gemisch gegen UV-Strahlung empfindlich ist, und die bildmäßige Bestrahlung mit UV-Strahlen durchgeführt wird, daß die Dicke der strahlungsempfindlichen Schicht das 1,5fache der Dicke der dritten Schicht ist, und daß die Dicke der ersten Schicht ein Drittel der Dicke der dritten Schicht beträgt.

Mit einem solchen Verfahren können für die Schicht aus dem Material, das für die bei dem Lithographieverfahren verwandte Strahlung undurchlässig ist, Dicken erreicht werden, insbesondere wenn das Material aus Gold besteht, mit den ein viereckiges Kantenprofil erreicht wird, ohne daß eine Elektronenstrahlbelichtung oder die Zerstäubungsätzung angewandt werden müßten.

Zusätzlich zu den oben angegebenen Schritten kann sodann abschließend noch der verbleibende Teil der ersten Schicht entfernt werden.

Als erste Schicht wird bevorzugt eine Schicht aus Aluminium eingesetzt.

Bei Lithographieverfahren, bei denen als Strahlung Röntgenstrahlung verwandt wird, wird als strahlungsundurchlässiges Material bevorzugt Gold verwandt.

Wenn Gold verwandt wird, hat es sich als zweckmäßig erwiesen, dieses durch Aufdampfen im Vakuum aufzubringen. Als besonders vorteilhaft hat es sich in diesem Fall erwiesen, vor dem Aufdampfen des Goldes eine dünne Chromschicht im Vakuum aufzudampfen.

Als Schichtträger kann ein durch Wärme aushärtbares Polyimid oder Polyethylenterephthalat verwandt werden.

Bei einer besonderen Ausführungsform hat die Aluminiumschicht eine Dicke von 0,2 µm, die strahlungsempfindliche Schicht eine Dicke von 0,9 µm und die Goldschicht eine Dicke von 0,6 µm.

Die Erfindung wird im folgenden anhand von Ausführungsbeispielen unter Bezugnahme auf die beiliegenden, schematischen Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen

Fig. 1a-f die Grund-Verfahrensschritte bei dem erfindungsgemäßen Verfahren zur Herstellung einer Maske,

Fig. 2 eine Zeichnung, die auf einer photographischen Aufnahme von zwei Linien beruht, die mit dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellt worden sind, und

Fig. 3 eine Zeichnung einer photographischen Aufnahme eines isolierten Details, das mit dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellt worden ist.

Wie man in Fig. 1 erkennen kann, wird zunächst eine Schicht 11 aus Aluminium auf einem Schichtträger aus einem Material abgelagert, das transparent für die Strahlung ist, bei der die Maske eingesetzt werden soll, beispielsweise für Röntgenstrahlen. Hierzu kann jedes herkömmliche Verfahren eingesetzt werden, wie beispielsweise Aufdampfen im Vakuum, Zerstäuben usw. Anschließend wird eine Schicht aus dem strahlungsempfindlichen Gemisch ein Photolack über dem Aluminium angeordnet. Der Photolack wird unter Verwendung herkömmlicher UV-Lithographie belichtet und anschließend entwickelt. Die Ergebnisse dieser Schritte sind in Fig. 1b dargestellt. Dabei ist der Photolack 15 zu erkennen, der nach der Entwicklung auf dem Substrat 11 zurückbleibt. An den Kanten, die entwickelt worden sind, befindet sich ein Muster 17 in Form einer stehenden Welle. Die Aluminiumschicht wirkt als Reflektor für die UV-Strahlung, so daß die reflektierte Strahlung mit der einfallenden Strahlung kombiniert wird und das Muster dieser stehenden Welle entsteht. Dadurch kann eine relativ viereckige, insbesondere quadratische Kante in dem Photolack ausgebildet und die herkömmliche UV-Lithographie eingesetzt werden; es muß also nicht auf die aufwendige Elektronenstrahl-Lithographie zurückgegriffen werden, die bei der herkömmlichen Abhebtechnik erforderlich war.

Wie in Fig. 1c zu erkennen ist, wird als nächstes das Aluminium weggeätzt. Selbstverständlich wird nur das Aluminium in den belichteten Bereichen geätzt werden. Die Ätzung wird durchgeführt, um unter dem zurückgebliebenen Photolack 15 eine Unterschneidung 19 (s. Fig. 1c) zu schaffen.

Wie man in Fig. 1d erkennen kann, wird als nächstes Gold durch Aufdampfen im Vakuum auf die Struktur nach Fig. 1c aufgebracht. Vor der Aufdampfung des Goldes sollte nach einer bevorzugten Ausführungsform die Aufdampfung einer dünnen Schicht 21 aus Chrom erfolgen, um die Haftung auf dem Substrat 13 zu unterstützen. Die Aufdampfung des Goldes, oder als Alternative hierzu eines anderen Röntgenstrahlen absorbierenden Materials, erfolgt in den offenen Flächen auf dem Schichtträger oder der Chromschicht 21 sowie auch auf den Photolack 15. Wie in Fig. 1e dargestellt ist, wird dann der Photolack unter Verwendung eines geeigneten Lösungsmittels abgehoben, wodurch das absorbierende Goldmuster 23 im Abstand von der übrigen Aluminiumschicht 11 zurückbleibt. Anschließend kann das Aluminium unter Verwendung eines geeigneten Ätzmittels entfernt werden, wie in Fig. 1f zu erkennen ist. Es wird jedoch darauf hingewiesen, daß dieser Schritt bei der Herstellung einer Röntgenstrahlen-Maske nicht unbedingt erforderlich ist, da die Vernachlässigung der weichen Röntgenstrahlen durch Aluminium vernachlässigbar ist und der Aluminiumfilm bei der Erhöhung der seitlichen Wärmeübertragung und damit bei der Begrenzung der Wärme- bzw. Temperaturgradienten nützlich sein kann.

Im folgenden soll ein Beispiel des erfindungsgemäßen Verfahrens im einzelnen erläutert werden.

Bei der Herstellung einer Maske nach der vorliegenden Erfindung wurde eine Maskenmembran aus Polyethylentherephthalat gleichmäßig über einen Ring aus rostfreiem Stahl gestreckt bzw. gedehnt und am Umfang verankert; diese Maskenmembran wurde aus dem genannten Material in sogenannter Kondensatorqualität mit einer Dicke im Bereich von 3 bis 25 Mikron und mit Durchmessern bis zu 12 cm hergestellt. Ein zweiter Ring aus rostfreiem Stahl wurde dann im Preßsitz über dem ersten aufgebracht, wodurch die Membran rund um den Umfang fixiert wurde. Als Alternative hierzu wird die Membran auf die oben erwähnte Weise über den Ring gestreckt und einem Pyrex-Schichtträger ausgesetzt, in dessen Mitte sich ein Loch geeigneter Größe befindet, so daß die Röntgenstrahlen durch die Membran verlaufen können.

Eine 0,2 Mikron dicke Aluminiumschicht wurde zunächst auf dem Schichtträger durch Aufdampfen im Vakuum abgelagert; anschließend wurde ein Photolack in einer Dicke von 0,9 Mikron auf dem Aluminium abgelagert. Der Photolack wurde unter Verwendung eines Perkin-Elmer-Projektionsmasken-Ausrichtungsgerätes belichtet, wobei die mit dem Photolack beschichtete Membran 13 nach Fig. 1 genau in der Brennebene des Gerätes angeordnet wurde. Der Photolack wurde durch eine Mastermaske unter Verwendung von UV-Strahlung belichtet.

Das Aluminium wurde dann chemisch in Phosphorsäure/5% Salpetersäure geätzt, um das in Fig. 1c gezeigte Muster zu erhalten. Eine zur Verbesserung der Haftung dienende Schicht aus Chrom in einer Dicke von näherungsweise 200 Å wurde dann durch Aufdampfen auf den Photolack aufgebracht; anschließend wurde die aus Gold bestehende Absorptionsschicht in einer Dicke von näherungsweise 0,6 Mikron durch Aufdampfen aufgebracht. Die Aufdampfentfernung war relativ lang, beispielsweise 27 cm, um die Ablagerung auf dem Muster 19 aus der stehenden Welle abzuschatten. Dabei begrenzte die Unterschneidung des Photolacks die minimalen Detailsabmessungen auf ungefähr das dreifache der Dicke des Aluminiums, beispielsweise 0,6 Mikron. Der Photolack wurde dann in Aceton aufgelöst, um das abgehobene Goldmuster zu erzeugen, wie in Fig. 1e zu erkennen ist. Das übrige Aluminium wurde dann mit einem Gemisch aus Phosphorsäure/5% Salpetersäure abgeätzt. Unter Verwendung dieses Verfahrens wurde das in den Fig. 2 und 3 dargestellte Muster erhalten, das sowohl offene als auch isolierte Details bzw. Einzelheiten hatte. Wie man in Fig. 2 erkennen kann, wurden Goldzeilen mit einer Breite von 2 Mikron und einer Dicke von 1/2 Mikron sowie ein viereckiges bzw. quadratisches Kantenprofil erhalten. Die Ergebnisse zeigen, daß das Muster der stehenden Welle des Photolacks nicht in dem Gold abgebildet wird. Weiterhin stellte sich heraus, daß das Ätzen des Aluminiums, bei dem der Photolack unterschnitten wird, keinen kritischen Verfahrensschritt darstellt, da die Zeilenbreite nur durch das Photolack-Muster bestimmt wird.

Es wurden auch Details mit Zeilen und Abständen von 1 µm erzeugt. In diesem Fall wurde ein Kontaktdruckverfahren statt der Maskenausrichtungseinrichtung verwendet, um das Photolackmuster zu definieren. Diese Technik kann auch bei anderen Belichtungstechniken mit höherer Auflösung eingesetzt werden, um kleinere Muster zu erzeugen.

Die Tests zeigten auch, daß es wegen ihrer Oberflächenrauhigkeit auch mögliche Begrenzungen für den Einsatz der Membranen aus Polytherephthalaten gibt. Denn Untersuchungen haben ergeben, daß keine nachteiligen Effekte auftreten, wenn ein Einschluß in der Membran vollständig in dem Photolack-Muster liegt, wobei vorausgesetzt wird, daß die Goldbedeckung adäquat ist. Der Einschluß führt einfach zu einer Auswölbung, bzw. Ausbauchung des Goldmusters. Weiterhin hatten auch Einschlüsse an der Kante des Musters keine nachteiligen Wirkungen, sondern verursachten nur einfach eine entsprechende Auswölbung. Solche Einschlüsse können jedoch ernstere Wirkungen auf kleinere Details bzw. Einzelheiten haben.

Eine Begrenzung für das Verfahren liegt in der erforderlichen dicken Photolack-Schicht. Darüber hinaus muß die Temperatur der Membran während der Goldablagerung exakt gesteuert werden, da eine Erwärmung zu Rissen bzw. Sprüngen in der Goldschicht aufgrund der großen Unterschiede im Wärmeexpansionskoeffizienten zwischen dem Gold und der gestreckten Membran führen kann. Bei der Durchführung des oben beschriebenen Verfahrens wurde die Temperatursteuerung dadurch erreicht, daß ein Wärmesumpf, also eine Wärme ableitende Einrichtung, an der Rückseite der Membran angebracht wurde, beispielsweise angekittet wurde.

Zur Zeit wird als bevorzugtes Schichtträgermaterial Polyethylenterephthat verwendet. Wie jedoch bereits oben erwähnt wurde, bietet Polyinid ähnliche Vorteile. Beide Materialien sind billig, in Form von dünnen Filmen im Handel erhältlich und einfach zu verarbeiten. Weiterhin sind sie durchlässig für alle zur Zeit verwendeten Röntgenstrahlen-Wellenlängen sowie für sichtbares Licht, so daß optische Ausrichtungstechniken eingesetzt werden können. Außerdem ermöglichen sie die Verwendung von nicht zustätzlich abgestützten Membranen mit großem Durchmesser, die ausreichend robust sind, das sie die normale Handhabung und Verarbeitung ohne Beschädigung aushalten können. Es ist bereits vorgeschlagen worden, die Membranen aus Silicium, Aluminiumoxid und Siliciumnitrid mit Dicken von bis zu einigen Mikrometern zu verwenden. Diese Materialien haben jedoch nicht alle oben erwähnten Vorteile von Mylar oder Kapton, da beispielsweise nicht alle diese Materialien im Bereich des sichtbaren Lichtes durchlässig sind; außerdem haben einige Materialien, beispielsweise Silicium, eine Absorptionskantengrenze, welche die Verwendung auf Wellenlängen beschränkt, die größer als 6,75 Å ist. Außerdem können auch andere Absorptionsmaterialien verwendet werden, wie bereits oben erwähnt wurde; die Handhabung und Verarbeitung dieser Materialien ist jedoch nicht so einfach wie im Falle von Gold.

Obwohl die beschriebene Maske insbesondere für die Röntgenstrahlen-Lithographie geeignet sind, können die mit dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellten Masken auch bei der UV-Lithographie eingesetzt werden. Obwohl dann andere Zeilendicken auftreten werden, ergibt sich dann noch der wesentliche Vorteil, daß nämlich viereckige, insbesondere quadratische Kanten an der Absorptionsschicht erzeugt werden.

Claims (9)

1. Verfahren zur Herstellung einer Lithographiemaske, bei dem

• a) auf einem Schichtträger, der transparent für die bei dem Lithographie-Verfahren zu verwendende Strahlung ist, eine dünne erste Schicht aus einem ätzbaren Material aufgebracht wird,
• b) darauf eine zweite Schicht aus einem strahlungsempfindlichen Gemisch aufgebracht wird,
• c) die strahlungsempfindliche Schicht von der dem Schichtträger abgewandten Seite bildmäßig belichtet und entwickelt wird,
• d) die erste Schicht in den durch die Entwicklung freigelegten Bereichen so weggeätzt wird, daß sich Unterscheidungen bilden,
• e) eine dritte Schicht aus einem Material aufgebracht wird, das undurchlässig für die bei dem Lithographieverfahren zu verwendende Strahlung ist, und
• f) die Reste der strahlungsempfindlichen Schicht zusammen mit den darauf befindlichen Teilen der dritten Schicht abgehoben werden,

dadurch gekennzeichnet, daß
die erste Schicht eine UV-Strahlen reflektierende Schicht ist,
daß das strahlungsempfindliche Gemisch gegen UV-Strahlung empfindlich ist, und die bildmäßige Bestrahlung mit UV-Strahlen durchgeführt wird,
daß die Dicke der strahlungsempfindlichen Schicht das 1,5fache der Dicke der dritten Schicht ist, und
daß die Dicke der ersten Schicht ein Drittel der Dicke der dritten Schicht beträgt.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß g) der verbleibende Teil der ersten Schicht entfernt wird.

3. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 2, dadurch gekennzeichnet, daß als erste Schicht eine Aluminiumschicht verwendet wird.

4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die bei dem Lithographieverfahren zu verwendende Strahlung Röntgenstrahlung ist, und daß das für diese Strahlung undurchlässige Material Gold ist.

5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß das Gold durch Aufdampfen im Vakuum aufgebracht wird.

6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß vor dem Aufdampfen des Goldes eine dünne Chromschicht durch Aufdampfen im Vakuum aufgebracht wird.

7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß der Schichtträger ein durch Wärme aushärtbares Polyimid oder Polyethylenterephthalat ist.

8. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Aluminiumschicht 0,2 µm dick, die strahlungsempfindliche Schicht 0,9 µm dick und die Goldschicht 0,6 µm dick ist.