DE3009873A1 - Photoempfindliche masse - Google Patents
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- DE3009873A1 DE3009873A1 DE19803009873 DE3009873A DE3009873A1 DE 3009873 A1 DE3009873 A1 DE 3009873A1 DE 19803009873 DE19803009873 DE 19803009873 DE 3009873 A DE3009873 A DE 3009873A DE 3009873 A1 DE3009873 A1 DE 3009873A1
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- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 108
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 108
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 claims description 62
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 60
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 56
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 41
- WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N Formaldehyde Chemical compound O=C WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 29
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 10
- 238000009833 condensation Methods 0.000 claims description 10
- QHPQWRBYOIRBIT-UHFFFAOYSA-N 4-tert-butylphenol Chemical compound CC(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 QHPQWRBYOIRBIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 230000005494 condensation Effects 0.000 claims description 8
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 6
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 5
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims description 5
- CPEXFJVZFNYXGU-UHFFFAOYSA-N 2,4,6-trihydroxybenzophenone Chemical compound OC1=CC(O)=CC(O)=C1C(=O)C1=CC=CC=C1 CPEXFJVZFNYXGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 4
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 4
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims description 4
- 150000008442 polyphenolic compounds Polymers 0.000 claims description 4
- ISAVYTVYFVQUDY-UHFFFAOYSA-N 4-tert-Octylphenol Chemical compound CC(C)(C)CC(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 ISAVYTVYFVQUDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- JPYHHZQJCSQRJY-UHFFFAOYSA-N Phloroglucinol Natural products CCC=CCC=CCC=CCC=CCCCCC(=O)C1=C(O)C=C(O)C=C1O JPYHHZQJCSQRJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- QCDYQQDYXPDABM-UHFFFAOYSA-N phloroglucinol Chemical compound OC1=CC(O)=CC(O)=C1 QCDYQQDYXPDABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229960001553 phloroglucinol Drugs 0.000 claims description 2
- 239000012965 benzophenone Substances 0.000 claims 1
- NEEHYRZPVYRGPP-IYEMJOQQSA-L calcium gluconate Chemical compound [Ca+2].OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C([O-])=O.OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C([O-])=O NEEHYRZPVYRGPP-IYEMJOQQSA-L 0.000 claims 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 29
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 description 16
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 16
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 14
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 13
- RLSSMJSEOOYNOY-UHFFFAOYSA-N m-cresol Chemical compound CC1=CC=CC(O)=C1 RLSSMJSEOOYNOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- -1 amide compounds Chemical class 0.000 description 10
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 10
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 10
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 10
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 10
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 9
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 8
- 239000002585 base Substances 0.000 description 8
- 239000007859 condensation product Substances 0.000 description 8
- XLLIQLLCWZCATF-UHFFFAOYSA-N 2-methoxyethyl acetate Chemical compound COCCOC(C)=O XLLIQLLCWZCATF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 6
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 6
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 description 5
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 5
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 4
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004115 Sodium Silicate Substances 0.000 description 4
- 239000008199 coating composition Substances 0.000 description 4
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 4
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 4
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 description 4
- 239000000047 product Substances 0.000 description 4
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 4
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 4
- NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N sodium silicate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Si]([O-])=O NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052911 sodium silicate Inorganic materials 0.000 description 4
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WVDDGKGOMKODPV-UHFFFAOYSA-N Benzyl alcohol Chemical compound OCC1=CC=CC=C1 WVDDGKGOMKODPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 3
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 3
- WSFSSNUMVMOOMR-NJFSPNSNSA-N methanone Chemical compound O=[14CH2] WSFSSNUMVMOOMR-NJFSPNSNSA-N 0.000 description 3
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 3
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 3
- 235000019795 sodium metasilicate Nutrition 0.000 description 3
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 3
- KETQAJRQOHHATG-UHFFFAOYSA-N 1,2-naphthoquinone Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C(=O)C=CC2=C1 KETQAJRQOHHATG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JESXATFQYMPTNL-UHFFFAOYSA-N 2-ethenylphenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1C=C JESXATFQYMPTNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 2-methylphenol;3-methylphenol;4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1.CC1=CC=CC(O)=C1.CC1=CC=CC=C1O QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000742 Cotton Polymers 0.000 description 2
- 206010012442 Dermatitis contact Diseases 0.000 description 2
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 2
- 150000001733 carboxylic acid esters Chemical class 0.000 description 2
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 2
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 2
- 229920002301 cellulose acetate Polymers 0.000 description 2
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 2
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 2
- 229930003836 cresol Natural products 0.000 description 2
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol Natural products OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hydrogen chloride Substances Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000041 hydrogen chloride Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000004356 hydroxy functional group Chemical group O* 0.000 description 2
- QWVGKYWNOKOFNN-UHFFFAOYSA-N o-cresol Chemical compound CC1=CC=CC=C1O QWVGKYWNOKOFNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GJYCVCVHRSWLNY-UHFFFAOYSA-N ortho-butylphenol Natural products CCCCC1=CC=CC=C1O GJYCVCVHRSWLNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IWDCLRJOBJJRNH-UHFFFAOYSA-N p-cresol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1 IWDCLRJOBJJRNH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- WQGWDDDVZFFDIG-UHFFFAOYSA-N pyrogallol Chemical compound OC1=CC=CC(O)=C1O WQGWDDDVZFFDIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 2
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 2
- KVCGISUBCHHTDD-UHFFFAOYSA-M sodium;4-methylbenzenesulfonate Chemical compound [Na+].CC1=CC=C(S([O-])(=O)=O)C=C1 KVCGISUBCHHTDD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 150000003459 sulfonic acid esters Chemical class 0.000 description 2
- 150000003739 xylenols Chemical class 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- LNAZSHAWQACDHT-XIYTZBAFSA-N (2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-dimethoxy-2-(methoxymethyl)-3-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-trimethoxy-6-(methoxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[(2r,3r,4s,5r,6r)-4,5,6-trimethoxy-2-(methoxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxane Chemical compound CO[C@@H]1[C@@H](OC)[C@H](OC)[C@@H](COC)O[C@H]1O[C@H]1[C@H](OC)[C@@H](OC)[C@H](O[C@H]2[C@@H]([C@@H](OC)[C@H](OC)O[C@@H]2COC)OC)O[C@@H]1COC LNAZSHAWQACDHT-XIYTZBAFSA-N 0.000 description 1
- WOAHJDHKFWSLKE-UHFFFAOYSA-N 1,2-benzoquinone Chemical compound O=C1C=CC=CC1=O WOAHJDHKFWSLKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940105324 1,2-naphthoquinone Drugs 0.000 description 1
- HTQNYBBTZSBWKL-UHFFFAOYSA-N 2,3,4-trihydroxbenzophenone Chemical compound OC1=C(O)C(O)=CC=C1C(=O)C1=CC=CC=C1 HTQNYBBTZSBWKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MVRPPTGLVPEMPI-UHFFFAOYSA-N 2-cyclohexylphenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1C1CCCCC1 MVRPPTGLVPEMPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CYEJMVLDXAUOPN-UHFFFAOYSA-N 2-dodecylphenol Chemical compound CCCCCCCCCCCCC1=CC=CC=C1O CYEJMVLDXAUOPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ABMULKFGWTYIIK-UHFFFAOYSA-N 2-hexylphenol Chemical compound CCCCCCC1=CC=CC=C1O ABMULKFGWTYIIK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZRUOTKQBVMWMDK-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxy-6-methylbenzaldehyde Chemical compound CC1=CC=CC(O)=C1C=O ZRUOTKQBVMWMDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CRBJBYGJVIBWIY-UHFFFAOYSA-N 2-isopropylphenol Chemical compound CC(C)C1=CC=CC=C1O CRBJBYGJVIBWIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WJQOZHYUIDYNHM-UHFFFAOYSA-N 2-tert-Butylphenol Chemical compound CC(C)(C)C1=CC=CC=C1O WJQOZHYUIDYNHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PYSRRFNXTXNWCD-UHFFFAOYSA-N 3-(2-phenylethenyl)furan-2,5-dione Chemical compound O=C1OC(=O)C(C=CC=2C=CC=CC=2)=C1 PYSRRFNXTXNWCD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M Bisulfite Chemical compound OS([O-])=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IGFHQQFPSIBGKE-UHFFFAOYSA-N Nonylphenol Natural products CCCCCCCCCC1=CC=C(O)C=C1 IGFHQQFPSIBGKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- 229920002845 Poly(methacrylic acid) Polymers 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Propanedioic acid Natural products OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DBMJMQXJHONAFJ-UHFFFAOYSA-M Sodium laurylsulphate Chemical compound [Na+].CCCCCCCCCCCCOS([O-])(=O)=O DBMJMQXJHONAFJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229920002125 Sokalan® Polymers 0.000 description 1
- 229920000147 Styrene maleic anhydride Polymers 0.000 description 1
- 150000001242 acetic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- ZOIORXHNWRGPMV-UHFFFAOYSA-N acetic acid;zinc Chemical compound [Zn].CC(O)=O.CC(O)=O ZOIORXHNWRGPMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 239000003463 adsorbent Substances 0.000 description 1
- 230000001476 alcoholic effect Effects 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000129 anionic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000003945 anionic surfactant Substances 0.000 description 1
- 235000019445 benzyl alcohol Nutrition 0.000 description 1
- LLEMOWNGBBNAJR-UHFFFAOYSA-N biphenyl-2-ol Chemical compound OC1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 LLEMOWNGBBNAJR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000012876 carrier material Substances 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- ZXJXZNDDNMQXFV-UHFFFAOYSA-M crystal violet Chemical compound [Cl-].C1=CC(N(C)C)=CC=C1[C+](C=1C=CC(=CC=1)N(C)C)C1=CC=C(N(C)C)C=C1 ZXJXZNDDNMQXFV-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- MOTZDAYCYVMXPC-UHFFFAOYSA-N dodecyl hydrogen sulfate Chemical compound CCCCCCCCCCCCOS(O)(=O)=O MOTZDAYCYVMXPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940043264 dodecyl sulfate Drugs 0.000 description 1
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 1
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005470 impregnation Methods 0.000 description 1
- MOUPNEIJQCETIW-UHFFFAOYSA-N lead chromate Chemical compound [Pb+2].[O-][Cr]([O-])(=O)=O MOUPNEIJQCETIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UEGPKNKPLBYCNK-UHFFFAOYSA-L magnesium acetate Chemical compound [Mg+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O UEGPKNKPLBYCNK-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000011654 magnesium acetate Substances 0.000 description 1
- 229940069446 magnesium acetate Drugs 0.000 description 1
- 235000011285 magnesium acetate Nutrition 0.000 description 1
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 description 1
- 229920000609 methyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000001923 methylcellulose Substances 0.000 description 1
- 235000010981 methylcellulose Nutrition 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 description 1
- SNQQPOLDUKLAAF-UHFFFAOYSA-N nonylphenol Chemical compound CCCCCCCCCC1=CC=CC=C1O SNQQPOLDUKLAAF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- NRZWYNLTFLDQQX-UHFFFAOYSA-N p-tert-Amylphenol Chemical compound CCC(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 NRZWYNLTFLDQQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002467 phosphate group Chemical group [H]OP(=O)(O[H])O[*] 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 1
- 239000004584 polyacrylic acid Substances 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940079877 pyrogallol Drugs 0.000 description 1
- 239000012265 solid product Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 150000003460 sulfonic acids Chemical class 0.000 description 1
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004246 zinc acetate Substances 0.000 description 1
- 235000013904 zinc acetate Nutrition 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G8/00—Condensation polymers of aldehydes or ketones with phenols only
- C08G8/28—Chemically modified polycondensates
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/022—Quinonediazides
- G03F7/023—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders
- G03F7/0233—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders characterised by the polymeric binders or the macromolecular additives other than the macromolecular quinonediazides
- G03F7/0236—Condensation products of carbonyl compounds and phenolic compounds, e.g. novolak resins
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Description
Beschreibung
Die Erfindung betrifft photoempfindliche Massen, die für photomechanische Verfahren und photoempfindliche Kopierverfahren
geeignet sind. Sie betrifft insbesondere photoempfindliche Massen, die ein neues photoempfindliches Harz
enthalten, das hergestellt worden ist, indem man ein spezifisches, alkalilösliches, co-kondensiertes Novolakharz (das
im folgenden als "co-kondensiertes Novolakharz" bezeichnet wird) mit einer o-Chinondiazido-Verbindung kondensiert. Sie
betrifft weiterhin photoempfindliche Massen, die das cokondensierte Novolakharz und eine photoempfindliche
o-Chinondiazido-Verbindung vermischt damit enthalten.
Es ist gut bekannt, daß o-Benzochinondiazido- und o-Naphthochinondiazido-Verbindungen
als photoempfindliche Substanzen für photomechanische und photoempfindliche Kopierverfahren
geeignet sind. Diese o-Chinondiazidoverbindungen sind ebenfalls in Form ihrer Sulfonsäuren und Carbonsäuren nützlich.
Sulfonsäureester und Carbonsäureester dieser o-Chinondiazidoverbindungen und verschiedene, Hydroxy enthaltende Verbindungen
und Amidverbindungen, die aus solchen Diazidoverbindungen und verschiedenen Aminen hergestellt werden,
sind auf ähnliche Weise als photoempfindliche Materialien nützlich.
Die oben erwähnten ο-Chinondiazideverbindungen besitzen die
Eigenschaften, daß sie sich bei der Einwirkung von Licht unter Bildung freier Carboxylgruppen zersetzen. Wird ein
Überzug aus solchen Verbindungen dem Licht ausgesetzt und dann mit einer wäßrigen Alkalilösung, wie einer Lösung
aus Natrium-tert.-phosphat, behandelt, so löst sich der
belichtete Teil ab und gibt die Bildfläche frei.
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Werden solche Verbindungen jedoch als einzige photoempfindliche
Materialien verwendet, trennen sie sich in Form von Kristallen ab und ergeben keine zufriedenstellenden Überzüge.
Sie ergeben weiterhin Bildflächen mit niedriger mechanischer Festigkeit. Es ist daher ebenfalls bekannt,
ο-Chinondiazidoverbindungen, vermischt mit alkalilöslichen
Harzen, wie Phenolnovolakharz, auf solche Weise zu verwenden, daß die Alkalibeständigkeit des nichtbelichteten Teils
ausgenutzt wird, um zu verhindern, daß sich das alkalilösliche Harz in der Alkalilösung löst und somit Bilder bildet.
Dieses Verfahren wird oft aus wirtschaftlichen Gründen verwendet.
Insbesondere bei Anwendungen, bei denen das auf einem Metallgrundmaterial
gebildete Bild einem Ätzvorgang unterworfen und das auf der Druckplatte gebildete Bild als solches
verwendet wird, ist es kritisch, ein alkalilösliches Harz mit guten Eigenschaften als Träger für die o-Chinondiazidoverbindungen
zu verwenden, da dadurch eine Kristallisation der photoempfindlichen Schicht verhindert wird
und Bilder mit einer verbesserten mechanischen Festigkeit erhalten werden. Für den gleichen Zweck wird in der US-PS
3 046 120 ein Polymer beschrieben, das durch Kondensation von ο-Benzochinondiazide-sulfonylchlorid oder o-Naphthochinondiazido-sulfonylchlorid
mit einem alkalilöslichen Phenol-Formaldehyd-Harz des Novolaktyps oder einem o- oder m-Cresol-Formaldehyd-Harz erhalten worden ist. Die
beschriebene Verbindung ergibt jedoch keine Bilder mit der gewünschten Festigkeit, da die Bildfläche sich in wäßriger
Alkalilösung ablöst und gegenüber dem Grundmaterial eine schlechte Adhäsion zeigt. Außerdem ist die Fettempfindlichkeit
der Bildflächen schlecht.
Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, die Nachteile der bekannten photoempfindlichen Massen der be-
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schriebenen Art zu beseitigen und photoempfindliche Massen
zur Verfugung zu stellen, die photoempfindliche Materialien ergeben, die eine hohe Beständigkeit gegenüber wäßrigen
Alkalilösungen in den nichtbelichteten Flächen ergeben, wenn sie mit Licht belichtet worden sind. Weiterhin sollen
Druckplattenmaterialien mit hoher Fett- bzw. ölempfindlichkeit zur Verfügung gestellt werden, die während langer Zeiten
gelagert werden können, ohne daß sich die Photoempfindlichkeit
und die Entwicklungseigenschaften merklich verändern.
Gegenstand der Erfindung sind photoempfindliche Massen, die als wesentliche Komponente ein alkalilösliches co-kondensiertes
Novolakharz enthalten, das durch Kondensation von mindestens einer Verbindung der allgemeinen Formel (I)
(D
worin R eine Alkylgruppe mit 3 bis 12 Kohlenstoffatomen oder eine Phenylgruppe bedeutet,
mindestens einem Phenol und/oder seinen methylsubstituierten Derivaten und Formaldehyd erhalten worden ist, wobei
das co-kondensierte Novolakharz in Form eines neuen Harzes verwendet wird, das mit o-Chinondiazido-sulfon (oder
carbon)-säure kondensiert ist, oder wobei es im Gemisch mit einer photoempfindlichen o-Chinondiazidoverbindung
zusammen verwendet wird.
Die bei der vorliegenden Erfindung verwendeten co-kondensierten Novolakharze zeichnen sich dadurch aus, daß die
Harze ein Alkylphenol mit einem relativ hohen Molekulargewicht, das durch die Formel (I)
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(D
dargestellt wird, worin R eine Alkylgruppe mit 3 12 Kohlenstoffatomen oder eine Phenylgruppe bedeutet,
und mindestens einer Verbindung aus der Gruppe Phenol und seinen methylsubstituierten Derivaten, die ein relativ
niedriges Molekulargewicht besitzen, enthalten. Das Verhältnis der Komponenten, die für die Herstellung der cokondensierten
Novolakharze verwendet werden, wird entsprechend den gewünschten Eigenschaften, z.B. der Entwicklungseigenschaft in Anwesenheit von Alkali oder der Fettempfindlichkeit,
ausgewählt. Für die Herstellung der cokondensierten Novolakharze sollte das Molverhältnis von
mindestens einem Alky!phenol der Formel (i) zu mindestens
einer Verbindung aus der Gruppe Phenol und seinen methylsubstituierten Derivaten 1:9 bis 9:1 betragen. Genauer gesagt,
beträgt das obige Verhältnis bevorzugt 4:6 bis 8:2 bei Anwendungen, wo eine gute Fettempfindlichkeit wesentlich
ist, wie von Druckplatten, z.B. prä-sensibilisierten
Druckplatten oder typographischen Druckplatten. Andererseits ist es für zweite Originalplatten für die Vervielfältigung,
wie für Photomasken, bei denen stabile Entwicklungseigenschaften gegenüber der Fettempfindlichkeit
bevorzugt sind, bevorzugt, einen geringeren Anteil an Alkylphenol einzusetzen. Das bevorzugte Verhältnis beträgt
dann 1:9 bis 6:4. Eine gute Fettenpfindlichkeit und stabile
Entwicklungseigenschaften werden erhalten, wenn das Verhältnis 4:6bis 6:4 beträgt.
Formaldehyd wird in einer Menge verwendet, wie sie normalerweise zur Herstellung phenolischer Harze eingesetzt
wird (vergl. beispielsweise "Plastics Materials 15»
Phenolic Resins", publiziert am 20. Januar 1978 von Nikkan Kogyo Shinbunsha, Seiten 141-142). Es werden somit 50 bis
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100 Mol-%, bevorzugt 60 "bis 100 Mol-%, Formaldehyd, bezogen
auf die Gesamtzahl der Mole an Alky!phenol, und Phenol
und/oder methylsubstituiertem Phenol verwendet.
Spezifische Beispiele von Verbindungen der Formel (I), die für die Herstellung der co-kondensierten Novolakharze nützlich
sind, sind Phenylphenol, Cyclohexylphenol, Isopropylphenol,
tert.-Buty!phenol, n-Butylphenol, tert.-Amylphenol,
n-Amy!phenol, tert.-Octylphenol, Nonylphenol,
Dodecylphenol, Hexylphenol usw.. Die Alkyl- oder Phenylgruppe
dieser Verbindungen steht bevorzugt in der p-Stellung, relativ zu der Hydroxygruppe.
Beispiele nützlicher, methylsubstituierter Phenole sind monomethylsubstituierte Derivate, wie p-Cresol, o-Cresol
und m-Cresol, und Dimethylphenole, nämlich Xylenole.
Das Alkylphenol, Phenol und/oder methylsubstituierte Phenol
und Formaldehyd werden in üblicher Weise in Anwesenheit eines üblichen sauren Katalysators, wie Chlorwasserstoff
säure, Oxalsäure, Zinkacetat oder Magnesiumacetat, unter Bildung eines co-kondensierten Novolakharzes kondensiert.
Die Reaktion wird bei an sich bekannten Bedingungen durchgeführt. Ein solches Harz wird auf folgende Art hergestellt.
Die folgenden Ausgangsmaterialien werden in einen 1 1 Dreihalskolben, der mit abgesiegeltem Rührer, Kühler und
Thermometer ausgerüstet ist, gegeben.
Phenol 2,3 Mol
p-tert.-Butylphenol 2,4 Mol
Formaldehyd (d.h.37%iges Formalin) 3,9 Mol
35/^ige Chlorwasserstoff säure 0,5 ml
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Das Gemisch wird 8 h bei 10O0C gerührt. Das Reaktionsgemisch
wird dann bei 180 bis 1900C in einem Vakuum zur Entfernung
von nichtumgesetztem Formaldehyd, Monomer und Wasser erhitzt, wobei man ein co-kondensiertes Novolakharz
in einer Ausbeute von 110%, bezogen auf p-tert.-Butylphenol
und Phenol, erhält.
Die Kondensationsprodukte können auf gleiche Weise wie oben unter Verwendung der anderen, oben als Beispiele aufgeführten
Alkylphenole hergestellt werden.
Die neuen erfindungsgemäßen photoempfindlichen o-Chinondiazidoverbindungen
sind photoempfindliche Harze, die durch Kondensation des obigen co-kondensierten Novolakharzes
mit einer ο-Chinondiazidoverbindung der folgenden
Formel (II) oder (III)
(H) X-K IJ (HD
worin X für -SOpY oder -COY steht, in denen Y eine abspaltbare Gruppe bedeutet, in einer Menge von 20 bis 100 Mol-96,
bezogen auf die Hydroxygruppen in dem Harz, erhalten werden. Die Gruppe Y ist in der Formel eine Gruppe, die
leicht mit der Hydroxygruppe der Phenolverbindungen reagiert und bei der Umsetzung damit entfernt wird. Beispiele
sind Halogenatome, aktive Imidogruppen usw..
Gute Ergebnisse können unter Verwendung von Verbindungen der Formel (II) mit einem Substituenten X in der 4-Stellung
und Verbindungen der Formel (III) mit dem Substituenten in der 4- oder 5-Stellung erhalten werden.
Beispiele bevorzugter Verbindungen der Formel (II) sind 1,2-Benzochinondiazido(2)-4-sulfonylchlorid, 1,2-Benzo-
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chinondiazido(2)-^-carbonylchlorid usw.. Beispiele bevorzugter
Verbindungen der Formel (III) sind 1,2-Naphthochinondiazido(2)-5-sulfonylchlorid,
1,2-Naphthochinondiazido(2)-4-sulfonylchlorid, 1,2-Naphthochinondiazido(2)-5-carbonylchlorid,
1,2-Naphthochinondiazido(2)-4-carbonylchlorid usw..
Die Kondensation des co-kondensierten Novolakharzes mit der ο-Chinondiazidoverbindung der Formel (II) oder (III)
erfolgt in einem organischen Lösungsmittel, wie Aceton, welches mit Wasser mischbar ist, oder in einem Gemisch aus
einem solchen Lösungsmittel und Wasser in Anwesenheit einer Base, wie Natriumcarbonat oder Pyridin, bei einer relativ
niedrigen Temperatur, wie Zimmertemperatur.
o-Chinondiazidosulfonyl- oder o-Chinondiazidocarbonylgruppen
werden in das co-kondensierte Novolakharz in einer Menge von etwa 20 bis etwa 100 Mol%, bevorzugt etwa 20
bis etwa 80 Mol-%, bezogen auf die Hydroxygruppen in dem
Harz, eingearbeitet. Sind weniger als 20 Mol-% solcher
Gruppen vorhanden, so wird der Unterschied zwischen der Alkalilöslichkeit zwischen der belichteten Fläche und der
unbelichteten Fläche geringer. Mengen über 80 Mol-% ergeben
kein entsprechend verbessertes Ergebnis und sind nicht vorteilhaft.
Ein Kondensationsprodukt wird aus dem co-kondensierten Novolakharz und einem ο-Naphthochinondiazidosulfonylchlorid
zum Beispiel auf folgende Weise hergestellt.
24 g des gemäß Herstellungsbeispiel A erhaltenen,co-kondensierten
Harzes und 27 g 1,2-Naphthochinondiazido(2)-5-sulfonylchlorid
werden in 400 ml Aceton gelöst. 55 ml einer 1N Natriumcarbonatlösung werden tropfenweise unter
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Rühren bei Zimmertemperatur zu der Lösung gegeben, wobei der pH-Wert der entstehenden Mischung bis zu 8 gehalten
wird. Das Reaktionsgemisch wird in 1 1 3N HCl-Lösung
zur Ausfällung eines öligen Produkts gegossen, das durch Abdekantieren abgetrennt wird und mit einer großen Wassermenge
für die Verfestigung gerührt wird. Das feste Produkt wird abfiltriert, mit Methanol gewaschen und anschließend
bei einer Temperatur bis zu 450C getrocknet. Die Ausbeute
beträgt 27,4 g.
Das so erhaltene, photoempfindliche Harz ist eine neue
Substanz und für photoempfindliche Massen nützlich.
Die neuen photoempfindlichen Harze, die z.B. nach dem obigen
erfindungsgemäßen Verfahren hergestellt worden sind, sind chemisch gebundene Produkte zwischen einer o-Chinondiazidosulfonsäure
oder einer o-Chinondiazidocarbonsäure und einem co-kondensierten Novolakharz, das ein Alkylphenol
als phenolische Komponente enthält, so daß, wenn die Harze dem Licht ausgesetzt werden, die belichtete
Fläche schnell mit einer wäßrigen Alkalilösung entwickelt werden kann, während die nichtbelichtete Fläche ihre hohe
Alkalibeständigkeit beibehält. In der Tat wird das gebildete Bild nicht zusammenbrechen, selbst wenn es in eine
Lösung mit einem pH-Wert von etwa 13 während einer längeren Zeit eingetaucht wird. Die photoempfindlichen Harze
besitzen eine gute LagerungsStabilität und können überragend gute Überzüge ergeben. Da die Harze einen Substituenten
einverleibt enthalten, der gegenüber Öl eine gute Affinität besitzt, besitzt die Bildfläche ebenfalls eine
überlegene Fett- bzw. Ölempfindlichkeit, Säurebeständigkeit
und mechanische Festigkeit. Das Harz kann mit bekannten Novolakharzen in beliebigem Verhältnis vermischt
werden.
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Bei der vorliegenden Erfindung können bekannte, photoempfindliche ο-Chinondiazidoverbindungen zusätzlich zu den
neuen photoempfindlichen Harzen verwendet werden. Beispiele
solcher Verbindungen sind Sulfonsäureester, Carbonsäureester, Sulfonsäureamide, Carbonsäureamide usw.,
hergestellt durch Kondensation von Verbindungen der Formel (II) oder (III) mit Verbindungen, die Hydroxy- oder Aminogruppen
enthalten. Spezifischere Beispiele nützlicher o-Chinondiazidoverbindungen sind ein Kondensationsprodukt
von o-Naphthochinondiazido-sulfonylchlorid mit einem bekannten,
alkalilöslichen Phenolnovolakharz, ein Reaktionsprodukt von o-Naphthochinondiazido-sulfonylchlorid mit
Phloroglucin, 2,3,4-Trihydroxybenzophenon, 2,4,6-Trihydroxybenzophenon
oder Polyhydroxyphenol (Reaktionsprodukt von Aceton und Pyrogallol), ein Kondensationsprodukt von o-Benzochinondiazido-sulfonylchlorid
mit einem üblichen Phenolnovolakharz, usw..
Die erfindungsgemäßen photoempfindlichen Massen bzw. Zusammensetzungen
(diese Ausdrücke werden in der vorliegenden Anmeldung synonym verwendet) werden im folgenden näher
erläutert.
Eine Art von photoempfindlichen Massen enthält mindestens eines der neuen photoempfindlichen Harze und geeignete
Zusatzstoffe und liegt normalerweise in Form einer flüssigen Überzugszusammensetzung vor. Solche flüssigen Überzugszusammensetzungen
werden hergestellt, indem man geeignete Zusatzstoffe mit dem photoempfindlichen Harz vermischt
und das Gemisch in einem geeigneten organischen Lösungsmittel löst. Beispiele geeigneter Lösungsmittel
sind Aceton, Methyläthylketon, Äthylenglykolester, Cellosolve,
Cellosolveacetate, Dioxan, Butylacetat und ähnliche Acetate, Gemische von mindestens zwei dieser Lösungsmittel,
usw.. Die Konzentration an photoempfindlichem Harz
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in dem Lösungsmittel beträgt z.B. 1 bis 30 Ge\r.%, bevorzugt
1 bis 15 Gew.%.
Beispiele verwendbarer Zusatzstoffe sind polymere Materialien, Farbstoffe, Pigmente, Sensibilisatoren usw.
Beispiele geeigneter polymerer Materialien sind Cellulosederivate,
wie Äthylcellulose, Methylcellulose, Propylcellulose
und Halbester von Celluloseacetat; Acrylharze, wie Polyacrylsäure(ester), Polymethacrylsäure(ester) und
Copolymere von Acrylsäure und Acrylsäure, die eine alkoholische Hydroxylgruppe enthält; Maleinsäurecopolymere,
wie Styrol-Maleinsäureanhydrid-Copolymere und Methylvinyläther-Maleinsäureanhydrid-Copolymer.
Diese Materialien verleihen der Masse eine gute Anwendbarkeit und verleihen dem entstehenden Überzug eine verbesserte Säurebeständigkeit,
Korrosionsbeständigkeit und Festigkeit.
Beispiele geeigneter Pigmente sind Chromgelb und Ruß. Diese Pigmente bewirken, daß die Bilder sichtbarer werden,
und verleihen dem Bild für die Herstellung von Negativen Lichtabschirmungseigenschaften. Für diesen Zweck sind
andere Pigmente und Farbstoffe ebenfalls nützlich.
Die erfindungsgemäßen Massen können weiterhin an sich bekannte alkalilösliche Phenolnovolakharze, wie Cresolharze,
Alkylphenolharze, Vinylphenolharze, usw., enthalten. Wird
eine Masse, die ein solches Harz in einer geeigneten Menge enthält, mit Licht belichtet, so wird die belichtete Fläche
eine auf geeignete Weise eingestellte Löslichkeit in einer wäßrigen Alkalilösung aufweisen.
Die erfindungsgemäßen Massen können weiter ein Kondensationsprodukt
einer bekannten photoempfindlichen o-Chinondiazidoverbindung
mit einem üblichen alkalilöslichen Phenolnovolakharz
enthalten.
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In den photoempfindlichen Massen sind diese Zusatzstoffe
(polymere Materialien, Pigmente, Sensibilisatoren usw.) normalerweise in einer Menge bis zu 600 Gew.Teilen, bevorzugt
bis zu 300 Gew.Teilen, pro 100 Gew.Teile photoempfindliches
Harz eingearbeitet.
Die erfindungsgemäßen Massen des anderen Typs enthalten mindestens eines der co-kondensierten Novolakharze und damit
vermischt eine photoempfindliche o-Chinondiazidoverbindung. Geeignete photoempfindliche o- Chinondiazidoverbindungen
sind die zuvor erwähnten neuen photoempfindlichen Harze, die durch Kondensation eines co-kondensierten
Novolakharzes mit einer o-Chinondiazidoverbindung erhalten worden sind, und die bekannten, oben erwähnten, photoempfindlichen
o-Chinondiazidoverbindungen. Die Massen dieser Art enthalten ebenfalls geeignete Zusatzstoffe eingearbeitet
und sie sind ebenfalls nützlich in Form flüssiger Überzugsmassen. Solche flüssigen Überzugsmassen werden
hergestellt, indem man ein Gemisch aus co-kondensiertem Ifovolak, photoempfindlicher o-Chinondiazidoverbindung
und geeigneten Zusatzstoffen herstellt und das Gemisch in einem geeigneten Lösungsmittel löst. Nützliche
Lösungsmittel sind solche, wie sie oben für die Massen des ersten Typs angegeben wurden. Die Konzentration an
photoempfindlicher o-Chinondiazidoverbindung in dem Lösungsmittel
beträgt z.B. 1 bis 30 Gew.%, bevorzugt 1 bis
15 Gew.%. Die photoempfindlichen Massen können weiter andere
alkalilösliche Novolakharze eingearbeitet enthalten. Geeignete Zusatzstoffe sind die gleichen polymeren Materialien,
Pigmente, Farbstoffe und Sensibilisatoren, wie sie oben bereits aufgeführt wurden.
Die photo empfindlichen Massen enthalten das co-kondensierte
Novolakharz in einer Menge von 50 bis 600 Gew.Teilen,
bevorzugt 100 bis 400 Gew.Teilen und mehr bevorzugt 100
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bis 200 Gew.Teilen, pro 100 Gew.Teile der o-Chinondia
ζ i do ve rb indung.
Die photoempfindlichen Massen der beiden oben beschriebenen
Arten besitzen eine hohe chemische Stabilität und können daher während längerer Zeiten gelagert werden, ohne
daß sie sich, zersetzen, und auch nach der Lagerung zeigen sie noch ihre hohe Fettstabilität. Die erfindungsgemäßen
Massen sind somit für sehr viele Anwendungen als photoempfindliche
Materialien, z.B. für Reliefs, wie Aufreibplatten oder präsensibilisierte Platten, für Ätzgründe
als Relief und als Intaglio-Druckmaterialien oder für Metallätzmasken, Photomasken, zweite Originalplatten
für die Vervielfältigung oder dergl., nützlich.
Die erfindungsgemäßen photoempfindlichen Massen werden einheitlich
auf die Oberfläche geeigneter Trägermater ja lien, wie Aluminium-, Zink-, Kupfer-und ähnliche Metallplatten,
Polyester-, Polypropylen-, Celluloseacetat- und ähnliche Kunststoffilme, Papier und Laminate aus Papier und jeweils
in Film- oder Metallfolien, -platten oder in Filmform angewendet. Die Massen werden nach einem Rotationsverfahren,
durch Sprühen, durch Imprägnieren oder Beschichten mit einer Wirbe!vorrichtung oder einer Walze
aufgetragen. Nach dem Auftragen wird der Überzug zur Entfernung des organischen Lösungsmittels getrocknet. Auf
die so hergestellte Überzugsoberfläche aus photoempfindlichem Material wird ein Negativ gelegt und dann wird
mit aktiven Strahlen, z.B. mit einer Kohlenstoffbogenlampe,
einer Quecksilberlampe, einer Xenonlampe, einer chemischen Lampe, einer Wolframlampe oder dergl.,bestrahlt.
In der bestrahlten Fläche des Materials wird die o-Chinondiazidoverbindung
durch Licht in Carbonsäure umgewandelt, und diese Fläche löst sich bei der Entwicklung in einer
wäßrigen Alkalilösung.
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ORiGINAL INSPECTED
3009B73
Geeignete wäßrige Alkalilösungen sind z.B. eine wäßrige Lösung aus Natriummetasilikat, Natriumhydroxid, Kaliumhydroxid,
Natriumcarbonat, Natrium-tert.-phosphat oder dergl., eine wäßrige Lösung aus zwei oder mehreren dieser
Verbindungen und ein Gemisch einer solchen wäßrigen Alkalilösung und einem organischen Lösungsmittel, wie Methanol,
Äthanol oder Dioxan, mit oder ohne zugemischtes anionisches oder nichtionisches oberflächenaktives Mittel.
Die Erfindung betrifft somit photoempfindliche Massen, die als photoempfindliches Harz ein Harz enthalten, das
durch Kondensation eines co-kondensierten Novolakharzes aus einem Gemisch von Phenolen, wie einem Gemisch aus
tert.-Butyl(oder tert.-Octyl)-phenol und Phenol und/oder
Cresol und Formaldehyd, mit o-Chinondiazido-sulfon(oder carbon)-säure erhalten worden ist, oder die ein solches
Novolakharz als Zusatzstoff für eine photoempfindliche
ο-Chinondiazidoverbindung enthalten.
Die folgenden Beispiele erläutern die Erfindung. Sofern nicht anders angegeben, sind alle Prozentgehalte durch
das Gewicht ausgedrückt.
Mit Kugeln abgeriebene Aluminiumplatten werden in eine 5-bis 10%ige wäßrige Natrium-tert.-phosphatlösung während
einer ausreichend langen Zeit eingetaucht, mit Wasser gewaschen, dann in 70%ige Salpetersäure eingetaucht, erneut
mit Wasser gewaschen, anschließend in eine 2%ige wäßrige Zirkon-kaliumfluoridlösung während 2 min eingetaucht
und mit Wasser gespült. Die so in hydrophilen Zustand überführten Aluminiumplatten werden dann mit der
folgenden photoempfindlichen Masse mittels einer Wirbelbe
schichtungsvorrichtung beschichtet.
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-ie- 30098^3
Photoempfindliche Masse Gew.Teile
photoempfindliches Harz 6
Novolakphenolharz 9
Methylethylketon 60
Methylcellosolveacetat 25
Das oben aufgeführte, photoempfindliche Harz wird auf gleiche Weise, wie bei den Herstellungsbeispielen A und B beschrieben,
hergestellt, mit der Ausnahme, daß das cokondensierte Novolakharz, das mit 1,2-Naphthochinondiazido(2)-5-sulfonylchlorid
kondensiert wird, ein Verhältnis von p-tert.-Butylphenol-zu-Phenol-Verhältnis aufweist,
wie es in der folgenden Tabelle 1 aufgeführt ist (angegeben als Phenolverhältnis).
Phenolverhältnis des Novolakharzes |
Tabelle 1 | Entwicklungseigen schaften (%) |
|
Beisp. Nr. |
5:5 3:7 1 nur Phenol |
Adhäsion der Druckfarbe |
400 300 50 |
1 2 Vgl.B. |
gut gut schlecht |
||
Die Masse wird auf Platten in einer Dicke von 2,5 /U aufgetragen
und 10 min bei 70°C getrocknet. Ein Negativfilm wird auf die photoempfindliche Schicht von einer der Platten
aufgelegt und 50 see mit Licht unter Verwendung einer 2 kW Quecksilberlampe mit superhohem Druck, die 1 m über der
Platte angeordnet ist, belichtet. Die belichtete Platte wird dann mit einer 4%igen wäßrigen Natriumsilikatlösung
bei 300C entwickelt und mit Wasser gespült. Druckfarbe wird unmittelbar danach auf die so hergestellte Druckplatte
aufgetragen und die Platte wird mehrere Male leicht mit einem Schwamm gerieben, dann mit Wasser gespült und
auf die Adhäsion der Farbe an die Bildfläche geprüft.
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ORIGiNAL .INSPECTED
3009
Wird das gleiche Verfahren wie oben für jedes der Beispiele wiederholt, stellt man fest, daß die erfindungsgemäßen
Platten der Beispiele besser sind als die Masse des Vergleichsbeispiels 1, die unter Verwendung eines photoempfindlichen
Harzes, das nur ein übliches Phenolnovolakharz enthält, hergestellt worden ist.
Es werden weitere belichtete Platten auf gleiche Weise,wie
oben beschrieben, hergestellt und während längerer Zeiten entwickelt, um die Zeit festzustellen, die erforderlich
ist, bis sich die nichtbelichtete Fläche in der Entwicklungslösung aufzulösen beginnt. Die verlängerte Entwicklungszeit
ist in der obigen Tabelle 1 als Prozentgehalt, bezogen auf die normale Entwicklungszeit, bestimmt bei
dem vorherigen Verfahren, angegeben.
Aus Tabelle 1 folgt, daß das photoempfindliche erfindungsgemäße
Harz des positiven Typs eine stabilere Entwicklung sicherstellt, nämlich einen größeren Breitenbereich aufweist
als das bekannte Harz von Vergleichsbeispiel 1. Die aus den erfindungsgemäßen Massen hergestellten Überzüge sind
weiterhin stabiler und fast frei von irgendwelchen Änderungen in den Entwicklungseigens chaf ten selbst nach dem Stehenlassen
während mehrerer Monate bei Zimmertemperatur.
Das gleiche photoempfindliche Harz (1 Gew.Teil), wie es in
Beispiel 1 verwendet wurde, und 2 Gew.Teile eines m-Cresolnovolakharzes
(das im Handel erhältlich ist) werden in 50 Gew.Teilen eines Gemisches aus Methylcellosolveacetat
und Methyläthylketon (1:1) gelöst. Die entstehende, photoempfindliche Masse wird mittels einer Wirbelvorrichtung
auf ein Aluminiumblech, dessen Oberfläche durch Sandblasen aufgerauht wurde, aufgetragen. Die beschichtete Me-
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^ORIGINAL
^ORIGINAL
300SS73
tallplatte wird 3 min mit Licht eines Kohlebogens durch ein transparentes Positiv belichtet, dann mit einer 5%igen
wäßrigen Natriummetasilikatlösung entwickelt und mit Wasser gespült. Die Metallplatte wird auf einer Offsetpresse
zusammen mit einer öligen Druckfarbe verwendet, und man erhält Abdrucke mit guter Farbadhäsion.
58 Gew.Teile p-tert.-Butylphenol und 42 Gew.Teile Phenol
werden auf gleiche V/eise wie in Herstellungsbeispiel A kondensiert. Man erhält 30 Gew.Teile co-kondensiertes Novolakharz,
das weiter mit 40 Gew.Teilen 1,2-Naphthochinondiazido(2)-5-sulfonylchlorid
gemäß dem in Herstellungsbeispiel B beschriebenen Verfahren kondensiert wird. 5 Gew.-Teile
des so erhaltenen photoempfindlichen Harzes, 5 Gew.-Teile
eines photoempfindlichen kondensierten Harzes, hergestellt
aus m-Cresolnovolakharz und 1,2-Naphthochinondiazido(2)-5-sulfonylchlorid,
und 0,2 Gew.Teile Methylviolett werden in 100 Gew.Teilen Methylcellosolve gelöst. Die Lösung
wird zur Herstellung einer photoempfindlichen Masse
filtriert.
Die Masse wird mittels eines Rotationsapplikators auf eine Zinkplatte mit aufgerauhter Oberfläche angewendet und getrocknet.
Es wird ein positiver Film auf den photoempfindlichen Überzug in innigem Kontakt damit gelegt. Die Platte
wird dann in eine Vakuumdruckvorrichtung gegeben, die mit einer fluoreszierenden Lampe ausgerüstet ist, und 2 min
mit Licht belichtet. Die Platte wird mit einer 1,Obigen
wäßrigen Natriumhydroxidlösung zur Entfernung der belichteten Fläche und zur Bildung eines positiven Ätzgrundbildes
darauf mit hoher Säurebeständigkeit entwickelt. Wird sie nach dem pulverfreien Verfahren geätzt, so kann die
Platte als photomechanisches Relief verwendet werden.
0 3 C 0 39/0795
ORIGINAL INSPECTED
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Eine organische Überzugsschicht aus einem alkohollöslichen Polyamid, enthaltend einen roten organischen Farbstoff,
wird in einer Trockendicke von 20/U auf einem biaxial
orientierten Polyäthylenterephthalatfilm hergestellt. Die photoempfindliche Masse des Beispiels 3 wird in einer
Trockendicke von 3/U auf die Polyamidschicht unter Bildung
einer photoempfindlichen Photoätzgrundschicht aufgetragen. Der so erhaltene, photoempfindliche Film wird mit
Licht durch einen Negativfilm während 50 see mit einer 3 kW Hochdruck-Quecksilberlampe in einer Entfernung von
1,5 m von der Platte belichtet. Er wird dann mit einer 5%igen wäßrigen Natriummetasilikatlösung 2 min entwickelt
und anschließend mit Wasser gespült.
Anschließend wird der entwickelte Film leicht mit Adsorbens-Baumwolle
gerieben, die mit einem Gemisch aus Natriumtoluolsulfonat, Alkohol und Wasser imprägniert ist. Dabei wird
die Polyamidschicht vollständig aus dem Polyesterfilm über den belichteten Bildflächen der Photoätzgrundschicht entfernt.
Der entstehende Bildbildungsfilm kann als Original bzw. Matrize für eine photomechanische Platte verwendet werden.
24 Gew.Teile des gleichen co-kondensierten Novolakharzes,
wie es in Herstellungsbeispiel A erhalten wurde, werden mit 16 Gew.Teilen 1,2-Naphthochinondiazido(2)-5-sulfonylchlorid
auf gleiche Weise wie in Herstellungsbeispiel B unter Bildung eines photoempfindlichen Harzes umgesetzt.
2 Gew.Teile Harz und 2 Gew.Teile m-Cresolnovolakharz werden
in 40 Gew.Teilen eines Gemisches aus Methyläthylketon und MethylcellosoIveacetat (2:1) unter Herstellung einer
photoempfindlichen Masse gelöst. Anschließend arbeitet man nach dem Verfahren von Beispiel 3 und erhält zufriedenstellende
Abbildungen.
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_22_ 3009&73
Auf die in Herstellungsbeispiel A beschriebene Weise setzt man 2,0 Mol Phenol, 0,3 Mol m-Cresol, 2,3 Mol
p-tert.-Butylphenol und 3,0 Mol Formaldehyd unter Bildung
eines co-kondensierten Novolakharzes um. Unter Verwendung
dieses Harzes wird gemäß dem Verfahren von Herstellungsbeispiel
B ein photoempfindliches Harz hergestellt.
Das Verfahren von Beispiel 3 wird unter Verwendung des Harzes wiederholt, wobei man gute Abzüge erhält.
Die folgende photoempfindliche Masse wird unter Verwendung
des gleichen co-kondensierten Novolakharzes, wie es in Herstellungsbeispiel A erhalten wurde, hergestellt, filtriert
und dann mittels einer Wirbelvorrichtung auf Alumini umplatten, deren Oberfläche durch Sandblasen aufgerauht
wurde, aufgetragen.
Kondensationsprodukt eines alkalilöslichen Phenol-Novolakharzes und 1,2-Naphthochinondiazido(2)-5-sulfonylchlorid
5 g
das co-kondensierte Novolakharz 10 g
Lösungsmittel (70 Vol-% Methyläthylketon
und 30 Vol-% Methylcellosolve) 100 g
Die beschichteten Platten werden in einem Lufttrockner bei 800C unter Bildung eines 2/u dicken, photoempfindlichen
Überzugs auf den Platten getrocknet. Werden die Platten mehrere Monate an einem dunklen, kühlen Ort gelagert und .anschließend
verwendet, so zeigen die Platten zufriedenstellende Eigenschaften. Eine andere Platte wird 2 min
mit Licht mit einer Superhochdruck-Quecksilberlampe in einer Entfernung von 1,5 m mit einem Negativfilm, der auf
dem Überzug liegt, belichtet. Sie wird dann in eine 5?6ige
Natrium-tert.-phosphatlösung (bei 300C) für die Entwicklung
eingetaucht. Die Platte ist in etwa 1 min vollständig entwickelt.
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Wird eine weitere, belichtete Platte weitere 5 min in die
Entwicklungslösung eingetaucht, so verbleiben die nichtbelichteten
Flächen intakt, ohne daß sie sich auflösen, und man stellt fest, daß sie gegenüber der Alkalilösung hoch
resistent sind. Zum Vergleich wird das gleiche Verfahren wie oben wiederholt, mit der Ausnahme, daß ein Phenolnovolakharz
anstelle des co-kondensierten Novolakharzes verwendet wird. Die Platte ist in etwa 1 min vollständig
entwickelt. Wird die Platte kontinuierlich eine weitere Minute in die Entwicklungslösung eingetaucht, so beginnt
die nichtbelichtete Fläche sich aufzulösen.
Wird die erfindungsgemäß hergestellte Aluminiumplatte, die ein Bild ergibt, für das pianographische Drucken verwendet,
so stellt man fest, daß die Platte eine gute Adhäsion gegenüber der Druckfarbe zeigt und gegenüber Abrieb
sehr beständig ist.
Unter Verwendung des gleichen co-kondensierten Novolakharzes, wie es in Beispiel 8 eingesetzt wurde, wird die folgende
photoempfindliche Masse hergestellt. Unter Verwendung dieser Masse wird eine photoempfindliche Platte auf
gleiche Weise wie in Beispiel 8 hergestellt.
Kondensationsprodukt aus alkalilöslichem Phenolnovolakharz und 1,2-Naphtochinondiazido(2)-5-sulfonylchlorid
(gleich wie in Beispiel 8) 5g
das co-kondensierte Novolakharz 5 g
Phenolnovolakharz ("MP-120", ein Produkt
der Gunei Kagaku K.K., Japan) 5 g
Lösungsmittel (70 Vo1-% Methyläthylketon
und 30 Vol-% Methylcellosolve) 100 g
Ein Negativ wird auf die Beschichtungsoberfläche der photoempfindlichen,
so hergestellten Platte gelegt, so daß es in innigem Kontakt damit ist. Die Platte wird dann mit
Licht aus einer Superhochdruck-Quecksilberlampe in einer
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ORIGINAL INSPECTED
-24- 3009F! 3
Entfernung von 1,5 πι während 2 min belichtet. Anschließend
wird mit einer Lösung der folgenden Zusammensetzung entwickelt. Die belichtete Fläche löst sich ab, und man
erhält ein zufriedenstellendes Bild. Die Platte wird mit "Wasser gespült und in einer Offsetdruckpresse verwendet.
Man erhält eine große Zahl von Abzügen mit gutem Bild. !■lan stellt fest, daß die Platte eine gute Adhäsion gegenüber
der Druckfarbe aufweist.
Zusammensetzung der Entwicklungslösung
Natriumhydroxid 0,2 g
Duponol (iiatriumlaurylsulfat, ein Produkt
der E.I.duPont de Nemours & Co.) 0,5 g
Benzylalkohol 0,5 g
V/asser 98,8 g
Die folgende photoempfindliche Masse wird unter Verwendung
eines co-kondensierten Novolakharzes hergestellt, das durch Co-Kondensation von 3,5 Mol p-tert.-Octylphenol,
1,5 Mol Phenol und 4 Mol Formaldehyd erhalten wurde. Das Verfahren von Beispiel 8 wird wiederholt, wobei man die
Masse verwendet.
1,2-Naphthochinon(2)-5-sulfonat von Polyhydroxyphenol 5 g
das co-kondensierte Novolakharz 6 g
Lösungsmittel (80 Vol-% . Methylethylketon
und 20 Vol-% Methylcellosolveacetat) 100 g
Die erhaltene Druckplatte zeigt eine zufriedenstellende Adhäsion gegenüber der Druckfarbe und eine gute Abriebsbeständigkeit .
Eine organische Überzugsschicht aus einem alkohollöslichen
Polyamid, enthaltend einen roten organischen Farb-
030039/0795
ORIGINAL INSPECTED
stoff, wird in einer Trockendicke von 20 /U auf einen biaxial
orientierten Polyäthylenterephthalatfilm aufgetragen. Die photoempfindliche Masse von Beispiel 8 wird in einer
Trockendicke von 3 /U auf die Polyamidschicht unter Bildung einer photoempfindlichen Pho'toätzgrundschicht aufgetragen.
Der so erhaltene Film wird mit Licht durch einen Negativfilm während 2 min mit einer 3 kW Superhochdruck-Quecksilberlampe
aus einer Entfernung von 1,5m von dem Film belichtet, dann 1 min mit der Entwicklungslösung von
Beispiel 8 entwickelt und anschließend 30 see mit fließendem Wasser gespült. Dann wird der entwickelte Film leicht
mit adsorbierender Baumwolle, die mit einem Gemisch aus Natriumtoluolsulfonat, Alkohol und Wasser imprägniert ist,
gerieben. Dadurch wird die Polyamidechicht vollständig von dem Polyesterfilm über der belichteten Fläche der Photoresist-
bzw. -ätzgrundschicht entfernt. Der entstehende Film, der ein Bild ergibt, ist als Matrize für photomechanische
Platten geeignet.
Das Verfahren von Beispiel 8 wird mit der Ausnahme wiederholt, daß man als photoempfindliches Harz ein alkalilösliches Phenolnovolakharz
und ein Kondensationsprodukt aus PoIyhydroxyphenol und 1,2-Naphthochinondiazido(2)-5-sulfonylchlorid
verwendet. Man erhält eine zufriedenstellende Druckplatte.
Das Verfahren von Beispiel 10 wird mit der Ausnahme wiederholt, daß man anstelle des co-kondensierten Novolakharzes
von Beispiel 10 ein co-kondensiertes Novolakharz verwendet, das durch Co-Kondensation von 2,0 Mol Phenol, 0,3 Mol m-Cresol,
2,3 Mol p-tert.-Butylphenol und 3,0 Mol Formaldehyd
hergestellt wurde. Man erhält ausgezeichnete Druckplatten.
Ende der Beschreibung.
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Claims (15)
1. Photoempfindliche Masse, dadurch gekennzeichnet, daß sie als aktive Komponente ein photoempfindliches Harz
enthält, das durch Kondensation eines alkalilöslichen, cokondensierten Novolakharzes, das durch Kondensation von
einem Gemisch in einem Molverhältnis von 1:9 Ms 9:1 von mindestens einer Verbindung der folgenden Formel (i)
OH
(D
worin R eine Alkylgruppe mit 3 bis 12 Kohlenstoffatomen bedeutet ,
mindestens einer Verbindung aus der Gruppe Phenol und seinen methylsubstituierten Derivaten und Formaldehyd in einer
Menge von 50 bis 100 Mol-?i>, bezogen auf das Phenolgemisch,
hergestellt worden ist, mit einer o-Chinondiazido-Verbindung der folgenden allgemeinen Formel (il) oder (III)
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(II) (III)
worin X für -SO^Y oder eine COY-Gruppe steht, in der Y
eine abspaltbare Gruppe bedeutet,
in einer Menge von 20 bis 100 MoI-JKi, bezogen auf die
Hydroxygruppen in dem Novolakharz, erhalten worden ist.
2. Photoempfindliche Masse nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß das Molverhältnis von der oder den Verbindungen der Formel (I) und dem Phenol und/oder einem
methylsubstituierten Derivat 4:6 bis 6:4 beträgt.
3· Photoempfindliche Masse nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß die o-Chinondiazido-Verbindung der Formel (II) oder (III) in einer Menge von 20 bis 80 Mol-%,
bezogen auf die Hydroxygruppen in dem Novolakharz, verwendet wird.
4. Photoempfindliche Masse nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß man als Verbindung der Formel (i)
p-tert.-Butylphenol oder p-tert.-Octylphenol verwendet.
5. Photoempfindliche Masse nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß man als o-Chinondiazido-Verbindung
1,2-Naphthochinondiazido(2)-5-sulfonylchlorid, 1,2-Naphthochinondiazido(2)-4-sulfonylchlorid,
1,2-Naphthochinondiazido (2)-5-carbonylchlorid oder 1,2-Naphthochinondiazide-(2)-4-carbonylchlorid
verwendet.
6. Photoempfindliche Masse nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß sie weiterhin ein übliches, alkalilösliches
Phenolnovolakharz enthält.
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3009K"3
-D-
7- Photoempfindliche Masse nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß sie 600 Gew.Teile oder weniger Zusatzstoffe auf 100 Gew.Teile photoempfindliches Harz enthält.
8. Photoempfindliche Masse nach Anspruch 7, dadurch
gekennzeichnet, daß die Zusatzstoffe in einer Menge von
300 Gew.Teilen oder weniger, bezogen auf 100 Gew.Teile
des photoempfindlichen Harzes, vorhanden sind.
9. Photoempfindliche Masse, dadurch gekennzeichnet,
daß sie eine photoempfindliche ο-Chinondiazide-Verbindung
und mindestens ein alkalilösliches, co-kondensiertes Novolakharz
enthält, das durch Kondensation eines Gemisches in einem Molverhältnis von 1:9 bis 9:1 von mindestens einer
Verbindung der folgenden Formel (i)
OH
R (D
worin R eine Alkylgruppe mit 3 bis 12 Kohlenstoffatomen oder eine Phenylgruppe bedeutet,
und mindestens einer Verbindung aus der Gruppe Phenol und
seinen methylsubstituierten Derivaten und Formaldehyd in einer Menge von 50 bis 100 Mol-%, bezogen auf das Phenolgemisch,
hergestellt worden ist.
10. Photoempfindliche Masse nach Anspruch 9» dadurch
gekennzeichnet, daß das Molverhältnis der Verbindung(en) der Formel (I) und der Verbindung aus der Gruppe Phenol und
seinen methylsubstituierten Derivaten 4:6 bis 6:4 beträgt.
11. Photoempfindliche Masse nach Anspruch 9, dadurch
gekennzeichnet, daß die Verbindung der Formel (I) p-tert.-Butylphenol
oder p-tert.-Octy!phenol ist.
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12. Photoempfindliche Masse nach Anspruch 9» dadurch gekennzeichnet, daß man als photoempfindliche o-Chinondiazido-Verbindung
ein kondensiertes Produkt aus o-Naphthochinondiazidosulfonylchlorid mit einem üblichen, alkalilöslichen
Phenolnovolakharz; ein kondensiertes Produkt aus
ο-Naphthochinondiazidesulfonylchlorid mit Phloroglucin,
2,3» 4-Trihydroxy-benzophenon, 2,4,6-Trihydroxy-benzophenon oder Polyhydroxyphenol; oder ein kondensiertes Produkt aus o-Benzochinondiazidosulfonylchlorid mit einem an sich bekannten, alkalilöslichen Phenolnovolakharz verwendet.
2,3» 4-Trihydroxy-benzophenon, 2,4,6-Trihydroxy-benzophenon oder Polyhydroxyphenol; oder ein kondensiertes Produkt aus o-Benzochinondiazidosulfonylchlorid mit einem an sich bekannten, alkalilöslichen Phenolnovolakharz verwendet.
13· Photoempfindliche Masse nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß man 50 bis 600 Gew.Teile alkalilösliches,
co-kondensiertes Novokalharz auf 100 Teile photoempfindliche ο-Chinondiazide-Verbindung verwendet.
14. Photoempfindliche Masse nach Anspruch 13, dadurch
gekennzeichnet, daß man 100 bis 400 Gew.Teile alkalilösliches, co-kondensiertes Novolakharz auf 100 Gew.Teile photoempfindliche
ο-chinondiazido-Verbindung verwendet.
15. Photoempfindliche Masse nach Anspruch 13, dadurch
gekennzeichnet, daß man 100 bis 200 Gew.Teile alkalilösliches, co-kondensiertes Novolakharz auf 100 Teile photoempfindliche
o-Chinondiazido-Verbindung verwendet.
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8365 | Fully valid after opposition proceedings | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |