DE29602914U1 - Schaltungsanordnung zur Einschaltstrombegrenzung und zum Überspannungsschutz für ein aktives Oberwellenfilter eines elektronischen Vorschaltgeräts - Google Patents
Schaltungsanordnung zur Einschaltstrombegrenzung und zum Überspannungsschutz für ein aktives Oberwellenfilter eines elektronischen VorschaltgerätsInfo
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Description
10
Claims (6)
mit einem Feldeffekt-Transistor (T2), dessen Source-Drain-Strecke zwischen einen Ausgangsanschluß (6") der Schaltungsanordnung (3) und einen Eingangsanschluß (5") der Schaltungsanordnung (3) geschaltet ist, wobei der andere Eingangsanschluß (51) mit dem anderen Ausgangsanschluß (6') direkt verbunden ist,
mit einem Ladekondensator (Cl)5 der parallel zu der Gate-Source-Strecke des Feldeffekt-Transistors (T2) geschaltet ist und der zudem mit der Kollektor-Emitter-Strecke des Bipolar-Transistors (Tl) derart verbunden ist, daß der Ladekondensator (Cl) aufgeladen wird, wenn der Bipolar-Transistor (Tl) sperrt und die Basisspannung des Bipolartransistors (Tl) unterhalb eines bestimmten Basisspannung-Schwellwertes des Bipolar-Transistors (Tl) liegt, bis die Spannung des Ladekondensators (Cl) einen Gatespannung-Schwellwert des Feldeffekt-Transistors (T2) überschreitet, bei dem der Feldeffekt-Transistor (T2) leitend geschaltet wird, so daß der Eingangsanschluß (5") der Schaltungsanordnung (3) mit dem Ausgangsanschluß (6") der Schaltungsanordnung (3) über die leitende Source-Drain-Strecke des Feldeffekt-Transistors (T2) verbunden ist und sich der Ladekondensator (Cl) entlädt und einen Eingangskondensator (C3) des elektronischen Oberwellenfilters (4) auflädt, wobei der Feldeffekt-Trasistor (T2) leitend geschaltet bleibt, bis die an dem Bipolar-Transistor (Tl) anliegende Basisspannung den Schwellwert des Bipolar-Transistors (Tl) überschreitet, wodurch der Bipolar-Transistor (Tl) leitend geschaltet und dadurch der Ladekondensator (Cl) kurzgeschlossen wird, so daß die Gatespannung des Feldeffekt-Transistors (T2) unter den Gatespannung-Schwellwert sinkt und der Feldeffekt-Transistor (T2) gesperrt wird bis die von der Eingangsspannung (Ue) abhängige Basisspannung wieder unter den Basisspannung-Schwellwert des Bipolar-Transistors (Tl) absinkt.
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