DE2953410T1 - Semiconductor device production - Google Patents
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Description
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-I-
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Western Electric Company, Incorporated Lien 3
Halbleitervorrichtungsherstellung
Technischen Gebiet
Diese Erfindung bezieht sich auf die Herstellung von Halbleitervorrichtungen
und insbesondere auf ein Verfahren, das in Beziehung steht zu der Technik des Wärmegradient-Zonenschmelzens, wobei
während des Zonenschmelzens die gewünschten Bedingungen der Temperaturgradienten im gesamten Halbleitermaterial geschaffen
und aufrechterhalten werden.
Hintergrund der Erfindung
Bei der Herstellung von Halbleitervorrichtungen ist es normalerweise
notwendig, den Leitfähigkeitstyp ausgev/ählter Zonen des
Ilalbleiterkörpers durch Dotieren der Zonen mit die Leitfähigkeit
München: R. Kramer Dipl.-Ing. ■ V/. Weser Dipl.-Phys. Dr. rer. nat. ■ E. Hoffmann Dipl.-ing.
Wiesbaden: P.G. Bk;mbath Dipl.-Ing. · P. Beugen Prof. Dr. jur.Dipl.-Iny., Pal.-Ass., Poi.-Amv.bis 1979 · G. Zwirner Dipl.-Ing. Dipl.-W.-Ing.
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-χ-
modifizierenden Fremdstoffatomen zu ändern. Ein solches Dotieren
kann durch verschiedene im Stand der Technik bekannte Methoden durchgeführt werden. Eine solche Methode ist das Zononschmel-
zen mit thermischem Gradienten/thermal gradient zone melting, TGZM) .
Diese Methode kann in einem Körper aus Halbleitermaterial in einem relativ kurzen Zeitraum sehr plötzliche übergänge mit ungewöhnlichen
Strukturen und hohen Dotierungskonzentrationen erzeugen. Frühe Beschreibungen des TGZM und einige seiner Anwendungen
kann man in der US-PS 2 813 04 8, erteilt für W. G. Pfann,
sowie dessen Buch "Zone Melting", Copyright by John Wiley & Sons, Inc. finden.
Wärinegradient-Zonenschmelzen ist ein Verfahren, bei dem eine geringe-Menge
Dotierungsmaterial (im allgemeinen ein Metall) auf einer ausgewählten Oberfläche eines Halbleitermaterials, wie beispielsweise
einem Halbleiterwafer oder -barren, niedergeschlagen wird und der Halbleiterkörper dann bei erhöhter Temperatur
einem Temperaturgradienten ausgesetzt wird. Die Gesamttemperatur, bei der das Verfahren durchgeführt wird, muß ausreichend hoch
sein, um eine metallreiche flüssige Zone in Form einer Linie, eines Tropfens oder einer Fläche zu bilden, wobei die Zone abhängig
von der Anfangsgestalt oder dem Anfangsmuster des niedergeschlagenen metallischen Dotierungsmaterials geschaffen wird.
Diese flüssige Zone wird veranlaßt, von der kälteren Oberfläche zur heißeren Oberfläche hin durch das Halbleitermaterial zu
nachstehend Wärmegradient-Zonenschmelzen genannt
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-χ- k.
wandern, wobei sie in ihrem Weg eine rekristalli^ierte Zone nun
Halbleitermaterial hinterläßt, die das Metall und die feste Lösung innerhalb des Halbleitermaterials in einer Konzentration
enthält, die bestimmt wird durch die Lösbarkeitsgrenze des darin befindlichen Metalls.
Wenn das auf der Eintrittsoberfläche des Wafers befindliche
Dotierungsmaterialmuster durch den gesamten Halbleiterwafer hindurch bis zur gegenüberliegenden Oberfläche des Wafers hin getreu
in einer kristallisierten Dotierungszone oder -region reproduziert werden soll, sollte der Temperaturgradient gleichförmig
sein und eine einheitliche Richtung aufweisen.
Eines der schwierigsten Probleme bei der Anwendung des TGZM bestand
in dem Unvermögen, einen großen gleichförmigen Wärmegradienten über der Dicke eines dünnen fragilen Halbleiterwafers
zu erzeugen, um das Dotierstoffinuster durch den gesamten Wafer
gleichförmig zu reproduzieren. In der Nähe der Kante des Wafers, wo der Wärmeverlust hoch ist, pflegt eine Verzerrung des Wärmegradientens
besonders vorzuherrschen.
Bei einer Methode des TGZM, wie sie in der US-PS 4 001 047 beschrieben
ist, wird Infrarotstrahlung dazu verwendet, einen Wärmegradienten
durch den Halbleiterwafer zu erzeugen. Während dieser
Wärmegradient im größten Teil des Wafers gleichförmig ist, werden die Wärmegradienten jedoch aufgrund des im Vergleich zum Wafer-
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körper zusätzlichen Wärmeverlusts an der Waferkante in ihrer
ansonst gleichförmigen Richtung verzerrt. Diese Verzerrung
wiederum verursacht eine Verzerrung des thermischen T-Janderungsmusters
des Dotierstoffs in der Fläche um die Waferkante, was diesen Bereich
für die Vorrichtungsherstellung ungeeignet macht.
In einem einen Durchmesser von 5 cm aufweisenden n-Typ-Silicium-(111)Wafer
mit 10 - 20 Ohm-cm und einer Dicke von 0,025 cm erstreckt sich der verzerrte, durch Infrarotstrahlung erzeugte
Wärmegradient bis zu 0,63 cm in die Wafermitte, was eine Seitwärtswanderung
der flüssigen Zone in diesen Bereich und die Verminderung der nutzbaren Waferflache um 44 % verursacht.
Hinsichtlich einer anderen Methode zum Erhalten eines gleichförmigen
Wärmegradienten in dem gesamten Halbleiterkörper offenbart die US-PS 3 8 55 967 ein Verfahren, bei dem die Wärmegradientverzerrung
bei der Kante eines dicken Halbleiterbarrens herum minimiert werden kann, im Gegensatz zu einem dünnen Halbleiterwafer.
Dieses Verfahren verwendet einen dieselbe Dicke wie der Halb.le.iterbarren
aufweisenden Schutzring aus Halbleitermaterial, der bezüglich der Unifangskante des Halbleiterbarrens herum beabstandet
angeordnet ist. Ein Erfordernis bei diesem Verfahren besteht darin, daß der Abstand oder die Lücke zwischen dem Schutzring
und dem Halbleiterbarren kleiner sein muß als 1/10 der Dicke des Halbleiterbarrens. Wenn diese Lücke nicht beibehalten wird, wird
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der Schutzring weniger wirksam, und die Wärmeverzerrungsprobleme
sind im Ümfangskantenbereich dos Halbleiterbarrens noch vorhanden.
Für dünne Halbleiterwafer machen das Erfordernis, daß
die Trennung zwischen dem Schutzring und dem Wafer kleiner sein muß als 1/10 der Dicke des Wafers, sowie das Erfordernis, daß
der Halbleiterwafer und der Schutzring koplanar sein müssen, die Verwendung von Schutzringen aus einer Anzahl von Gründen kommerziell
undurchführbar.
Bei einem anderen Verfahren, das in der US-PS 4 035 199 beschrieben
ist, wird das Problem der Wärmegradientverzerrung dadurch angegangen, daß auf ausgewählte Flächenbereiche der Oberfläche
des Wafers Viertelwellen-Absorptionsmaterial niedergeschlagen Wird, um an die Waferkante mehr Wärme zu liefern und so den Wärmeverlust
entlang der Kante zu kompensieren und dadurch die seitwärts Wanderung an der Kante des Wafers zu reduzieren. Dieses
Verfahren jedoch hängt ab von der genauen Dickesteuerung beim Niederschlagen des Viertelwellen-Absorptionsmaterials, und es
macht das Niederschlagen solchen Materials mittels eines separaten zusätzlichen Bearbeitungsschritts erforderlich. Zusätzlich
wird die Wärmeabsorptionsschicht lediglich auf der Oberfläche des Wafers beibehalten und dringt nicht in die Tiefe des VJafers
ein. Dieser Vorgang wäre daher relativ kostspielig zu verwirklichen und schwierig zu steuern und würde nicht zu einer gleichförmigen
Steuerung des Wärmeverlusts über die Dicke des Wafers
hin führen.
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-/-ir
Zusammengefaßt: Die derzeitigen Verfahren der Wärmegradient-Zonenschmclzbehandlung
dünner Halbleiterwafer führen entweder zum Ausschuß eines großen Teils des Halbleiterwafers oder gehen
einher mit einer kostspieligen und/oder schwierig zu steuernden Bearbeitung. Folglich besteht ein großes Verlangen nach einem
Verfahren zum Herabsetzen der Wärmegradicnt-Verzerrungsprobleme
entlang des Umfangskantenabschnitts das Wafers, welches nicht
zu zusätzlichen Wafer-Bearbcitungsschritten führt und welches
einfach steuerbar ist.
Ein Verfahren zum Behandeln eines Halbleiterwafers durch Wärmegradient-Zonenschmelzen
beinhaltet das Auswählen eines geeigneten zu behandelnden Halbleiterwafers und das Niederschlagen
eines für das thermische Wandern durch den Halbleiterwafer geeigneten Metalls in einem gewünschten Muster auf einer ersten
Oberfläche des Wafers. Das Metallmuster auf der ersten Oberfläche des Wafers enthält rund um die Peripherie der ersten Oberfläche
des Wafers angrenzend an die Kante des Wafers einen Ring des Metalls. Eine Wärmequelle ist vorgesehen, um den Halbleiterwafer
zu erhitzen, das Metallmuster zu schmelzen und einen Wärmcgradienten
innerhalb des Halbleiterwafers zu schaffen, um zu verursachen,
daß das sich ergebende geschmolzene Metall durch den
Halbleiterwafer in Richtung auf die zweite Oberfläche des Wafers hin wandert.
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Kurze Beschreibung der Zeichnungen
Fig. 1A ist eine Draufsicht, die die erste Oberfläche eines herkömmlichen Halbleiterwafer mit einer darauf befindlichen
Gitterstruktur des Dotierungsmetalls darstellt;
Fig. 1B ist eine Draufsicht, die den in Fig. 1A gezeigten Wafer von der entgegengesetzten Oberfläche nach thermischer
Wanderung darstellt und die typische Verzerrung des thermisch gewanderten Musters um den äußeren Teil des
Wafers herum zeigt;
Fig. 2A ist eine Draufsicht, die einen Wafer mit einer Gitterstruktur
eines Dotierungsmetalls auf einer Oberfläche und einen Umfangsring des Dotierungsmetalls gemäß der
vorliegenden Erfindung zeigt;
Fig. 2B ist eine Draufsicht des in Fig. 2A gezeigten Wafers auf die gegenüberliegende Oberfläche desselben nach thermischer
Wanderung; und
Fig. 3 ist eine Mikrophotographie eines Teils der zweiten Oberfläche
eines behandelten Halbleiterwafer zu Vergleichszwecken, wobei eine Kante der ersten Oberfläche das Dotierungsmetall
entlang seiner Peripherie enthielt, während
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eine andere Kante das Dotierungsiuetall nicht iin sc-iiif;:
Peripherie enthielt.
Gemäß der Lehre dieser Erfindung wird ein verbessertes Verjähren
zum Behandeln eines Halbleiterwafers durch Wärmegr.idient-Zont-nschmelzen
geschaffen.
Es wird auf Fig. 1A Bezug genommen, wo ein Wafer 10 eines Halbleitermaterials
mit einer ersten Hauptoberfläche 12 gezeigt ir.t,
auf welcher Dotierungsmetall 14 niedergeschlagen ist, das durch
den Wafer 10 thermisch wandern soll. Das Dotierungsmetall liegt auf der ersten Oberfläche 12 in Form eines gewünschten Musters,
das hier die Form einer Gitterstruktur hat, vor. Der Halbleiterwafer 10 von Fig. 1A stellt einen typischen bekannten Halbleiterwafer
dar, der nicht einen peripheren Ring aus Dotierungsmeta.il rund um seine äußere Kante enthält. Fig. 1B zeigt den'Wafer 10
von Fig. 1A unter Betrachtung der der ersten Hauptoberfläche gegenüberliegenden
Hauptoberfläche nach thermischer Wanderung. Gemäß
Fig. 1B kann leicht die typischerweise erhaltene Verzerrung
des thermisch gewanderten Musters um den Außenteil des Wafers herum beobachtet werden. Eine solche Verzerrung, dargestellt
durch das Fehlen von sich zur Außenkante des Wafers hin erstreckenden Gitterlinien, kann einen Verlust bis zu AA % einer; 5-cm-Ila.lb-leiterwafers
verursachen.
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-χ-
Es wird nun Bezug genommen auf Fig. 2A, wo ein Halbleiterwafer 20 gezeigt ist, der dem in Fig. 1A gezeigten Wafer ähnlich ist,
mit der Ausnahme, daß dieser Wafer ausgestattet ist mit einem ringförmigen peripheren Dotierungsmetallring 22 zusammen mit
der normalen Gitterstruktur 24 desselben Dotierungsmetalls. Fig. 2B veranschaulicht die gegenüberliegende Oberfläche des
Wafers von Fig. 2A nach der thermischen Wanderung des Gittermusters. Man kann sehen, daß das Gittermuster auf der ersten
Oberfläche im wesentlichen ohne Verzerrung auf der zweiten Oberfläche nach der thermischen Wanderung des Gittermusters reproduziert
wird, wenn auf dem Wafer der periphere Ring vorgesehen wird.
Zu Vergleichszwecken ist in Fig. 3 eine Mikrophotographie eines Teils der zweiten Oberfläche eines Halbleiter-Siliciumwafers
dargestellt, der durch thermisches Wandern behandelt wurde, und bei dem eine Kante der ersten Oberfläche entlang deren Peripherie
das Dotierungsmaterial enthielt, während die andere Kante das Dotierungsmetall entlang der Peripherie nicht enthielt. Aus
dieser Mikrophotographie kann leicht ersehen v/erden, daß das Gittermuster entlang der Kante, die an ihrer Peripherie nicht
ein Dotierungsmetall enthieltf sich nicht zur Kante des Halbleiterwafers
erstreckt, während das Gittermuster sich bis zu der Kante, die das Dotierungsmetall entlang ihrer Peripherie
enthielt, erstreckt; zweitens gibt es keine seitliche Verzerrung
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- yf - λΑ
der Linien des Gittermusters bezüglich dor Linien, die parallel
verlaufen zu der Kante, die dar. Dotierungsmaterial enthält,
während eine seitliche Verzerrung hinsichtlich der Linien beobachtet wird, die parallel zu der Kante verlaufen, der es an
Dotierungsmetall entlang ihrer Peripherie ermangelt. Man nimmt an, daß das Ausbleiben einer Verzerrung bei Verwendung eines
peripheren Rings aus Dotierungsmetall zurückzuführen ist auf die Kompensation des Kärmeverlusts an der Waferkante. Es wird
angenommen, daß diese Kompensation aus der Wanderung einer flüssigen Zone durch den Wafer in Form einer durchgehenden Linie
entlang der Waferkante gleichzeitig mit der Wanderung des Gittermusters entsteht. Aufgrund der Unterschiede in den thormischen
Leitfähigkeiten und WSrmeabsorptionseigenschaften . zwischen der
flüssigen Zone und dem festen Halbleitermaterial an den entsprechenden Stellen besitzt die flüssige Zone einen höheren Wärmegehalt
als das Halbleitermaterial. Somit kann eine v/andernde flüssige Zone an der Waferkante verwendet werden als Wärmeener-giereservoir,
um den Wafer mit Wärme zu versorgen und die an der Waferkante verlorengehende Wärme zu kompensieren· Die seitwärts
Wanderung an der Waferkante wird dadurch verhindert oder reduziert.
Diese Methode hat den Vorteil, einfach anwendbar zu sein, und sie benötigt keine zusätzlichen Bearbeitungsschritte, da die
Kantenlinie oder der Umfangsring während des selben Arbeits-
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- W- Al-
schritts niedergeschlagen wird, bei dem das Metallmuster gebildet wird.
Das verbesserte Verfahren beinhaltet das Auswählen eines Wafers aus Halbleitermaterial mit geeigneter Kristallstruktur, geeignetem
Leitfähigkeitstyp und geeignetem spezifischen Widerstand. Der Wafer besitzt zwei gegenüberliegende Hauptoberflächen, die
die obere bzw. untere Oberfläche des Wafers sind. Wenigstens eine der Hauptoberflächen besitzt eine bevorzugte planare Kristallorientierung.
Typischerweise ist das Halbleitermaterial monokristallines Silicium, und die Kristallorientierung wird aus
der Gruppe (100), (110) und (111) ausgewählt. Der Wafer besitzt eine vertikale Achse, die im wesentlichen ausgerichtet ist mit
einer ersten Kristallachse des Materials des Waferkörpers. Vorzugsweise ist die Wafer-Kristallorientierung (111). Werden andere
Orientierungen verwendet, muß die periphere Metallschicht einem eingestellten Muster auf der Grundlage der stabilen Kristallorientierung
folgen. Es kann Bezug genommen werden auf die US-PS 4 035 199, die die Linienstabilitätsabhängigkeit von der
Kristallorientierung angibt.
Eine Metallschicht, die wenigstens ein geeignetes Dotierungsmaterial
enthält, welches dem Halbleiterwafer eine vorbestimmte Art von Leitfähigkeit und einen vorbestimmten spezifischen Widerstand
verleiht, wird auf der unteren Oberfläche des Wafers in einem vorbestimmten Muster niedergeschlagen. Das Muster enthält
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- 43
rund um die Peripherie des Wafers einen Ring aus dem Metall. Ein geeignetes Dotierungsmaterial für n-Typ-Silicium ist Aluminium
und ein typischerweise verwendetes Muster ist das einer Gitterstruktur.
Vorzugsweise ist der Siliciumwafer so orientiert, daß die Hauptoberflächen
in der kristallographischen (111)-Ebene liegen. Unter
diesen Bedingungen wandert das auf der unteren Oberfläche niedergeschlagene Aluminiummetall als Schmelze entlang der £111>Achse
des Materials des Wafers. Das Aluminium wird vorzugsweise zu Beginn an die untere Oberfläche des Wafers legiert. Dieser
Legierungsschritt hilft, eine gleichförmige Benetzung zwischen dem Silicium und dem Aluminium sicherzustellen, um beste Ergebnisse
zu erzielen.
Dann wird der Wafer mit dem Metallmuster auf seiner unteren Oberfläche
in eine Wärmewanderungsvorrichtung gegeben, wobei die obere Oberfläche einer Strahlungsenergiequelle, beispielsweise
einer Infrarotlampe, zugewandt ist. Die untere Oberfläche ist ..Im
allgemeinen einer kalten Schwarzkörper-Wärmesenke zugewandt. Thermische Wanderung wird eingeleitet, wenn die Strahlungswärmequelle
erregt wird, und der Wafer auf eine Temperatur aufgeheizt
ist, die zum Schmelzen des Aluminiums ausreicht. Zuerst bildet sich eine alurriiniurnreiche Siliciumschmelze auf der unteren Obor-
muster
fläche, die das Anfangsoin lei Lungs/ aufrechterhält. Die Schmelze
fläche, die das Anfangsoin lei Lungs/ aufrechterhält. Die Schmelze
löst das Silicium auf ihrer heißesten Seite, und gleichzeitig
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- γί-
beginnt aluminium-dotiert.es Silicium auf deren kältester Seite zu rekristallisieren, wenn die Schmelze durch das feste Material
des Wafers in Richtung auf die heiße Oberfläche wandert. Hinter der wandernden Schmelze lagert sich eine Zone rekristallisierten
Silicium-Halbleitermaterials ab, dotiert mit Aluminium bis zur Fest-Löslichkeitsgrenze in Silicium, wie diese bestimmt ist durch
die Temperatur, bei der die Wanderung ausgeführt wird.
Wenn der Vorgang abhängig von der Waferdicke, der Temperatur,
dem Temperaturgradienten usw. über eine ausreichende Zeitdauer hinweg fortgesetzt wird (typischerweise 2 bis 15 Minuten), tritt
die Schmelze auf der heißen Oberfläche des Wafers hervor, und die rekristallisierte Zone hat den gestirnten Wafer passiert.
Wenngleich gemäß der Beschreibung der Erfindung Aluminium als Teil der oder als die gesamte Schmelze verwendet wurde, könnon
andere geeignete Materialien verwendet werden, um entweder eine n-Typ-Lcitfähigkeit, eine p-Typ-Leitfähigkeit oder Eigen-Teitfähigkeit
zu erhalten. Wenngleich es praktischer ist, für den peripheren Ring dasselbe Metall zu verwenden, wie es für die gemusterte
Struktur verwendet wird, die durch den Halbleiterwafer wandern soll, so ist es möglich, für den peripheren Ring ein
anderes Metall zu verwenden, als es für den Rest des Musters verwendet wird.
Als Beispiel wurde die thermische Wanderung von Aluminium durch 8/9
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einen n-Typ-Silicium-(111)-Wafer mit 10-20 Ohm-cm und einer
Dicke von 0,025 cm durchgeführt. Ein Gittermuster von 0,1 χ 0,1 cm
mit einer Linienbreite von 0,015 cm wurde auf der ersten Oberfläche des Wafers durch herkömmliche photolithographische und
selektive Ätzverfahren erzeugt. Die thermische Wanderung wurde bei 1220 C bei einem geschätzten Temperaturgradienten von etva
50 - 100 C pro cm durchgeführt. Das Gittermuster enthielt einen
Aluminiumring um die äußere Peripherie der ersten Oberfläche in der Nähe der Kante des Halbleiterwafers. Die thermische Wanderung
wurde fortgesetzt, bis das Gittermuster vollständig durch den Wafer bis zur entgegengesetzten Waferoberflache gev/andert
war. Der erhaltene Wafer zeigte keine wesentliche Verzerrung den Gittermusters, und sämtliche Gitterlinien erstreckten sich
bis zur Kante des Wafers.
Es wurde herausgefunden, daß das Ausmaß des Eliminierens oder
Verminderns der Verzerrung aufgrund des Kanteneffekts abhängt
von der Breite und Stärke der peripheren Metallschicht. Diese Kombination aus Breite und Dicke steht in Beziehung zu der Gesamtmenge
des Metalls, das Anteil hat an der Verschiebung dos Wärmeverlusts an der Kante. Ein bevorzugter Bereich der Metallbreite
scheint bei etwa 0,05 - 0,1 cm Breite bei einer Stärke von etwa 8-10 Mikrometer zu liegen. Unterhalb dieses Bereiche
ist bei Wafern von etwa 0,025 cm Stärke und Gradienten von etwa
50 - 100 C/cm nach der Wanderung noch einige Verzerrung vor-
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handen, die signifikant sein kann, während oberhalb dieses Bereichs
eine Uberkompensation des V'armeverlusts vorliegt, und
die Verzerrung beginnt, sich in der entgegengesetzten Richtung bemerkbar zu machen.
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Claims (1)
1. Verfahren zum Behandeln eines Halbleiter-Wafers durch Wärmegradient-Zonenschmelzen,
beinhaltend das Auswählen eines geeigneten zu behandelnden Ilalbleiterv/af ers und das Niederschlagen
eines für das thermische Wandern durch den Halbleiter wafer geeigneten Metalls in einem gewünschten Muster auf einer
ersten Oberfläche des Wafers,
dadurch gekennzeichnet , daß das Metallmuster
(24) rund um die Peripherie der ersten Oberfläche des Wafers, benachbart zur Kante des Wafers eine Metallschicht
enthält, und daß der Wafer erhitzt wird, um das Metall des Musters zu schmelzen und die Wärmegradient-Wanderung durch
den Halbleiterwafer in Richtung der zweiten Oberfläche des
Wafers zu verursachen.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß der Halbleiterwafer einkristallines Silicium ist.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet , daß die Oberflachen in der kristallogrciphischen
(111)-Richtung vorliegen.
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4. Verfahren nach einem der vorherqehenden Ansprüche, dadurch
gekennzeichnet , daß das Metall Aluminium ist,
5. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch
gekennzeichnet , daß die Dicke der peripheren Metallschicht etwa 8 bis 10 Mikrometer beträgt, während die
Schichtbreite etwa 0,05 bis 0,10 cm beträgt.
030605/0110
Ansprüche
(geändert nach PCT Artikel 19(1) und Regel 4f>.1)
(geändert nach PCT Artikel 19(1) und Regel 4f>.1)
1.) Verfahren zum Behandeln eines Halbleiter-Wafers durch Wärme™
gradient-Zonenschmelzen, beinhaltend das Auswählen eines geeigneten
zu behandelnden Halbleiterwafer, das Niederschlnoen
eines für das thermische Wandern durch den Halbleiterwafer geeigneten Metalls in einem gewünschten Muster auf einer ersten
Oberfläche des Viafers, und das Erhitzen des Weif ers, um das Metall des Musters zu schmelzen und die Würmegraclient-Wanderung
durch den Halbleiterwafer in Richtung der zweiten Oberfläche des Wafers zu verursachen,
dadurch gekennzeichnet , daß das Metallmuster
(24) rund um die Peripherie der ersten Oberfläche des Wafers, benachbart zur Kante des Wafers mit einer Metallschicht (22)
niedergeschlagen wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Halb]eifcerwafor einkristal]ines Silicium
ist.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch g e k c· η η -
030 6 05/0110
zeichne t, daß die Oberflächen in der kristallographischen (111)-Richtung liegen.
4. Verfahren nach einen der vorhergehenden Ansprüche, dadurch
gekennzeichnet , daß das Metall Aluminium ist.
5. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch
gekennzeichnet , daß die Dicke der peripheren Metallschicht etwa 8 bis 10 Mikrometer beträgt, während die
Schichtbreite etwa 0,05 bis 0,10 cm beträgt.
Dr/ku
030605/0110
-SM-
BLUMBACH WESER BERGFN ZWIRNER - HOFFMANN
PATENTANWÄLTE IN MÜNCHEN UND WIESBADEN
2953Λ10
KRAMER
Patentconsult Radeckestraße 43 8000 München 40 Telefon (089) 883603/883604 Telex 05-212313 Telegramme Patentconsult
Patentconsull Sonnenberger Stra6e 43 6200 Wiesbaden Telefon (06121) 562943/561998 Telex 04-186237 Telegramme Palenlconsuli
Obersetzung
L. T. Stark
International Patent Attorney
Western Electric
P. O. Box 901
Princeton, N. J. 08540 U.S.A.
609 639-2284
WECOINPAT PRINCETONNEWJERSEY
TWX510-686-7696
27. März 1980
Internationales Büro der
Weltorganisation für
geistiges Eigentum
34, Chemin De Colombettes
(PLACE DES NATIONS)
1211 Genf 20, Schweiz
Weltorganisation für
geistiges Eigentum
34, Chemin De Colombettes
(PLACE DES NATIONS)
1211 Genf 20, Schweiz
Sehr geehrte Herren,
Betr.: LIEN-3 - PCT Anmeldung - (LTS)
Internationale Anmeldung Nr. PCT/US79/01017
Anmelder: Western Electric Company, Inc.
hiermit wird die obige Anmeldung entsprechend PCT Artikel 19(1) und Regel 46.1 geändert. Das Übersendungsdatum des Internationalen
Recherchenberichtes ist der 21. Februar 1980.
Beigefügt ist eine neue Anspruchsseite 11, die die ursprüngliche
Anspruchsseite 11, die auch der Recherche zu Grunde gelegen hat, ersetzen soll.
Die vorgenommene Änderung betrifft nur Anspruch 1 und im einzelnen
die Umordnung des Gegenstandes der Zeilen 14 bis 17 vom kennzeichnenden Teil des ursprünglichen Anspruches 1 in den Oberbegriff
des geänderten Anspruchs 1. Mit dieser Änderung wird die Offenbarung
der entgegengehaltenen US-PS 3,895,967 als Stand der Technik berücksichtigt.
Die neuen Ansprüche sind gegenüber sämtlichen Entgegenhaltungen
des Internationalen Recherchenberichtes abgegrenzt.
LTS:mjw
Anlage:
Seite 11
Anlage:
Seite 11
Hochachtungsvoll gez. L. T. Stark
der Beschreibung
MUndien: R. Kramer Dipl.-Ing. · W. Weser Dipl.-Phys. Dr. rer. nat. · E. Hoffmann Dipl.-Ing.
Wiesbaden: P. G. Blumbach Dipl.-Ing. · P. Bergen Prof. Dr. jur. Dipl.-Ing., Pat.-Ass., Pat.-Anw. bis 1979 · G. Zwirner Dipl.-Ing. Dlpl.-W.-Ing.
030605/0110
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