DE2932191A1 - Dotierung durch einlagerung von troepfchen unter verwendung von reaktiven traegermetallen und dotierungsmitteln - Google Patents

Dotierung durch einlagerung von troepfchen unter verwendung von reaktiven traegermetallen und dotierungsmitteln

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DE2932191A1
DE2932191A1 DE19792932191 DE2932191A DE2932191A1 DE 2932191 A1 DE2932191 A1 DE 2932191A1 DE 19792932191 DE19792932191 DE 19792932191 DE 2932191 A DE2932191 A DE 2932191A DE 2932191 A1 DE2932191 A1 DE 2932191A1
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DE19792932191
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Thomas Richard Anthony
Mike Fushing Chang
Harvey Ellis Cline
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General Electric Co
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General Electric Co
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Description

Tn \£ Patentanwälte:
IEDTKE - DÜHLING - IViNNE Dipl.-lng. H. Tiedtke
Gr> Dipl.-Chem. G. Bühling
RUPE - HELLMANN - 5 Dipl.-lng.RKinne
Dipl.-lng. R Grupe 2932191 Dipl.-lng. B. Pellmann
Bavariaring 4, Postfach 202403 8000 München 2
Tel.: 089-539653 Telex: 5-24845 tipat cable: Germaniapatent München 8.August 1979
B 9835 / case RD-1O522 Chang et al
GENERAL ELECTRIC COMPANY
Schenectady, N. Y. 12305 / USA
Dotierung durch Einlagerung von Tröpfchen unter Verwendung von reaktiven Trägermetallen und Dotierungsmitteln
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Hindurchwandernlassen bzw. Hindurchbewegen einer Schmelze aus einer Legierung eines Trägermetalls und eines aufgrund seiner Dotiereigenschaften ausgewählten, transportierten Elements durch einen Festkörper aus einem Halbleitermaterial mittels eines Temperaturgradienten-Zonenschmelz-Verfahrens und insbesondere auf den Fall, bei dem das Trägermetall und das vom Trägermetall beförderte bzw. transportierte Element, das nachstehend als "transportiertes Element" bezeichnet wird, unter Bildung einer inerten, stabilen Verbindung, die die Kombination des speziellen Trägermetalls und des speziellen transportierten Elements im allgemeinen für das Temperaturgradienten-Zonenschmelz-• verfahren ungeeignet macht, reagieren.
Aus den US-Patentschriften 2 739 088 und 2 813 (W.G. Pfann) sind Verfahren zum Hindurchwandernlassen bzw. Hindurchbewegen von Metallschmelzen durch einzelne bzw. bestimmte Regionen eines Festkörpers aus einem Halb-
Deutsche Bank (München) Kto. 51/61070 Dresdner Bank (München) KtO 3939844 Postscheck (München) Kto. 670-43-804
XI/rs
030 0 14/0601
- 6 - B 9835
Ϊ leitermaterial mittels des Temperaturgradienten-Zonenschmelzverfahrens bekannt.
Zwar ist Aluminium das vorwiegende Metall, das durch den Temperaturgradienten-Zonenschmelzvorgang eingelagert bzw. wandern gelassen worden ist, jedoch werden in Bauelementen und Bauelement-Anordnungen außer Dioden vom P N-Typ usw.. auch andere Konfigurationen benotigt. Unvorteilhafterweise haben viele andere Elemente, die zum Dotieren von Halbleitermaterialien eingesetzt werden, im Falle ihrer Verwendung bei der Bearbeitung durch den Temperaturgradienten-Zonenschmelzvorgang entweder einen zu hohen Dampfdruck oder eine zu niedrige Wanderungsgeschwindigkeit.
Insbesondere die Dotierungsmittel vom N-Typ, nämlich Phosphor, Arsen und Antimon, haben bei den im allgemeinen für das Temperaturgradienten-Zonenschmelzverfahren angewandten Bearbeitungstemperaturen von 7OO 0C bis 1350 0C
einen hohen Dampfdruck. Der hohe Dampfdruck dieser Elemente vom N-Typ führt dazu, daß sie verdampfen, bevor sie in Form einer Schmelze aus einer Legierung mit dem Material des Halbleiterkörpers in den Halbleiterkörper eindringen und sich darin zur Verhinderung
einer nachträglichen Verdampfung einkapseln bzw. einschließen können.
Ein Mittel zur Vermeidung dieses mit Dotierungsmitteln
vom N-Typ verbundenen Verdampfungsproblems besteht darin,
daß man eine als Dampfsperre dienende Deckschicht bildet, wie in unserer · US-Patentanmeldung Nr. RD-11225 ("Droplet Migration Using a Sealant Layer") beschrieben wird, oder daß man die Flüchtigkeit der Dotierungsmittel vom N-Typ vermindert, indem man sie in Tröpfchen aus einem inerten Träger einmischt bzw. einverleibt, wie es in unserer US-Patentanmeldung Nr. RD-7062 ("Droplet Migration Using Carrier Droplets") beschrieben wird. Bei der
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letztgenannten Patentanmeldung wird ein inertes Trägermetall eingesetzt, um ein transportiertes Element zu befördern, das als Dotierungsmittel dient, um dem Halbleitermaterial entweder eine Leitfähigkeit vom N- oder vom P-Typ zu verleihen. Es wird ein Trägermetall ausgewählt, das schnell und leicht in den Halbleiterkörper eindringt, schnell durch diesen hindurchwandert und die elektrischen Eigenschaften des während des Temperaturgradienten-Zonenschmelzvorgangs epitaxial hinter dem wandernden Tröpfchen abgeschiedenen Halbleitermaterials nicht nachteilig beeinflußt. Es ist schließlich erforderlich, daß das Trägermetall und das transportierte Element nicht unter Bildung einer stabilen Verbindung reagieren. Z. B. wurde Aluminium als Trägerin metall für Arsen ausgeschlossen, weil Aluminium und Arsen unter Bildung einer intermetallischen Verbindung Al-As reagieren, die einen Schmelzpunkt bei 1700 0C haben soll. Wegen der Bildung dieser stabilen Verbindung würde ein aus Al als Träger und As als transportiertem zu Element bestehendes Tröpfchen nicht wandern, sondern einfach unter Bildung der Al-As-Verbindung reagieren und auf der Oberfläche des Halbleiterkörpers verbleiben. In ähnlicher Weise wurde der Einsatz von aus Al als Träger und P als transportiertem Element bestehenden Tröpfchen wegen der Bildung der Verbindung AIP nicht in Betracht gezogen. Ebenso wurde die Verwendung von Tröpfchen, die Al als Träger und Sb als transportiertes Element enthalten,wegen der Bildung der Verbindung AlSb
ausgeschlossen.
30
Die Erkenntnis, daß der Einsatz von Aluminium als Trägermetall für die Dotierungsmittel vom N-Typ unmöglich sei, war bedauerlich, weil von allen Trägermetallen Aluminium in Tröpfchenform das beste Eindringvermögen besitzt, da Aluminium alle dünnen Silicium-
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oxidfilme auf der Oberfläche des Halbleiterkörpers reduzieren kann, und weil ein Aluminiumtröpfchen im Vergleich mit Tröpfchen aus allen anderen Trägermetallen, wobei Gold, Zinn, Gallium, Silber und Indium eingeschlossen sind, am schnellsten wandert.
Es wäre daher erwünscht, wenn der Einsatz von Aluminium als Trägermetall für mindestens ein Dotierungsmittel vom N-Typ ermöglicht und damit eine schnelle N-Dotierung ohne Probleme beim Eindringen in die Oberfläche des Halbleitermaterials erzielt werden könnte.
Aufgabe der Erfindung ist demnach ein neues und verbessertes Verfahren zum Einsatz von Aluminium als Trägertröpfchen für ein Dotierungsmittel vom N-Typ , z.B. zwecks Bildung von Regionen vom N-Typ in einem Körper aus einem Halbleitermaterial vom P-Typ.
Die Erfindung wird nachstehend kurz erläutert.
Erfindungsgemäß wurde festgestellt, daß Aluminium bei einer oberhalb von etwa 1065 0C liegenden Temperatur als Trägertröpfchen für Antimon eingesetzt werden kann.
Dadurch, daß man fähig ist, Aluminium als Trägertröpfchen für das zu befördernde Element Antimon einzusetzen, wird das vorstehend erwähnte Problem gelöst, da Aluminium sowohl schnell wandert als auch gut in die Oberfläche eindringt. Außerdem kann Aluminium als Träger für Antimon
eingesetzt werden, ohne daß dies durch irgendwelche Nachteile "erkauft" werden muß.
Im Gegensatz zu dem Fall von Aluminium und Antimon
trifft die Sachlage zu, die nach dem Stand der Technik
für Tröpfchen mit Aluminium als Träger und Phosphor als transportiertem Element und für Tröpfchen mit Aluminium
030 0 U/0601
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als Träger und Arsen als transportiertem Element erkannt worden ist, da wegen der chemischen Reaktion und der Bildung intermetallischer Verbindungen zwischen dem Trägermetall und dem transportierten Element, aus denen das Tröpfchen gebildet ist, keine der letztgenannten Kombinationen für die N-Dotierung von Silicium eingesetzt werden könnte.
Nachstehend werden die beigefügten Zeichnungen näher erläutert.
Die Fig. 1 bis 3 sind Seitenansichten von Querschnitten eines nach dem erfindungsgemäßen Verfahren
bearbeiteten Körpers aus einem Halbleitermaterial. 15
Fig. 4 ist das Phasendiagramm des Aluminium-Antimon-Systems , worin der Temperaturbereich gezeigt wird, in dem das Temperaturgradienten-Zonenschmelzverfahren mit Aluminium als Trägertröpfchen und Anti- *w mon als transportiertem Element durchgeführt werden kann.
Fig. 5 ist eine graphische Darstellung der
Konzentration des N-Trägers in dem epitaxial hinter
einem Aluminium(Träger)-Antimon(transportiertes Element)-Tröpfchen abgeschiedenen Siliciummaterial als Funktion der in dem Tröpfchen enthaltenen Antimonmenge in Atom-%.
Die Erfindung wird nachstehend näher erläutert.
Fig. 1 zeigt einen Körper 10 aus einem Halbleitermaterial mit einem bestimmten spezifischen Widerstand und einem ersten Leitfähigkeitstyp. Der Körper 10 weist einander gegenüberliegende Hauptoberflächen 12 und 14 auf, durch die die Ober- bzw. die Unterseite des Körpers
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gebildet wird. Das Halbleitermaterial, aus dem der Körper 10 besteht, kann Silicium, Germanium, Siliciumcarbid, Galliumarsenid, eine Halbleiterverbindung aus einem Element der Gruppe III und einem Element der Gruppe V und eine Halbleiterverbindung aus einem Element der Gruppe II und einem Element der Gruppe VI sein.
Der Siliciumkörper 10 wird mechanisch poliert, zur Entfernung beschädigter Oberflächenanteile chemisch geätzt, in entionisiertem Wasser gespült und an der Luft getrocknet.
Der bearbeitete Körper wird in einer Metallverdampfungskammer angeordnet. Eine aus Aluminium und 25 bis 90 Atom-% Antimon bestehende Metallschicht 20 wird auf der Oberfläche 12 des Körpers 10 abgeschieden. Die Schicht 20 hat eine Dicke von etwa 0,5 um bis etwa
25 um.
20
Dann wird über der Schicht 20 nach bekannten photolithographischen Verfahren eine säurebeständige, zweite Schicht angeordnet. Die zweite Schicht kann aus einem Material wie Kodak Metal Etch Resist (Metall-■" ätzungs-Reservierungs- bzw. -Abdeckmittel) bestehen.
Das Abdeckmittel wird durch Brennen bei einer Temperatur von 80 0C getrocknet. Auf der Schicht aus dem Abdeckmittel (Photolack) wird eine geeignete Maske, in der die Konturen eines Tröpfchens, eines Striches bzw. einer
Linie, eines Gitters oder einer anderen geeigneten, ebenen geometrischen Figur mit vorbestimmten Dimensionen ausgebildet sind, angeordnet und mit UV-Licht belichtet. Nach der Belichtung wird die Photolackschicht in Xylol gewaschen, um in dem Abdeckmittel (dem Photolack)
Fenster zu öffnen, die das selektive Wegätzen der metalli-
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sehen, ersten Schicht 20 in diesen Bereichen bzw. Regionen ermöglichen.
Eine selektive Ätzung der Schicht 20 wird mit einer gepufferten Flußsäure-Salpetersäure-Lösung erreicht. Die Ätzung wird so lange fortgesetzt, bis die Schicht 20 in den Flächen unter den Fenstern, die sich in der zweiten Schicht, der Photolackschicht, befinden, vollständig entfernt ist. Der bearbeitete Körper 10 wird in entionisiertem Wasser gespült und getrocknet. Der Rest der Photolackschicht bzw. -maske wird durch Eintauchen in konzentrierte Schwefelsäure bei 180 0C oder durch Eintauchen in eine Mischung aus einem Volumenteil Wasserstoffperoxid und einem Volumenteil Schwefel-
säure entfernt. Der Körper 10 wird in destilliertem Wasser gespült und durch ein Gas wie Argon, Freon oder ein ähnliches Gas trockengeblasen.
Der bearbeitete Körper wird in eine nicht gezeigte Einlagerungs- bzw. Wanderungsvorrichtung hineingebracht, und die Metallegierungsschicht 20 bildet mit Material des Halbleiterkörpers 10 eine Schmelze 22. Wenn an den Körper 10 ein Temperaturgradient angelegt wird, läßt ein Temperaturgradienten-Zonenschmelzvorgang die Legierungs-■" schmelze 22 durch den Körper 10 hindurchwandern. Wie ermitteltwurde, ist zwischen der Unterseite 14, bei der es sich um die heiße Fläche handelt, und der Oberseite 12, bei der es sich um die kalte Fläche handelt,
ein Temperaturgradient von etwa 50 °C/cm geeignet. 30
Im Unterschied zu bekannten Temperaturgradienten-Zonenschmelzverfahren, die im Fall der Wanderung von Aluminiumtröpfchen in Silicium bei Temperaturen zwischen 577 0C und 1440 CC durchgeführt werden, wurde erfindungs-
gemäß festgestellt, daß die Temperatur des Körpers 10 für Tröpfchen, die Aluminium als Träger und Antimon als
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transportiertes Element enthalten, immer 1070 0C überschreiten muß. Wie aus Fig. 4 ersichtlich ist, muß die Temperatur 1070 0C überschreiten, weil die Verbindung AlSb unterhalb dieser Temperatur ein stabiler Feststoff und kein Flüssigkeitströpfchen ist. Also muß im allge7 meinen die Wanderungstemperatur eines Halbleiters, der durch einen Temperaturgradienten-Zonenschmelzvorgang bearbeitet wird, in einem Fall, bei dem reaktive Trägerelemente und reaktive transportierte Elemente Hauptbestandteile in einem Tröpfchen sind, die Schmelztemperatur jeder Verbindung überschreiten, die die transportierten Elemente und die Trägerelemente in einer Reaktion miteinander bilden können. Außerdem muß die Wanderungstemperatur des Halbleiters, der durch den Temperatur- gradienten-Zonenschmelzvorgang bearbeitet wird, unter der Schmelztemperatur des Halbleitermaterials liegen. Bei Systemen, in denen die Schmelztemperatur der Verbindung aus dem Träger und dem transportierten Element unterhalb der Schmelztemperatur des bearbeiteten HaIbleitermaterial liegt, kann das Temperaturgradienten-Zonenschmelzverfahren mit dieser speziellen Verbindung aus Träger und transportiertem Element durchgeführt werden. Wenn andererseits die Schmelztemperatur der Verbindung aus dem Träger und dem transportierten Element über der Schmelztemperatur des Halbleiterkörpers liegt, d. h., wenn die Verbindung aus dem Träger und dem transportierten Element bei der Schmelztemperatur des Halbleitermaterials, aus dem der Körper besteht, ein Feststoff ist, ist mit dieser Kombination keine Bearbeitung durch einen Temperaturgradienten-Zonenschmelzvorgang möglich. Beispielsweise hat die Verbin-■ dung Al-As eine Schmelztemperatur von 1700 0C, und Silicium hat eine Schmelztemperatur von 1400 0C. Aus diesem Grunde kann Al-As nicht durch Bearbeitung mittels
° eines Temperaturgradienten-Zonenschmelzvorgangs durch
0 3 C /0601
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einen Körper aus Silicium-Halbleitermaterial hindurchwandern gelassen werden.
Unter erneuter Bezugnahme auf Fig. 2 wird der Temperaturgradienten-Zonenschmelzvorgang über eine Zeitdauer durchgeführt, die dazu ausreicht, das Metalltröpfchen 22 durch den Körper 10 hindurchwandern zu lassen. Für den Fall, daß Aluminium das Trägermetall und Antimon das transportierte Element ist, werden in der nachstehenden Tabelle die Wanderungsgeschwindigkeiten der aus diesen Elementen bestehenden, flüssigen Zonen bei einem Temperaturgradienten von 50 °C/cm gezeigt.
Tabelle
15
Wanderungsgeschwindigkeit der
Al-Sb-Tropfchen X ίο"3 cm/s Temperatur
4 X 10"3 cm/s 1100 0C
6 ,5 χ 1O"2 cm/s 1200 0C
1 X 1O"2 cm/s 1300 0C
3 1400 0C
Bei Beendigung des Temperaturgradienten-Zonenschmelzverfahrens wird die Metallzone, die durch den Körper 10 auf die Oberfläche 14 gewandert ist, durch ^O selektives Ätzen oder Schleifen entfernt. Der erhaltene, bearbeitete Körper hat den in Fig. 3 gezeigten Aufbau.
Aufgrund der thermischen Wanderung der Metallschicht 20 durch den Körper 10 wird eine Region 24 OJ aus rekristallisiertem Halbleitermaterial gebildet, worin
o 3 c: ι k / o 6 o 1
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Metalle, aus denen die Metallzone 2O zusammengesetzt war, in gelöster Form enthalten sind. Für den Fall, daß Aluminium der Träger und daß Antimon das transportierte Element ist, tritt eine Dotierung vom N-Typ nur ein, wenn die Antimonkonzentration (in der Schicht 20) 25 Atom-% überschreitet. Fig. 5 zeigt für den Fall, daß Silicium das Halbleitermaterial des Körpers 10 ist, die Abhängigkeit der Konzentration des N-Trägers in der rekristallisierten Region 24 vom Anteil des Antimons in der Schicht 20 (in Atom-%).
Die jeweiligen Fremdstoffmetalle liegen überall in der rekristallisierten Region 24 in einer im wesentlichen konstanten, gleichmäßigen Konzentration vor. Die Dicke im Falle einer ebenen bzw. planaren Geometrie und der Durchmesser im Falle einer säulenartigen Geometrie sind für die gesamte Region im wesentlichen konstant. Die periphere Oberfläche der Region 24 besteht zum Teil aus der Oberseite 12 und der Unterseite 14 des Körpers 10. Das restliche Material des Körpers wird zwischen Regionen 22 aufgeteilt. Die aneinanderstoßenden Oberflächen der Regionen 22 und 24 bilden eine Grenze 26, bei der es sich um einen P-N-Ubergang handeln kann, wenn die Regionen 2 4 und 22 einem entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp angehören.
Die Erfindung wird durch das nachstehende Beispiel näher erläutert.
Beispiel
Ein Siliciumplättchen mit einer Dicke von 457 μπι aus mit Bor dotiertem Halbleitermaterial vom P-Leitfähigkeitstyp mit einem spezifischen Widerstand von
10 Sl.cm wurde für die Wanderung bzw. Einlagerung eines
0 3 OC .. ;. / 0 6 0 1
2532191
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' drahtförmigen Leiters vorbereitet, wie dies vorstehend unter Bezugnahme auf den Körper 10 beschrieben worden ist. Der metallische, drahtförmige Leiter bestand aus einer Legierung von 70 Atom-% Aluminium und 30 Atom-% Antimon und hatte eine Dicke von 10 um und eine Breite von 250 um. Der vorbereitete Körper 10 wurde in einen auf 1150 0C + 10 0C aufgeheizten Ofen hineingebracht, und an den Körper 10 wurde ein Temperaturgradient von 50 °C/cm angelegt. Die aus Aluminium und Antimon bestehende Schicht 20 schmolz und bildete mit einem Teil des Halbleitermaterials des Körpers 10, der mit der Schicht in Berührung war, eine flüssige Schmelze. Während der restlichen Zeit des 15-minütigen Heizzyklus wanderte die geschmolzene Zone 22 durch den Körper und bildete eine rekristallisierte Zone mit einer N-Träger-Konzentration
1 8
von 4x10 Trägern/cm3.
03C ; 3 0 1

Claims (6)

Patentansprüche 15
1. Verfahren zum Hindurchbewegen einer Schmelze eines metallreichen Halbleitermaterials durch einen Festkörper aus einem Halbleitermaterial durch Bearbeitung mittels eines Temperaturgradienten-Zonenschmelzvorgangs, bei dem
(a) ein Körper aus einem Einkristall-Halbleitermaterial ausgewählt wird, der einen ersten Leitfähigkeitstyp, einen bestimmten spezifischen Widerstand und mindestens eine Hauptoberfläche mit einer bevorzugten, aus der (100)-, (110)- und (111)-Orientierung der Ebenen der Kristallstruktur ausgewählten Orientierung hat, wobei die Vertikalachse des Körpers mit einer ersten Achse der Kristallstruktur im wesentlichen ausgerichtet ist und wobei
(b) die Oberfläche als bevorzugte Orientierung die Orientierung einer Ebene der Kristallstruktur hat, die geeignet ist, um darauf eine körperliche Konfiguration oder mehrere körperliche Konfigurationen einer Metallschicht aufzunehmen, bei dem
35
XI/rs
Deutsche Bank (München) Kto. 51/61070
Ort-idner Bank (München) KtO 3939844
Postscheck (München) Kto. 6/0-43-804
0300U/0601
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(c) auf der ausgewählten Oberfläche des Körpers aus dem Halbleitermaterial eine Metallschicht abgeschieden bzw. aufgetragen wird, bei dem
(d) der Körper und die Metallabscheidung auf eine Temperatur erhitzt werden, die dazu ausreicht, daß auf der Oberfläche des Körpers eine Schmelze von metallreichem Material gebildet wird, bei dem
(e) im wesentlichen entlang der Vertikalachse des Körpers und der ersten Achse der Kristallstruktur ein einseitig gerichteter Temperaturgradient eingestellt wird und bei dem
(f) die metallreiche Schmelze entlang dem einseitig gerichteten Temperaturgradienten durch den Körper hindurchwandern gelassen wird, um den Körper in eine Vielzahl von Regionen des ersten Leitfähigkeitstyps aufzuteilen und um mindestens eine Anordnung bzw. Reihe von Regionen aus rekrxstallisiertem Material des Körpers zu bilden, wobei eine feste Löslichkeit des aufgedampften Metalls in dem rekristallisierten Material vorliegt und durch das Metall mindestens ein zur Dotierung dienendes Fremdstoffmaterial in das
*5 rekristallisierte Material hineingebracht wird, wodurch dem rekristallisierten Material ein vorbestimmter, zweiter Leitfähigkeitstyp und ein bestimmter Wert des spezifischen Widerstands verliehen werden,
dadurch gekennzeichnet,
daß man eine Metallschicht aufdampft, die
als erstes Material Aluminium, durch das bei der Bildung
der Schmelze deren Eindringen in die Oberfläche des Körpers verbessert und die Stabilität der Wanderung der Schmelze
0300U/0601
2932131
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durch den Körper und/oder die Wanderungsgeschwindigkeit der Schmelze durch den Körper erhöht wird, und
als zweites Material zumindest Antimon enthält, wobei der rekristallisierten Region durch das zweite Material vorbestimmte elektrische Eigenschaften hinsichtlich des Leitfähigkeitstyps, der Höhe des spezifischen Widerstands, der Regulierung der Lebens- bzw. Betriebsdauer usw. verliehen werden,
10
und daß man den Temperaturgradienten-Zonenschmelzvorgang bei einer Temperatur durchführt, die über 1065 0C, der Temperatur, bei der durch das Material des Halbleiterkörpers, das erste Material und/oder das zweite Material und durch das erste und das zweite Material selbst intermetallische Verbindungen gebildet werden, liegt.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Metallschicht eine Dicke von etwa 0,5 bis etwa 25 μπι hat.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Metall mindestens 25 Atom-% Antimon und als Rest Aluminium enthält.
4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die durch die Wanderung der Schmelze gebildete, rekristallisierte Region dem N-Leitfähigkeits-.....
typ angehört.
5. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß das Metall nicht mehr als 90 Atom-% Antimon
und als Rest Aluminium enthält.
35
030014/0601
ORIGINAL INSPECTED
- 4 - B 9835
6. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche f dadurch gekennzeichnet, daß das Halbleitermaterial Silicium ist.
030CU/0601
DE19792932191 1978-09-21 1979-08-08 Dotierung durch einlagerung von troepfchen unter verwendung von reaktiven traegermetallen und dotierungsmitteln Withdrawn DE2932191A1 (de)

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US05/944,278 US4159215A (en) 1978-09-21 1978-09-21 Droplet migration doping using reactive carriers and dopants

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