DE2852200A1

DE2852200A1 - Integrierte logische schaltung

Info

Publication number: DE2852200A1
Application number: DE19782852200
Authority: DE
Inventors: Venkappa Laxmappa Gani; Frank Alfred Montegari
Original assignee: International Business Machines Corp
Current assignee: International Business Machines Corp
Priority date: 1977-12-21
Filing date: 1978-12-02
Publication date: 1979-07-05
Also published as: CA1100647A; US4129790A; GB2020501A; DE2852200C2; FR2412988A1; IT7830411A0; JPS622487B2; IT1160292B; GB2020501B; FR2412988B1; JPS5487467A

Description

Anmelderin: International Business Machines

Corporation, Armonk, N.Y. 10504

gg/ib

Integrierte logische Schaltung

Die Erfindung betrifft eine integrierte logische Schaltung aus Grundschaltungen in Schottky-Transistor-Logik.

Grundschaltungen in Schottky-Transistor-Logik (STL) lassen sich relativ einfach in hoher Integrationsdichte herstellen, da sich über auf der Kollektorzone eines Transistors angeordnete Schottky-Dioden in einfacher Weise Vielfachausgänge verwirklichen lassen. Durch Prozeßverbesserungen ist es möglich, Schottky-Dioden (SBD) mit niedrigen Vorwärtspannungen ;in der Größenordnung von etwa 280 mV bei 0,1 mA zu erzielen, wodurch hohe Schaltgeschwindigkeiten bei niedrigem Leistungs-.bedarf erzielt werden.

'Eine typische STL-Grundschaltung ist in Fig. 1 dargestellt und ^beispielsweise in vergleichbarer Form aus der Veröffentlichung '"IBM Technical Disclosure Bulletin" Vol. 19, Nr. 9, Febr. 1977; ■Seiten 3431 und 3432 bekannt. Betrachtet man diese bekannte Grundschaltung in ihrer Darstellung gemäß Fig. 1, so erkennt jman, daß durch ein an den Eingang angelegtes Signal entweder jStrom aus der Basis des Transistors T1 gezogen oder Basis- !strom vom Betriebspotential +V über einen Widerstand RB1 in [die Basis geliefert wird. Der Kollektor des Transistors T1 bildet im Knoten X einen Ausgang, der dann über eine der dargestellten Schöttkydioden SBD auf den Eingang der nach- !folgenden Stufe wirkt. Dieser Eingang der nachfolgenden [Stufe wird beispielsweise von dem Knoten Y gebildet, der mit der Basis des nachfolgenden Transistors T2 verbunden ist.

Ein Widerstand RB2 liefert den Basisstrom des Transistors T2,

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wenn nicht bei leitendem Transistor T1 und damit unterem Pegel im Knoten X der Strom über den Transistor T1 abgeleitet wird. In diesem Falle, also bei leitendem Transistor T1, kann der Transistor T2 den oberen Pegel im Knoten Z nicht aufrechterhalten und die Ausgänge 1 bis 5 können von den Eingangsknoten nachfolgender Grundschaltungen keinen Strom abführen.

Bei diesen bekannten Grundschaltungen tritt ein Problem auf, das bisher nicht angesprochen und gelöst wurde. Sind nämlich die Knoten X und Y innerhalb einer integrierten Schaltung räumlich getrennt voneinander, so wird durch den notwendigen, diese beiden Knoten verbindenden Leiterzug ein Widerstand in der Größenordnung von 12 bis 120 Ohm oder sogar höher in die Schaltung eingefügt. Dieser Widerstandswert ist nicht zu vernachlässigen, wenn er mit dem Wert der die Basisströme für die Transistoren liefernden Widerstände RB1 und RB2 verglichen wird, die üblicherweise in der Größenordnung von 2000 bis 8000 0hm liegen. Ist nämlich im einen Schaltzustand der Transistor T1 leitend, so beinhaltet der Spannungsabfall zwischen dem Knoten Y und Ilassepotential nicht nur den Spannungsabfall an der Schottky-Diode und den Spannungsabfall über den leitenden Transistor T1, sondern auch diesen genannten Widerstand des Leiterzuges. Diese drei Widerstände bilden einen Spannungsteiler mit dem den Basisstrom liefern- ' den Widerstand RB2 im Knoten Y. Daraus resultiert ein rela- j tiv hoher unterer Pegel im Eingangsknoten Y der nachfolgenden Stufe, so daß der Störabstand der logischen Gesamtschaltung I

herabgesetzt wird.

j Es ist die der Erfindung zugrunde liegende Aufgabe, eine \ lintegrierte logische Schaltung aus Grundschaltungen in

!Schottky-Transistor-Logik anzugeben, bei der unter Beibe- i j
haltung der vorteilhaften Eigenschaften der bekannten

Grundschaltungen der Einfluß des Widerstands behafteten ^:

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Leiterzuges zwischen aufeinanderfolgenden Grundschaltungen insbesondere auf den erreichbaren Störabstand ausgeschaltet wird.

Die Lösung dieser Aufgabe ist in den Ansprüchen gekennzeichnet.

Zusammengefaßt kann die Erfindung darin gesehen werden, daß der Basisstrom für den Transistor einer nachgeschalteten Grundschaltung in der vorgeschalteten Grundschaltung und nicht in der nachgeschalteten Grundschaltung erzeugt wird. Dadurch wird der unerwünschte Spannungsteilereffekt an der Basis des Transistors der nachgeschalteten Grundschaltung vermieden.

Insbesondere werden Grundschaltungen mit jeweils einem Transistor verwendet, dessen Kollektor über parallele Zweige aus jeweils einer Schottky-Diode und einem dazu in Serie liegenden Widerstand mit einer ersten Betriebspotentialquelle und dessen Emitter mit einer zweiten Betriebspotentialquelle verbunden ist. Die Basis des Transistors bildet den Eingang und die gemeinsamen Verbindungspunkte zwischen Schottky-Diode und Widerstand die Ausgänge der Grundschaltung. Ver-¹ bindet man nun beim Aufbau einer logischen Schaltung einen Ausgang einer Grundschaltung mit dem Eingang der nachfolgenden Grundschaltung, so wird der Basisstrom des Transistors der nachgeschalteten Grundschaltung über einen der Widerstände in den parallelen Zweigen der vorgeschalteten Grundschaltung geliefert. Der durch den erforderlichen Leiterzug zwischen Ausgang der vorgeschalteten und Eingang der nachgeschalteten Grundschaltung eingefügte Widerstand ist vernachlässigbar, |da er im einen logischen Schaltzustand in Serie mit dem den JBasisstrom lieferndem Widerstand zwischen der zweiten Betriebspotentialquelle und der Basis des Transistors der nachgeschalteten Grundschaltung liegt. Im anderen logischen !schaltzustand, bei dem der Transistor der vorgeschalteten

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Grundschaltung leitend ist und Strom aus der Basis der nachgeschalteten Grundschaltung abgezogen wird, bildet der den Basisstrom liefernde Widerstand an der Basis des Transistors der nachgeschalteten Grundschaltung keinen Spannungsteiler.

Die Erfindung wird nachstehend anhand eines in der Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispiel näher erläutert.

Es zeigen:

Fig. 1 eine dem Stand der Technik entsprechende logische Schaltung aus zwei Grundschaltungen in Schottky-Transistor-Logik,

Fig. 2 ein Ausführuiigsbei spiel einer erfindungsgemäßen logischen Schaltung,

Fig. 3A die Draufsicht der integrierten Struktur der erfindungsgemäßen logischen Schaltung und

Fig. 3B eine Schnittansicht der Struktur nach Fig. 3A entlang der Schnittlinie AA.

Es sei nunmehr das erfindungsgemäße Ausführungsbeispiel gemäß Fig. 2 näher betrachtet. Die dargestellte logische Schaltung umfaßt drei STL-Grundschaltungen. Die erste Grundschaltung umfaßt einen NPN-Transistor 10 mit Kollektor c, Basis b und Emitter e. Der Emitter ist mit einer ersten Betriebspotentialquelle -V verbunden. Die Basis liegt an einem ersten Eingangsanschluß D, während der Kollektor mit einer zweiten Betriebspotentialquelle (Masse) über einen ohmschen Kollektorkontakt A und einen Lastwiderstand R10 verbunden ist. Der Transistor T10 weist zusätzlich zwischen Basis und Kollektor eine Schottky-Diode D10 auf, die eine hohe Vorwärtsspannung aufweist und die Sättigung des Transistors verhindert. Die

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Serienschaltung aus einem Transistor R11 und einer Schottky-Diode D11 liegt parallel zum Lastwiderstand R1O zwischen der zweiten Betriebspotentialquelle (Masse) und dem Kollektor des Transistors TiO. Der Verbindungspunkt zwischen Widerstand R11 und Diode D11 bildet einen ersten Ausgang am Anschluß E dieser Grundschaltung. Im betrachteten Beispiel ist eine Ausführung mit fünf Ausgängen vorgesehen, so daß zu dem Lastwiderstand R1O weitere vier Serienschaltungen mit Widerständen R12, RI3, R14 und R15 und Schottky-Dioden D12, Di3_f D14 und D15 parallel geschaltet sind. Jeweils die Verbindungspunkte zwischen einem Widerstand und der zugehörigen Diode :bilden dann die Ausgänge F, G und H und den Anschluß J.

'Zu dieser ersten Grundschaltung ist eine zweite Grundschaltung parallel geschaltet. Die zweite Grundsehaltung umfaßt einen ,Transistor T2O mit Kollektor c, Basis b und Emitter e und list mit der gleichen Anzahl von Widerständen und Schottky- ;Dioden ausgestattet, wie die erste Grundschaltung. Die Basis des Transistors T2O bildet den Eingang und ist dementsprechend, Imit einem zweiten Eingangsanschluß D' verbunden. Die Schottky-j Diode D20 verhindert die Sättigung des Transistors T20. Ein j Lastv/iderstand R20 liegt wiederum zwischen der zweiten I Betriebspotentialquelle (Masse) und dem Kollektoranschluß B ; des Transistors. Parallel zum Lastwiderstand R2O ist die j Reihenschaltung einer Diode D21 und eines Widerstandes R21 ! angeschlossen. Der gemeinsame Verbindungspunkt der beiden ; Elemente stellt den Ausgang E¹ dar. Wie bei der ersten ; Grundschaltung sind weitere Serienschaltungen von Wider- j ständen und Schottky-Dioden vorgesehen, diese sind'mit.R22, ! R23, R24 und R25 bzw. D22, D23, D24 und D25 bezeichnet. Auf diese Weise erhält man weitere Ausgänge F¹, G¹ und H¹. An dieser Stelle ist darauf hinzuweisen, daß die Serienschaltung auf dem Widerstand R25 und der Schottky-Diode D25 nicht ; !vervollständigt ist, sondern daß sie in der Mitte aufge- ! trennt ist, so daß zwei Anschlüsse K und K¹ entstehen. Diese "i

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selektive Unterbrechung einer der Serienschaltungen ist eines
der erfindungsgemäßen Merkmale. Durch die Parallelschaltung
der ersten und der zweiten Grundschaltung teilen sich die
beiden Schottky—Dioden D15 und D25 den Widerstand R1 5 der
ersten Grundschaltung. Da die Widerstände R15 und R25 gleich
groß sind, hätte auch der Widerstand R15 in der ersten
Grundschaltung abgetrennt werden können. Diese Trennung
könnte natürlich auch bei jeder anderen der Serienschaltungen
vorgenommen werden.

Die beiden beschriebenen Schaltungen arbeiten auf einem gemeinsamen Knoten J. Über die weiteren Ausgänge der beiden
Grundschaltungen sind zusätzliche Verknüpfungen möglich. Die ; beiden bisher beschriebenen Grundschaltungen können als so- ! genannte Sendeschaltungen bezeichnet werden. Diese Bezeich- ! nung ist natürlich relativ, da jede dieser beiden Grundschal- ^; tungen in bezug auf weitere Grundschaltungen, die auf ihre ι Eingänge D und D¹ wirken, auch als Empfangsschaltungen betrachtet werden können. Im betrachteten Ausführungsbeispiel j handelt es sich jedoch um Sendeschaltungen, die auf eine

1 t

nachgeschaltete dritte Grundschaltung arbeiten, die dann ί

i als Empfangsschaltung bezeichnet werden kann. Während die j

beiden Sendeschaltungen auf dem Halblexterplättchen sehr dicht' beieinander integriert sind, kann die Empfangsschaltung einen ' gewissen Abstand von beiden aufweisen, der durch einen Leiter-!

zug zu überbrücken ist. Dieser Leiterzug ist widerstandsbe- i .haftet, was durch den Widerstand RL angedeutet ist. Dieser \ .Leiterzug verbindet den Ausgangsknoten J der beiden Sende- j !schaltungen mit dem Eingangsanschluß L der Empfangsschaltung. '

! i

I Bei der Empfangsschaltung handelt es sich um eine dritte Grund-I schaltung, die in ähnlicher Weise aufgebaut ist, wie die bei-

Iden ersten Grundschaltungen. Sie umfaßt demnach wiederum einen ι ι

Transistor T3O mit Kollektor c, Basis b und Emitter e. Der

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E.aitter ist mit der ersten Betriebspotentialquelle -V verbunden. Die Basis des Transistors T3O liegt am Eingangsanschluii L, während der Kollektoranschluß dieses Transistors über einen Lastwiderstand R3O mit der zweiten Betriebspotentialquelle (Masse) verbunden ist.

Der Transistor T3O ist wiederum mit einer Sättigungsverhindernden Schottky-Diode D3O versehen. Parallel zum Lastwiderstand R3O liegt die Serienschaltung eines Widerstand R31 und einer Schottky-Diode D31. Der gemeinsame Verbindungspunkt dieser beiden Elemente ist mit einem Ausgangsanschluß M verbunden, der unter Umständen zum Eingang einer weiteren Grundschaltung führt. Wie bei den beiden ersten Grundschaltungen sind weitere Serienschaltungen von Widerständen R32, R33, R34 und R35 und Dioden D32, D33, D34 und D35 vorgesehen, die weitere Ausgänge N, O, P und Q bilden. Die Anzahl der vorzusehenden Ausgänge hängt natürlich von der jeweils von der logischen Schaltung zu lösenden Funktion ab.

Die Schottky-Dioden D10, D2O und D30 sind konventionell, sind jedoch so ausgebildet, daß sie eine hohe Vorwärtsspan- =nung in der Größenordnung von 600 mV bei 0,1 mA aufweisen. Diese Werte gelten für konventionelle NPN-Transistören T10, T20 und T30, um deren Sättigung zu verhindern.

Die restlichen Schottky-Dioden sind mit niedrigen Vorwärtsspannungen ausgestattet, die in der Größenordnung von 230 mV .bei 0,1 mA liegen. Die niedrige Vorwärtsspannung dieser Dioden ist ein Merkmal der bekannten Schottky-Transistor-Logik», Die Lastwiderstände RIO₇ R20 und R30 entsprechen in etwa den die Basisströme liefernden Widerständen und liegen in der Größenordnung von 2000 bis 8000 0hm. Jeder der Basisstrom 'liefernden Widerstände Ri1 bis R15 und R21 bis R25 versorgen ;die Basis des Transistors T30 in der nachfolgenden Empfangs-'schaltung. In ähnlicher Weise können die Widerstände R31 bis ■

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R35 den Basisstrom für eine weitere, nachfolgende Empfänger-Stufe liefern. Die Größe des Widerstandes RL des die Sendeschaltungen mit der Empfangsschaltung verbindenden Leiterzuges schwankt in weiten Grenzen und hängt von vielen Faktoren ab. Zu diesen Faktoren gehört in erster Linie der räumliche Abstand zwischen Sende- und Empfangsschaltung und die Ausbildung des Leiterzuges im Rahmen der integrierten Anordnung. Ein wesentliches Merkmal der erfindungsgemäßen Schaltung ist die relative Unempfindlichkeit gegen Schwankungen und insbesondere hohe Werte des Leiterzugwiderstandes RL, so daß bei der Entwicklung hochintegrierter Schaltungen die erforderliche Flexibilität gewährleistet ist und bei Zugrundelegung der angegebenen Werte wird eine erste Betriebspotentialquelle -V von in der Größenordnung -1,5 V verwendet.

Es sei nunmehr die Fig. 3A näher betrachtet, die eine Draufsicht einer die erfindungsgemäße Schaltung gemäß Fig. 2 verwirklichenden integrierten Anordnung zeigt. Der gezeigte Ausschnitt zeigt insbesondere die beiden Sendeschaltungen mit den Transistoren T1O und T2O. Der Transistor T1O ist auf !der linken Seite verwirklicht und weist eine verlängerte Kollektorzone c auf, die aus einer N-Epitaxieschicht aus Silicium gebildet ist. Auf dieser Kollektorzone sind die Schottky-Dioden D11 bis D15 verwirklicht. Außerdem befindet sich in der Kollektorzone die P-dotierte Basis b und der ohmsche Kollektorkontakt A für den Anschluß des Widerstandes R1O. Der Widerstand R1O und ebenso die Widerstände R11 bis R15 bestehen aus P-dotiertem Diffusionszonen (oder entsprechenden durch Ionenimplantation hergestellten Zonen). Diese !Widerstände R10 bis R15 sind mit ihrem oberen Ende mit einer .Masseleitung verbunden, die im Rahmen einer ersten Metalli-'sierungsebene gebildet wird. Diese erste Metallisierungs- !ebene erstreckt sich auch von den Schottky-Dioden D11 bis jD15 nach unten zur nachfolgenden Grundschaltung und den 'Anschlüssen E, F, G und H. Die erste Metallisierungsebene '■

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jbildet ebenfalls den Leiterzug vom Anschluß D zur Basis des
iTransistors T.1.-O. Die Emitterzone e ergibt sich aus einer N dotierten Zone innerhalb der Basiszone. Nach Oxidation wird
'ein entsprechendes Fenster freigelegt, über das ein das
j erste Betriebspotential -V führender Leiterzug die Emitterzone kontaktiert. Dieser Leiterzug entsteht im Rahmen einer
^!zweiten Metallisierungsebene. Der Basiskontakt und die sätitigungsverhindernde Schottky-Diode D1O bestehen aus einem
!Kontakt, der sich zum Teil über die Kollektorzone und zum
'Teil über die Basiszone des Transistors T1O erstreckt.

Die zweite Sendeschaltung, also die zweite Grundschaltung,
ist auf der rechten Seite angeordnet und im wesentlichen
entsprechend der ersten Grundschaltung aufgebaut. Der

Transistor T1O weist wiederum eine verlängernde Kollektor- ;

zone c auf, auf der die Schottky-Dioden D21 bis D25 ver- j

jwirklicht werden. Die die Widerstände R21 bis R25 bildenden \

jp-dotierten Zonen liegen parallel zwischen den verschiedenen ;

|Schottky-Dioden und dem das erste Betriebspotential (Masse) i

führenden Leiter zug. An dieser Stelle ist auf den Unterschied ',

zwischen den beiden Sendeschaltungen hinzuweisen. Dieser j

Unterschied besteht im Bereich der Kontakte K und K¹, wo I

die Metallisierung von der Schottky-Diode D25 sich nicht :

bis zum Widerstand R25 erstreckt. Dies läßt sich einfach \

[dadurch erreichen, daß bei der Verwirklichung der ersten j Metallisierungsebene nur die Diode D25 kontaktiert wird und I sich der Leiterzug nicht bis zum Kontakt K des Widerstandes
erstreckt. Die Schottky-Dioden Di5"und D25 sind über die
Metallisierung miteinander verbunden und bilden den gemeinsamen Knoten J. Diese Metallisierung erstreckt sich dann j bis zum Eingangsknoten L der nachfolgenden Empfangsschaltung, i In der modernen, hoch integrierten Halbleitertechnik werden ! Halbleiterplättchen verwendet, die beispielsweise Seiten- j längen von 8 ram aufweisen. Das bedeutet, daß die Entfernung j zwischen Anschluß L und J relativ groß sein kann. Dies um so !

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mehr als die aufgebrachten Leiterzüge nicht immer auf dem
kürzesten Wege die Verbindung herstellen. Es ist offensichtlich, daß sich beträchtliche Beschränkungen hinsichtlich der
Verdrahtung und der Auslegung der Halbleiterstruktur ergeben,
wenn die Entfernung zwischen den Anschlüssen L und J verkleinert werden muß. Wie bereits dargestellt, wird durch
die Erfindung gewährleistet, daß diese Beschränkungen nicht
auftreten, da der nachteilige Einfluß des Widerstandes des
.betreffenden Leiterzuges vermieden wird.

,Wie die erste Sendeschaltung enthält auch die zweite Sendeschaltung eine Basiszone b und in dieser die Emitterzone

j des Transistors T2O. Über den Kollektorkontakt B wird der ', [Widerstand R2O zwischen Kollektor des Transistors T2O und ; der Masseleitung eingefügt. Durch eine zweite Metallisierungsebene wird das erste Betriebspotential -V mit dem Emitter \ des Transistors T2O verbunden. Der die Schottky-Diode D2O
bildende Kontakt überdeckt teilweise die Basiszone und teilweise die Kollektorzone des Transistors und ist über die

■ erste Metallisierungsebene mit dem Eingangsanschluß D' ver-

jbunden. Die Widerstände R1O bis R15 und R2O bis R2O bis R25 :

! i

i sind in der gleichen Weise verwirklicht wie im Falle der

^!ersten Sendeschaltung. !

I Fig. 3B zeigt eine Schnittansicht des in Fig. 3A durch die '■ i Schnittlinie 3B-3B gekennzeichneten Strukturteils. Auf ein j ,P-leitendes Substrat mit einem N -leitenden Subkollektor ist I

¹ 1

eine N-leitende Epitaxieschicht aufgebracht. In dieser Halb- i

leiterschicht sind durch irgendeine der bekannten Techniken ₍ , Halbleiterinseln durch Isolationszonen definiert. Im be- | trachteten Ausführungsbeispiel bestehen die Isolationszonen '

I I

!aus abgesenkten Oxidbereichen (ROI), unter denen sich P - |

dotierte Isolationszonen befinden. Der N⁺-dotierte Subkol- !

lektor ist in bekannter Weise hergestellt und über eine ' N -dotierte Kontaktierungszone mit dem ohmschen Kollektor-

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kontakt B für den Widerstand R2O verbunden. Die Schottky-'Dioden D21, D22, D23, D24 und D25 sind durch Aufbringen eines geeigneten Kontaktes auf die Epitaxieschicht hergestellt.

Als Kontaktmaterial kann beispielsweise Tantal-Chrom oder Titan-Wolfram verwendet v/erden. In die Epitaxieschicht wird die P-Basis und in diese der N -Emitter eingebracht. Die ι sättigungsverhindernde Diode D2O besteht aus einem auf die 'Epitaxieschicht aufgebrachten Kontakt, der sich teilweise über die P-Basiszone erstreckt und dort als Basiskontakt dient.

^!Die logische Schaltung gemäß Fig. 2 entspricht in ihrer ι logischen Funktion bekannten, entsprechenden Schaltungen

jund dient lediglich der Erläuterung der Erfindung. In ihr !sind jedoch die bereits genannten erfindungsgemäßen Merk- ^: imale angewendet. . ■

[Die Schaltung hat folgende Wirkungsweise: Liegt an einem >

'der Eingänge D oder D-¹' ein oberer Pegel, so ist der Knoten J j

auf dem unteren Pegel. Der Transistor T3O ist gesperrt. ;

Liegen jedoch beide Eingänge D und D¹ auf dem. unteren Pegel, j

so liegt im Knoten J der obere Pegel. In diesem Zustand ist i

der Transistor T3O leitend und bringt die Ausgangsanschlüsse | M, N, O, P und Q auf den unteren Pegel. Die beispielsweise betrachtete Schaltung gemäß Fig. 2 führt damit die Funktion

einer ODER-Schaltung aus. Eine NOR-Funktion ist mit dieser ,

Schaltung selbstverständlich ebenfall erzielbar.

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Claims

PATENTANSPRÜCHE

1. Integrierte logische Schaltung mit mindestens einer in Schottky-Transistor-Logik aufgebauten Grundschaltung, von deren Ausgängen einer über einen widerstandsbehafteten Leiterzug mit der Basis eines nachgeschalteten Transistors verbunden ist und den Leitzustand dieses Transistors steuert, dadurch gekennzeichnet,

daß die Grundschaltung einen an der Basis gesteuerten Transistor (T1O) enthält, dessen Emitter mit einer ersten Betriebspotentialquelle (--V) und dessen Kollektor über parallele Zweige aus jeweils der Serienschaltung einer Schottky-Diode (T11 bis T15) und eines Widerstandes (R11 bis R15) mit einer zweiten Betriebspotentialquelle (Masse) verbunden ist, wobei die Verbindungspunkte jeweils zwischen Schottky-Diode und Widerstand die Ausgänge der Grundschaltung bilden.

2. Integrierte logische Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,

daß eine erste und eine zweite Grundschaltung mit jeweils einem ihrer Ausgänge verbunden sind, der über einen widerstandsbehafteten Leiterzug (RL) mit dem Eingang einer dritten Grundschaltung verbunden ist, so daß der Basisstrom für den Transistor (T3O) der dritten Grundschaltung über einen der mit der zweiten Betriebspotentialquelle (Masse) verbundenen Widerstände (R15) der ersten oder zweiten Grundschaltung geliefert wird.

3. Integrierte logische Schaltung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet,

daß die Schottky-Dioden der Serienschaltungen eine relativ niedrige Vorwärtsspannung aufweisen und daß parallel zur Kollektor-Basisstrecke der Transistoren der Grundschaltungen eine Sättigungsverhindernde Schottkyr

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Diode mit relativ hoher Vorwärtsspannung angeordnet ist.

4. Integrierte logische Schaltung nach einem, der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet,

daß zwischen Kollektor des Transistors der Grundschaltung und zweiter Betriebspotentialquelle ein zusätzlicher Widerstand (R1O) angeordnet ist.

5. Integrierte logische Schaltung nach den Ansprüchen 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet,

daß die Grundschaltungen NPN-Transistoren enthalten, die erste Betriebspotentialquelle ein negatives Potential (-V) und die zweite Betriebspotentialquelle Massepotential führt.

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