DE2842941C3 - Verfahren zum Chromatieren von Aluminiumsubstraten für Magnetspeicherplatten - Google Patents
Verfahren zum Chromatieren von Aluminiumsubstraten für MagnetspeicherplattenInfo
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C22/00—Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive liquid, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals
- C23C22/73—Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive liquid, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals characterised by the process
- C23C22/76—Applying the liquid by spraying
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Chromatieren von Aluminiumsubstraten für Magnetspeicherplatten
gemäß Oberbegriff des Anspruchs 1.
Die feinbearbeiteten Oberflächen von Aluminiumsubstraten für Magnetspeicherplatten werden vor dem
Auftragen der magnetisierbaren Schicht gewöhnlich mit einem Passivierungsmittel behandelt, um sie korrosionsbeständig
zu machen und eine gute Schichthaftung zu gewährleisten. Im Hinblick auf die mittlerweile äußerst
gering gewordenen Schichtstärken um 1 μηι (enorm gesteigerte Speicherkapazität) ist eine gleichmäßige
Behandlung der Oberfläche sehr wichtig.
Es ist bekannt, Aluminium-Oberflächen durch anodische Oxidations-(Eloxieren) sowie Chromatierungs- und
Phosphatierungsverfahren zu passivieren. Eloxier- und Phosphatierverfahren sind jedoch für Substrate von
Magnetspeicherplatten ungeeignet, da die Oberflächen zu sehr aufgerauht werden. Chromatierverfahren sind
für derartige Substrate geeignet, insbesondere die heute üblichen Verfahren, bei denen saure Lösungen zur
Chromatierung von Aluminium verwendet werden. Bei der Einwirkung einer wäßrigen Lösung von Chromsäure
(CrO3 · aq), Phosphorsäure (H3PO4) und Flußsäure
(HF) in Gegenwart von Na+-lonen bildet sich auf einer frisch gereinigten Alu-Oberfläche eine zusammenhängende
Schutzschicht, bestehend aus CrPO4, AlPO4 und
AlPO4 · NaF, wie in der Literatur beschrieben (Technische
Informationen 604, Gerhard Collardin GmbH, Oberflächenchemie, 5 Köln 30, Widdersdorferstraße
215). Dabei hat man die Behandlung von Substraten für
Magnetspeicherplattcn bisher meistens im Durchlauftauchverfahren durchgeführt. Die zu behandelnden
Platten werden auf Gestellen oder Trommeln transportiert, wobei man bei neueren Verfahren die Platten
während des gesamten Behandlungsvorgangs — vom Entfetten über Passivieren bis zum Spülen — rotieren
läßt.
Es hat sich jedoch gezeigt, daß die Ausbildung der Schicht unregelmäßig ist. Die Ursache liegt wohl darin,
daß die chemische Reaktivität der Aluminiumoberfläche unterschiedlich ist und eine sofortige Verarmung der
wäßrigen Lösung an den Reaktionspartnern erfolgt. Man kann zwar durch Rühren oder Umpumpen des
Tauchbades eine Verbesserung erreichen, für Substrate von Magnetspeicherplatten sind die erzielbaren Ergebnisse
jedoch unzureichend; die Substratoberflächen weisen immer noch unterschiedlich beschichtete Stellen,
sogenannte Flecken, und sogar Poren auf.
Gemäß der DE-OS 22 42 908 ist es bekannt, zur Chromatierung von Aluminiumbändern oder -blechen
s die Behandlungslösung ein- oder doppelseitig mit im Gegensinn sich drehenden Rollen oder mittels Düsen
aufzutragen. Dabei werden entsprechend der Zusammensetzung und der auf einen bestimmten Oberflächenabschnitt
bezogenen Menge der Behandlungslösung die
ίο Reaktionszeit zuvor eingestellt und nach dieser Zeit die
Oberflächen mit Wasser abgespült sowie getrocknet.
In der DE-AS 12 33 232 ist eine Vorrichtung zum beidseitigen Aufsprühen der Behandlungslösung beschrieben,
bei der die zu behandelnden, flachen Gegenstände in horizontaler Lage auf am Umfang
Zähne aufweisenden Rollen durch die Behandlungskammer gefördert werden. Dadurch soll eine möglichst
gleichmäßige Behandlung der Gegenstände auf beiden Seiten gewährleistet werden.
Auch bei Anwendung dieser bekannten technischen Maßnahmen zeigte sich, daß die Gleichmäßigkeit der
durch die Chromatierung erzeugten Schutzschicht noch nicht ausreichend ist, um die Schwankungen der auf die
Substratplatte aufgetragenen Magnetschicht, deren Dicke für hochleistungsfähige Magnetplatten bei 1 μπι
und weniger liegt, in zulässigen Grenzen zu halten.
Es stellte sich daher die Aufgabe, ein Chromatierverfahren zu entwickeln, bei dem beim Aufsprühen der
Chromatierlösung auf Aluminiumsuöstrate für Magnet-Speicherplatten
eine deutlich höhere Gleichmäßigkeit der passivierten Oberfläche als bisher erreichbar zu
erzielen ist.
Die Aufgabe wurde durch ein Verfahren der eingangs angegebenen Art gelöst, bei dem die Düsen während
des Aufsprühvorgangs Schwenk- oder Taumelbewegungen ausführen. Einzelheiten des neuen Verfahrens
ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung.
Nach einer Vorbehandlung, z. B. Entfetten, Bürsten und Spülen, gelangen die Substrate mittels bekannter
Fördereinrichtungen, wie Band- oder Rollentransport, in eine Sprühkammer, in der sie in horizontaler Lage
von angetriebenen, hintereinander angeordneten Walzen übernommen und weitertransportiert werden.
Durch versetzt auf den Walzenoberflächen angeordnete Noppen ist in an sich bekannter Weise dafür gesorgt,
daß die Auflage der Substrate punktartig und in ständigem Wechsel während des Sprühvorgangs erfolgt.
Dadurch ist gewährleistet, daß auch die unterstützten Flächenteile der Substrate ausreichend und zu
ihrer Umgebung gleich stark mit der Chromatierlösung beaufschlagt werden. Auf der Walze, die einen
Durchmesser von vorzugsweise 8 mm aufweist, können aber auch Ringe im axialen Abstand von ca. 100 mm
angeordnet werden, die an ihrem Umfang mit 2 mm hohen Noppen versehen sind.
Entlang ihres Transportweges in der Sprühkammer werden die Oberflächen der Substrate aus unterhalb und
oberhalb angeordneten Düsen von oben und unten besprüht. Dabei wird die Chromatierlösung in feinen
Strahlen, die mit hoher kinetischer Energie auf die Oberflächen treffen, gleichmäßig verteilt. Die Transportebene
der Substrate befindet sich an der Stelle zwischen den beiden Düsensystemen, an der die beiden
Strahlsysteme zusammentreffen. An dieser Stelle der Oberflächen wird die chemisch aktive Lösung beim
harten Auftreffen stark zerstäubt. Dadurch wird die chemische Reaktion augenblicklich und über die
gesamte Substratoberfläche äußerst gleichmäßig ausge-
löst, da die Aluminiumoberfläche in einen reaktiven
Zustand überführt wird. Es ist vorteilhaft, die Lösung für
den Sprühvorgang auf etwa 20 bis 500C, vorzugsweise
auf 40° C zu erwärmen.
Die kinetische Wirkung des Sprühens wird nun erfindungsgemäß gesteigert, indem man die Düsen
während des gesamten Sprühvorgangs Schwenkbewegungen von 30 bis 40° Winkelgraden ausführen läßt.
Auch Taumelbewegungen der Düsen begünstigen eine äußerst gleichmäßige Sprühwirkung.
Die Verweilzeit der Substrate in der Sprühkammer und damit die Einwirkungsdauer der chemisch aktiven
Chromatierlösung ist durch die Umdrehungsgeschwindigkeit der Walzen einstellbar. In der praktischen
Anwendung des erfindungsgemäßen Verfahrens liegt sie je nach gewünschter Stärke der Chromaiierungsschicht
zwischen 20 Sekunden und 2 Minuten,
vorzugsweise zwischen 30 Sekunden und 1,5 Minuten. Die Schichtstärke hängt außerdem von der Temperatur
der Chromatierlösung ab.
Vor dem Verlassen der Sprühkammer passiert das besprühte Substrat ein Quetschwalzenpaar mit Weichgummioberfläche,
um den auf den Oberflächen haftenden Flüssigkeitsfilm abzustreifen. Nach dem Verlassen
der Sprühkammer durchläuft das Substrat eine Spülbekkenkaskade, in der die Oberflächen mit Wasser
abgespritzt und dabei von der Rest-Chromatieriösung befreit werden. Danach gelangen die Substrate in eine
Trocknungseinrichtung, in der sie mit Warmluft getrocknet werden.
Es ist vorteilhaft, alle Behandlungszonen durch Quetschwalzenpaare voneinander zu trennen, damit die
einzelnen Behandlungsflüssigkeiten nicht in andere
ίο Behandlungszonen gelangen.
Nach Versuchen im technischen Maßstab wurden die nach dem vorstehend beschriebenen Verfahren behandelten
Substrate für Magnetspeicherplatten in einem Korrosionstest nach DIN 50 947 und einer Meßmethode
nach DIN 55 232 zur Beurteilung der Schichthaftung unterzogen. Es zeigte sich bei sämtlichen Substraten,
daß die in einer Dicke von 0,1 μηι ausgebildete Chromatierungsschicht gleichförmig und völlig flecken-
und porenfrei war. Nach einem Schwitzwasser-Klimatest nach DIN 50 012 an mit einer Magnetschicht
versehenen und so behandelten Substraten konnten weder Blasenbildung noch Schichtablösungen beobachtet
werden.
Claims (1)
- Patentanspruch:Verfahren zum Chromatieren von Aluminiumsubstraten für Magnetspeicherplatten, bei dem die Substrate in horizontaler Lage bei punktweise wechselnder Auflage durch eine Sprühkammer bewegt werden, in der die Oberflächen der Substrate im wesentlichen vertikal gerichteten Sprühstrahlen einer sauren Lösung aus oberhalb und unterhalb der Bewegungsbahn der Substrate angeordneten Düsen ausgesetzt sind, und bei dem nach einer voreinstellbaren Reaktionszeit die chromatierten Oberflächen mit Wasser abgespült und anschließend mit Warmluft getrocknet werden, dadurch gekennzeichnet, daß die Düsen während des Aufsprühvorgangs Schwenk- oder Taumelbewegungen ausführen.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19782842941 DE2842941C3 (de) | 1978-10-02 | 1978-10-02 | Verfahren zum Chromatieren von Aluminiumsubstraten für Magnetspeicherplatten |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19782842941 DE2842941C3 (de) | 1978-10-02 | 1978-10-02 | Verfahren zum Chromatieren von Aluminiumsubstraten für Magnetspeicherplatten |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2842941A1 DE2842941A1 (de) | 1980-04-10 |
DE2842941B2 DE2842941B2 (de) | 1981-02-12 |
DE2842941C3 true DE2842941C3 (de) | 1981-11-12 |
Family
ID=6051173
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19782842941 Expired DE2842941C3 (de) | 1978-10-02 | 1978-10-02 | Verfahren zum Chromatieren von Aluminiumsubstraten für Magnetspeicherplatten |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE2842941C3 (de) |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3082774A (en) * | 1961-02-08 | 1963-03-26 | Ct Circuits Inc | Etching machine |
DE2242908A1 (de) * | 1972-08-31 | 1974-03-14 | Metallgesellschaft Ag | Verfahren zur chemischen oberflaechenbehandlung von aluminium |
-
1978
- 1978-10-02 DE DE19782842941 patent/DE2842941C3/de not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE2842941A1 (de) | 1980-04-10 |
DE2842941B2 (de) | 1981-02-12 |
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