DE2751048B2 - Verstärkerkapsel mit Oktogenkristallen fur Geschosse und Verfahren zu ihrer Herstellung - Google Patents
Verstärkerkapsel mit Oktogenkristallen fur Geschosse und Verfahren zu ihrer HerstellungInfo
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Description
Die Erfindung betrifft eine Verstärkerkapsel mit Oktogenkristallen für Geschosse zur Detonationseinleitung
oder zur Detonationsübertragung.
Es hat sich gezeigt, daß die bekannten Verstärkerkapseln
dieser Art nicht alle gleich zuverlässig initiierfähig sind.
Die vorliegende Erfindung bezweckt, die Initiierfähigkeit
dieser Verstärkerkapssln zu verbessern und ihre ' Störanfälligkeit zu vermindern.
Die erfindungsgemäße Verstärkerkapsel ist dadurch gekennzeichnet, daß die Oktogenkristalle größer als
75 μηι und kleiner als 150 μπι sind, daß das Längen-Durchmesser-
Verhätnis der Kristalle 3:1 ist, und daß die Kanten der Kristalle unbeschädigt sind.
Vorzugsweise besitzt das Oktogen am einen Ende der Verstärkerkapsel eine größere Dichte als am anderen
Ende, die Dichte nimmt stufenweise ab und ist am Ende so klein, daß die Kristalle ganz bleiben.
Vorzugsweise besitzen mindestens 30% der Kristalle des Oktogens die genannten Eigenschaften.
Die Erfindung betrifft ferner ein Verfahren zur Herstellung der genannten Verstärkerkapsel. Dieses
Verfahren zur Herstellung der Verstärkerkapsel ist dadurch gekennzeichnet, daß durch Naß-Sieben die
Menge der bevorzugten Kristalle in einer Mischung verschiedenartiger Oktogenkristalle angereichert wird.
Versuche haben bestätigt, daß die Initiierfähigkeit des
Oktogens von der Form und der Größe der Kristalle abhängig ist, wobei diese möglichst unbeschädigt sein
sollen.
Ein Ausfuhrungsbeispiel der erfindungsgemäßen Verstärkerkapsel ist im folgenden an Hand der
Zeichnung ausführlich beschrieben. Es zeigt
F i g. 1 und 2 Oktogenkristalle in schaubildlicher Darstellung,
Fig.3 bis 6 verschiedene Verfahrensschritte zur Herstellung der Verstärkerkapsel,
und kleiner als 150 μπι und sein Längen-Durchmesser
Verhältnis ist ca. 3:1.
Demgegenüber ist der im gleichen Maßstab in F i g. 2 dargestellte Kristall größer als 150 μιη außerdem besitzt
er nicht das gewünschte Längen-Durchmesser-Verhältnis von ca. 3:1, und somit auch nicht die erforderliche
Initiierfähigkeit
Wesentlich für eine gute Initiierfähigkeit ist, daß die
Kristalle nicht beschädigt sind. Durch Sieben, insbesondere
Naß-Sieben, lassen sich zwar zu große und zu kleine Kristalle ausscheiden. Schwieriger ist die
Aussortierung der Kristalle nach ihrer Form. Wie jedoch die Betrachtung der Kristalle durch das
Mikroskop zeigt, sind die länglichen Kristalle kleiner als die eher kugelförmigen Kristalle, so daß durch ein
Sieb-Verfahren eine Anreicherung der länglichen Kristalle möglich ist Die Kristalle werden im wesentlichen
durch große Drücke beschädigt Wenn möglichst alle Kristalle unbeschädigt sein sollen, dürfen die
Drücke beim Einfüllen in die Kapsel gewisse Werte nicht überschreiten.
Gemäß F i g. 3 wird eine Menge von ca. 140 mg Oktogen unter einem Druck von ca. 13 bar in eine Hülse
10 mit Boden U mit Hilfe eines Stempels 12 hineingepreßt
Gemäß F i g. 4 wird anschließend eine weitere Menge von wiederum ca. 140 mg Oktogen unter einem
kleineren Druck von ca. 7 bar in die selbe Hülse 10 hineingepreßt
Gemäß F i g. 5 wird schließlich eine letzte Menge von nochmals ca. 140 mg Oktogen unter einem noch
kleineren Druck von ca. 3 bar in die Hülse 10 hineingepreßt
Gemäß F i g. 6 wird die Hülse 10 durch einen Deckel 13 verschlossen und der obere Rand der Hülse 10 wird
umgebördelt, wobei ein Druck von ca. 21 bar erforderlich
ist
Oktogen oder genauer
Homocyclonite
Tetrametliylentetranitramin
HMX
Homocyclonite
Tetrametliylentetranitramin
HMX
Cyclotetramethylentetramin
hat folgende Formel
hat folgende Formel
NO2
NO2 C-N H2
N-C
NO2
H,
NO2
Es gibt vier Modifikationen (λ, β, γ, ό-Modifikation)
Schmelzpunkt 280° C
Schmelzpunkt 280° C
Explosionswärme 1228 cal/g H2O dampfförmig)
Detonationsgeschwindigkeit 9100 m/s
Verpuf fungstemperatur 287° C.
Für die erfindungsgemäße Verstärkerkapsel wird die ^-Modifikation verwendet.
Detonationsgeschwindigkeit 9100 m/s
Verpuf fungstemperatur 287° C.
Für die erfindungsgemäße Verstärkerkapsel wird die ^-Modifikation verwendet.
Durch sorgfältige Siebverfahren wird man versuchen, die bevorzugten Kristallformen in möglichst großer
Reinheit zu erhalten. Durch die niedrigeren Drücke bei der zweiten und dritten Menge gemäß F i g. 4 und 5 sind
die Kristalle weniger beschädigt und die Initiierfähigkeit
ist daher größer. Diese Initiierfähigkeit läßt sich mit speziellen Testverfahren prüfen. Aus dem Diagramm
gemäß F i g. 7 ist ersichtlich, daß die Initiierfähigkeit von
der Korngröße abhängig ist Bei dem Testverfahren werden zwischen eine Zündkapsel und die zu prüfende
Verstärkerkapsel ein, zwei oder drei Aluminnimplättchen
gelegt Bei guter Initiierfähigkeit kann die Verstärkerkapsel noch bei drei Plättchen gezündet
werden, bei schlechter Initäerfähigkeit verhindert schon ein Plättchen die Zündung der Verstärkerladung.
Durch ein Naß-Sieb-Verfahren ist es möglich, die Menge der Kristalle der Größe zwischen 75— 150μπι
die ein Längen-Durchmesser-Verhältnis von 3:1
aufweisen, in einer Mischung verschiedenartiger Oktogenkristalle auf mindestens 30% anzureichern.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (4)
1. Verstärkerkapsel mit Oktogenkristallen für
Geschosse zur Detonationseinleitung oder zur Detonationsübertragung, dadurch gekennzeichnet,
daß die Oktogenkristalle größer als 75 um und kleiner als 150 μπα sind, daß das
Längen-Durchmesser-Verhältnis der Kristalle 3 :1 ist und daß die Kanten der Kristalle unbeschädigt
sind.
2. Verstärkerkapsel nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens 30% der Kristalle
des Oktogens die genannten Eigenschaften besitzen.
3. Verstärkerkapsel nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Oktogen am einen Ende
der Verstärkerkapsel eine größere Dichte als am anderen Ende besitzt, die Dichte stufenweise
abnimmt und am Ende so klein ist, daß die Kristalle ganzbleiben.
4. Verfahren zur Herstellung der Verstärkerkapsel
nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß durch Naß-Sieben die Menge der bevorzugten
Kristalle in einer Mischung verschiedenartiger Oktogenkristalle angereichert wird.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
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CH (1) | CH599072A5 (de) |
DE (1) | DE2751048C3 (de) |
FR (1) | FR2375159A1 (de) |
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IT (1) | IT1114846B (de) |
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SE (1) | SE431977B (de) |
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- 1977-12-12 US US05/859,647 patent/US4170178A/en not_active Expired - Lifetime
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- 1977-12-21 JP JP52153055A patent/JPS5825647B2/ja not_active Expired
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