DE2731383A1 - Bistabiles element, und mit einem derartigen bistabilen element versehener schaltkreis - Google Patents

Bistabiles element, und mit einem derartigen bistabilen element versehener schaltkreis

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Description

BICOSA SOCIETE DE RECHERCHES 0561 77 B
Bistablies Element, und mit einem derartigen bistabilen Element ▼ersehener Schaltkreis.
Die Erfindung betrifft ein bistabiles Element, und zwar insbesondere ein derartiges Element mit einem Organ nach Art eines Thyristors, einem Steuereingang für einen ersten Zustand und einem Steuereingang für einen zweiten Zustand. Sie betrifft ferner eine Schaltung zur Unterbrechung des einer Belastung gelieferten Stroms,welche ein derartiges bistabiles Element enthält.
Fig. 1 der Zeichnung zeigt die Ausbildung eines bistabilen Elemente der bekannten Technik, z.B. den Typ BRY der Societe "Ia Radiotechnique" - Coprim - RTC". Ein derartiges bekanntes Element enthält (Fig. 1a) zwei Transistoren 1 und 2 des Typs FNP bzw. NPN, und seine Elektroden sind eine Anode 3, eine Kathode 4, ein Anodenauslöser 5 und ein Kathodenauslöser 6. Im allgemeinen wird dieses Element in Form einer elementaren integrierten Schaltung mit dem "planar-epitaxalen" Aufbau verwirklicht. Fig. Ib zeigt eine symbolische Darstellung des betreffenden bistabilen Elements.
Das in Fig. 1 dargestellte bistabile Element wird leitend gemacht (geringer Widerstand zwischen der Anode 3 und der Kathode 4), wenn man einen positiven Impuls an den Auslöser 6 anlegt. Das Element bleibt dann in diesem ersten Zustand, selbst nach Verschwinden des Impulses an dem Auslöser 6. Um das bistabile Element in seinen zweiten Zustand (Sperrzustand, hochohmlger Widerstand zwischen der Anode 3 und der Kathode 4) überzuführen, legt man einen positiven Impuls an den Anodenauslöser 5 an, und das bistabile Element bleibt in diesem zweiten Zustand, selbst nach dem Verschwinden des Impulses an seinem Auslöser 5.
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Zur Herstellung dieses zweiten Zustande ist es
erforderlich, daß der an den Eingang 5 angelegte Steuerimpuls eine Amplitude/ deren Wert höher als der der Stromquelle ist. Diese Bedingung kann bei gewissen Anwendungen störend sein, insbesondere wenn die Stromquelle zur Speisung des bistabilen Elements ein Trockenelement niedriger Spannung ist. Es muß dann eine Hilfsstromquelle zur Erzeugung der Steuerimpulse des zweiten Zustande vorgesehen werden.
Die Erfindung bezweckt insbesondere, dem obigen
Nachteil abzuhelfen und somit die Herstellung eines bistabilen Elements zu ermöglichen, bei welchem die Amplitude der Steuerimpulse für den zweiten Zustand (Sperrzustand) in einem weiten Bereich gewählt werden kann, wobei die Polarität dieser Impulse nach Belieben bei dem Entwurf des Elements gewählt werden kann.
Die Erfindung bezweckt ferner, besser als bisher den verschiedenen Erfordernissen der Praxis zu entsprechen.
Das erfindungegemäße bistabile Element ist dadurch gekennzeichnet, daß es einen Thyristor o.dgl. und einen Transistor o.dgl. aufweist. Der Steuereingang für den ersten Zustand dieses Elements ist mit der Auelöseelektrode des Thyristors o.dgl. und der Steuereingang für den zweiten Zustand ist mit der Basiselektrode des Transistore o.dgl. verbunden. Die Emitter-Kollektor-Strecke dee Traneistors o.dgl. ist gegenüber der Anoden-Kathoden-Strecke des Thyristors o.dgl. so angeordnet, daß einer der beiden Leitfähigkeitezuetände des Traneistors o.dgl. die Unterdrückung des den Thyristor o.dgl. durchflieBeenden Strome zur Folge hat. Unter diesen Bedingungen entspricht der zweite Zustand des bistabilen Elemente dem Sperrzustand dee Thyrietore o.dgl.
Bei einer Aueführungeform der Erfindung liegen
die Emitter-Kollektor-Strecke dee Transistors o.dgl. und die Anoden-Kathoden-Strecke dee Thyrietore o.dgl. in Reihe, wobei ein Vorspannungswiderstand zwischen der Basiselektrode und der Kollektorelektrode des Transistors o.dgl. angeordnet ist.
Bei einer anderen Ausführungsform liegt die Emitter-Kollektor-Strecke des Transistors o.dgl. parallel zu der Anoden-Kathoden-Strecke dee Thyrietore o.dgl., wobei vorzugsweise «in Wideretand in Reihe mit dieser durch den Thyristor und den dazu parallel geschalteten Traneietor gebildeten Anordnung geschaltet let, wo-
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bei der Wert dieses Widerstands so gewählt ist, daß im Betrieb, wenn sich der Thyristor o.dgl. in leitendem Zustand befindet, der diesen durchfliessende Strom eine Stärke besitzt, welche nur wenig größer als die Stromstärke zur Aufrechterhaltung des leitenden Zustande des Thyristors o.dgl. ist.
Die erfindungsgemäße Schaltung zur Unterbrechung des einer Belastung gelieferten Stroms enthält ein bistabiles Element des obigen Typs. Wenn die Emitter-Kbllektor-Strecke des Transistors o.dgl· und die Anoden-Kathoden-Strecke des Thyristors o.dgl. in Reihe geschaltet sind, ist es zweckmäßig, daß die Belastung ebenfalls mit dem Thyristor und dem Transistor o.dgl. in Reihe geschaltet ist. Wenn die Emitter-Kollektor-Strecke des Transistors o.dgl. parallel zu der Anoden-Kathoden-Strecke des Thyristors o.dgl. geschaltet ist, weist zweckmäßig dieser Schaltkreis ein Element auf, dessen Leitfähigkeit durch das bistabile Element gesteuert wird, wobei dann die Belastung in Reihe mit diesem Element mit gesteuerter Leitfähigkeit geschaltet ist.
Die Steuereingänge für den ersten und den zweiten Zustand des bistabilen Elements des erfindungsgemäßen Schaltkreises weisen je einen ersten leitenden Kontakt und einen zweiten leitenden Kontakt auf, welch letztere je einem der ersten leitenden Kontakte zugeordnet sind, wobei diese zweiten Kontakte mit einem Punkt bestimmten Potentials, z.B. dem Körper,verbunden sind. Der Abstand zwischen dem ersten leitenden Kontakt und dem entsprechenden zweiten leitenden Kontakt ist zweckmäßig kleiner als die Breite des Endes eines Fingers. Es ist dann vorteilhaft, daß der erste oder der zweite leitende Kontaktdie Form eines Ringes hat, welcher den entsprechenden Kontakt umgibt und von diesem getrennt ist.
Die Erfindung ist nachstehend unter Bezugnahme auf die Zeichnung beispielshalber erläutert.
Fig. 1 zeigt ein bereits beschriebenes bistabiles Element bekannter Bauart.
Fig. 2 zeigt ein erfindungsgemäßes bistabiles Element.
Flg. 3 zeigt eine Ausführungsabwandlung des in Fig. 2 dargestellten Bleaents.
Fig. 4 zeigt einen erfindungsgemäßen Schaltkreis mit einem bistabilen Element der in Fig. 2 dargestellten Art.
Fig. 5 zeigt in größerem Maßstab eine AusfUhrungsab-
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Wandlung der leitenden Kontakte der Schaltung der Fig. 4·
Fig. 6 zeigt eine andere Ausf Uhrungsform eines erfindungsgemäßen bistabilen Elements.
Fig. 7 zeigt einen Schaltkreis mit einem bistabilen Element der in Fig. 5 dargestellten Art.
Das in Fig. 2 dargestellte bistabile Element enthält einen Transistor 10 des Typs PNP und einen Thyristor 11. Der Steuereingang 12 für den ersten Zustand ist mit der Ausläseelektrode des Thyristors 11 verbunden, und zwar bei dem betrachteten Beispiel über einen Kondensator 13. Der Steuereingang 14 für den zweiten Zustand ist mit der Basis des Transistors 10 verbunden, und zwar bei dem betrachteten Beispiel ebenfalls über einen Kondensator 15. Der Emitter des Transistors 10 ist mit dem negativen Pol einer (nicht dargestellten) Gleichstromquelle verbunden, gegebenenfalls über eine ebenfalls nicht dargestellte Belastung. Der Kollektor des Transistors 10 ist mit der Anode des Thyristors 11 und die Kathode dieses Thyristors ist mit dem Körper (Pol des niedrigsten Potentials der Stromquelle) verbunden. Die Emitter-Kollektor-Strecke des Transistors 10 und die Anoden-Kathoden-Strecke des Thyristors 11 sind so in Reihe geschaltet. Schließlich ist ein Vorspannungswiderstand 12a zwischen die Basis und den Kollektor des Transistors 10 geschaltet.
Im Betrieb ist die durch den Transistor 10 und den Thyristor 11 gebildete Anordnung normalerweise nicht leitend. Bei Anlegung eines Impulses positiver Polarität an den Eingang 12 ermöglicht dieser die Auslösung des Thyristors 11. Unter diesen Bedingungen wird der Translator 10 dank des Vorspannungswiderstände 12a ebenfalls leitend gemacht. Nach dem Verschwinden des positiven Impulses an dem Bingang 12 bleibt so die durch den Transistor 10 und den Thyristor 11 gebildete Anordnung leitend, natürlich vorausgesetzt, daß die Stärke des diese Anordnung durchfl!essenden Stroms nicht zu Null wird. Dieser leitende Zustand stellt einen ersten stabilen Zustand dar.
Um dieser Anordnung den zweiten stabilen Zustand zu erteilen, wird ein Impuls positiver Polarität an den Eingang 14 angelegt. Dieser Impuls bringt, wenigstens kurzzeitig, den Transistor 10 in den Sperrzustand, so daß die den Thyristor 11 durchfliessende Stromstärke zu Null wird. Dieser geht daher in den Sperrzustand über und bleibt in diesem. Man hat also tatsächlich der durch den Tran-
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βietor 10 und den Thyristor 11 gebildeten Anordnung einen zweiten stabilen Zustand erteilt.
Ee ist hier zu bemerken, daß der Vorteil dieser Schaltung gegenüber den (gleichartigen) bistabilen Elementen der bekannten Technik darin besteht, daß die Amplitude des Steuerimpulses für den zweiten Zustand in einem weiten Bereich gewählt werden kann.
Das in Fig. 3 dargestellte bistabile Element entspricht dem in Fig. 2 dargestellten, wobei der einzige Unterschied zwischen diesen beiden Elementen darin besteht, daß der Thyristor durch eine Anordnung 11a mit zwei Thyristoren 16 und 17 des Typs FNF bzw. NFN ersetzt wurde. Die Basis des Transistors 16 ist mit dem Kollektor des Transistors 17 und der Kollektor des Transistors 16 mit der Basis des Traneistors 17 verbunden. Bekanntlich ist eine derartige Anordnung 11a mit zwei Transistoren mit einem Thyristor gleichwertig. In diesem Fall ist der Steuereingang für den ersten Zustand mit der Basis des Transistors 17 verbunden.
Nachstehend ist unter Bezugnahme auf Fig. 4 eine erfindungsgemäße Anwendung des unter Bezugnahme auf Fig. 2 beschriebenen bistabilen Elements beschrieben.
Bei dieser Anwendung wird das bistabile Element zur Bildung eines Schaltkreises mit Kontakten oder Tasten zur Einschaltung und Ausschaltung benutzt. Bei dem dargestellten Beispiel liegt die Belastung 20 in Reihe mit der durch den Transistor 10b (des Typs NFN) und den Thyristor 11b gebildeten Anordnung. Die nicht mit der Anode des Thyristors 11b verbundene Klemme der Belastung ist/dem positiven FoI einer (nicht dargestellten) Gleichstromquelle verbunden. Der Emitter des Transistors 10b ist mit dem negativen FoI dieser Stromquelle verbunden. Der Widerstand 12b zwischen dem Kollektor und der Basis des Transistors 10b hat den Wert 10 MJl.
Die Auslöseelektrode des Thyristors 11b ist bei dem betrachteten Beispiel mit dem negativen FoI über einen Widerstand von 10 k«Q verbunden. Diese Auelöseelektrode ist auch mit dem Kollektor eines Verstärkertransistors 22 des Typs FNF verbunden, dessen Emitter mit dem positiven FoI der Stromquelle verbunden ist.
Die Basis des Transistors 10b ist mit einem leitenden Kontakt 23 verbunden, welcher den Steuereingang für den zweiten Zustand bildet. In der Nähe dieses Kontakte 23 ist ein zweiter, mit
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dem negativen Pol der Stromquelle verbundener leitender Kontakt 24 angeordnet. Der Abstand zwischen diesen leitenden Kontakten 23 und 24 ist kleiner als die Breite des Endes des Fingers einer Bedienungsperson. Wenn dann eine Bedienungsperson das Ende eines Fingers zwischen die Kontakte oder Tasten 23 und 24 legt, steht die Oberfläche des Endes dieses Fingers gleichzeitig mit diesen Klemmen 23 und 24 in Verbindung.
Ebenso ist die Basis des Transistors 22 mit einem leitenden Kontakt 25 verbunden, in dessen Nähe ein zugehöriger leitender Kontakt 26 angeordnet ist, welcher mit dem negativen Pol der Oleichstromquelle verbunden ist. Wie die mit den Bezugszeichen 23 und 24 bezeichneten Kontakte sind die Kontakte 25 und 26 aus dem gleichen Gründe wie die Kontakte 23 und 24 durch einen Abstand getrennt, welcher kleiner als die Breite des Endes eines Fingers ist.
Wenn im Betrieb die Bedienungsperson das Ende eines Fingere auf die Tasten 25 und 26 bringt, genügt der von der Oberfläche des Fingers dargebotene Widerstand, um den Transistor 22 leitend zu machen. Unter diesen Bedingungen empfängt die Auslöeeelektrode des Thyristors 11b ein Signal positiver Polarität, und das bistabile Element mit Thyristor 11b und Transistor 10b geht in den leitenden Zustand über. Die Belastung 20 wird dann von dem von der Stromquelle gelieferten Strom durchflossen. Um dieses Ergebnis zu erhalten, braucht die Bedienungsperson nur ihren Finger zeitweilig gegen die Kontakte 25 und 26 zu bringen, da das bistabile Element in dem leitenden Zustand verbleibt, nachdem die Bedienungsperson ihren Finger von den Kontakten abgehoben hat. Zur Unterbrechung der Speisung der Belastung 20 drückt die Bedienungsperson das Ende eines Fingers auf die Kontakte 23 und 24, um das bistabile Element in seinen zweiten Zustand (Sperrzustand) zurückzubringen. Auch hier genügt ein zeitweiliges Auflegen des Fingerendes, um den Übergang in den zweiten Zustand zu bewirken.
Bei dem oben beschriebenen Schaltkreis haben die Kontakte 23 und 24 (sowie die Kontakte 25 und 26) die Form von getrennten Kreisen. Wie jedoch in Fig. 5 dargestellt, hat zweckmässig einer dieser Kontakte, z.B. der mit der Basis des Transistors des bistabilen Elements verbundene Kontakt 23a, die Form eines lei-
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tenden Kreises, während der zugehörige Eontakt 24a die Form eines zu diesem Kreis konzentrischen Ringes hat. Natürlich trennt dann ein Isolierring 27 den Kreis 23a von dem Ring 24a.
Bei dem in Fig. 5 dargestellten Beispiel trägt der Kreis 23a eine Angabe über die Funktion der Taste. In diesem Fall handelt es sich um den der "Abstellung" entsprechenden Buchstaben "A". Natürlich können die Kontakte 25 und 26 zur Inbetriebsetzung auf die gleiche Weise ausgebildet werden. Bei einer Ausführungsabwandlung kann die Angabe der Funktion der Taste auf dem Isolierring 27 angebracht sein.
Ferner ist es nicht unerläßlich, daß der Kreis 23a und der Ring 24a kreisförmig und/oder konzentrisch sind. Bei einer AusführungsabWandlung sind diese Elemente nicht konzentrisch und/ oder besitzen die Form eines Ovals. Der Abstand zwischen den Kontakten ist dann nicht konstant, was die Berücksichtigung der verschiedenen Breiten der Fingerenden der Bedienungsperson gestattet. Es ist ferner möglich, dem Kontakt 23a die Form von einen Kamm bildenden Segmenten zu geben, welche alle mit dem gleichen Potential verbunden sind, wobei der Kontakt 24a die gleiche Form hat und die "Zähne" des entsprechenden Kamms in den Zwischenräumen zwischen den Zähnen des den Kontakt 23a bildenden Kamms liegen.
Bei dem bisher unter Bezugnahme auf Fig. 2, 3 und 4 beschriebenen Beispiel eines bistabilen Elements war die Emitter-Kollektor-Strecke des Transistors in Reihe mit der Anoden-Kathoden-Strecke des Thyristors o.dgl. geschaltet. Bei der nachstehend unter Bezugnahme auf Fig. 6 beschriebenen Ausführungsform des erfindungsgemäßen bistabilen Elements ist die Emitter-Kollektor-Strecke des Thyristors 30 parallel zu der Anoden-Kathoden-Strecke des Thyristors 31 geschaltet. Genauer ausgedrückt, bei diesem Bei spiel ist der Emitter des Traneistors 30 dee Type PNP mit der Anode des Thyristors 31 und der Kollektor des Transistors 30 mit dem Körper (negativer Pol der Stromquelle) verbunden, wie die Kathode des Thyristors 31· Die Anode des Thyristors 31 und somit der Emitter des Transistors 30 ist mit dem positiven Pol der (nicht dargestellten) Gleichstromquelle über einen Widerstand 32 und gegebenenfalls über eine ebenfalls nicht dargestellte Belastung ver bunden. Der Steuereingang 33 'für den ersten Zustand ist mit
der Auelöseelektrode des Thyristors 31 verbunden, während der
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Steuereingang 34 für den zweiten Zustand mit der Basis des Transistors 30 verbunden ist.
Im Betrieb bringt die Anlegung eines Impulses positiver Polarität an den Eingang 33 den Thyristor 31 in den leitenden Zustand, während der Transistor 30 gesperrt bleibt, da seine Basis freiliegt. Um das bistabile Element in seinen zweiten Zustand zu bringen, legt man einen Impuls negativer Polarität oder Null an den Eingang 34. Der Transistor 30 geht dann augenblicklich in den leitenden Zustand über und leitet den dem Thyristor 31 gelieferten Strom ab. Dieser letztere geht daher in den Sperrzustand über, da die ihn durchfliessende Stromstärke durch den Wert Null geht.
Das in Fig. 6 dargestellte bistabile Element besitzt gegenüber dem in Fig. 2 dargestellten den Nachteil, Impulse verschiedener Polarität zur Steuerung der beiden Zustände zu erfordern. Es ist jedoch möglich, den Transistor 30 durch einen Transistor des Typs NPN zu ersetzen. Es wird dann ein positiver Impuls an den Eingang 34 angelegt, um den Transistor leitend zu machen. Dagegen besitzt es gegenüber dem in Fig. 2 dargestellten Element den Vorteil, daß eine geringere Zahl von Grenzflächen in Reihe an den Klemmen der Speisestromquelle liegt. Es ist daher besser, das in Fig. 6 dargestellte bistabile Element als das in Fig. 2 dargestellte zu benutzen, wenn die Gleichstromquelle ein Trockenelement niedriger Spannung (1,3 oder 1,5 Volt) und/oder ein Element ist, dessen Spannung abgenommen hat (z.B. infolge einer längeren Benutzung).
Nachstehend ist unter Bezugnahme auf Fig. 7 ein Anwendungsbeispiel des in Fig. 6 dargestellten bistabilen Elements beschrieben. Es handelt sich um die gleiche Anwendung wie die in Fig.4 gezeigte, d.h. um die Herstellung eines Schaltkreises.
Bei der in Fig. 7 gezeigten Schaltung ist der Eingang mit dem Kollektor eines Transistors 40 des Typs PNP verbunden, dessen Emitter mit dem positiven Pol der Stromquelle verbunden ist, und dessen Basis über einen Widerstand 42 mit einem leitenden Kontakt 41 verbunden ist. Dem Kontakt 41 ist ein leitender Kontakt in der gleichen Weise zugeordnet, wie die Kontakte 25 und 26 (Fig.4) einander zugeordnet sind.
Die Belastung 20a ist bei diesem Beispiel einerseits mit dem Körper (negativer Pol der Stromquelle) und andererseits mit dem
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Sollektor eines Transistors 45 des Typs FMP verbunden, dessen Emitter mit dem positiven Pol der Stromquelle verbunden ist. Die Basis des Transistors 45 ist mit der Anode des Thyristors 31 des bistabilen Elemente über einen Widerstand 46 verbunden.
Der Eingang 34 des bistabilen Elements ist mit dem Emitter eines Transistors 47 des Typs PNP verbunden, dessen Sollektor mit dem Sörper verbunden ist. Die Basis des Transistors 47 ist mit einem leitenden Kontakt 49 über einen Widerstand 48 verbunden. Dem leitenden Sontakt 49 ist ein mit dem Körper verbundener Sontakt 50 zugeordnet. Wie die Kontakte 23 und 24 (Fig. 4) sind diese Sontakte 49 und 50 durch einen Abstand getrennt, welcher kleiner als die Breite des Endes des Fingers einer Bedienungsperson ist.
Schließlich sind Schutzzenerdioden 51 und 52 zwischen dem positiven Pol der Stromquelle und den leitenden Kontakten 49 bzw. 41 angeordnet.
Im Betrieb bringt eine Bedienungsperson, wenn sie das Ende eines Fingers zwischen die Kontakte 41 und 44 legt, den Transistor 40 in den leitenden Zustand, so daß ein Signal positiver Polarität an den Eingang des bistabilen Elemente angelegt wird. Der Thyristor 31 geht daher in den leitenden Zustand über, wodurch das gleiche bei dem Transistor 45 erfolgt. Die Belastung 20a wird daher von dem von der Stromquelle gelieferten Strom durchflossen. Zur Unterbrechung des Stromflusses durch die Belastung legt die Bedienungsperson das Ende eines Fingers auf die Kontakte 49 und 50, was die Traneistoren 47 und 30 leitend macht. Der Transistor 45 geht dann in den Sperrzustand über, so daß die Belastung 20a nicht mehr mit Gleichstrom gespeist wird.
Da bei diesem Beispiel das bistabile Element nicht mit der Belastung in Reihe liegt und daher nicht notwendigerweise von dem gleichen Strom durchflossen wird, ist es zweckmäßig, den Wert des durch das bistabile Element und insbesondere durch den Thyristor 31 flieesenden Strome auf den erforderlichen Kleinstwert herabzusetzen. Hierfür wird für den Widerstand 32 ein so hoher Wert gewählt, daß, wenn sich das bistabile Element in seinem ersten Zustand befindet, der diesen Widerstand und den Thyristor 31 durchfliessende Strom nur wenig größer als der Haltestrom i-, des Thyristors ist.
Unabhängig von der Ausführungsform des erfindungsgemäs-709884/0808
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sen bistabilen Elements kann dieses in der Form einer elementaren integrierten Schaltung hergestellt werden.
Außer der Herstellung eines Schaltkreises kann das erfindungsgemäße bistabile Element zahlreiche Anwendungen finden. Als Beispiel sei hier die Herstellung von Speichern angeführt.
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Claims (9)

  1. - 0361 77 B
    PATENTANSPRÜCHE
    Bistabile Vorrichtung mit einem Steuereingang für einen ersten Zustand und einem Steuereingang für einen zweiten Zustand, welche nach Anlegung eines Impulses an ihren Steuereingang für einen ersten Zustand einen ersten stabilen Leitfähigkeitszustand und nach Anlegung eines Impulses an ihren Steuereingang für einen zweiten Zustand einen zweiten, von dem ersten verschiedenen Leitfähigkeitszustand besitzt, mit einem Element des Typs Thyristor und einem Element des Typs Transistor, dadurch gekennzeichnet, daß der Steuereingang (12) für den ersten Zustand mit der Auslöseelektrode des Elements (11) des Typs Thyristor und der Steuereingang (14) für den zweiten Zustand mit der Basiselektrode des Elements (10) des Typs Transistor verbunden ist, wobei die Emitter-Kollektor-Strecke des Elements des Typs Thyristor in Bezug auf die Anoden-Kathoden-Strecke des Elements des Typs Thyristor so angeordnet ist, daß einer der beiden Leitfähigkeitszustände des Elements des Typs Thyristor die Aufhebung des dieses Element des Typs Thyristor durchfliessenden Stroms zur Folge hat, während der zweite Zustand dem Sperrzustand des Elements des Typs Thyristor entspricht, wobei ein Verstärkerelement zwischen den Steuereingang (12) für den ersten Zustand und die Auslöseelektrode des Elemente (11) des Type Thyristor geschaltet ist.
  2. 2. Bistabile Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Emitter-Kollektor-Strecke des Elemente des Typs Transietor (10) mit der Anoden-Kathoden-Strecke des Elements des Type Thyristor (11) in Reihe geschaltet ist, wobei ein Vorspannungswiderstand (12a) die Kollektorelektrode des Elements des Type Transistor (10) mit der Basiselektrode desselben verbindet.
  3. 3. Bistabile Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Emitter-Kollektor-Strecke des Elements des Typs Transistor parallel zu der Anoden-Fathoden-Strecke des Elements des Typs Thyristor geschaltet ist (Fig. 6).
  4. 4. Bistabile Vorrichtung nach Anspruch 3, gekennzeichnet durch einen Widerstand (30, Fig. 6), welcher mit der durch das Element des Typs Transistor und das Element des Typs Thyristor, welche parallel geschaltet srna,/in TTethe geschaltet ist, wobei sein Wert so gewählt ist, daß, wenn das Element des Typs Thyristor
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    (31) leitend ist, dieses von einem Strom durchflossen wird, dessen Stromstärke etwas größer als die Stromstärke des Haltestroms ist, welcher dieses Element des Typs Thyristor in dem leitenden Zustand hält.
  5. 5. Schaltvorrichtung für den einer Belastung gelieferten Strom, gekennzeichnet durch eine bistabile Vorrichtung nach Anspruch 2, wobei die Belastung (20) in Reihe mit dem Element des Typs Thyristor und dem Element des Typs Transistor liegt.
  6. 6. Schaltvorrichtung für den einer Belastung gelieferten Strom, gekennzeichnet durch eine bistabile Vorrichtung nach Anspruch 4 und ein Element mit einer durch den Zustand der bistabilen Vorrichtung gesteuerten Leitfähigkeit, welches mit der Belastung (20a, Fig. 7) in Reihe geschaltet ist.
  7. 7. Schaltvorrichtung nach Anspruch 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Steuereingänge für den ersten und den zweiten Zustand der bistabilen Vorrichtung, welche Steuereingänge für die Einschaltung und die Ausschaltung der Schaltvorrichtung bilden, je einen ersten leitenden Kontakt (41, 49) umfassen, deren jedem ein zweiter leitender Kontakt (49, 50) zugeordnet ist, wobei diese zweiten Kontakte mit einem Punkt bestimmten Potentials verbunden sind.
  8. 8. Schaltvorrichtung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß der Abstand zwischen dem ersten leitenden Kontakt und dem entsprechenden zweiten leitenden Kontakt kleiner als die Breite des Endes eines Fingers ist.
  9. 9. Schaltvorrichtung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß der erste oder der zweite leitende Kontakt die Form eines Ringes (24a) hat, welcher den entsprechenden leitenden Kontakt (23a) umgibt und von diesem getrennt ist.
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DE19772731383 1976-07-21 1977-07-12 Bistabiles element, und mit einem derartigen bistabilen element versehener schaltkreis Pending DE2731383A1 (de)

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FR7622294A FR2347780A1 (fr) 1976-07-21 1976-07-21 Perfectionnements apportes a un element bistable et circuit interrupteur comportant un tel element bistable

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DE2731383A1 true DE2731383A1 (de) 1978-01-26

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