DE2717295C2

DE2717295C2 - Lochmaske mit Schlitzöffnungen für Farbbildröhren

Info

Publication number: DE2717295C2
Application number: DE2717295A
Authority: DE
Inventors: Hiromi Mobara Kanai; Katsuyoshi Tamura; Masaaki Togane Yamauchi
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1976-07-19
Filing date: 1977-04-19
Publication date: 1983-01-13
Also published as: US4168450A; JPS5310961A; FI771241A; GB1566908A; FI61368B; DE2717295A1; FI61368C

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft <-,ne Lochmaske

*o mit Schlitzöffnungen für Farbbildröhren mit einem Elektronenstrahlerzeuger, die vom Elektronenstrahlerzeuger aus gesehen im wesentlichen rechteckförmig ist und die jeweils zwischen in Richtung der V-Achse benachbarten Schlitzöffnungen Stege enthält, wobei die

« X- bzw. die V-Achse durch den Mittelpunkt der Lochmasken· Fläche in Richtung der Horizontal-Ablenkung des Elektronenstrahles bzw. durch den Mittelpunkt senkrecht zur X-Achse auf der Lochmaske angenommen werden und wobei die Stege in der Nähe

der Diagonalen der Lochmasken-Fläche und in denjenigen durch die Diagonalen begrenzten Bereu.hen, die die X-Achse enthalten. Winkel gegen die X-Achse aufweisen, die den entsprechenden Winkeln der Projektionen der einfallenden Elektronenstrahlen auf die Lochmasken-Fläche angenähert sind.

Eine derartige Lochmaske ist bereits aus den deutschen Offenlegungsschriften 23 43 777 und 08 076 bekannt.

Es ist die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, die mit

Schlitzöffnungen versehene Lochmaske für Farbbildröhren der eingangs genannten Art dahingehend weiterzubilden, daß durch Sekundärelektronenemission sowie reflektierte Elektronenstrahlen bedingte Bildung von Lichthöfen und Geisterbildern weitgehend unter drückt ist, was insbesondere bei Nachfokussier-Farb- bildröhren von ei heblicher Bedeutung ist.

ErfindungsgemäD wird dies dadurch erreicht, daß die Winkel (/?), die die Stege in denjenigen durch die

Diagonalen der Lochmasken-Fläche begrenzten Bereichen, die die X-Achse enthalten, mit der X-Achse, vom Elektronenstrahlerzeuger aus gesehen, bilden, im wesentlichen jeweils gleich sind den Winkeln, die die auf die jeweiligen Stege einfallenden Elektronenstrahlen, projiziert auf die X-K-Ebene mit der X-Achse bHtkn, und daß die Winkel iß), die die Stege in denjenigen durch die Diagonalen begrenzten Bereichen, die die K-Achse enthalten, mit der X-Achse, vom Elektronenstrahlerzeuger aus gesehen, bilden, in der Nähe der Diagonalen im wesentlichen jeweils gleich sind den Winkeln, die die auf die jeweiligen Stege einfallenden Elektronenstrahlen, projiziert auf die X-K-Ebene, mit der X-Achse in der Nähe der Diagonalen bilden, mit zunehmendem Abstand von den Diagonalen zur V-Achse jedoch progressiv abnehmen und auf der K-Achse im wesentlichen den Wert Null annehmen.

Die im Rahmen der vorliegenden Erfindung gestellte Aufgabe kann andererseits auch dadurch gelöst werden. daß die Fläche der Lochmaske, ausgehend von der X- und der K-Achse, in mehrere nebencinanderliegende Bereiche (A, B. C) mit vorbestimmtem Mustor symmetrisch zur X- und K-Achse unterteilt ist, daß die Winkel (ß), die die Stege in jedem Bereich (A, B, C) mn der X-Achse, vom Elektronenstrahlerzeuger aus gesehen, bilden, gleich sind, und daß die Winkel ()3) in verschiedenen Bereichen (A, B, C) mit zunehmendem Abstand der Bereiche von der X- und K-Achse größer sind.

Im Rahmen der vorliegenden Erfindung sind somit die Winkel für die Ausrichtung der innerhalb der Lochmaske vorgesehenen Schlitze entsprechend den jeweiligen Abständen von der X- und K-Achse genau vorgegeben, was wunschgemäß dazu führt, daß die insbesondere bei Nachfokussier-Farbbildröhren auftretenden Bildungen von Lichthöfen und Geisterbildern weitgehend ausgeschlossen werden bzw. nicht auftreten.

Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich anhand der Unteransprüche 3 bis 6.

Die Erfindung soll nunmehr anhand von Ausführungsbeispielen näher erläutert und beschrieben werden, wobei auf die Zeichnung Bezug genommen ist. Es zeigt

F i g. 1 den Aufbau einer Nachfokussier- (oder Masken-Fokussier-JFarbbildröhre.

Fig. 2 der Aufbai¹ von Schlitzen ind Stegen einer herkömmlichen Lochmaske.

F i g. 3 einen Schnitt HIIII in F i g. 2.

F i g. 4 eine Teilansicht der F1 g. 2 in Perspektive.

F i g. 5 den Aufbau de' Schlitze und Stege einer Lochmaske, die die erfindungsgemäßen Merkmale aufweist,

F i g. 6 das Ausführungsbeispiel der F i g. 5 in Perspektive.

F i g. 7 eine Ansicht zur Erläuterung des Ätzens der Schlitze in die Lochmaske,

F i g. 8 und 9 die Neigungen der Stege der Lochmaske iii deren Fläche,

Fig IO die stufenweise Änderung der Neigungen der Lochmasken-Stege entsprechend mehreren Flächenbereichen der Lochmaske,

Fig. 11 einen Schnitt der Stege auf der Längsachse der Schlitze der Lochmaske,

Fig. 12die stufenweise Änderung der Neigungen der Querschnitte der Lochmasken-Stege entsprechend mehreren Flächenbereichen der Lochmaske,

Fig. 13A und 13B die Begehung zwischen der Größe einer öffnung des Schlitzes der Lochmaske und eines Vorsprunges auf der Seitenwand des Schlitzes,

Fig, 14 die Abstufung der Größen der Schlitze der Lochmaske der Nachfokussier-Farbbildröhre, und

F i g. 15 die Helligkeit eines wiedergegebenen Bildes entsprechend der Abstufung der F i g. 14.

Der Aufbau einer Doppelhochspannungs-Nachfokussier- (oder Masken-Fokussier-)Farbbildröhre ist in F i g. 1 dargestellt Eine Frontplatte 1 weist einen lichtdurchlässigen Graphit-Streifen-Film auf, der mit Leuchtstoffen in Streifen entsprechend den Farben rot, blau und grün beschichtet ist Diese Leuchtstoff-Streifen sind metallhinterlegt, wodurch ein Leuchtschirm 2 entsteht Die Innenfläche eines Trichters oder Kolbens 3 ist mit einem inneren. Graphitfilm 4 versehen, der mit Hochspannung von einer äußeren Spannungsquelle über eine nicht dargestellte Hohlraumkappe versorgt wird, so daß Spannung an einen Elektronenstrahlerzeuger 6 (im folgenden kurz Elektronenerzeuger genannt) im Hals 5 über eine Kontaktfeder 7 am Vorderende des Elektronenereeugers 6 liegt. Der Elektronenerzeuger 6 ist ein herkömmlicher Vielstufen-Fok-ciier-Elektronenerzeuger. Weiterhin sind der GraphitfiL>i 4 und der Leuchtschirm 2 elektrisch miteinander über eine leitende Feder 9 und einen leitenden Graphitfi'm 8 verbunden, der elektrisch an die Metallhinterlegung angeschlossen ist. wodurch Spannung am Leuchtschirm 2 liegt Die leitende Feder 9 ist an einer Lochmaske 10 mit mehreren Schlitzen durch einen Träger 11 aus einem Isolierstoff wie z. B. Glas befestigt Die Lochmaske 10 und eine Potential-Korrektur-Platte 12 sind elektrisch miteinander verbunden und werden mit einer zusätzlichen Hochspannung über eine andere (nicht dargestellte) leitende Feder von einer anderen (nicht dargestellten) Hohlraumklappe versorgt

Bei der Nachfokussier-Farbbildröhre mit dem oben erläuterten Aufbau ist der Durchmesser des vom Elektronenerzeuger 6 ausgesandten Elektronenstrahls ungefähr 25% kleiner als bei einem BPF-Elektronenerzeuger BPF= Bi-Potential-Fokussier-Elektroneneizeuger), was auf der Vielstufen-Fokussierung beruht. Der Elektronenstrahl tastet mittels eines nicht dargestellten Ablenksystems ab und bewirkt, daß die gesamte Fläche des Leuchtschirmes durch die Schlitze der Lochmaske zum Leuchten angeregt wird. Der Elektronencrzeuger 6, der Graphitfilm 4 und der Leuchtschirm 2 werden mit einer Spannung £61 (z. B. 25 kV) versorgt während eine Spannung Ebi (z. B. 12,1 kV) an der Lochmaske 10 und der Potential-Korrektur-Platte 12 liegt. Die Potentialdifferenz zwischen Eb\ und Ebi dient zum Fokussieren der durch die Lochmaske mit hoher Strahldurchlässigkeit geschickten Elektronenstrahlen, um wirkungsvoll die Dichte der auf die Leuchtstoffe auftreffenden Elektronenstrahlen zu erhöhen. Auf diese Weise kann dur;h '.erringern der Spannung der Lochmaske 10 im Vergleich zur Spannung des Leuchtschirmes 2 bei einer Nachfokussier-Farbbildröhre ein wiedergegebtnes Bild mit größerer Helligkeit als bei einer gewöhnlichen Farbbildröhre erhalten werden. Eine höhere Potentialdifferenz zwischen Lochmaske und Leuchtschirm vergrößert die Helligkeit, so daß das Nachfokussieren die Helligkeit um einen Faktor 1,5 bis 2 gegenüber einer gewöhnlichen Farbbildröhre vergrößert. Damit kann ein ausreichend sichtbares Bild selbst in heller Umgebung erhalten werden, wie z. B. in einem sehr hellen Raun' Die Po'sntial-Korrektur-Platte 12 dient zur Einstellung des elektrischen Feldes aufgrund der Potentialdifferenz zwischen dem Graphitfilm 4 und der Lochmaske 10, um so die Bildraster-Verzerrung bzw.

-Verzeichnung zu korrigieren. Der Vielstufen-Fokussier-Elektronenerzeuger kompensiert die schlechtere Elektronenstrahl-Fokussierung, die sonst wegen des größeren Durchmessers des Elektronenstrahles auftreten kann, der auf dem elektrischen Feld aufgrund der Potentialdifferenz beruht

Die durch die Schlitze der Lochmaske geschickten Elektronenstrahlen werden fokussiert und treffen auf den Leuchtschirm. Sekundärelektronen werden durch die auf die Lochmaske einfallenden Elektronen erzeugt. Diese Sekundärelektronen, auf die die Spannung des Leuchtschirmes einwirkt, führen zu einem unerwünschten Lichthof (Überstrahlung), wenn sie auf den Leuchtschirm auftreffen, wodurch die Farbreinheit eines wiedergegebenen Bildes zerstört wird, lim diesen Nachteil auszuschließen, ist Graphit auf der Lochmaske vorgesehen, so daß die Sekmndärelektronenemission verringert wird.

Die Spannung der Lochmaske, die niedriger als die Spannung des Leuchtschirmes ist, führt andererseits zu einem unerwünschten hellen Fleck auf dem Leuchtschirm, der durch Feldemission erzeugt wird, die auf Vorsprüngen, wie z. B. Graten oder Schmutz und/oder einem Material beruht, das Elektronen bei niedriger Energie aussendet Die Oberfläche der Lochmaske muß bei der Nachfokussier-Farbbildröhre in besserem Zustand als bei anderen gewöhnlichen Farbbildröhren gehalten werden.

Die Nachfokussier-Farbbildröhre mit Lochmaske hat jedoch einen anderen Nachteil. Wie in den F i g. 2,3 und 4 dargestellt ist hat der Steg 15 zwischen den Schlitzen 14 der Lochmaske 10 entlang deren Langsachse zwingend einen Vorsprung 15a, der beim Ätzen der Schlitze entsteht Die F i g. 2 und 4 zeigen die Lochmaske vom Leuchtschirm 2 aus. Wenn ein Elektronenstrahl 16 auf den Vorsprung 15a auftrifft, werden Sekundärelektronen erzeugt. Gleichzeitig wird der Elektronenstrahl 16 reflektiert Die Sekundärelektronen und die reflektierten Elektronen treffen in unerwünschter Weise auf die Leuchtstoffe. Damit entsteht ein unerwünschtes Aufleuchten, d.h. eine Lichthofausbildung, wodurch der Kontrast eines wiedergegebenen Bildes auf der Farbbildröhre verschlechtert wird.

Diese Art der Lichthofbildung kann bei allen gewöhnlichen Farbbildröhren außer Nachfokussier-Farbbildröh^ren hingenommen werden, und deshalb kann die Lochmaske durch Ätzen hergestellt werden, was für die Massenfertigung vorteilhaft ist. Bei der Nachfokussier-Farbbildröhre mit niedrigerer Spannung an der Lochmaske als am Leuchtschirm führen jedoch die Sekundärelektronen, die durch den auf die Vorsprünge 15a auftreffenden Elektronenstrahl und den reflektierten Elektronenstrahl hervorgerufen werden, durch Aufnahme von Energie aus dem elektrischen Feld zu großer Lichthofbildung. Weiterhin bewirkt die Reflexion des Elektronenstrahles unerwünschte Geisterbilder, wodurch die Qualität der Farbbildröhre stark herabgesetzt wird. Diese unerwünschten Erscheinungen sind dabei nicht auf Nachfokussier-Farbbildröhren beschränkt sondern treten auch in geringerem Ausmaß bei allen übrigen gewöhnlichen Farbbildröhren auf.

Eine Teilsicht einer für die Nachfokussier-Farbbildröhre vorteilhaften Lochmaske, die die erfindungsgemäßen Merkmale aufweist ist vom Leuchtschirm aus gesehen in Fig.5 dargestellt Die schräg von unten rechts gesehene Lochmaske der Fig.5 ist in Fig.6 gezeigt Auf der Fläche der Lochmaske werden eine X-Achse durch den Mittelpunkt der Fläche der Lochmaske in Richtung der Horizontal-Ablenkung der Elektronenstrahlen und eine V-Achse durch den Mittelpunkt senkrecht zur X-Achse angenommen. Der Steg 15 zwischen benachbarten Schützen 14 auf deren Längsachse ist erfindungsgemäß bei Projektion auf die X-K-Ebene im wesentlichen parallel zum Elektronenstrahl 16 geneigt, der auf diesen Steg einfällt (vgl. F i g. 5 und 6). Das heißt, der Winkel ß, den der Steg 15 mit der X-Achse bildet, ist im wesentlichen gleich dem Winkel, den der auf den Steg einfallende Elektronenstrahl bei Projektion auf die X-V-Ebene mit der X-Achse bildet. Durch dieses Bestimmen der Richtung jedes Steges wird kein unerwünschter Vorsprung erzeugt, wie z. B. eine Unterbrechung des Weges der Elektronenstrahlen, selbst wenn die Schlitze 14 durch herkömmliches Ätzen hergestellt werden. Wie nämlich in F i g. 6 dargestellt ist, wird der Steg 15 mit einem Winkel zur X-Achse gebildet, so daß ein ausreichend gruGer, seiicngCaiz'.cr Teil in der Nähe des Steges oder ein Eckteil 15c des seitengeätzten Teiles 156 beim Ätzen erzielt werden kann, das von der Vorderfiäche oder der Leuchtschirm Seitenfläche der Lochmaske durchgeführt wird. Dies ist graphisch in F i g. 7 dargestellt. In dieser Figur sind vorgesehen öffnungen 14a der Schlitze 14 in der Hinterfläche oder der Elektronenerzeuger-Seitenfläche der Lochmaske und öffnungen 146 der Schlitze 14 in der Voro*rf!äche der Lochmaske. Wenn ein großer seitengeätzter Teil ohne Neigen des Steges 15 erzeugt wird, erreicht der seitengeätzte Teil 15c einen benachbarten Schlitz und schneidet in den Steg 15, so daß ein Teil des betrachteten Steges eine verringerte Dicke hat was die mechanische Stabilität der Lochmaske herabsetzt.

Der Winkel ß, den jeder Steg mit der X-Achse bildet, kann auf die oben erläuterte Weise lediglich in dem Bereich aus den schraffierten Teilen bestimmt werden, die durch die Diagonalen der Lochmaske festgelegt sind, wie dies in Fig. 8 dargestellt ist. Wenn sich die Anordnung der Stege von der X-Achse in diesem Bereich entfernt, nimmt der Winkel zu, den der auf die X-V-Ebene projizierte Elektronenstrahl mit der X-Achse bildet (vgl. Fig.9), und der Winkel β kann vergrößert werden. Was die Stege in den nichtschraffierten Bereichen über den Diagonalen betrifft, so ist jedoch der Winkel β umso kleiner, je näher der Steg zur V-Achse ist

Wenn nämlich der Winkel β mit dem Winkel vergrößert wird, den der auf die X- V-Ebene projizierte Elektronenstrahl mit der X-Achse bildet nimmt die Neigung des Steges und damit dessen Länge progressiv zu, wodurch die Stabilität der Lochmaske wesentlich verringert wird. In einem Extremfall wird der Aufbau der Lochmaske auf der y-Achse nicht erzielt Wenn überhaupt Stege vorliegen, so sind sie entlang der y-Achse lang und können weiter nicht so genannt werden.

In der Praxis isi es schwierig, durch Ätzen die Schlitze mit den Winkeln β herzustellen, die sich auf die oben erläuterte Weise kontinuierlich ändern. Als praktische Alternative wird daher die Lochmaskenfläche in mehrere Bereiche unterteilt die jeweils symmetrisch zur X- und Y-Achse sind, wie dies in F i g. 10 dargestellt ist. Die Winkel β werden stufenweise für die jeweiligen Bereiche geändert, so daß sie konstante Winkel bilden, die für die jeweiligen Bereiche verschieden sind. Vorzugsweise ist der Winkel β für jeden Bereich der größte aller Winkel, die in dem bestimmten Bereich bei

progressiver Änderung enthalten sind. Zum Beispiel ist eine Lochmaske mit drei verschiedenen Winkeln β in den jeweiligen drei Bereichen A, B und C auf der Maskenfläche (vgl. Fig. 10) für den praktischen Gebrauch ausreichend. Die Winkel β der jeweiligen Bereiche sind in diesem Fall in Tabelle I für eine Farbbildröhre mit 50,8 cm (20 in) und einem Ablenkwinkel ν«:,ι 110° angegeben. In diesem Fall betragen die Größen m und η der Zonen A und B 10±2 mm bzw. 102 ±5 mm.

Tabelle 1

Zone
ABC

1°

+ 5°

+ 50

Vorzugsweise werden die Vorsprünge 15a so gebildet, daß sie hinter den Stegen 15 vom Elektronenerzeuger aus gesehen verdeckt sind. Da die Vorsprünge 15a jedoch nicht gleichmäßige Abmessungen aufweisen, können sie schwierig vom Elektronenerzeuger aus vollständig verdeckt werden. Um den Vorsprung 15a vom Elektronenerzeuger so weit als möglich zu verdecken, muß der Winkel Θ, den die Achse / des Querschnittes des Steges entlang der Längsachse des Schlii/es 14 mit der Fläche der Lochmaske bildet, im wesentlichen gleich dem Winkel gemacht werden, den der auf eine Ebene senkrecht zur X-Y-Ebene die die V-Achse enthält, projizierte Elektronenstrahl mit der Y-Achse bildet, wie dies in F i g. 11 dargestellt ist.

Es ist auch schwierig, den Winkel θ kontinuierlich entsprechend dem Einfallswinkel des Elektronenstrahles zu ändern. Deshalb wird, wie oben anhand des Winkels β erläutert wurde, die Fläche der Lochmaske vorzugsweise in mehrere Bereiche A', B', C", symmetrisch zur X-Achse unterteilt (vgl. Fig. 12). Die Winkel θ werden stufenweise für die jeweiligen Bereiche geändert, so daß sie konstante Winkel bilden, die für die jeweiligen Bereiche verschieden sind. Die Anzahl der unterteilten Bereiche kann beliebig bestimmt werden.

Auf und in der Nähe der X-Achse ist der Winkel β des Steges sehr klein, und daher kann der seitengeätzte Teil 15c des Schlitzes nicht groß erzielt werden. Weiterhin ist der Winkel θ so groß, daß der Vorsprung 15a nicht ausreichend vom Elektronenerzeuger aus verdeckt werden kann. Soweit der Vorsprung 15a gebildet wird, trifft der Elektronenstrahl daher unvermeidbar auf den Vorsprung 15a auf. Die durch das Auftreffen des Elektronenstrahles auf den Vorsprung 15a verursachte Lichthofbildung ist größer an einem Teil näher dem Rand der Lochmaske, d.h. weiter von der K-Achse entfernt Dies beruht teilweise darauf, daß der Einfallswinkel des Elektronenstrahles am Rand größer als in der Mitte der Lochmaske ist, und teilweise darauf, daß die Schlitzgrößen von der Mitte zum Rand der Lochmaske abgestuft sind, so daß die Mitte und der Rand verschiedene Seitenätzfaktoren zum Ätzen der Schlitze haben. Damit wird der Vorsprung 15a größer am Rand als in der Mitte. Das heißt, die Lochmaske wird so ausgelegt, daß die Öffnungen der Schlitze in der Vorder- und Hinterseite der Lochmaske größer bzw. kleiner an einem Teil näher dem Rand Sind. Bei der Herstellung der Lochmaske durch Ätzen ist deshalb der Vorsprung 15a am Rand der Lochmaske aufgrund der

verschiedenen Ätzfaktoren unvermeidlich größer.

Die durch die Vorsprünge 15a auf und in der Nähe der

is X-Achse, insbesondere auf und in der Nähe der X-Achse am Rand der Lochmaske, hervorgerufenen Nachteile können praktisch ausgeschlossen werden, indem der Vorsprung 15a infolge der Vergrößerung der SchlitzöffnüFigcN aiii uci" ι linier- Gucf i\üCK5citc uct LoCuiTiäSkc bezüglich des Seitenätzfaktors verringert wird. Das heißt, (vgl. Fig. 13A), der durch Ätzen gebildete Vorsprung 15a ist groß, wenn die Schlitzöffnung 14a auf der Hinterseite der Lochmaske 10 klein ist, während durch Vergrößern der Abmessungen der Schlitzöffnung 14a (vgl. Fig. 13B) der Vorsprung 15a entsprechend verkleinert wird, um so die Wahrscheinlichkeit zu verringern, daß der Elektronenstrahl auf den Vorsprung einfällt. Auf diese Weise wird durch Verringern der Abmessungen des Vorsprunges 15a mittels Vergrößern der Öffnung 14a die Durchlässigkeit für den Elektronenstrahl erhöht, um so die Helligkeit eines entsprechenden Teiles des wiedergegebenen Bildes zu vergrößern.

Die Abstufung der Schlitzgrößen zur Erzielung des gewünschten Auftreffverhaltens des Elektronenstrahles ist in Fig. 14 dargestellt. Die durch Nachfokussieren erzielte Helligkeit des wiedergebenden Schirmes entsprechend einer derartigen Abstufung ist in Fig. 15 dargestellt. Bei einer gewöhnlichen Farbbildröhre außer der Nachfokussier-Farbbildröhre beträgt die Helligkeit eines wiedergegebenen Bildes am Rand des Schirms 70 bis 80% der Helligkeit von dessen Mitte. Damit ist das wiedergegebene Bild in der Mitte heller als am Rand. Dagegen ist bei der Bachfokussier-Farbbildröhre ein wiedergegebenes Bild am Rand heller als in der Mitte des Schirmes (vgl. F i g. 15). Wenn die Schlitzöffnung 14a auf der Rückseite der Lochmaske vergrößert wird, um die Abmessungen des Vorsprunges 15a zu verringern, wird deshalb der Rand des wiedergegebenen Bildes noch heller. Obwohl dies weiter die Gleichmäßigkeit der Helligkeit eines wiedergegebenen Bildes nachteilhaft zu beeinflussen scheint, kann die Schirmhelligkeit dennoch in gewünschter Weise geändert werden. Zum Beispiel kann eine gleichmäßige Helligkeit des Schirmes gewährleistet werden, indem einfach die Lichtdurchlässigkeit durch Einstellen der Größe der Licht-Durchlaß-Öffnungen des Graphitfilmes geändert wird, der einen Teil des Leuchtschirmes 2 bildet (vgl. F i g. 1).

Hierzu 7 Blatt Zeichnungen

Claims

Patentansprüche:

1. Lochmaske mit Schlitzöffnungen für Farbbildröhren mit einem Elektronenstrahlerzeuger, die vom Elektronenstrahlerzeuger aus gesehen im wesentlichen rechteckförmig ist und die jeweils zwischen in Richtung der V-Acbse benachbarten Schlitzöffnungen Stege enthält, wobei die X- bzw. die V-Achse durch den Mittelpunkt der Lochmasken-Fläche in Richtung der Horizontal-Ablenkung des Elektronenstrahles bzw. durch den Mittelpunkt senkrecht zur X-Achse auf der Lochmaske angenommen werden und wobei die Stege in der Nähe der Diagonalen der Lochmaskenfläche und in denjenigen durch die Diagonalen begrenzten Bereichen, die die X-Achse enthalten, Winkel gegen die X-Achse aufweisen, die den entsprechenden Winkeln der Projektionen der einfallenden Elektronenstrahlen auf die Lochnasken-Fläche angenähert sind, dadurch gekennzeichnet, daß die Winke! <ß). die die Stege (15) in denjenigen durch die Diagonalen der Lochmasken-Fläche begrenzten

""Bereichen, die die -X-Aehse en&altetw-mil-.der-X-Achse, vom Elektronenstrahlerzeuger (6) aus gesehen, bilden, im wesentlichen ieweils gleich sind den Winkeln, die die auf die jeweiligen Stege (15) einfallenden Elektronenstrahlen (16), projiziert auf die X- V-Ebene, mit der X-Achse bilden, und daß die Winkel (/?). die die Stege (15) in denjenigen durch die Diagonalen bey -enzten Bereichen, die die K-Achse enthalten, mit der X-Achse, vom Elektronenstrahlerzeuger (6) aus gesehen, bilden, in der Nähe der Diagonalen im wesentlichen ieweils gleich sind den Winkeln, die die auf die jeweiligen Stege (15) einfallenden Elektronenstrahlen (16), projiziert auf die X-V-Ebene. mit der X-Achse in der Nähe der Diagonalen bilden, mit zunehmendem Abstand von den Diagonalen zur V-Achse jedoch progressiv abnehmen und auf der V-Achse im wesentlichen den Wert Null annehmen.

2. Lochmaske mit Schlitzöffnungen für Farbbildröhren mit einem Elektronenstrahlerzeuger, die vom Elektronenstrahlerzeuger aus gesehen im wesentlichen rechteckförmig ist und die jeweils zwischen in Richtung der V-Achse benachbarten Schlitzen Stege enthält, wobei die X- bzw. die V-Achse durch den Mittelpunkt der Lochmasken-Fläche in Richtung der Horizontal-Ablenkung des Elektronenstrahles bzw. durch den Mittelpunkt senkrscht zur X-Achse auf der Lochmaske angenommen werden und wobei die Stege in der Nähe der Diagonalen der Lochmasken-Fläche und in denjenigen durch die Diagonalen begrenzten Bereichen, die die X-Achse enthalten. Winkel gegen die X-Achse aufweisen, die den entsprechenden Winkeln der Projektionen der einfallenden Elektronenstrahlen auf die Lochmasken-Fläche angenähert sind, dadurch gekennzeichnet, daß die Fläche der Lochmaske (10), ausgehend von der X- und der V-Achse, in mehrere nebeneinanderliegende Bereiche (A, B, C) mit vorbestimmtem Muster symmetrisch zur X- und V-Achse unterteilt ist, daß die Winkel (/?), die die Stege (15) in jedem Bereich (A, B, C) mit der X-Achse, vom Elektronenstrahlerzeuger (6) aus gesehen, bilden, gleich sind, und daß die Winkel (JJ) in verschiedenen Bereichen (A. B, C) mit zunehmendem Abstand der Bereiche von der X- und V-Achse

größer sind.

3. Lochmaske nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Achse (I) des Querschnittes jedes Steges (15) im wesentlichen parallel zu dem auf jeden Steg (15) einfallenden Elektronenstrahl (16), projiziert auf eine zur X-V-Ebene senkrecht stehende Ebene, die die V-Achse enthält, verläuft.

4. Lochmaske nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Winkel in dem von der X- um_ der V-Achse entferntesten Bereich (C) im wesentlichen gleich einem Winkel ist, den der auf den von der X- und der V-Achse entferntesten Steg (15) einfallende Elektronenstrahl (16), projiziert auf die X-V-Ebene, mit der X-Achse bildet, und daß die Stege (15) im wesentlichen parallel zur X-Achse in dem Bereich verlaufen, der die X- und die V-Achse einschließt

5. Lochmaske nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß bei Unterteilung der Lochmasker.-FIäche in mehrere in Richtung von der X-Achse weg benachbarte Bereiche (A'. B'. C')m\l vorbestimmtem Muster symmetrisch zur X-Achse die Winkel (Θ) gleich sind, die die Achsen (/J des Querschnittes der Stege (15) in jedem Bereich bilden, wobei diese

-WJnkeLin verschiedenen Bereichen (A', B', C) mit zunehmendem Äb*stärld~~der Bereiche von der X-Achse kleiner sind (F i g. 12).

6. Lochmaske navh Anspruch 3 oder 5, dadurch gekennzeichnet, daß die dem Elektronenstrahlerzeuger (6) zugekehrten Schlitzöffnungen (14) auf und in der Nähe der X-Achse größer als die dem Elektronenstrahlerzeuger (6) zugekehrten anderen Schlitzöffnungen (14) an Stellen mit gleicher Entfernung vom Mittelpunkt wie die Schlitzöffnungen (14) auf und in der Nähe der X-Achse sind.