DE2653814C3 - Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Dünnschichtschaltung - Google Patents
Verfahren zur Herstellung einer elektrischen DünnschichtschaltungInfo
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Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung
einer elektrischen Dünnschichtschaltung, die zumindest einen Kondensator und eine Leiterbahn und/oder einen
Widerstand umfaßt, bei welchem zur Bildung dieser Schaltelemente auf ein isolierendes Substrat zunächst
eine Schicht einer Tantal-Aluminium-Legierung mit einem Tantalanteil zwischen 30 und 70 Atom-% und
darauf eine weitere Schicht einer Tantal-Aluminium-Legierung mit einem Tantalanteil in der Größenordnung
zwischen 2 und 200 Atom-% aufgebracht wird, dann mittels einer ersten Masken- und Ätztechnik an der
Stelle eines zu bildenden Kondensators eine Unterbrechung in beide Tantal-Aluminium-Schichten eingebracht wird, worauf zur Erzeugung eines zweischichtigen Kondensator-Dielektrikums die Tantal-Aluminium-Schichten im Kondensator-Bereich anodisch oxidiert
und auf die resultierende Tantal-Aluminium-Oxidschicht eine Silizium-Dioxidschicht aufgebracht wird und
schließlich mittels einer weiteren Masken- und Ätztechnik auf dem Kondensator-Dielektrikum und im Bereich
ggf. vorhandener Leiterbahnen eine elektrisch gut leitende Oberflächenschicht erzeugt wird.
Die Herstellung von integrierten RC-Dünnschichtschaltungen in Tantal-Technik war bisher nur mit einem
hohen technologischen Aufwand von fotolithografischen Prozessen möglich. Je nach den speziellen
technologischen Gegebenheiten waren bis zu 12 fotolithografische Prozesse erforderlich. Der wesentliche Grund liegt hierfür darin, daß das in der
Tantal-Technik als Grundelektrode für Kondensatoren vorgesehene j3-Tantal auf Grund seiner hohen chemischen Beständigkeit nicht von dem für Widerstände
entwickelten Tantal-Oxy-Nitrid selektiv ätzbar ist. Deshalb sind lokal begrenzte Ätzbarrieren erforderlich,
welche die Anzahl der erforderlichen fotolithografi sehen Prozesse zwangsläufig erhöhen.
Durch die Anwendung der beispielsweise aus der US-PS 39 49 275 bekannten Tantal-Aluminium-Doppelschichttechnik entfällt dieses Problem, da die als
Grundelektrode für Kondensatoren vorgesehene aluminiumreiche Tantal-Aluminiumschicht leicht von der für
Widerstände vorgesehenen tantalreichen Tantal-Aluminium-Schicht selektiv ätzbar ist.
Eine weitere Verbesserung der vorstehend geschilderten Tantal-Aluminium-Doppelschichttechnik wurde
durch die aus der DE-OS 25 06 065 bekannten Einführung eines zweischichtigen Kondensator-Dielektrikums erzielt. Dieses zweischichtige Kondensator-Dielektrikum besteht aus einer durch anodische
Oxydation der aluminiumreichen Tantal-Aluminium-Schicht hergestellten Tantal-Aluminium-Oxidschicht
und einer vorzugsweise durch Kathodenzerstäubung hergestellten Silizium-Dioxidschicht. Bei den nach
■;ser Technologie hergestellten RC-Dünnschichtschaltungen können die Absolutwerte der Temperaturkoeffizienten der Widerstände an die Absolutwerte der
Temperaturkoeffizienten der Kapazität angepaßt werden.
Diese Anpassung erfolgt über die Verknüpfung
-T-άχ
+ -Γ "
d2
d2
wobei
Temperaturkoeffizient 7XCdes zweischichtigen
Dielektrikums,
Temperaturkoeffizient 7XCder Tantal-Aluminium-Oxidschicht,
Temperaturkoeffizient TKC der Silizium-Dioxidschicht.
Dielektrizitätskonstante der Tantal-Aluminium-Oxidschicht,
Dielektrizitätskonstante der Silizium-Dioxidschicht
Dicke der Tantal-Aluminium-Oxidschicht und
Dicke der Silizium-Dicxidschicht ist
Dicke der Silizium-Dicxidschicht ist
Mit Hilfe dieser Verknüpfung kann zu jeder beliebigen Dicke d\ der Tantal-Aluminium-Oxidschicht
eine geeignete Dicke cfc der Silizium-Dioxidschicht eingestellt werden, so daß der Absolutwert des
Temperaturkoeffizienten der Kapazität dem Absolutwert des Temperaturkoeffizienten eines Widerstandes
entspricht
Die Herstellung der Dünnschichtschaltungen i;iit
zweischichtigem Kondensator-Dielektrikum erfolgt nach einem Verfahren der eingangs genannten Art,
wobei die Bildung der Tantal-Aluminium-Oxidschicht unter Anwendung einer spannungsfesten Fotomaske
lokal begrenzt aufgebracht wird. Bei weiterer Verwendung dieser Fotomaske und unter Anwendung der
Abhebetechnik läßt sich dann unter Einsparung einer weiteren Fotomaske das gewünschte zweischichtige
Dielektrikum aus Tantal-Aluminium-Oxid und Silizium-Dioxid herstellen. Insgesamt werden für die Herstellung
dieser Dünnschichtschaltungen also vier Masken benötigt wobei neben der vorstehend erwähnten Maske
jeweils eine Maske für die Bildung der Unterbrechung, für die Bildung von Widerständen und für die
Strukturierung der Oberflächenschicht gebraucht wird.
Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ausgehend von der Technik nach der DT-OS
25 06 065 einen Weg aufzuzeigen, der eine weitere Reduzierung der für die Herstellung der Dünnschichtschaltungen
insgesamt benötigten Masken ermöglicht.
Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe bei einem Verfahren der einleitend geschilderten Art dadurch
gelöst, daß mit Hilfe der ersten Masken- und Ätztechnik zusätzlich die außerhalb der Schaltelementbereirhe
liegenden Bereiche beider Tantal-Aluminium-Schichten abgeätzt werden, daß dann die freiliegenden Oberflächen
der Tantal-Aluminium-Schichten ganzflächig anodisch oxidiert und mit der ganzflächig aufgebrachten
Silizium-Dioxidschicht überzogen werden, daß die nicht benötigten Bereiche der Sil:7;"»n-Dioxidschicht mit
Hilfe einer zweiten Masken- unu Ätztechnik entfernt und die nicht benötigten Bereiche der Tantal-Aluminium-Oxidschicht
und der Tantal-Alurninium-Schicht mit dem niedrigen Tantalgehalt als Ätzmaske selektiv
abgeätzt werden und daß anschließend die Überflächenschicht aufgebracht wird.
Bei dem erfindungsfjemäßen Verfahren werden also
sowohl die Widerstände als auch die Kundensator-Grundelektroden schon vor dem Aufbringen der für die
.Kondensator-Gegenelektroden und die Leiterbahnen benötigten Oberflächenschicht strukturiert Dies ermöglicht
eine anodische Oxidation der gesamten strukturierten Tantal-Aluminium-Doppelschicht ohne
Maske. Da Siliziumoxid durch Ätzen leicht strukturiert werden kann, kann auch die Silizium-Dioxid-Schicht
ganzflächig, d. h. ohne Anwendung der Abhebetechnik
ίο aufgebracht werden. Die strukturierte Silizium-Dioxidschicht
kann dann unter Einsparung einer weiteren Maske bei der Strukturierung der Tantal-Aluminium-Oxidschicht
und der restlichen Tantal-Aluminium-Schicht mit dem niedrigen Tantalgehalt als Ätzmaske
verwendet werden. Somit sind für die Herstellung der Dünrischichtschaltung insgesamt nur drei Masken
erforderlich. Ferner braucht die für die Strukturierung der Silizium-Dioxidschicht benötigte Maske nur die für
das Ätzen erforderliche Temperaturstabilität zu besitzen, d.h. sie kann durch Verwendung der allgemein
bevorzugten positiven Fotolacke hergestellt werden. Eine Spannungsfestigkeit der Maske, wie sie bei der
lokal begrenzten anodischen Oxydation verlangt wird, ist nicht erforderlich. Als weiterer Vorteil des
2ϊ erfindungsgemäßen Verfahrens braucht beim ganzflächigen
Aufbringen der Silizium-Dioxidschicht im Gegensatz zu der Abhebetechnik keine Rücksicht auf die
hohe Erwärmung einer Maske genommen zu werden. Beim Aufbringen mittels Kathodenzerstäubung können
jci somit hohe Sputterleistungen und geringe Sputterzeiten
realisiert werden. Beim Aufbringen der Silizium-Dioxidschicht mit hohen Aufstäubraten ist der Sauerstoffverlust
beim Sputtern jedoch äußerst gering, so daß sich bei den derart hergestellten Kondensatoren äußerst niedri-
jj ge Verlustfaktoren einstellen.
Vorzugsweise wird für die Maskenherstellung bei der zweiten Masken- und Ätztechnik ein positiver Fotolack
verwendet. Die nicht benötigten Bereiche der Silizium-Dioxidschicht
werden besonders vorteilhaft durch Plasma-Ätzen entfernt. Weiterhin empfiehlt sich für das
Abätzen der Tantal-Aluminium-Oxidschicht eine wäßrige Lösung von Phosphorsäure und Chromsäure. Die
nicht benötigten Bereiche der Tantal-Aluminium-Schicht mit dem niedrigen Tantalgehalt werden
4Ί vorzugsweise in einer wäßrigen, gepufferten Fluorwasserstoffsäure
abgeätzt.
Bei einer bevorzugten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens wird der Grundelektrodenanschluß
des Kondensators über einen schmalen Steg
-><> der Tantal-Aluminiumschicht mit dem hohen Tantalgehalt
vorgenommen. Hierbei empfiehlt es sich den Grundelektrodenanschluß gabelförmig um die wirksame
Kondensatorfläche zu legen und den Steg ebenfalls gabelförmig auszubilden. Durch diese Maßnahme wird
jj eine besonders niederohmige Verbindung mit der Kondensator-Grundelektrode erzielt. Zweckmäßigerweise
wird dann für den Steg eine Breite im Größenbereich von 50 μηι erzielt.
Im folgenden wird ein Ausführungsbeispiel der
Im folgenden wird ein Ausführungsbeispiel der
w) Erfindung an Hand der Zeichnung näher erläutert. Es
zeigt
F i g. 1 ein Ablaufschema der nach dem erfindungsgemäßen
Verfahren erforderlichen Verfahrensschritte,
F ie. 2 einen Längsschnitt im Kondensatorbereich
F ie. 2 einen Längsschnitt im Kondensatorbereich
t>r> durch eine nach dem erfindungsgemäßen Verfahren
hergestellte Dünnschichtschaltung,
F i g. 3 einen Schnitt gemäß der Linie III-II1 der F i g. 2 und
F i g. 4 eine Draufsicht auf die in den F i g. 2 und 3 dargestellte Dünnschichtschaltung, bei welcher die Lage
der für die Herstellung erforderlichen Maske schematisch aufgezeigt ist
Bei der na<. !folgenden Beschreibung des Ausführungsbeispiels
wird von dem in F i g. 1 dargestellten Ablaufschema ausgegangen und auf die in den F i g. 2
und 3 dargestellte Dünnschichtschaltung sowie die schematische Darstellung der F i g. 4 Bezug genommen.
Gemäß F i g. 1 ist als Ausgangsbasis eine isolierende Unterlage vorgesehen, welche z. B. durch Aufbringen
eines Oxids auf einen nicht leitenden Träger hergestellt werden kann. Wie es in den F i g. 2 und 3 angenommen
ist, kann auch von einer fertigen isolierenden Unterlage
1, welche beispielsweise aus Glas, Quarz, Saphir oder feinkörniger polierter Keramik besteht, ausgegangen
werden. Auf diese Unterlage 1 wird eine TaAl-Doppelschicht
aufgebracht, welche aus einer Tantal-Aluminium-Legierungsschicht 2 mit einem Tantalgehalt von 30
bis 70, vorzugsweise 60 Atom-% und einer Tantal-Aluminium-Legierungsschicht 3 mit einem Tantalgehalt in
der Größenordnung zwischen 2 und 20, vorzugsweise 7 Atom-%, besteht Das Aufbringen der Tantal-Aluminium-Legierungsschichten
2 und 3 erfolgt in an sich bekannter Weise, beispielsweise mittels Kathodenzerstäubung.
Die so vorbereitete Unterlage wird nun mit einer Maske bedeckt, welche beispielsweise fotolithografisch
mit Hilfe eines positiv wirkenden Fotolackes hergestellt werden kann. Diese Maskenherstellung ist mit Fototechnik
I bezeichnet, wobei die Lage der Maske in der Draufsicht der Fig.4 durch die gestrichelte Linie Fl
aufgezeigt ist Die Maske deckt sämtliche der den zu erzeugenden Kondensator-Grundelektroden, Widerständen
und Leiterbahnen entsprechenden Bereiche ab, so daß die übrigen Bereiche der Tantal-Aluminium-Legierungsschichten
2 und 3 durch einen Ätzschritt oder durch zwei aufeinanderfolgende Ätzschritte abgeätzt
werden können. Bei zwei aufeinanderfolgenden selektiven Ätzschritten wird eine Unterätzung der Tantal-Aluminium-Legierungsschichten
2 und 3 vermieden. Für die Strukturierung der Tantal-Aluminium-Legierungsschicht
3 kann beispielsweise eine wäßrige gepufferte Fluorwasserstoffsäure als Ätzmittel verwendet werden,
während für die Strukturierung der Tantal-Aluminium-Legierungsschicht 2 eine wäßrige Rußsäure-Salpetersäure-Lösung
als Ätzmittel verwendet werden kann.
Nach der Entfernung der durch die Fototechnik I gebildeten Maske wird eine ganzflächige anodische
Oxydation vorgenommen, bei welcher der Oberflächenbereich der Tantal-Aluminium-Legierungsschicht 3 in
eine Tantal-Aluminium-Oxidschicht 4 umgewandelt wird. In der an den Kondensatorbereich anschließenden
Unterbrechung erstreckt sich die Tantal-AIuminium-Oxidschicht 4 gemäß Fig.2 auch über die freie
Stirnseite der Tantal-Aluminium-Legierungsschicht 2. Die Herstellung der Tantal-Aluminium-Oxidschicht 4
durch anodische Oxydation wird beispielsweise in einer wäßrigen Zitronensäurelösung bei konstanter Stromdichte
von 1 mA/cm2 vorgenommen, bis sich eine Formierspannung von ca. 200 Volt einstellt
Nach der anodischen Oxydation wird auf die Unterlage ganzfiächig eine Silizium-Dioxidschicht 5
aufgebracht, vorzugsweise mittels Kathodenzerstäubung.
Anschließend wird auf die Silizium-Dioxidschicht 5 eine zweite Maske aufgebracht, welche vorzugsweise
fotolithografisch mit Hilfe eines positiv wirkenden Fotolackes hergestellt wird. Diese Maskenherstellung
ist mit Fotolack II bezeichnet wobei die Lage dei zweiten Maske in der Draufsicht der Fig.4 durch die
punktierte Linie FII aufgezeigt ist Die zweite Maske deckt den Dielektrikumsbereich der zu erzeugender
Kondensatoren ab, so daß die übrigen Bereiche dei Silizium-Dioxidschicht 5 und der Tantal-Aluminium
Oxidschicht 4 durch zwei aufeinanderfolgende selektive Ätzschritte abgeätzt werden können. Die Strukturie-
ι υ rung der Silizium-Dioxidschicht 5 kann auch naß-che
misch vorgenommen werden, erfolgt aber vorzugsweise durch Plasma-Ätzen. Eine entsprechende Strukturierung
der Tantal-Aluminium-Oxidschicht 4 erfolgt nach Entfernung der zweiten Fotomaske naß-chemisch
beispielsweise in einer wäßrigen Lösung von 50A Phosphorsäure (H3PO4) und 3% Chromsäure (CrO3) be
einer Temperatur von 85° C. Bei diesem Ätzvorgang dient die verbliebene Silizium-Dioxidschicht 5 ah
Ätzmaske.
Nach diesem Ätzvorgang werden in einem weiterer selektiven Ätzvorgang die für die Kondensator-Grund
elektroden nicht benötigten Restbereiche der Tantal-Aluminium-Legierungsschicht
3 abgeätzt, wobei die verbliebene Silizium-Dioxidschicht 5 wieder als Ätzmaske
dient Als Ätzmittel kann die bereits erwähnte wäßrige gepufferte Fluorwasserstoffsäure verwende!
werden. Die Entfernung der zweiten Maske kann auch erst nach diesem selektiven Ätzvorgang erfolgen, da sie
die gleichen Bereiche wie die verbliebene Silizium-Dio
xidschicht 5 abdeckt
Im folgenden Verfahrensschritt wird zur Bildung dei Leiterbahnen und der Kondensator-Gegenelektroder
ganzflächig eine elektrisch gut leitende Oberflächenschicht aufgebracht. Dieses Aufbringen wird beispiels
weise durch nacheinander erfolgendes Aufdampfer einer Nickel-Chrom-Schicht 6 und einer Gold-Schicht /
vorgenommen.
Im letzten Verfahrensschritt wird die Oberflächen
schicht strukturiert Hierzu wird auf die Gold-Schicht /
4!) eine dritte Maske aufgebracht welche beispielsweise
fotolithografisch mit Hilfe eines positiv wirkender Fotolackes hergestellt wird. Diese Maskenherstellung
ist mit Fotolack III bezeichnet wobei die Lage dei dritten Maske in der Draufsicht der Fig.4 durch dit
strichpunktierten Linien FIII aufgezeigt ist Die dritte Maske deckt die Bereiche der Leiterbahnen und dei
Kondensator-Gegenelektroden ab, so daß die übriger Bereiche der Gold-Schicht 7 und der Nickel-Chrom
Schicht 6 abgeätzt werden können. Die Strukturierung der Gold-Schicht 7 erfolgt beispielsweise in eine:
wäßrigen Kalium-Jodid-Jod-Lösung als Atzmittel, wäh
rend die Strukturierung der Nickel-Chrom-Schicht 6 ir einer wäßrigen Cer-Sulfat-Lösung vorgenommen wer
den kann. Nach diesen selektiven Ätzvorgängen brauch
zur Fertigstellung der Dünnschichtschaltung nur nocl die dritte Maske entfernt zu werden.
Wie es aus den F i g. 2 und 3 ersichtlich ist, ist zui
Erzielung einer niederohmigen Verbindung der Grund elektrodenanschluß des Kondensators des Kondensa
tors gabelförmig ausgebildet, wobei die Verbindung dei
entsprechenden Bereiche der Nickel-Chrom-Schicht ( und der Gold-Schicht 7 mit dem als Kondensator
Grundelektrode verbliebenen Bereich der Tantal-Alu minium-Legierungsschicht 3 über einen schmalen
beispielsweise 50 um breiten Steg der Tantal-Alumini um-Legierungsschicht 2 erfolgt
In den Fig.2 und 3 sind keine Widerstände
dargestellt, da sie die in der Dünnschichttechnik übliche
beispielsweise aus der US-PS 39 49 275 bekannte Gestalt erhalten. Wie aus der vorangehenden Beschreibung
deutlich hervorgeht, werden sie aus der Tantal-AIuminium-Legierungsschicht
2 herausgebildet und bereits durch die Fototechnik I strukturiert. Der vorstehend erwähnte Steg der Tantal-Aluminium-Legierungsschicht
2 kann beispielsweise bei entsprechend breiter Ausbildung auch als ein in Reihe mit dem
Kondensator angeordneter Widerstand angesehen werden.
Das erfindungsgemäße Verfahren ermöglicht bei besonders wirtschaftlicher Fertigungstechnik die Herstellung
von Dünnschichtschaltungen, welche insbesondere für den NF-Bereich geeignet sind. Bei einer
entsprechend den Fig.2 und 3 ausgebildeten Dünnschichtschaltung,
bei welcher die Tantal-Aluminium-Legierungsschicht 2 aus 60 Atom-% Ta und 40 Atom-% Al
besteht, die Tantal-Aluminium-Legierungsschicht 3 aus 7 Atom-% Ta und 93 Atom-% Al besteht, die
Tantal-Aluminium-Oxidschicht 4 mit einer Dicke von 280 nm bei einer Formierspannung von 200 Volt
ausgebildet ist, die Silizium-Dioxidschicht 5 eine Dicke von 300 nm aufweist, die Nickel-Chromschicht 6 eine
Dicke von 50 nm und die Gold-Schicht 7 eine Dicke von 500 nm aufweist, wurden beispielsweise die folgenden
technischen Daten realisiert:
Widerstände:
Flächenwiderstand Ri = 100Ω/:
TKR^ -110±20ppm/°C
TKR^ -110±20ppm/°C
Kondensatoren:
Spez. Kapazität Qx/ = 10 nF/cm2
Verlustwinkel tg öikH/< l,5%o
TKC = +110 + 20 ppm/°C
Verlustwinkel tg öikH/< l,5%o
TKC = +110 + 20 ppm/°C
Hierbei sind mit TKR und TKCd\e Temperaturkoeffizienten
der Widerstände bzw. Kondensatoren bezeichnet.
Hierzu 3 Blatt Zeichnungen
Claims (8)
1. Verfahren zur Herstellung einer elektrischen
Dünnschichtschaltung, die zumindest einen Kondensator und eine Leiterbahn und/oder einen Widerstand umfaßt, bei welchem zur Bildung dieser
Schaltelemente auf ein isolierendes Substrat zunächst eine Schicht einer Tantal-Aluminium-Legierung mit einem Tantalanteil zwischen 30 und 70
Atom-% und darauf eine weitere Schicht einer Tantal-Aluminium-Legierung mit einem Tantalanteü
in der Größenordnung zwischen 2 und 20 Atom-% aufgebracht wird, dann mittels einer ersten Masken-
und Ätztechnik an der Stelle eines zu bildenden Kondensators eine Unterbrechung in beide Tantal-Aluminium-Schichten eingebracht wird, worauf zur
Erzeugung eines zweischichtigen Kondensator-Dielektrikums die Tantal-Aluminium-Schichten im
Kondensatorbereich anodisch oxidiert und auf die resultierende Tantal-Aluminium-Oxidschicht eine
Silizium-Dioxidschicht aufgebracht wird und schließlich mittels einer weiteren Masken- und
Ätztechnik auf dem Kondensator-Dielektrikum und im Bereich ggf. vorhandener Leiterbahnen eine
elektrisch gut leitende Oberflächenschicht erzeugt wird, dadurch gekennzeichnet, daß mit
Hilfe der ersten Masken- und Ätztechnik zusätzlich die außerhalb der Schaltelementbereiche liegenden
Bereiche beider Tantal-Aluminium-Schichten (2, 3) abgeätzt werden, daß dann die freiliegenden
Oberflächen der Tantal-Aluminium-Schichten (2, 3) ganzflächig anodisch oxidiert und mit der ganzflächig aufgebrachten Silizium-Dioxidschicht (5) überzogen werden, daß die nicht benötigten Bereiche der π
Silizium-Dioxidschicht (5) mit Hilfe einer zweiten Masken- und Ätztechnik entfernt und die nicht
benötigten Bereiche der Tantal-Aluminium-Oxidschicht (4) und der Tantal-Aluminium-Schicht (3) mit
dem niedrigen Tantalgehalt unter Verwendung der w
verbliebenen Silizium-Dioxidschicht (5) als Ätzmaske selektiv abgeätzt werden'und daß anschließend
die Oberflächenschicht (6,7) aufgebracht wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß für die Maskenherstellung bei der 4r>
zweiten Masken- und Ätztechnik ein positiver Fotolack verwendet wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die nicht benötigten Bereiche
der Silizium-Dioxidschicht (5) durch Plasma-Ätzen w entfernt werden.
4. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die nicht
benötigten Bereiche der Tantal-Aluminium-Oxidschicht (4) in einer wäßrigen Lösung von Phosphor- γ,
säure und Chromsäure abgeätzt werden.
5. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die nicht
benötigten Bereiche der- Tantal-Aluminium-Schicht
(3) mit dem niedrigen Tantalgehalt in einer wäßrigen m>
gepufferten Fluorwasserstoffsäure abgeätzt werden.
6. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der
Grundelektrodenanschluß (3) des Kondensators über einen schmalen Steg der Tantal-Aluminium- hr>
Schicht (2) mit dem hohen Tantalgehalt vorgenommen wird.
7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß der Grundelektrodenanschluß (3)
gabelförmig um die wirksame Kondensatoroberfläche gelegt wird und daß der Steg ebenfalls
gabelförmig ausgebildet wird.
8. Verfahren nach Anspruch 6 oder 7, dadurch gekennzeichnet, daß für den Steg eine Breite im
Größenbereich von 50 um gewählt wird.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19762653814 DE2653814C3 (de) | 1976-11-26 | 1976-11-26 | Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Dünnschichtschaltung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19762653814 DE2653814C3 (de) | 1976-11-26 | 1976-11-26 | Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Dünnschichtschaltung |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE2653814A1 DE2653814A1 (de) | 1978-06-01 |
| DE2653814B2 DE2653814B2 (de) | 1980-01-10 |
| DE2653814C3 true DE2653814C3 (de) | 1980-08-21 |
Family
ID=5994076
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19762653814 Expired DE2653814C3 (de) | 1976-11-26 | 1976-11-26 | Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Dünnschichtschaltung |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE2653814C3 (de) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4423087A (en) * | 1981-12-28 | 1983-12-27 | International Business Machines Corporation | Thin film capacitor with a dual bottom electrode structure |
| CN111180361A (zh) * | 2019-12-13 | 2020-05-19 | 贵州航天计量测试技术研究所 | 一种塑封器件湿法开封方法 |
-
1976
- 1976-11-26 DE DE19762653814 patent/DE2653814C3/de not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| DE2653814A1 (de) | 1978-06-01 |
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