DE2044255A1 - Thin film resistor network prodn - using cermet on insulated substrate followed by nickel-chromium and gold - Google Patents

Abstract

A coating of photo sensitive, etch resistant, positive varnish which is exposed first to a common negative for both high and low value resistors and for the conductor tracks and contact pads. After developing, all three layers are etched away down to the substrate. Separate exposures are then made for the high value resistors followed by etching down to the cermet and for the low value resistors followed by selective etching away of the gold only. Finally the remaining photoresist is cleaned off.

Description

Verfahren zum Herstellen von Dünnschichtwiderstandsnetzwerken Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen von Dünnschichtwiderstandsne tzwerken mit zwei verschiedenen Flächenwiderstandswerten.Method of Making Thin Film Resistor Networks The The invention relates to a method for producing thin-film resistance networks with two different surface resistance values.

Es ist bekannt, daß mit Hilfe dünner Cermetschichten Schichtwiderstände mit hohem F'lächenwiderstand hergestellt werden können. Cermet ist ein Gemisch aus Metalloxiden z.B. Siliziummonoxid mit geeigneten Metallen wie Chrom, Eisen, Mangan, Kobalt, Titan, Aluminium usw..Mit Cermetschichten auf der Grundlage von Chrom lassen sich Flächenwiderstände von etwa 200 Ohm bis 2000 Ohm einwandfrei herstellen.It is known that with the help of thin cermet layers, film resistors can be produced with high surface resistance. Cermet is a mixture of Metal oxides e.g. silicon monoxide with suitable metals such as chromium, iron, manganese, Cobalt, titanium, aluminum etc .. Let with cermet layers based on chromium sheet resistances of around 200 ohms to 2000 ohms can be established properly.

Bei der Verwendung von Chrom-Nickel lassen sich stabile Widerstands schichten mit einem Flächenwiderstand zwischen 30 und 300 Ohm herstellen. Außerdem haften dünne Goldschichten, die zum Beispiel'für Leiterbahnen verwendet werden, auf Chrom-Nickel-Schichten besonders gut.When using chrome-nickel, stable resistance can be achieved Create layers with a sheet resistance between 30 and 300 ohms. aside from that thin gold layers that are used, for example, for conductor tracks, adhere particularly good on chrome-nickel layers.

Zum Herstellen der Netzwerkkonfiguration gibt es zwei Möglichkeiten. Einmal ist es möglich, die Schichten durch geeignete Masken auf die Unterlage aufzudampfen. Nachteilig ist hierbei die zunehmende Verengung der Maskenöffnungen durch das aufgedampfte Material und die Notwendigkeit, beim Aufdampfen mehrerer Schichten übereinander die Masken genau zueinander zu positionieren. Die zweite Möglichkeit besteht darin, zunächst die Schichten ganzflächig aufzudampfen und nachträglich die gewünschte Konfiguration mit Hilfe eines Photoätzprozesses auszuätzen. Hierbei ist vorteilhaft, daß die wesentlichen und eine hohe Genauigkeit erforderden Herstellungschritte nicht im Vakuum durchgeführt werden müssen.There are two options for establishing the network configuration. On the one hand, it is possible to vapor-deposit the layers onto the substrate using suitable masks. The disadvantage here is the increasing narrowing of the mask openings due to the vapor deposited Material and the need for vapor deposition of several layers on top of each other to position the masks exactly to one another. The second option is to first of all to vaporize the layers over the entire surface and subsequently the desired To etch the configuration with the help of a photo-etching process. Here it is advantageous that the essential and high accuracy manufacturing steps are not required must be carried out in a vacuum.

Bei der Herstellung von DUnnschichtnetzwerken mit Tantal als Schichtmaterial ist es bekannt, auf das Substrat zunächst eine hochohmige und darüber eine niederohmige Tantalschicht aufzustäuben. Die hochohmige Schicht wird benötigt zur Herstellung von Widerständen, während die niederohmige Schicht für Leiterbahnen und Kondensatoren verwendet wird. Zur Herstellung von Kondensatoren wird ein Teil der niederohmigen Tantalschicht in nichtleitendes Oxid überführt, das als Dielektrikum mit hoher Dielektrizitätskonstante dient. Bei der Herstellung von Widerständen wird die niederohmige Tantalschicht vollständig in nichtleitendes Oxid überführt, so daß der Strom nur noch durch das hochohmige Material fliessen kann.In the production of thin-film networks with tantalum as Layer material it is known to first have a high-resistance and then a low-resistance on the substrate To dust the tantalum layer. The high-resistance layer is required for production of resistors, while the low-resistance layer for conductor tracks and capacitors is used. For the production of capacitors a part of the low-resistance Tantalum layer converted into non-conductive oxide, which acts as a dielectric with a high dielectric constant serves. The low-resistance tantalum layer is used in the manufacture of resistors completely converted into non-conductive oxide, so that the current only flows through the high-resistance material can flow.

Es ist auch schon bekannt, Schichten mehrerer verschiedener, übereinanderliegender Metalle durch selektiv wirkende Ätzmittel zu bearbeiten.It is also already known to have layers of several different, one on top of the other To process metals with selectively acting etching agents.

Ein großer Nachteil aller bisher bekannt gewordenen Widerstandsnetzwerke in Dünnschichttechnik besteht darin, daß sämtliche Widerstände aus einer einheitlichen Schicht mit naturgemäß einheitlichem Flächenwiderstand hergestellt werden müssen, d.h. der Widerstandswert kann praktisch nur durch Länge und Breite der Widerstandsbahn eingestellt werden. Länge und Breite der Widerstandsbahn können aber nicht beliebig variiert werden, so daß ein gewisser Wertebereich für die herzustellenden Widerstände nicht überschritten werden kann. Extrem hoch- oder niederohmige Widerstände müssen daher nachträglich eingesetzt werden, wodurch die Herstellungskosten wesentlich erhöht werden.A major disadvantage of all previously known resistor networks in thin-film technology consists in the fact that all resistors consist of a uniform Layer with naturally uniform sheet resistance must be produced, i.e. the resistance value can practically only be determined by the length and width of the resistance track can be set. However, the length and width of the resistance track cannot be arbitrary can be varied, so that a certain range of values for the resistors to be produced cannot be exceeded. Extremely high or low resistance must therefore can be used subsequently, whereby the manufacturing costs are significant increase.

Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zum Herstellen von Dünnschichtwiderstandsnetzwerken mit zwei verschiedenen Flächenwiderstandswerten anzugeben.The present invention is based on the object of a method for producing thin-film resistor networks with two different sheet resistance values to specify.

Die Lösung dieser Aufgabe ist dadurch gekennzeichnet, daß auf einem nichtleitenden Substrat zunächst ganzflächig Schichten aus Cermet, Chrom-Nickel und Gold nacheinander aufgebracht werden, daß auf die oberste Schicht ein lichtempfindlicher, ätzresistenter Positivlack aufgetragen und mit dem für Widerstände und Leiterbahnen gemeinsamen negativen Leiterbild belichtet wird, daß die belichteten Teile der Photolackschicht entfernt werden, worauf mit Hilfe geeigneter Ätzmittel die freiliegenden Teile aller Schichten weggeätzt werden, daß dann die stehengebliebene Photolackschicht mit den Konfigurationen der hochohmigen Widerstände nachbelichtet wird, worauf mit Hilfe selektiver Ätzmittel die über der Cermetschicht liegenden Schichten entfernt werden, daß dann die stehengebliebene Photolackschicht mit den Konfigurationen der niederohmigen Widerstände nachbelichtet wird, worauf mit Hilfe eines selektiven Ätzmittels die über der Chrom-Nickel-Schicht liegende Schicht entfernt wird, und daß zum Schluß die auf den Leiterbahnen und Kontaktflächen stehengebliebene Photolackschicht vollständig entfernt wird.The solution to this problem is characterized in that on one non-conductive substrate first of all layers of cermet, chrome-nickel and gold are applied one after the other so that a light-sensitive, Etch-resistant positive varnish applied and used for resistors and conductor tracks common negative conductor pattern is exposed that the exposed Parts of the photoresist layer are removed, whereupon with the help of suitable etching agents the exposed parts of all layers are etched away, so that the remaining parts are then etched away Post-exposed photoresist layer with the configurations of the high-value resistors whereupon, with the help of selective etching agents, the layers above the cermet layer Layers are removed, that then the remaining photoresist layer with the Configurations of the low-resistance resistors is post-exposed, whereupon with the help a selective etchant removes the layer overlying the chromium-nickel layer will, and that in the end the remains on the conductor tracks and contact surfaces Photoresist layer is completely removed.

Damit ergeben sich die Vorteile, daß aus der hochohmigen Cermetschicht hochohmige Widerstände hergestellt werden können, ohne daß deren Abmessungen unangenehm groß gewählt werden müssen, daß aus der niederohmigen Chrom-Nickel-Schicht niederohmigere Widerstände hergestellt werden können, wobei die darunterliegende hochohmige Cermetschicht die Stromverteilung nicht stört, daß die Chrom-Nickel-Schicht gleichzeitig als Haftschicht für die Goldleiterbahnen und Anschlußflächen dient und daß durch die Verwendung eines Positivlackes das zeitraubende Entfernen und Neuauftragen der Ätzmaske fällt.This results in the advantages that from the high-resistance cermet layer high-resistance resistors can be produced without their dimensions being uncomfortable must be chosen large that from the low-resistance chromium-nickel layer low-resistance Resistors can be made with the underlying high-resistance cermet layer the current distribution does not interfere with the fact that the chromium-nickel layer also acts as an adhesive layer serves for the gold conductor tracks and pads and that through the use of a positive resist, the time-consuming removal and reapplication of the etching mask is no longer necessary.

Vorteilhaft wird das Substrat, das im allgemeinen aus einem Glas oder Keramikplättchen besteht, vor dem Aufbringen der Metallschichten in einer Wasserstoffentladung abgeglimmt.The substrate, which is generally made of a glass or is advantageous Ceramic plate consists of a hydrogen discharge before the metal layers are applied trimmed.

Hierdurch wird eine besonders saubere Oberfläche erreicht.This results in a particularly clean surface.

Vorzugsweise werden die Substrate während des Aufbringens der Metallschichten auf ca. 3000 C erhitzt. Hierdurch wird die Alterungsbestätigkeit und Haftfestigkeit der Schichten wesentlich erhöht.The substrates are preferably used during the application of the metal layers heated to approx. 3000 C. This increases the aging resistance and adhesive strength the layers increased significantly.

Vorzugsweise wird ein aus Chrom und Siliziummonoxid zusammen gesetztes Cermet aufgedampft. Cermetschichten mit Chrom besitzen einen niedrigen Temperaturkoeffizienten, eine gute Langzeitstabilität, und eine gute Haftung zu der gebrachten Chrom-Nickel-Schi cht.A cermet composed of chromium and silicon monoxide is preferably vapor deposited. Cermet layers with chromium have a low temperature coefficient, good long-term stability, and good adhesion to the applied chrome-nickel layer.

Als selektiv wirkende Ätzmittei werden eine Jod-Kaliumäodid-Lösung für Gold, ein Gemisch al1s Cersulfat und Salpetersäure für Chrom-Nickel und ein Gemisch aus Salzsäure und Fluß säure für Cermet verwendet.An iodine-potassium iodide solution is used as a selectively acting etchant for gold, a mixture of cerium sulfate and nitric acid for chromium-nickel and a Mixture of hydrochloric and hydrofluoric acid used for cermet.

Vorzugsweise werden die Schaltkreise zwischen den einzelnen Ätzschritten vor dem Nachbelichteten der Photolackschicht gründlich gespült und getrocknet. Hierdurch wird der in der Miniaturtechnik allgemein bekannt-ii Forderung nach größtmöglicher Sauberkeit und Genauigkeit ausreichend Rechnung getragen.The circuits are preferably used between the individual etching steps Rinsed thoroughly and dried before post-exposure of the photoresist layer. Through this becomes generally known in miniature technology-ii demand for the greatest possible Adequate attention was paid to cleanliness and accuracy.

Nach Beendigung der Ätzschritte und Entfernen des Photolacks werden die Schaltkreise vorteilhaft zur Stabilisierung der Widerstände bei 350°-400° C zwei Stunden lang getempert. Bei diesem Temperungsvorgang wird gleichzeitig durch Diffusion die Haftung der Goldschícllt wesentlich verbessert. Soll durch eine nachfolgende Tauchverzinnung die Leitfähigkeit der Goldschicht erhöht werden, ist dieser Tempervorgang Voraussetzung für ein Nicht-Ablegieren der Goldschicht.After the etching steps and removal of the photoresist are finished the circuits are advantageous for stabilizing the resistances at 350 ° -400 ° C Annealed for two hours. This tempering process is carried out at the same time Diffusion significantly improves the adhesion of the gold foil. Should by a subsequent Dip tinning increases the conductivity of the gold layer, this is the tempering process Prerequisite for a non-alloying of the gold layer.

Es hat sich als sehr vorteilhaft herausgestellt, das Aufdampfen der einzelnen Schichten laufend messend zu verfolgen und zu steuern. Hierdurch kann beim Erreichen des gewünschten Flächenwiderstandes der Verdampfungsvorgang unterbrochen werden. Die Folge ist eine erhöhte Genauigkeit.It has been found to be very advantageous to vaporize the to monitor and control individual shifts continuously. This can when the desired sheet resistance is reached, the evaporation process is interrupted will. The result is increased accuracy.

An Hand der Zeichnungen soll das erfindungsgemäße Verfahren schrittweise erläutert werden.Using the drawings, the method according to the invention is intended to be gradual explained.

Das gut gereinigte Substrat 1, das sowohl aus Glas als auch aus Keramik bestehen kann, wird z.B. auf einem drehbaren Substratteller befestigt une in einer Aufdampfapparatur bei einem Druck von 2.10 2 Tor in Wasserstoff abgeglimmt. Nach Beendigung dieses Reinigungsvorgangs wird die Aufdampfapparatur bis auf ca. 5.10- Torr evakuiert und die Cermetschicht' für die hochohmiuen lfiderstände, bestehend alls z.F. 6OOO Cr und 50% SiO, durch Flashverdamofung auf das auf ca. 300 aufgeheizte Substrat 1 ganzflächig aufgedamtft. Anschliessend an diese Cermetschicht 2 wird eine weitere Metallschicht 3 für niederohmi£e Widerstände, bestehend aus z.B. 50% Nickel und 50% Chrom, ebenfalls ganzflächig aufgedampft. Mit Hilfe eines Testplättchens wird beim Aufdampfen der beiden Widerstandsschichter 2,3 der Flächenwiderstand ständig gemessen und beim Erreichen des Sollwertes die Verdampfung unterbrochen.The well-cleaned substrate 1, which is made of both glass and ceramic can exist, is e.g. attached to a rotatable substrate plate and in a Evaporation apparatus at a pressure of 2.10 2 Tor in hydrogen. To At the end of this cleaning process, the vapor deposition apparatus is down to approx. Torr evacuated and the cermet layer ' for the high-ohmic oil resistances, consisting of 6OOO Cr and 50% SiO, by flash evaporation to the approx. 300 heated substrate 1 vaporized over the whole area. Subsequent to this cermet layer 2 is another metal layer 3 for low resistance resistors, consisting of e.g. 50% nickel and 50% chromium, also vapor-deposited over the entire surface. With help of a When the two resistive layers 2, 3 are vapor deposited, the sheet resistance becomes the test plaque continuously measured and the evaporation is interrupted when the setpoint is reached.

Über die Chrom-Nickel-Schicht 3 wird nun eine Schicht 4 sehr niedrigen Flächenwiderstandes, z.B. eine ca. 7000 i dicke Goldschicht, für Leiterbahnen und Kontaktflächen aufgedampft.A layer 4 is now very low over the chromium-nickel layer 3 Sheet resistance, e.g. a gold layer approx. 7000 i thick, for conductor tracks and Vaporized contact surfaces.

Die zwischen Goldschicht 4 und Cermetschicht 2 gedampfte Chrom-Nickel-Schicht 3 dient sowohl als Widerstandsschicht, als auch als Haftschicht.The chromium-nickel layer vaporized between gold layer 4 and cermet layer 2 3 serves both as a resistance layer and as an adhesive layer.

Das gemäß Figur 1 ganzflächig mit Cermet 2, Chrom-Nickel 3 und Gold 4 bedampfte Substrat 1 wird mit Photolack 5 beschichtet. Wegen der Möglichkeit einer Mehrfachbelichtung kommt ein Positivlack zur Anwendung. Nach Trocknen des Lackes 5 wird in diesem die gesamte Konfiguration des Netzwerkes, d.h.That according to FIG. 1 over the entire surface with cermet 2, chromium-nickel 3 and gold 4 vapor-deposited substrate 1 is coated with photoresist 5. Because of the possibility of one A positive varnish is used for multiple exposures. After the paint has dried 5 the entire configuration of the network, i.e.

Widerstände und Leiterbahnen gemeinsam, kopiert. Nacheinander werden nun die Goldschicht 4 mit einer Jod-Kaliumjodid-Lösung, die Chrom-Nickel-Schicht 3 mit Cersulfat und Salpetersäure und die Cermetschicht 2 mit einem Gemisch aus Salzsäure und Flußsäure ausgeätzt, so daß sich ein Schaltkreis gemäß Figur 2 ergibt.Resistors and conductors together, copied. Be one after the other now the gold layer 4 with an iodine-potassium iodide solution, the chromium-nickel layer 3 with cerium sulfate and nitric acid and the cermet layer 2 with a mixture of Hydrochloric acid and hydrofluoric acid are etched out so that a circuit according to FIG. 2 is obtained.

Nach gründlichem Spülen und Trocknen der Schaltkreise werden nun die über den Widerstandsbereichen hohen Flächenwiderstandes 6 liegenden Photolackflächen nachbelichtet. In zwei Ätzprozessen werden nun das freiliegende Gold 4 mit Jod-Kaliumjodid sowie das darunter liegende Chrom-Nickel 3 mit Cersulfat und Salpetersäure selektiv weggeätzt. Das resultierende Netzwerk ist in Figur 3 dargestellt.After thoroughly rinsing and drying the circuits, the Photoresist areas lying above the resistance areas of high sheet resistance 6 post-exposed. In two etching processes, the exposed gold 4 is now made with iodine-potassium iodide as well as the underlying chromium-nickel 3 with cerium sulfate and nitric acid selectively etched away. The resulting network is shown in FIG.

Nach gründlichem Spülen und Trocknen der Substrate werden nun in einen dritten Belichtungs- und Entwicklungsvorgang die Photolackflächen über den Widerstandsbereichen niedriger Flächenwiderstandes 7 entfernt und das so freigelegte Gold selektiv weggeätzt. Das resultierende Netzwerk zeigt Figur 4.After thorough rinsing and drying, the substrates are now in a third exposure and development process the photoresist surfaces removed over the resistance areas of low sheet resistance 7 and so exposed gold selectively etched away. The resulting network is shown in FIG. 4.

Zum Schluß wird der restliche Photolack 5 von den Leiterbahnen und Kontaktflächen 8 entfernt (Figur 5) und das Netz-0 werk zur Stabilisierung der Widerstände 6, 7 bei 350 bis 4000 C zwei Stunden lang getempert. Bei diesem Temperunsvorgang wird gleichzeitig durch Diffusion die Haftung der Goldschicht 4 wesentlich verbessert.Finally, the remaining photoresist 5 from the conductor tracks and Contact surfaces 8 removed (Figure 5) and the network to stabilize the resistors 6, 7 tempered at 350 to 4000 C for two hours. During this tempering process At the same time, the adhesion of the gold layer 4 is significantly improved by diffusion.

Zum Schluß sei bemerkt, daß in der Zeichnungen die Größenverhältnisse der Übersichtlichkeit wegen übertrieben dargestellt sind.Finally it should be noted that in the drawings the proportions are shown exaggerated for the sake of clarity.

10 Patentansprüche 5 Figuren10 claims 5 figures

Claims (10)

P a t e n t a n s p r u c h e 1. Verfahren zum Herstellen von Dunnschichtwiderstandsnetzwerken mit zwei verschiedenen Flächenwiderstandswerten, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß auf einem nichtleitenden Substrat (1) zunächst ganzflächig Schichten aus Cermet (2), Chrom-Nickel (3) und Gold (4) nacheinander aufgebracht werden, daß auf die oberste Schicht ein lichtempfindlicher, ätzresistenter Positivlack (5) aufgetrage? und mit dem für Widerstände (6,7) und Leiterbahnen (8) gemeinsamen negativen Leiterbild belichtet wird, daß die belichteten Teile der Photolackschicht (5) entfernt werden, worauf mit Hilfe geeigneter Ätzmittel die freiliegenden Teile aller Schichten (2,3,4) weggeätzt werden, daß dann die stehengebliebene Photolackschicht (5) mit den Konfigurationen der hochohmigen Widerstände (6) nachbelichet wird, worauf mit Hilfe selektiver Ätzmittel die über der Cermetschicht (2) liegenden Schichten (3 4) entfernt werden, daß dann die stehengebliebene Photolackschicht (5) mit den Konfigurationen der niederohmigen Widerstände (7) nachbelichtet wird, worauf mit Hilfe eines selektiven Ätzmittels die über der Chrom-Nickel-Schicht (3) liegende Schicht (4) entfernt wird, und daß zum Schluß die auf den Leiterbahnen und Kontakflächen (8) stehengebliebene Photolackschicht (5) vollständig entfernt wird. P a t e n t a n t a n t r u c h e 1. Method for producing thin-film resistor networks with two different surface resistance values, d u r c h e k e n n z e i c h n e t that on a non-conductive substrate (1) initially layers over the whole area of cermet (2), chrome-nickel (3) and gold (4) are applied one after the other that Has a light-sensitive, etch-resistant positive varnish (5) been applied to the top layer? and with the negative conductor pattern common to resistors (6,7) and conductor tracks (8) is exposed that the exposed parts of the photoresist layer (5) are removed, whereupon with the help of suitable etching agents the exposed parts of all layers (2,3,4) are etched away that then the remaining photoresist layer (5) with the configurations the high-resistance resistors (6) is post-exposed, whereupon with the help of selective etching agents the layers (3 4) lying above the cermet layer (2) are removed so that then the remaining photoresist layer (5) with the configurations of the low resistance Resistors (7) is post-exposed, whereupon with the help of a selective etchant the layer (4) overlying the chromium-nickel layer (3) is removed, and that Finally, the photoresist layer that has remained on the conductor tracks and contact surfaces (8) (5) is completely removed. 2. Verfahren nach Anspruch 1, d a d u r c h g e k e n n -z e i c h n e t, daß das Substrat vor dem Aufbringen der Metallschichten in einer Wasserstoffentladung abgeglimmt wird.2. The method according to claim 1, d a d u r c h g e k e n n -z e i c h n e t that the substrate is in a hydrogen discharge before the application of the metal layers is balanced. 3. Verfahren nach Anspruch 1 und/oder 2, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß die Substrate während des Aufbringens der Metallschichten auf ca. 3000 C erhitzt werden.3. The method according to claim 1 and / or 2, d a d u r c h g e k e n n notices that the substrates are applied during the application of the metal layers about 3000 C. 4-. Verfahren nach Anspruch 1 bis 3, d a d u r c h g e -k e n n z e i c h n e t, daß ein aus Chrom und Siliziummonoxid zusammengesetztes Cermet aufFedampft wird.4-. Method according to Claims 1 to 3, d a d u r c h g e -k e n n z e i c h n e t that one made of chromium and silicon monoxide compound Cermet is vapor-deposited. 5. Verfahren nach Anspruch 1 bis 4, d a d u r c h a e -k e n n z e i c h n e t, daß als selektiv wirkendes Ätzmittel für Gold Jod-Kaliumdodid-Lösung verwendet wird. 5. The method according to claim 1 to 4, d a d u r c h a e -k e n n z E i c h n e t that as a selective etchant for gold iodine-potassium dodide solution is used. 6. Verfahren nach Anspruch 1 bis 4, d a d u r c h g e -k e n n z e i c h n e t, daß als selektiv wirkendes Ätzmittel für Chrom-Nickel ein Gemisch aus Cersulfat und Salpetersäure verwendet wird. 6. The method according to claim 1 to 4, d a d u r c h g e -k e n n z E i c h n e t that as a selectively acting etchant for chromium-nickel a mixture from cerium sulfate and nitric acid is used. 7. Verfahren nach Anspruch 1 bis 4, da du r c h g e -k e n n z e i c h n e t, daß als selektiv wirkendes Ätzmittel für Cermet ein Gemisch aus Salzsäure und Flußsäure verwendet wird. 7. The method according to claim 1 to 4, since you r c h g e -k e n n z e i c h n e t that a mixture of hydrochloric acid is used as a selectively acting etchant for cermet and hydrofluoric acid is used. 8. Verfahren nach Anspruch 1 bis 7, da du r c h g e -k e n n z e i c h n e t , daß die 5chaltkreise zwischen den einzelnen Ätzschritten vor dem Nachbelichten der Pholackschicht gründlich gespült und getrocknet werden.8. The method according to claim 1 to 7, since you r c h g e -k e n n z e i c h n e t that the circuits between the individual etching steps before post-exposure the photoresist layer must be rinsed thoroughly and dried. 9. Verfahren nach Anspruch 1 bis 8, d a d u r c h g e -k e n n z e i c h n e t, daß die Schaltkreise nachträglich ca. zwei Stunden lang bei 350°-400° C getempert werden. 9. The method according to claim 1 to 8, d a d u r c h g e -k e n n z e i c h n e t that the circuits can be retrofitted for approx. two hours at 350 ° -400 ° C. 10. Verfahren nach Anspruch 1 bis 9, d a d u r c h g e -k e- n n z e i c h n e t, daß das Aufdampfen der einzelnen Schichten laufend messend verfolgt und gesteuert wird.10. The method according to claim 1 to 9, d a d u r c h g e -k e- n n z E i c h e t that the vapor deposition of the individual layers is continuously monitored and measured and is controlled.