DE2653221A1

DE2653221A1 - Mit gleichstrom arbeitende fluessige kristalle enthaltende anzeigegeraete

Info

Publication number: DE2653221A1
Application number: DE19762653221
Authority: DE
Inventors: James E Adams; Gary A Dir
Original assignee: Xerox Corp
Current assignee: Xerox Corp
Priority date: 1975-12-12
Filing date: 1976-11-23
Publication date: 1977-06-23
Also published as: FR2334973B1; JPS6252288B2; GB1571097A; FR2334973A1; JPS5272243A; CA1060977A; US4012119A

Description

28 703 ni/fo

XEROX CORPORATION
Rochester, New York

Mit Gleichstrom arbeitende flüssige Kristalle enthaltende Anzeigegeräte

Die vorliegende Erfindung betrifft flüssige Kristalle enthaltende Anzeigevorrichtungen zur Reflektionsbetrachtung. Spezieller ausgedrückt bezieht sie sich auf eine einen flüssigen Kristall enthaltende Reflektionsanzeigevorrichtung, bei der Gleichstrom benutzt werden kann, was die elektrischoptische Lebensdauer für das flüssige kristalline Material verlängert.

Allgemein ausgedrückt haben elektrisch-optische Systeme, die ein flüssiges kristallines Material benutzen, das in Kontakt ist mit einer Elektrode oder einer photoleitenden Schicht, ein weites Anwendungsgebiet.

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Ihre Betriebsdauer war jedoch begrenzt und auch die Lebensdauer der Elektrode oder der photoleitenden Schicht. Diese Lebensdauer war besonders begrenzt in Fällen, die eine photoleitende Schicht im Kontakt mit einer flüssigen kristallinen Schicht besaßen. Frühere Versuche, die Degradierung zu verhindern oder zu verzögern bei derartigen Geräten bestanden in der Anwendung einer als Barriere wirkenden Schicht wie die Cellulosenitrate Barriere, die im USA Patent Nr. 3 122. 998 offenbart ist; die Polymerbarrierenschichten beschrieben in USA Patenten 3 795 516 und 3 795 517; die Tributylzinoxydbarrierenschichten, die in USA Patenten 3 894 79^ und 3 894 793 offenbart sind und das Siliciumdioxyd, das in den USA Patenten 3 869 I95, 3 674 342 und 3 647 280 offenbart ist.

Eine Schicht von Titandioxyd wird in USA Patent 3 748 018 benützt, um einen selektiven Betrieb einer flüssigen-Kristall-Anzeigevorrichtung zu ermöglichen entweder in der Transmissions- oder in der Reflektionsweise. Obwohl ein Teil der Titandioxydschicht in Berührung ist mit der Schicht des flüssigen kristallinen Materials an den terminalen Enden des flüssigen-Kristall-Anzeigegeräts, ist doch die Titandioxydschicht nicht ein Teil des dielektrischen Spiegels, der zwischen der Elektrode und der flüssigen Kristallschicht liegt.

USA Patent Nr. 3 853 386 offenbart ein hochgradig reflektives Multischichtsystem mit geringem Verlust, das alternierende Oxydschichten hoher Refraktion und niedriger Refraktion be-r sitzt, wobei mindestens die letzten 3 Schichten hoher Refraktion Zirconoxyd enthalten. Sonst befinden sich Titandioxyd und Siliciumdioxyd in der alternierenden Schichtstruktur zusätzlich zu den Zirconiumoxydschichten. Die Titandioxydschicht ist jedoch

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die erste Schicht auf dem Substrat in der alternierenden Schichtstrukturj so daß ohne die Zirconoxydschicht als die letzte Schicht die Siliciumdioxydschicht in Berührung mit jeder Bildschicht wäre, wenn der so modifizierte dielektrische Spiegel in einen Bildapparat eingesetzt würde.

Jacobson und Mitarbeiter beschreiben, beginnend auf Seite 17 der Ausgabe vom September 1975 der Zeitschrift Information Display, in einem Artikel, der den Titel "A Real-Time Optical Data Processing Device", ein mit Wechselstrom betriebenes photoaktiviertes, flüssiges-rKristall-Lichtventil, das einen dielektrischen Spiegel beinhaltet, der aus sich abwechselnden Viertelwellenlängenfilmen besteht, isolierend ist und wo kein Gleichstrom auftreten kann. Weiterhin ist zu sagen, daß durch Bespritzen oder Zersteuben niedergelegte Filme von Siliciumdioxyd über dem dielektrischen Spiegel als Schicht liegen, um auf diese Weise eine Ausrichtungsfunktion und einen Puffer zu bilden, der elektrisch-optische Degradierung verhindert.

In neuen und sich ausbreitenden Gebieten der Technologie, wie die Bildherstellung mit flüssigen Kristallen, werden neue Methoden, Geräte, Zusammensetzungen und Fabrikationsartikel entdeckt für die Anwendung der neuen Technologie auf eine neue Art und Weise. Die vorliegende Erfindung betrifft eine neue flüssige-Kristall-Anzeigevorrichtung, in der die elektrisch-optische Lebensdauer der flüssigen Kristallschichten, die darin benützt werden, verlängert ist. Daher ist es ein Ziel der vorliegenden Erfindung, eine neue Reflektionsanzeigevorrichtung zu schaffen, die auf dem Prinzip des flüssigen Kristalls beruht und mit Gleichstrom arbeitet.

Ein weiteres Ziel der Erfindung ist es, eine neue flüssige— Kristall-Anzeigevorrichtung zu schaffen, die eine verlängerte

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elektro-optische Lebensdauer hat bei Anwendung von Gleichstromspannungen.

Die aufgeführten Ziele und andere werden gemäß der Erfindung dadurch erreicht, daß man zwischen zwei Elektroden in einer flüssigen-Kristall-Vorrichtung einen dielektrischen Spiegel vorsieht, der ein oder mehrere Paare von Titandioxyd- und Siliciumdioxydschichten enthält, wobei jede Schicht eine optische Dicke von einem Vielfachen einer Viertelwelle hat und wobei der dielektrische Spiegel eine Dicke hat, die für die Leitung einer elektrischen Ladung wirksam ist, und bei der die Titaniumdioxydschicht in Berührung ist mit der Schicht einer flüssigen kristallinen Zusammensetzung.

Noch ein Ziel der Erfindung ist es,eine wesentlich vergrößerte Reflektionswirksamkeit zu schaffen.

Zum besseren Verständnis der vorliegenden Erfindung, ihrer Ziele und weiteren Merkmale wird auf die folgende detaillierte Beschreibung bevorzugter Ausführungsformen hingewiesen im Zusammenhang mit der beiliegenden Zeichnung, in der

Fig. 1 eine partielle schematische Ansicht im Querschnitt von einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung ist und

Fig. 2 eine partielle schematische Ansicht im Querschnitt einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist.

Fig. 1 illustriert eine Ausfuhrungsform der Erfindung, bei der der dielektrische Spiegel, v/elcher Siliciumdioxyd- und Titandioxydschichten enthält, zwischen der flüssigen Kristallschicht 4- und der Elektrode 2 liegt. Fig. 2 illustriert schematisch eine Ausführungsform einer einen flüssigen Kristall enthaltenden Anzeigevorrichtung, die eine photoleitende

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Schicht beinhaltet. In Fig. 2 trennt der dielektrische Spiegelnder Siliciumdioxyd- und Titandioxydschichten enthält die photoleitende Schicht 7 und die flüssige Kristallschicht 4.

Die Elektroden 2 und 5 sind auf den Substraten 1 und 6 vorgesehen und können jedes passende elektrisch leitende Material enthalten. Typische passende elektrisch leitende Materialien sind Gold, Indiumoxyd, Zinnoxyd, Silber und andere Leiter. Typische passende Substrate sind Glas, Kunststoff, Papiere, keramische Materialien und andere Isolatoren. Ein Beispiel eines leitend beschichteten Isolators ist NESA Glas, das man von der Pittsburgh Plate Glass Company erhalten kann.

Die flüssige Kristallschicht 4 kann jedes flüssige kristalline Material enthalten, das eine Änderung seiner optischen Eigenschaften bei Anlegung von Spannung zwischen den Elektroden und 5 durchmacht. Das sind z.B. nematische flüssige kristalline Materialien, die dynamische Streuung aufweisen, wie die von Eastman.Kodak Company erhältliche Dynamic Scattering Mixture Nr. 11643, cholesterische flüssige Kristallmaterialien und Mischungen von ihnen, wie z.B. Cholesterylchlorid, Cholesterylnonanoate, Cholesteryloleylcarbonate, nieht-mesomorphische optisch aktive Materialien, wie z.B. 1-Menthol, d-Mannitol und 1-Methone, die mit nematischen flüssigen kristallinen Materialien gemischt sind, oder Mischungen aus diesen Materialien. USA Patent Nr. 3 894 794 wird in die Offenbarung miteinbezogen, um eine komplettere Aufzählung der verschiedenen nematischen cholesterischen nicht-mesomorphen optisch aktiven Materialien und ihrer Mischungen zu liefern. Mischungen des nematischen flüssig-kristallinen Materials und der optisch aktiven nichtmesomorphen Substanz können in organischen Lösungsmitteln wie Chloroform, Petroläther, Methyl-äthylketon und ähnlichen Lösungsmitteln bereitet werden. Sie werden typisch hinterher

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aus der Mischung abgedampft und lassen so die flüssige Kristallzusammensetzung zurück. Ein anderes Verfahren besteht darin, die individuellen Komponenten der flüssigen Kristallzusammensetzung direkt zu kombinieren, indem man die gemischten Komponenten auf eine Temperatur erhitzt, die über der isotropischen Übergangstemperatur der nematischen, flüssigen Kristallsubstanz und dem Schmelzpunkt der nichtmesomorphen Substanz liegt.

In den Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung, bei denen man eine optische Einspeicherung in einer bildweisen Konfiguration wünscht, um die Spannung, die man über der flüssigen kristallinen Zusammensetzung anlegt, zu ändern, wird eine photoleitende Schicht 7.· in dem elektro-optischen System zwischen der flüssigen kristallinen Verbindung und dem leitenden Belag einer der Elektroden miteinbezogen, wie in Pig. 2 gezeigt. Der dielektrische Spiegel wird zwischen der flüssigen kristallinen Zusammensetzung und der photoleitenden Schicht vorgesehen.

Typische passende photoleitende Materialien sind photoleitende anorganische Materialien und photoleitende organische Materialien. Typische geeignete anorganische photoleitende Substanzen schließen ein: Empfindlich gemachtes Zinkoxyd, das z.B. durch Zugabe eines Rhodaminfarbstoffes lichtempfindlich gemacht wurde und von Dupont erhältlich ist; Selen, Selen, das mit Arsen legiert ist, wie z.B. Arsentriselenid, Tellur, Antimon oder Wismuth; Cadmiumsulfid, Cadmiumsulfoselenid und die vielen anderen typischen geeigneten photoleitenden Materialien, die im USA Patent Nr. 3 121 006 von Middleton und anderen und im USA Patent Nr. 3 288 60J> aufgeführt sind. Beide Patente werden in diese Offenbarung einverleibt durch Bezugnahme. Typische passende organische photoleitende Materialien sind z.B. die

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Kombination von 2,5-Bis(p-amionphenyl)-l,3*4— oxadiazol, das unter dem Handelsnamen TO 1920 von Kalle und Company, Wiesbaden-Biebrich, Deutschland, erhältlich ist, und Vinylit VYNS, ein Copolymer von Vinylchlorid und Vinylacetat,, das von der Firma Carbide and Carbon Chemicals Company erhältlich ist; die Kombination von 2,4,7-Trinitro-9-fluorenon mit Polyvinylcarbazol, erhältlich unter dem Handelsnamen Luvican 170 von Winter, Wolf and Company, New York, New York. Die Dicke der photoleitenden Schicht ist nicht kritisch bei der vorliegenden Erfindung. Typische geeignete Dicken sind von ungefähr 1 bis ungefähr 100 Mikrons.

Man wird natürlich verstehen, daß die optische Einspeicherung oder Darbietung eine Strahlungswelle in sich einschließt, die gegenüber dem photoleitenden Material actinisch' ist. Das bedeutet, daß die Wellenlänge der Strahlung innerhalb des fundamentalen Absorptionsbandes des benutzten photoleitenden Materials liegt.

Um die Schichten von Titandioxyd und Siliciumdioxyd der Ausführungsformen von Fig. 1 herzustellen, werden Titan- und Siliciumdioxyd im Vakuum verdampft mit Elektronenstrahlmethoden. Das bedeutet, daß ein Elektronenstrahl- oder-Strahlenbündel das in einem Boot oder einer bootförmigen Vertiefung des Vakuumverdampfungsgefäßes liegende Muster bombadiert, um die für die Verdampfung erforderliche Energie zu liefern. Elektronenstrahlen- oder-Strahlenbündel von hoher Energie, d.h. von ungefähr 3 bis ungefähr 10 Kev werden benützt.

Um die Titandioxyd- und Siliciumdioxydschichten der in Fig. abgebildeten Ausführungsformen herzustellen werden die Dioxyde im Vakuum mit Hilfe derselben Elektronenstrahlmethoden verdampft. Im Zusammenhang mit allen Ausführungsformen hat man

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gefunden, daß die Schicht des Titandioxyds, das aus den Vakuumverdampfungsmethoden hervorgeht, wünschenswerterweise härter ist und ein größeres Haftvermögen zu dem Substrat auf das es aufgebracht ist, besitzt, wenn das Substrat bei erhöhter Temperatur während der Vakuumverdampfung gehalten wird. Eine Temperatur von 175°Cbis ca. 250⁰C wird angewandt. Man hat es wünschenswert gefunden, bei der Herstellung der Ausführungsform, die in Fig.2 abgebildet ist, dafür zu sorgen, daß das photoleitende Material in der photoleitenden Schicht 7 in der Lage ist, eine" Temperatur von 175°C bis ca. 250⁰C während der Vakuumverdampfung des Titandioxyds ausgesetzt zu v/erden. So hat man z.B. gefunden, daß eine Zwischenschicht 8, die aus Zinksulfid besteht und zwischen der Elektrode 2 und der photoleitenden Schicht J liegt, wünschenswert ist, wenn die photoleitende Schicht 7 Arsentriselenid ist.

Die nachfolgenden Beispiele beschreiben auf spezifische Weise wie die bevorzugten Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung am besten verwirklicht werden. Teile und Prozente sind Gewichtsteile und Prozente, wenn es nicht anders angegeben ist.

Beispiel 1

Ein elektro-optisches System, das eine photoleitende Schicht enthält, wird wie folgt hergestellt :^ 2 Elektroden werden hergestellt durch Bedeckung von Glasplatten von ca. 2x2x1/4 Inch (5x5x1/2cm) mit Indiumoxydbelägen, die leitend sind; auf einem der Indiumoxydbeläge wird eine ungefähr 1000 S Einheiten dicke Schicht Zinksulfid durch konventionelle Methoden im Vakuum verdampft. Auf der Zinksulfidschicht verdampft man im Vakuum eine ungefähr 7 Mikron dicke photoleitende Schicht von Arsentriselenid. Auf der Arsentriselenidschicht werden vier sich abwechselnde Schichten von Siliciumdioxyd und Titandioxyd (die Siliciumdioxydschichten sind 893 S dick und die Tltaniumdioxydschichten sind ungefähr 521 8 Einheiten dick) im Vakuum verdampft durch ein Elektronenstrahlbombardement von ungefähr 7 Kev,

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während man dabei das Arsentriselenid bei ungefähr 175° C hält. Dann wird ein ungefähr 1/2 mil dicker Tedler Abstandshalter auf die Titandioxydschicht gesetzt. Der Leerdurchmesser ist ungefähr 6 cm . Eine flüssige cristalline Zusammensetzung, die ungefähr 75$ Dynamic Scattering Mixture No. Il64j5, die von Eastman Kodak Company erhältlich ist, und ungefähr 25$ Cholesteryloleyl Carbonat enthält, wird durch einfaches Mischen hergestellt. Die resultierende Zusammensetzung wird bis auf die isotropische Übergangstemperatur von 100⁰C erhitzt und dann in den leeren Raum des Abstandshalters gegossen, der in Berührung mit der Titandioxydschicht ist. Die zweite Elektrode wird über den Abstandshalter gesetzt, so daß ihr Indiumoxydbelag in Berührung mit der flüssigen kristallinen Zusammensetzung ist. Dadurch wird die Ausführungsform, die schematisch in Fig. 2 illustriert ist, hergestellt.

Name: Nematische Mischung, dynamische Streuung.I Typische Daten einer gewissen Menge:

Nematischer Bereich: 9°C bis 99°C Dielektrische Anisotropie (bei 0,05 Vpp' 1.0 KHz, 25°C):

1.32

Widerstand (bei 35Λ V_rmS! 500 Hz, 23°C):

_rmS

2.9 χ 10° ohm-cm enspannung: 8,1 " Anfängliche Transmission: 80$ (homogene Ausrichtung)

Schwellenspannung: 8,1 "V _s(6o- Hz Sinuswelle)

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Der Indiumoxydbelag ist elektrisch mit einer veränderlichen Spannungsquelle verbunden. Die Bilderzeugung wird dadurch vorgenommen, daß man ungefähr 75 Volt Gleichstrom anlegt und eine bildartige konfigurierte Strahlung von einer Wellenlänge von ungefähr 4.850 S bei einer Intensität von ungefähr 50 ergs/see 1,3 Sekunden lang auf die photoleitende Schicht lenkt. Ausradieren besorgt man durch Anlegen eines Wechselstromes von 400 Volt (Gipfel zu Gipfel) bei einer Frequenz von 2 KHz für eine Zeit von ungefähr 2 Sekunden.

Eine elektro-optische Lebensdauer von mindestens ungefähr 500.000 Bildzyklen wird erhalten, bevor die Qualität des Bildes zurückgeht. Die optische Frequenz beläuft sich auf 50$. Der Kontrast ist 20:1 und die Reflektivität in der Luft ist ca. 75%. Die Reflektionsbandweite ist ca. 2.000 8, zentriert bei ungefähr 5.000 S .

Beispiel 2

Man wiederholt das Beispiel 1, läßt jedoch die vier sich abwechselnden Schichten von Siliciumdioxyd und Titandioxyd weg. Die elektro-optische Lebensdauer ist nur ungefähr 20.000 Bildzyklen. Die optische Wirksamkeit ist ungefähr 10$ und der Kontrast ist ungefähr 10:1.

Allgemein ausgedrückt ist die Reflektionsbandbreite eine Funktion des Verhältnisses der Brechungsindices. Wenn mehr Viertelwellenschichten von Siliciumdioxyd und Titandioxyd zugegeben werden, verringert sich die Reflektionsbandbreite und das Reflexionsvermögen nimmt zu.

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Die vier sich abwechselnden Schichten von Siliciumdioxyd und Titandioxyd, die in Figuren 1 und 2 abgebildet sind, werden bevorzugt. Die Reflektionsbandbreite ist ungefähr 2.000 S und liegt um eine zentrale Wellenlänge, A, von ungefähr 5.000 herum. Die Reflektionsbandbreite eignet sich ideal für die Reflektionsbetrachtung mit Hilfe von sichtbarem Licht. Auch gewährt die Ausführungsform mit den vier sich abwechselnden Schichten reflektiertes Licht, das etwas reich ist im roten Teil des elektro-magnetischen Spektrums. Das gibt der Vorrichtung ein angenehmes, goldartiges Aussehen. Der Nutzen einer verlängerten elektro-optischen Lebensdauer kann jedoch auch bei einem Gleichstrombildgerät mit einem flüssigen Kristall, das einen dielektrischen Spiegel benutzt, erreicht werden, wenn man nur ein Paar Siliciumdioxyd und Titandioxydschichten benützt. Außerdem werden diese Vorteile auch erreicht, wenn mehr als 1 oder 2 Paare von Siliciumdioxyd-und Titandioxydschichten benutzt werden. 3,4,5 oder mehr Paare von Siliciumdioxyd- und Titandioxydschichten funktionieren auch.

Was die Dicke jeder der Siliciumdioxyd und Titandioxydschichten in jedem Paar von Schichten anbetrifft, so ist die optische Dicke, nt, wo η der Refraktionsindex ist, und t die physikalische Schichtendicke ist, gleich C- -—) A > wo m Null ist oder eine positive ganze Zahl und wo A die zentrale Wellenlänge der Reflektionsbandweite ist, die man für die Reflektionsbetrachtung benutzt. Das bedeutet, daß die optische Dichte jeder der Siliciumdioxyd- und Titandioxydschichten in dem dielektrischen Spiegel ein Multiple ist von der zentralen Wellenlänge des Reflektionsbandes.

Weiterhin soll erwähnt v/erden, daß jede bestimmte Schicht von Siliciumdioxyd und Titandioxyd nicht dieselbe Didce haben braucht, wie eine beliebige andere Siliciumdioxyd- oder Titandioxydschicht, solange wie ihre optische Dicke ein Multiples ist von dem Ausdruck C—π—J Λ ·

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Die gesamte Dickenbegrenzung des dielektrischen Spiegels, der hier benutzt wird, unabhängig von der Zahl der Paare der Siliciumdioxyd- und Titandioxydsehichten, hat eine gesamte Dicke, die wirksam ist für die Leitung eines Gleichstroms. Jede beliebige Gesamtdicke des dielektrischen Spiegels, die den Transport von Ladung durch ihn gestattet, kann benutzt werden bei der Ausübung der vorliegenden Erfindung. Typische geeignete Gesamtdicken des dielektrischen Spiegels sind im Bereich von ungefähr I.3OO 8 bis ungefähr 20.000 8 .

Man wird verstehen, daß andere Variationen und Modifikationen dem Fachmann einfallen werden, nachdem er die Offenbarung gelesen hat. Sie sollen innerhalb des Bereiches der vorliegenden Erfindung sein.

Die Fähigkeit, Gleichstrom zu benutzen, wie sie durch die vorliegende Erfindung ermöglicht wird, ist besonders wesentlich bei Bildvorrichtungen und Systemen, bei denen ein empfindlicher Photoleiter benutzt werden soll. Z.B. wo die flüssigen Kristallbilder aus einem CRT eingelesen werden sollen, erfordert die Anwendung eines Photoleiters in dem Bildgerät, daß der Photoleiter eine hohe Empfindlichkeit hat. Die Beweglichkeiten oder Freiheitsgrade des Photoleiters sind derart, daß der Photoleiter eine Ladung nur in einer Richtung transportiert und deshalb die Anwendung von Gleichstrom erfordert.

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Claims

Patentansprüche

Ein einen flüssigen Kristall enthaltendes Anzeigegerät zur Reflektionsbetrachtung einer elektro-optischen Gleichstromveränderung in einer flüssigen Kristallschicht durch eine Reflektionsbandbreite, die eine zentrale Wellenlänge λ hat, dadurch gekennzeichnet, daß es eine Schicht einer flüssigen Kristallverbindung in Berührung mit einem dielektrischen Spiegel zwischen zwei Elektroden enthält, wobei der dielektrische Spiegel eine Dicke hat, die geeignet ist, Gleichstrom zu leiten, und mindestens ein Paar Titandioxyd- und Siliciumdioxydschichten beinhaltet, wobei jede Schicht eine optische Dicke von nt = 0^~π—J/\ hat, wo η der Refraktionsindex, t die Schichtdicke und m Null oder eine positive ganze Zahl ist, und in dem die Titandioxydschicht in Berührung mit der Schicht der flüssigen Kristallzusammensetzung ist.
2. . Ein Gerät nach Anspruch 1 weiterhin dadurch g e k e η η-z e i c.h η e t, daß es eine photoleitende Schicht zwischen der Schicht von Siliciumdioxyd und einer Elektrode hat.
3. Das Gerät gemäß Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die photoleitende Schicht Arsentriselenid enthält und das noch eine Schicht von Zinksulfid enthält, die sich zwischen der photoleitenden Schicht und einer der Elektroden befindet.
4. Das Gerät gemäß Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der dielektrische Spiegel eine Vielzahl von Paaren von Titandioxyd und Siliciumdioxyd beinhaltet, wobei alle außer einer der Siliciumdioxydschichten zwischen zwei Titaniumdioxydschichten liegen, während die eine Siliciumdioxydschicht zwischen einer Titandioxydschicht und dem Photoleiter liegt.

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•I.
5. Das Gerät gemäß Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens eine der Siliciumdioxydschichten eine Dicke von ungefähr 893 8 hat und mindestens eine der Titandioxydschichten eine Dicke von ungefähr 521 % hat,
6. Das Gerät gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke des dielektrischen Spiegels zwischen ungefähr 1.300 8 bis ungefähr 20.000 8 liegt.
7. Das Gerät gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß h einen Wert von ungefähr 5.000 S hat.
8. Das Bildgerät gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß es noch eine Gleichstromspannungsquelle enthält, die sich in elektrischer Verbindung mit den Elektroden befindet.
9» Das Gerät gemäß Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Photoleiterschicht eine Dicke von ungefähr 7 Mikrons und daß die Zinksulfidschicht eine Dicke von ungefähr 1.000 8 hat.
10. Das Gerät gemäß Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß der dielektrische Spiegel zwei Paare von Siliciumdioxyd- und Titandioxydschichten enthält.

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